CN206223684U - 光罩检测装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种光罩检测装置，其包含检测基座、移动平台、转动平台、承载平台、发光单元、雷射测距模块、处理模块及影像撷取模块。移动平台设于检测基座上，且沿检测基座作第一方向的位移。转动平台设于移动平台之上，且沿移动平台作第二方向的位移。承载平台设于转动平台的一面上，承载平台承载光罩，光罩包含基板及多边形框架，多边形框架设于基板的一面上。发光单元设于支架的一侧。雷射测距模块设于支架的一侧。处理模块控制移动平台移动。影像撷取模块采集对应测距信号的检测区域的检测影像。其中，转动平台会转动默认角度，使影像撷取模块采集另一内壁面的若干个检测区域的若干个检测影像。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种光罩检测装置，特别是涉及一种可对光罩的多边形框架的内壁面进行微粒检测，且通过测距后位移调整的方式，对各检测区域精准采集检测影像，以对应产生检测信息的光罩检测装置。
背景技术
就现有的半导体元件制造技术来说，半导体元件的电路图案是通过光罩将电路图案转印至晶圆的表面上形成的。
由于半导体元件的微小化，在制造半导体元件的过程中，光罩的缺陷将会大大影响硅晶圆表面的电路图案的质量，例如造成电路图案的扭曲或变形；目前最常见的造成光罩缺陷的原因在于光罩的表面附有微粒。
因此，为了维持光罩在使用期间的质量，现有技术是在光罩的表面上设置一种光罩保护薄膜(pellicle)，用以防止微粒掉落在光罩表面：然而，光罩保护膜的构造中所包含的框架在设置过程中，其壁面可能已附有微粒，进而可能具有光罩在作业或运送途中，位于框架内壁面的微粒掉落在光罩表面的风险。
所以如何在光罩的使用之前，将光罩保护薄膜的内壁面的微粒检测出来，将是该相关产业亟需思考并解决的一大课题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种光罩检测装置，用以解决现有技术中所面临的问题。
基于上述目的，本实用新型公开了一种光罩检测装置，其包含检测基座、移动平台、转动平台、承载平台、发光单元、雷射测距模块、处理模块及影像撷取模块。检测基座的一面上设有支架。沿检测基座作第一方向的位移的移动平台设于检测基座的所述面上，且位于检测基座与支架之间。沿移动平台作垂直第一方向的第二方向的位移的转动平台设于移动平台之上。承载平台设于转动平台的一面上，承载平台承载光罩，光罩包含基板与多边形框架，多边形框架设于基板的一面上。照射光罩的发光单元设于支架的一侧。测量多边形框架的若干个内壁面的若干个检测区域，且对应各检测区域产生测距信号的雷射测距模块设于支架的一侧。依据测距信号控制移动平台移动的处理模块连结移动平台及雷射测距模块。当移动平台移动后，采集对应测距信号的检测区域的检测影像，且处理模块依据检测影像产生检测信息的影像撷取模块位于支架的一侧并连结处理模块。其中，当影像撷取模块采集完其中一个内壁面的若干个检测区域的若干个检测影像之后，转动平台转动一个预设角度，使影像撷取模块采集另一个内壁面的若干个检测区域的若干个检测影像。
较佳地，移动平台可包含导轨，转动平台沿着导轨移动。
较佳地，雷射测距模块可位于其所测量的其中一个内壁面的斜上方。
较佳地，影像撷取模块可位于其所采集的其中一个内壁面的斜上方。
较佳地，多边形框架可为四边形框架。
较佳地，预设角度可为90度。
较佳地，发光单元可为条状光发光单元。
较佳地，检测信息可包含微粒位置、微粒尺寸或其组合。
较佳地，预设角度可为0至360度。
综上所述，本实用新型的光罩检测装置于影像撷取模块在采集其中一个检测区域的检测影像之前，先通过雷射测距模块对该检测区域进行测量，待移动平台依据测距信号移动后，影像撷取模块再对该检测区域进行检测影像的采集；从而达到精密检测的目的，且具有提升后续的微缩制程良率的功效。
附图说明
图1为本实用新型的光罩检测装置的示意图；
图2为本实用新型的光罩检测装置的方块图；
图3为本实用新型的光罩检测装置的光罩的示意图；
符号说明
100：光罩检测装置
101：基板
102：多边形框架
103：内壁面
104：检测区域
110：检测基座
111：支架
120：移动平台
121：导轨
130：转动平台
140：承载平台
141：光罩
150：发光单元
160：雷射测距模块
170：处理模块
180：影像撷取模块。
具体实施方式
为利审查员了解本实用新型的特征、内容与优点及其所能达成的功效，兹将本实用新型配合图式，并以实施例的表达形式详细说明如下，而其中所使用的图式，其主旨仅为示意及辅助说明书之用，未必为实用新型实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的图式的比例与配置关系解读、局限本实用新型在实际实施上的权利范围。
