CN105893897A - 一种防止sim卡烧卡的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防止SIM卡烧卡的方法，涉及移动终端设备技术领域，该方法包括：在卡托内设置电源控制电路，实时监测SIM卡和SD卡的检测电压；根据所述SIM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，通过简单电路来控制SD卡的电源的打开或关闭，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。

Description

一种防止SIM卡烧卡的方法
技术领域
本发明涉及移动终端设备领域，尤其涉及一种防止SIM卡烧卡的方法。
背景技术
在现有的终端设备中，有很多智能终端设备的SD卡和SIM卡集合在一个卡槽和卡托中，但是对于SD卡靠外，SIM卡靠内的卡托设计(如图1)，在插拔过程中，SIM卡容易接触到SD卡卡座的弹片，而如果此时SD卡卡座的弹片因各种原因没有及时关闭，就会接触到SIM卡而短路被烧毁。
发明内容
本发明的主要目的在于提出一种防止SIM卡烧卡的方法，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。
为实现上述目的，本发明提供的一种防止SIM卡烧卡的方法，包括：
在卡托内设置电源控制电路，实时监测SIM卡和SD卡的检测电压；
根据所述SIM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；
根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断。
可选地，所述SD卡的插拔状态包括：未插卡状态、插卡状态和拔卡状态。
可选地，所述根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断具体为：
当所述SD卡处于未插卡状态或拔卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源关闭，当所述SD卡处于插卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源导通。
可选地，所述卡托内设置有卡槽，所述SIM卡和SD卡位于所述卡槽内，且所述SD卡位于SIM卡的外侧。
可选地，所述电源控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、N-MOS管Q1、P-MOS管Q2，其中，电阻R1的一端连接开机默认电源VIO-1P8，电阻R1的另一端与电阻R3的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及N-MOS管Q1的栅极连接在一起，电阻R3的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，N-MOS管Q1的漏极接地，N-MOS管Q1的源极与电阻R2的一端及P-MOS管Q2的栅极连接在一起，电阻R2的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q2的源极连接在一起，P-MOS管Q2的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-POWER。
可选地，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为低电平，当SD卡处于未插卡状态时，N—MOS管Q1不导通，此时P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由低变为高，此时N-MOS管Q1导通，继而P-MOS管Q2的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由高变为低，N-MOS管Q1不导通，P-MOS管Q2的栅极状态拉高，P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER被关闭，SIM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
可选地，所述电源控制电路包括：电阻R4、电阻R5、电阻R6、P-MOS管Q3、P-MOS管Q4，其中，电阻R4的一端连接开机默认电源VIO-1P8，电阻R4的另一端与电阻R6的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及P-MOS管Q3的栅极连接在一起，电阻R6的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，P-MOS管Q3的漏极接地，P-MOS管Q3的源极与电阻R5的一端及P-MOS管Q4的栅极连接在一起，电阻R5的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q4的源极连接在一起，P-MOS管Q4的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-POWER。
可选地，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平，当SD卡处于未插卡状态时，P—MOS管Q3、Q4均不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由高变为低，此时P-MOS管Q3导通，继而P-MOS管Q4的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由低变为高，P-MOS管Q3不导通，P-MOS管Q4的栅极状态拉高，P-MOS管Q4不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER被关闭，SIM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
本发明提出的一种防止SIM卡烧卡的方法，包括：在卡托内设置电源控制电路，实时监测SIM卡和SD卡的检测电压；根据所述SIM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，通过简单电路来控制SD卡的电源的打开或关闭，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。
附图说明
图1本发明实施例一提供的一种防止SIM卡烧卡的方法流程图；
图2本发明实施例一提供的电源控制电路的电路图；
图3本发明实施例二提供的电源控制电路的电路图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
如图1所示，为本实施例提供的一种防止SIM卡烧卡的方法流程图。
本发明提供的一种防止SIM卡烧卡的方法，包括：
S10、在卡托内设置电源控制电路，实时监测SIM卡和SD卡的检测电压；
S20、根据所述SIM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；
S30、根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断。
在本实施例中，适用于如图1所示的卡托，所述卡托内设置有卡槽，所述SIM卡和SD卡位于所述卡槽内，且所述SD卡位于SIM卡的外侧，这经常导致SIM卡被烧毁，主要包括以下几种情况：
当拔出卡托的时候，SIM卡会经过SD卡电源pin的位置，由于SD卡不及时下电，可能会烧毁SIM卡；
在开机过程中，有短暂时间开机默认电源VIO-1P8是打开的，此时***SIM卡，可能会烧毁SIM卡；
半***SIM卡后按开机键开机，开机过程中有断站时间SD卡外部电源V-SD默认为打开的，可能会烧毁SIM卡；
综上，SD卡电源、开机默认电源VIO-1P8及SD卡外部电源V-SD都可能会导致SIM卡烧毁，本发明提供了一种电源控制电路，将以上电源与SD卡电源输入端隔离，并根据SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。
在本实施例中，开机默认电源VIO-1P8及SD卡外部电源V-SD皆默认为供电状态。
在本实施例中，所述SD卡的插拔状态包括：未插卡状态、插卡状态和拔卡状态。
在本实施例中，所述根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断具体为：
当所述SD卡处于未插卡状态或拔卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源关闭，当所述SD卡处于插卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源导通。
