CN205810337U - 一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其中：包括正电压电源放电电路和负电压电源放电电路；所述的正电压电源放电电路通过控制端口的三极管分别连接两个场效应晶体管Q5和Q14进行导通和关断，正电压电源放电电路工作；所述的负电压电源放电电路通过控制端口的场效应晶体管Q8分别连接场效应晶体管Q9和Q13进行导通和关断，负电压电源放电电路工作。本实用新型具有上下电速度快、安全性能高、寿命长、体积小和成本低的优点，更适合在快速放电中使用。
Description
技术领域
本实用新型属于液晶屏测试技术领域，涉及一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路。
背景技术
液晶屏测试过程中，需要严格按照液晶屏规格书给出的上下电时序要求来操作，一些液晶屏对下电过程中的放电时间有要求，需要在给定的时间内完成电荷的泄放，否则会导致液晶屏产生闪烁，影响显示效果。
传统的做法是使用继电器，通过数字控制的方式，在下电时，让被控制的电源直接连接至GND，从而从达到瞬时放电的目的。由于使用的是继电器，存在电火花的安全隐患，另外，继电器的寿命短，价格高，占用电路板面积大。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有数据线的不足，提供一种利用三极管以及场效应管达到控制液晶屏上下电时序，并且能够让液晶在下电过程中快速泄放电荷的用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路。
为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其中：包括正电压电源放电电路和负电压电源放电电路；所述的正电压电源放电电路通过控制端口的三极管分别连接两个场效应晶体管Q5和Q14进行导通和关断，正电压电源放电电路工作；所述的负电压电源放电电路通过控制端口的场效应晶体管Q8分别连接场效应晶体管Q9和Q13进行导通和关断，负电压电源放电电路工作。
进一步的，所述的正电压电源放电电路包括三极管Q10、场效应晶体管Q5和Q14，场效应晶体管Q5的栅极与Q14的栅极相连，并且连接电阻R27和三极管Q10的集电极；三极管Q10的基电极分别与电阻R36和R39连接，电阻R36的另外一端与控制器连接（MCU_UIO_C），R39另外一端与三极管Q10的发射极连接，并接地；场效应晶体管Q5的漏极分别连接电容C31、电阻R28和液晶屏（LCD_VSP），Q14的源极和电容C31另一端分别接地，场效应晶体管Q5的源极和电阻R27都与正电压电源和电容C30连接，并连接至液晶电源正电压提供端（LCD_VSP_MB），电容C30的另一端接地；Q5的漏极与Q14的源极之间连接有电阻R28。
更进一步的，所述的负电压电源放电电路的场效应晶体管Q9栅极和Q13的栅极相连，并且连接电阻R35和R29；R35另外一端与Q8的漏极相连，Q8的源极连接控制器（MCU_ID）和电阻R40，R40的另外一端与地相连；Q8的栅极与地相连；Q13的源极与液晶电源负电压提供端连接（LCD_VSN_MB），并连接C32，以及R29另外一端，C32的另外一端连接地；Q13的漏极分别与液晶屏（LCD VSN）、电容C33、电阻R30连接；电容C33另一端连接地，R30另外一端连接Q9的漏极；Q9的源极连接地。
更进一步的，所述的正电压电源的电压为正电压。
更进一步的，所述的负电压电源的电压为负电压。
更进一步的，所述的场效应晶体管Q5为PMOS管，场效应晶体管Q14为NMOS管。
更进一步的，所述的场效应晶体管Q8和Q9为PMOS管，场效应晶体管Q13为NMOS管。
本实用新型的有益效果：
本实用新型通过利用三极管以及场效应管达到控制液晶屏上下电时序，并且能够让液晶在下电过程中快速泄放电荷。本实用新型具有上下电速度快、安全性能高、寿命长、体积小和成本低的优点，更适合在快速放电中使用。
附图说明
附图1是实施例的正电压电源放电电路示意图；
附图2是实施例的负电压电源放电电路示意图。
具体实施方式
下面参照附图，对本实用新型的具体实施方式进一步的详细描述。
实施例1：
如图1、2所示，一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其中：包括正电压电源放电电路和负电压电源放电电路；所述的正电压电源放电电路通过控制端口的三极管分别连接两个场效应晶体管Q5和Q14进行导通和关断，正电压电源放电电路工作；所述的负电压电源放电电路通过控制端口的场效应晶体管Q8分别连接场效应晶体管Q9和Q13进行导通和关断，负电压电源放电电路工作。