本实用新型的优点、特征以及达到的技术方法将参照示例性实施例及所附图式进行更详细地描述而更容易理解，且本实用新型或可以不同形式来实现，故不应被理解仅限于此处所陈述的实施例，相反地，对所属技术领域具有通常知识者而言，所提供的实施例将使本公开更加透彻、全面且完整地传达本实用新型的范畴，且本实用新型将仅为所附加的权利要求书所定义。
请参阅图1~图3；图1为本实用新型的光罩检测装置的示意图；图2为本实用新型的光罩检测装置的方块图；图3为本实用新型的光罩的示意图。如图所示，本实用新型的光罩检测装置100包含检测基座110、移动平台120、转动平台130、承载平台140、发光单元150、雷射测距模块160、处理模块170及影像撷取模块180。其中，移动平台120用以带动承载着光罩141的承载平台140移动；转动平台130用以带动承载平台140转动，将待测量及检测的其中一个内壁面转至对应雷射测距模块160及影像撷取模块180的位置；发光单元150用以提供采集影像时的光源；处理模块170则用以控制移动平台120移动、转动平台130转动，以及分析检测影像以产生对应的检测信息。
检测基座110的一面上设有支架111。移动平台120则设于检测基座110设有支架111的该面上，且移动平台120位于检测基座110与支架111之间，支架111横跨在移动平台120之上；移动平台120可沿检测基座110作第一方向的位移。转动平台130设于移动平台120之上，且可沿着移动平台120作第二方向的位移；其中；第一方向与第二方向互为垂直，换句话说，光罩141可通过移动平台120在检测基座110平面上作相对检测基座110的X轴及Y轴方向的位移。
承载平台140设于转动平台130的一面上，承载平台140承载光罩141；如图3所示，光罩141包含基板101及多边形框架102，多边形框架102设于基板101的一面上，而多边形框架102的若干个内壁面103即为测量及检测的目标对象，各内壁面103具有若干个检测区域104。
发光单元150位于支架111的一侧，且以一角度照射光罩141，以提供检测所需的光源；其中，发光单元150较佳为条状光发光单元，但不以此为限。雷射测距模块160位于支架111的一侧，用以测量多边形框架102的若干个内壁面103的若干个检测区域104，且对应各检测区域104产生测距信号。处理模块170则依据测距信号控制移动平台120移动。影像撷取模块180位于支架111的一侧，当每次移动平台120移动完毕之后，采集对应测距信号的检测区域104的检测影像，并将检测影像传送至处理模块170，以使处理模块170据以分析产生检测信息；其中，检测信息包含检测区域104中的微粒相关信息，如微粒位置、微粒尺寸等。其中，通过处理模块170控制移动平台120位移，以使所欲采集的检测区域104与影像撷取模块180的距离符合影像撷取模块180的焦距。较佳地，发光单元150、雷射测距模块160及影像撷取模块180皆位于支架111的同一侧，且以互不影响为前提而彼此相邻，但不以此为限。
当影像撷取模块180采集完其中一个内壁面103的若干个检测区域104的若干个检测影像之后，转动平台130将转动预设角度，使影像撷取模块180可进行另一个内壁面的若干个检测区域104的若干个检测影像的采集；其中，预设角度为0至360度，其可依据多边形框架102所具有的内壁面103的数量决定预设角度。以此方式，对多边形框架102的所有内壁面103中的各检测区域104进行检测影像的采集。
本实用新型的光罩检测装置100的影像撷取模块180是依次对各内壁面103中的各检测区域104进行检测影像的采集，但每对其中一个检测区域104采集一张检测影像之前，需先通过雷射测距模块160对该检测区域104进行测距测量，进而使移动平台120执行位置的调整，以确保该检测区域104位于影像撷取模块180的焦距中，从而获得精确的检测影像。
移动平台120进一步可包含导轨121，转动平台130位于导轨121之上，进而转动平台130可沿着导轨121进行第二方向的位移。
此外，考虑到多边形框架102的各内壁面103是垂直于光罩141的基板101，为能测量及采集影像，雷射测距模块160较佳地位于所要测量的其中一个内壁面103的斜上方；同理，影像撷取模块180亦较佳地位于所要采集的其中一个内壁面103的斜上方。
如图3所示，举例而言，多边形框架102较佳为四边形框架；进而，其具有四个内壁面103，而转动平台130转换各内壁面103所需转动的预设角度为90度。上述仅为举例，不应以此为限。
综上所述，本实用新型的光罩检测装置于影像撷取模块在采集其中一个检测区域的检测影像之前，先通过雷射测距模块对该检测区域进行测量，待移动平台依据测距信号移动后，影像撷取模块再对该检测区域进行检测影像的采集；从而达到精密检测的目的，且具有提升后续的微缩制程良率的功效。