如图2所示，在本实施例中，所述电源控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、N-MOS管Q1、P-MOS管Q2，其中，电阻R1的一端连接开机默认电源VIO-1P8，电阻R1的另一端与电阻R3的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及N-MOS管Q1的栅极连接在一起，电阻R3的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，N-MOS管Q1的漏极接地，N-MOS管Q1的源极与电阻R2的一端及P-MOS管Q2的栅极连接在一起，电阻R2的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q2的源极连接在一起，P-MOS管Q2的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-POWER。
在本实施例中，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为低电平，当SD卡处于未插卡状态时，N—MOS管Q1不导通，此时P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由低变为高，此时N-MOS管Q1导通，继而P-MOS管Q2的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由高变为低，N-MOS管Q1不导通，P-MOS管Q2的栅极状态拉高，P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER被关闭，SIM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
实施例二
如图3所示，在本实施例中，所述电源控制电路包括：电阻R4、电阻R5、电阻R6、P-MOS管Q3、P-MOS管Q4，其中，电阻R4的一端连接开机默认电源VIO-1P8，电阻R4的另一端与电阻R6的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及P-MOS管Q3的栅极连接在一起，电阻R6的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，P-MOS管Q3的漏极接地，P-MOS管Q3的源极与电阻R5的一端及P-MOS管Q4的栅极连接在一起，电阻R5的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q4的源极连接在一起，P-MOS管Q4的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-POWER。
在本实施例中，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平，当SD卡处于未插卡状态时，P—MOS管Q3、Q4均不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由高变为低，此时P-MOS管Q3导通，继而P-MOS管Q4的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由低变为高，P-MOS管Q3不导通，P-MOS管Q4的栅极状态拉高，P-MOS管Q4不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER被关闭，SIM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
与实施例一不同的是，本实施例考虑的是SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平的状态下的具体电路，两个电路针对不同的情况，都可以控制SD卡电源的通断，进而防止SIM卡不便烧毁。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，包括：
在卡托内设置电源控制电路，实时监测SIM卡和SD卡的检测电压；
根据所述SIM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；
根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断。
2.根据权利要求1所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述SD卡的插拔状态包括：未插卡状态、插卡状态和拔卡状态。
3.根据权利要求2所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断具体为：
当所述SD卡处于未插卡状态或拔卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源关闭，当所述SD卡处于插卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源导通。
4.根据权利要求3所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述卡托内设置有卡槽，所述SIM卡和SD卡位于所述卡槽内，且所述SD卡位于SIM卡的外侧。
5.根据权利要求4所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述电源控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、N-MOS管Q1、P-MOS管Q2，其中，电阻R1的一端连接开机默认电源VIO-1P8，电阻R1的另一端与电阻R3的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及N-MOS管Q1的栅极连接在一起，电阻R3的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，N-MOS管Q1的漏极接地，N-MOS管Q1的源极与电阻R2的一端及P-MOS管Q2的栅极连接在一起，电阻R2的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q2的源极连接在一起，P-MOS管Q2的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-POWER。
6.根据权利要求5所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为低电平，当SD卡处于未插卡状态时，N—MOS管Q1不导通，此时P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由低变为高，此时N-MOS管Q1导通，继而P-MOS管Q2的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由高变为低，N-MOS管Q1不导通，P-MOS管Q2的栅极状态拉高，P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER被关闭，SIM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
7.根据权利要求4所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述电源控制电路包括：电阻R4、电阻R5、电阻R6、P-MOS管Q3、P-MOS管Q4，其中，电阻R4的一端连接开机默认电源VIO-1P8，电阻R4的另一端与电阻R6的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及P-MOS管Q3的栅极连接在一起，电阻R6的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，P-MOS管Q3的漏极接地，P-MOS管Q3的源极与电阻R5的一端及P-MOS管Q4的栅极连接在一起，电阻R5的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q4的源极连接在一起，P-MOS管Q4的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-POWER。
8.根据权利要求7所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平，当SD卡处于未插卡状态时，P—MOS管Q3、Q4均不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由高变为低，此时P-MOS管Q3导通，继而P-MOS管Q4的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由低变为高，P-MOS管Q3不导通，P-MOS管Q4的栅极状态拉高，P-MOS管Q4不导通，SD卡的电源SD-CARD-POWER被关闭，SIM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
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