所述的正电压电源放电电路包括三极管Q10、场效应晶体管Q5和Q14，场效应晶体管Q5的栅极与Q14的栅极相连，并且连接电阻R27和三极管Q10的集电极；三极管Q10的基电极分别与电阻R36和R39连接，电阻R36的另外一端与控制器连接（MCU_UIO_C），R39另外一端与三极管Q10的发射极连接，并接地；场效应晶体管Q5的漏极分别连接电容C31、电阻R28和液晶屏（LCD_VSP），Q14的源极和电容C31另一端分别接地，场效应晶体管Q5的源极和电阻R27都与正电压电源和电容C30连接，并连接至液晶电源正电压提供端（LCD_VSP_MB），电容C30的另一端接地；Q5的漏极与Q14的源极之间连接有电阻R28。
更进一步的，所述的负电压电源放电电路的场效应晶体管Q9栅极和Q13的栅极相连，并且连接电阻R35和R29；R35另外一端与Q8的漏极相连，Q8的源极连接控制器（MCU_ID）和电阻R40，R40的另外一端与地相连；Q8的栅极与地相连；Q13的源极与液晶电源负电压提供端连接（LCD_VSN_MB），并连接C32，以及R29另外一端，C32的另外一端连接地；Q13的漏极分别与液晶屏（LCD VSN）、电容C33、电阻R30连接；电容C33另一端连接地，R30另外一端连接Q9的漏极；Q9的源极连接地。
更进一步的，所述的正电压电源的电压为+5V。
更进一步的，所述的负电压电源的电压为-5V。
更进一步的，所述的场效应晶体管Q5为PMOS管，场效应晶体管Q14为NMOS管。
更进一步的，所述的场效应晶体管Q8和Q9为PMOS管，场效应晶体管Q13为NMOS管。
正电压电源放电电路的实现原理过程：
液晶屏正常工作时：
1）MCU_UIO_C控制信号送出为电平“1”（电压为3.3V），三极管Q10导通；
2） Q10导通之后，由于PMOS Q5的VGS为负压，并且大于VGS(TH)，Q5导通，则LCD_VSP_MB电源送至LCD_VSP；
3）Q10导通之后，由于NMOS Q14的VGS约为0V，Q14截止，所以，在液晶正常工作时，LCD_VSP不会通过Q14放电；
液晶屏下电时：
1）MCU_UIO_C控制信号送出为电平“0”，三极管Q10截止；
2）Q10截止之后，由于PMOS Q5的VGS约为0V，Q5截止，则LCD_VSP_MB电源无法送至LCD_VSP，从而达到下电的目的；
3）Q10截止之后，NMOS Q14的VGS为正压，并且大于VGS(TH)，Q14导通，所以，LCD_VSP的残留电荷通过Q14泄放到GND；
负电压电源放电电路的实现原理过程：
液晶屏正常工作时：
1）MCU_ID控制信号送出为数字电平“1”（电压为3.3V），由于PMOS
Q8的VGS为负压，并且大于VGS(TH)，Q8导通，Q8漏极D送出数字电平“1”（电压约为3.3V）；
2）Q8漏极D送出电平“1”之后（电压约为3.3V），由于NMOS Q13的VGS为正压，并且大于VGS(TH)，Q13导通，则LCD_VSN_MB电源送至LCD_VSN；
3）Q8漏极D送出电平“1”之后（电压约为3.3V），由于PMOS Q9的VGS为正压，Q9截止，所以，在液晶正常工作时，LCD_VSN不会通过Q9放电；
液晶屏下电时：
1）MCU_ID控制信号送出为电平“0”，由于PMOS Q8的VGS为0V，Q8截止，Q8漏极D为高阻态；
2）Q8漏极D为高阻态之后，由于NMOS Q13的VGS约为0V，Q13截止，则LCD_VSN_MB电源无法送至LCD_VSN，从而达到下电的目的；
3）Q8漏极D为高阻态之后，由于PMOS Q9的VGS为负压，并且大于VGS(TH)，Q9导通，所以，LCD_VSN的残留电荷通过Q9泄放到GND。
本实用新型的有益效果：
本实用新型通过利用三极管以及场效应管达到控制液晶屏上下电时序，并且能够让液晶在下电过程中快速泄放电荷。本实用新型具有上下电速度快、安全性能高、寿命长、体积小和成本低的优点，更适合在快速放电中使用。
以上所述的实施例，只是本实用新型的较优选的具体方式之一，本领域的技术员在本实用新型技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (7)