以上所述的实施例仅为说明本实用新型的技术思想及特点，其目的在使熟习此项技艺的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，当不能以此限定本实用新型的权利要求，即大概依本实用新型所公开的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本实用新型的权利要求内。
Claims (9)
1.一种光罩检测装置，其特征在于包含：
检测基座，所述检测基座一面上设有支架；
沿所述检测基座作第一方向的位移的移动平台，设于所述检测基座的所述面上，且位于所述检测基座与所述支架之间；
沿所述移动平台作垂直所述第一方向的第二方向的位移的转动平台，设于所述移动平台之上；
承载平台，设于所述转动平台的一面上，所述承载平台承载光罩，所述光罩包含基板与多边形框架，所述多边形框架设于所述基板的一面上；
照射所述光罩的发光单元，设于所述支架的一侧；
测量所述多边形框架的若干个内壁面的若干个检测区域，且对应各个检测区域产生测距信号的雷射测距模块，设于所述支架的一侧；
依据测距信号控制所述移动平台移动的处理模块，连结所述移动平台及所述雷射测距模块；以及，
当所述移动平台移动后，采集对应测距信号的检测区域的检测影像，且所述处理模块是依据检测影像产生检测信息的影像撷取模块，设于所述支架的一侧并连结所述处理模块；
其中，当所述影像撷取模块采集完其中一个内壁面的若干个检测区域的若干个检测影像之后，所述转动平台转动一个预设角度，使所述影像撷取模块采集另一个内壁面的若干个检测区域的若干个检测影像。
2.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述移动平台包含导轨，所述转动平台沿着所述导轨发生位移。
3.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述雷射测距模块位于其所测量的其中一个内壁面的斜上方。
4.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述影像撷取模块位于其所采集的其中一个内壁面的斜上方。
5.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述多边形框架为四边形框架。
6.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述预设角度为90度。
7.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述发光单元为条状光发光单元。
8.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述检测信息包含微粒位置、微粒尺寸或其组合。
9.如权利要求1所述的光罩检测装置，其特征在于，其中所述预设角度为0至360度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104217902 | 2015-11-09 | ||
| TW104217902U TWM518775U (zh) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | 光罩檢測裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206223684U true CN206223684U (zh) | 2017-06-06 |
Family
ID=56086276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621154146.2U Active CN206223684U (zh) | 2015-11-09 | 2016-10-31 | 光罩检测装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206223684U (zh) |
| TW (1) | TWM518775U (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6688172B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび方法 |
-
2015
- 2015-11-09 TW TW104217902U patent/TWM518775U/zh unknown
-
2016
- 2016-10-31 CN CN201621154146.2U patent/CN206223684U/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWM518775U (zh) | 2016-03-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |