CN205942566U - 一种三选二卡座的保护电路及智能终端 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种三选二卡座的保护电路及智能终端，包括基带芯片、三选二卡座、负载开关Q1、第一电容C1、第二电容C2、设于所述三选二卡座内的开关K1、电平转换开关电路K2，开关K1的一端与三选二卡座的脚SD_EINT连接后与所述基带芯片的脚EINT连接，另一端接地，电平转换开关电路K2的一端与所述基带芯片的脚EINT连接，另一端与负载开关Q1的脚EN连接，负载开关Q1的脚VIN与所述基带芯片的脚VMCH连接，同时与第一电容C1连接后接地，脚OUT与所述三选二卡座的脚SD_VMCH连接，同时与第二电容C2连接后接地，脚GND接地。本实用新型能够保护SIM卡在***和拔出卡座过程中不被旁边的SD卡电路影响而受损，电路结构设计简单，安全可靠性高，实用性强。
Description
技术领域
本实用新型涉及卡座电路领域，尤其涉及一种三选二卡座的保护电路及安装有该保护电路的智能终端。
背景技术
现有的三选二卡座具有两个卡槽：一个可以用来放置SIM卡，另一个可以选择放置SIM卡或者SD卡，具有方便用户灵活使用的功能。但三选二卡座在以下使用情况中可能造成SIM卡烧毁：
1.在拔出卡座的时候，SIM卡会经过SD卡的pin管脚，由于SD卡不能及时下电，可能会烧毁SIM卡；
2.开机过程有短暂时间T卡供电默认是打开的，此时***SIM卡，可能会烧毁SIM卡；
3.半***SIM卡后开机，开机过程有短暂时间SD卡供电，可能会烧毁SIM卡；
4.卡座未放入SD卡(仅放入SIM卡)，***卡座后仍会激活SD卡的pin管脚，***再次被唤醒的时候会给SD卡供电，此时拔出卡座可能会烧毁SIM卡。
因此，需要在现有三选二卡座中设计一种保护电路，防止用户在使用过程中造成SIM卡烧毁。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种三选二卡座的保护电路及智能终端。
本实用新型提出的三选二卡座的保护电路包括基带芯片、三选二卡座、负载开关Q1、第一电容C1、第二电容C2、开关K1、电平转换开关电路K2，所述开关K1设于所述三选二卡座内，开关K1的一端与三选二卡座的脚SD_EINT连接后与所述基带芯片的脚EINT连接，开关K1的另一端接地，所述电平转换开关电路K2的一端与所述基带芯片的脚EINT连接，另一端与负载开关Q1的脚EN连接，所述负载开关Q1的脚VIN与所述基带芯片的脚VMCH连接，同时与第一电容C1连接后接地，脚OUT与所述三选二卡座的脚SD_VMCH连接，同时与第二电容C2连接后接地，脚GND接地。
所述电平转换开关电路K2包括串联的场效应管Q2和电阻R，场效应管Q2的G极与所述基带芯片的脚EINT连接，D极接地，S极与电阻R连接，电阻R的另一端连接电源接口脚VCC，所述负载开关Q1的脚EN连接在场效应管Q2与电阻R的连接线之间。
在一实施例中，所述场效应管Q2为N沟道MOS管。
所述电平转换开关电路K2的工作电压范围为0-3V。
优选地，所述电平转换开关电路K2的工作电压为1.8V。
优选地，所述电平转换开关电路K2的电阻R的阻值为10kΩ。
优选地，所述第一电容C1的容值为1μF或4.7μF，所述第二电容C2的容值为1μF或4.7μF。
本实用新型还提供了一种安装有所述三选二卡座的保护电路的智能终端。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：提供一种三选二卡座的保护电路，该保护电路采用开关控制电路导通的原理，在所述三选二卡座内设置有用于检测SIM卡是否***的开关，在所述基带芯片和所述三选二卡座间设置有电平转换开关电路和负载开关两道开关控制导通基带芯片和三选二卡座之间的电路，保护SIM卡在***和拔出过程不会由于触碰到旁边的SD卡的金属引脚而对其造成的损坏，电路结构设计简单，安全可靠性高，实用性强。
附图说明
图1为本实用新型保护电路的电路图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。
如图1所示，本实用新型提出的三选二卡座的保护电路包括基带芯片、三选二卡座、负载开关Q1、第一电容C1、第二电容C2、开关K1、电平转换开关电路K2。
开关K1设于所述三选二卡座内，用于监测是否有SIM卡***，开关K1的一端与三选二卡座的脚SD_EINT连接后与基带芯片的脚EINT连接，开关K1的另一端接地，电平转换开关电路K2包括串联的场效应管Q2和电阻R，场效应管Q2的G极与基带芯片的脚EINT连接，D极接地，S极与电阻R连接，电阻R的另一端连接电源接口脚VCC，负载开关Q1的脚EN连接在场效应管Q2与电阻R的连接线之间，负载开关Q1的脚VIN与基带芯片的脚VMCH连接，同时与第一电容C1连接后接地，脚OUT与三选二卡座的脚SD_VMCH连接，同时与第二电容C2连接后接地，脚GND接地。