1.一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其特征是：包括正电压电源放电电路和负电压电源放电电路；所述的正电压电源放电电路通过控制端口的三极管分别连接两个场效应晶体管Q5和Q14进行导通和关断，正电压电源放电电路工作；所述的负电压电源放电电路通过控制端口的场效应晶体管Q8分别连接场效应晶体管Q9和Q13进行导通和关断，负电压电源放电电路工作。
2.根据权利要求1所述的用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其特征是：所述的正电压电源放电电路包括三极管Q10、场效应晶体管Q5和Q14，场效应晶体管Q5的栅极与Q14的栅极相连，并且连接电阻R27和三极管Q10的集电极；三极管Q10的基电极分别与电阻R36和R39连接，电阻R36的另外一端与控制器连接（MCU_UIO_C），R39另外一端与三极管Q10的发射极连接，并接地；场效应晶体管Q5的漏极分别连接电容C31、电阻R28和液晶屏（LCD_VSP），Q14的源极和电容C31另一端分别接地，场效应晶体管Q5的源极和电阻R27都与正电压电源和电容C30连接，并连接至液晶电源正电压提供端（LCD_VSP_MB），电容C30的另一端接地；Q5的漏极与Q14的源极之间连接有电阻R28。
3. 根据权利要求1所述的用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其特征是：所述的负电压电源放电电路的场效应晶体管Q9栅极和Q13的栅极相连，并且连接电阻R35和R29；R35另外一端与Q8的漏极相连，Q8的源极连接控制器（MCU_ID）和电阻R40，R40的另外一端与地相连；Q8的栅极与地相连；Q13的源极与液晶电源负电压提供端连接（LCD_VSN_MB），并连接C32，以及R29另外一端，C32的另外一端连接地；Q13的漏极分别与液晶屏（LCD VSN）、电容C33、电阻R30连接；电容C33另一端连接地，R30另外一端连接Q9的漏极；Q9的源极连接地。
4. 根据权利要求2所述的用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其特征是：所述的正电压电源的电压为正电压。
5. 根据权利要求3所述的用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其特征是：所述的负电压电源的电压为负电压。
6. 根据权利要求2所述的用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其特征是：所述的场效应晶体管Q5为PMOS管，场效应晶体管Q14为NMOS管。
7. 根据权利要求3所述的用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路，其特征是：所述的场效应晶体管Q8和Q9为PMOS管，场效应晶体管Q13为NMOS管。
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| CN201620451792.9U CN205810337U (zh) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路 |
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| CN201620451792.9U CN205810337U (zh) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 一种用于液晶屏正负电源下电过程中快速放电的电路 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106970478A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-07-21 | 深圳市帝晶光电科技有限公司 | 一种用于lcm电测时残留电荷释放电路 |
| CN109559666A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | Lg电子株式会社 | 有机发光二极管显示设备 |
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2016
- 2016-05-17 CN CN201620451792.9U patent/CN205810337U/zh active Active
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