本实施例中，场效应管Q2为N沟道MOS管，电平转换开关电路K2的型号为SGM2578，负载开关Q1为型号为WNM2030-3/TR 的N沟道MOS管，电平转换开关电路K2的工作电压范围为0-3V，优选地，电平转换开关电路K2的工作电压为1.8V，电平转换开关电路K2的电阻R的阻值为10kΩ，第一电容C1的容值为1μF或4.7μF，所述第二电容C2的容值为1μF或4.7μF。
本实用新型保护电路的具体工作原理如下：当三选二卡座上未***SIM卡时，开关K1为断开状态，基带芯片的脚EINT初始电平为高电平，将电平转换开关电路K2内的场效应管Q2导通，使得负载开关Q1的脚EN接地，变为低电平，负载开关Q1为断开状态，基带芯片和三选二卡座之间不导通；当三选二卡座***SIM卡时，开关K1为导通状态，开关K1接地，基带芯片的脚EINT变为低电平，将电平转换开关电路K2内的场效应管Q2断开，使得负载开关Q1的脚EN接电源VCC，变为高电平，负载开关Q1为导通状态，基带芯片和三选二卡座之间导通。
本实用新型还提供了一种在手机内安装有所述三选二卡座的保护电路的智能终端。
本实用新型提供的保护电路采用开关控制电路导通的原理，在所述三选二卡座内设置有用于检测SIM卡是否***的开关，在所述基带芯片和所述三选二卡座间设置有电平转换开关电路和负载开关两道开关控制导通基带芯片和三选二卡座之间的电路，保护SIM卡在***和拔出过程不会由于触碰到旁边的SD卡的脚PIN而对其供电造成的损坏，电路结构设计简单，安全可靠性高，实用性强。
上述实施例仅用于说明本实用新型的具体实施方式。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和变化，这些变形和变化都应属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种三选二卡座的保护电路，包括基带芯片和三选二卡座，其特征在于，还包括负载开关Q1、第一电容C1、第二电容C2、开关K1和电平转换开关电路K2，所述开关K1设于所述三选二卡座内，开关K1的一端与三选二卡座的脚SD_EINT连接后与所述基带芯片的脚EINT连接，开关K1的另一端接地；所述电平转换开关电路K2的一端与所述基带芯片的脚EINT连接，另一端与负载开关Q1的脚EN连接；所述负载开关Q1的脚VIN与所述基带芯片的脚VMCH连接，同时与第一电容C1连接后接地，脚OUT与所述三选二卡座的脚SD_VMCH连接，同时与第二电容C2连接后接地，脚GND接地。
2.如权利要求1所述的三选二卡座的保护电路，其特征在于，所述电平转换开关电路K2包括串联的场效应管Q2和电阻R，场效应管Q2的G极与所述基带芯片的脚EINT连接，D极接地，S极与电阻R连接，电阻R的另一端连接电源接口脚VCC，所述负载开关Q1的脚EN连接在场效应管Q2与电阻R的连接线之间。
3.如权利要求2所述的三选二卡座的保护电路，其特征在于，所述场效应管Q2为N沟道MOS管。
4.如权利要求1所述的三选二卡座的保护电路，其特征在于，所述电平转换开关电路K2的工作电压范围为0-3V。
5.如权利要求1所述的三选二卡座的保护电路，其特征在于，所述电平转换开关电路K2的工作电压为1.8V。
6.如权利要求2所述的三选二卡座的保护电路，其特征在于，所述电平转换开关电路K2的电阻R的阻值为10kΩ。
7.如权利要求1所述的三选二卡座的保护电路，其特征在于，所述第一电容C1的容值为1μF或4.7μF，所述第二电容C2的容值为1μF或4.7μF。
8.一种安装有权利要求1-7任一项所述三选二卡座的保护电路的智能终端。
Priority Applications (1)
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| CN201620582928.XU CN205942566U (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种三选二卡座的保护电路及智能终端 |
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Publications (1)
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ID=57933145
Family Applications (1)
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2016
- 2016-06-15 CN CN201620582928.XU patent/CN205942566U/zh active Active
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