CN205428994U - 无衬底led芯片 - Google Patents
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Abstract
一种无衬底LED芯片,包括芯片层及设置在该芯片层上的保护层,该无衬底LED芯片安装在一个光源板上,该保护层可被去除。本实用新型通过在芯片层上制作保护层,在生产和制作过程中起到支撑和固定的作用。且保护层为可去除结构,当LED芯片安装在光源板上后,去除该保护层。最终设置在光源板上的LED芯片不带有衬底或保护层,避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线,大大提高了出光效率,具有出光效率更好的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种LED芯片,特别是一种无衬底LED芯片。
背景技术
半导体发光二极管即LED,是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射,直接发出红黄蓝绿青橙紫等颜色的光。近年来,在芯片领域,倒装芯片技术正异军突起,特别是在大功率、户外照明的应用市场上更受欢迎。然而,现有的倒装芯片通常包含衬底,如蓝宝石材料的衬底。衬底的折射率均大于封装时用的透明胶,导致了全反射,从而使得光学效率降低。
实用新型内容
有鉴于此,有必要提供一种光学效率高的无衬底LED芯片。
一种无衬底LED芯片,包括芯片层及设置在该芯片层上的保护层,该无衬底LED芯片安装在一个光源板上,该保护层可被去除。
与现有技术相比,无衬底LED芯片通过在芯片层上制作保护层,在生产和制作过程中起到支撑和固定的作用。且保护层为可去除结构,当LED芯片安装在光源板上后,去除该保护层。最终设置在光源板上的LED芯片不带有衬底或保护层,避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线,大大提高了出光效率,具有出光效率更好的优点。
附图说明
图1是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤二的示意图;
图2是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤三的示意图;
图3是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤三的示意图;
图4是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤四的示意图;
图5是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤五的示意图;
图6是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤五的示意图;
图7是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤六的示意图;
图8是本实用新型无衬底LED芯片的示意图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
本实用新型第一实施例的无衬底LED芯片,请参考图1、图8。
该无衬底LED芯片包括芯片层20及设置在该芯片层20上的保护层40。在该无衬底LED芯片被安装到光源板50上之后,该保护层40可被去除。该芯片层20上设置芯片电极21,该无衬底LED芯片通过芯片电极21焊接安装在光源板50上。其中,该无衬底LED芯片不包括传统芯片中的衬底10结构,而使用一种可去除的保护层40取代衬底10。保护层40在制作和运输过程中起到了保护无衬底LED芯片的作用。而当将无衬底焊接到光源板50上后投入使用时,将保护层40去除,使得无衬底LED芯片的照明效果不会受到衬底和保护层的影响。避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线,大大提高了出光效率,具有出光效率更好的优点。
该保护层40由聚合物制成,通过溶剂溶解该聚合物可以去除该保护层40。该聚合物为PMMA材料或PDMS材料。
请参考图1至图8,通过以下无衬底LED芯片的封装方法制成无衬底LED芯片:
请参考图1至图8,该无衬底LED芯片的封装方法主要包括以下步骤:在衬底10上制作芯片层20;去除衬底10并在该芯片层20上设置保护层40;将该芯片层20及保护层40安装在光源板50上,之后去除该保护层40。最终所获得的结构为无衬底LED芯片设置在光源板50上,避免了衬底10吸收或反射LED芯片发出的光线,大大提高了出光效率,具有更好的照明效果。当然,在上述步骤中还可以包括其他常见的芯片封装步骤。以下是包含常见封装步骤的一个优选实施例:
步骤一:首先,在衬底10上制作芯片层20,然后在芯片层20上设置芯片电极21,形成所需的LED芯片结构。其中,更为优选的是倒装LED芯片结构,由于倒装LED芯片结构的芯片电极21为凸点,使得芯片的支撑固定更为简便,使得后续的生产和制作更为方便快捷。
步骤二:在该芯片层20的底部设置支撑物30。请参考图1,通过设置此步骤主要是为了在后续去除衬底10等的生产和制作过程能够对芯片层20起到支撑固定作用。其中,该支撑物30为支撑板结构,该支撑物30粘合在芯片层20的底部,也就是说,该支撑物30设置在该芯片层20的芯片电极21的下方。通过剥离可去除该支撑物30。或者,该支撑物30为固定吸盘,该芯片层20吸附在该支撑物30上方。当然,根据不同的LED芯片结构,也可以不设置该支撑物30。
步骤三:去除衬底10,并在芯片层20上设置保护层40。请参考图2和图3,去除衬底10解决了将带有衬底10的LED芯片直接应用于照明中存在吸光、反射光线等问题。同时去除衬底10后增设保护层40,保证了后续的生产和制作过程芯片层20仍能够收到良好的支撑固定。其中,该保护层40由聚合物制成,通过溶剂溶解该聚合物可以去除该保护层40。优选的,聚合物选用PMMA材料或PDMS材料。当然,该保护层40也可以采用其他能起到保护LED芯片作用并能很方便的去除的材料制成。
步骤四:在该芯片层20上设置保护层40后,将步骤二中设置的支撑物30去除。请参考图4,由于已经设置了保护层40,用于对芯片层20的支撑固定。因此无需再设置支撑物30。后续将进行芯片层20的切割形成单颗的LED芯片,该支撑物30的存在会影响切割工艺。
步骤五:将设有保护层40的芯片层20切割成多个单颗LED芯片。请参考图5和图6,之后再将所述单颗LED芯片焊接到光源板50上。在此步骤中,由于该芯片层20收到该保护层40的支撑和保护,不容易发生断裂或被污染,从而保证了生产工艺的顺利进行。
步骤六:去除保护层40。请参考图7和图8,其所示为由上述无衬底LED芯片的封装方法制成的无衬底LED芯片。该无衬底LED芯片包括芯片层20及设置在该芯片层20上的保护层40,在该无衬底10LED芯片被安装到光源板50上之后,该保护层40可被去除。通过将LED芯片设置在光源板50上后,去除保护层40,使得LED芯片受到光源板50的支撑固定,无需其他的支撑固定结构。简化了LED芯片,省去了衬底10,避免了衬底10吸收或反射LED芯片发出的光线,大大提高了取光效率,具有更好的照明效果。
可以理解的,保护层40通过溶剂溶解实现去除保护层40,只要能够去除保护层40,同时不破坏芯片层20影响最终产品的使用,当然还可以使用其他技术手段去除保护层40。例如,该芯片层20在高温环境下焊接在该光源板50上,可以选择特定的材料,使该保护层40在焊接步骤中受到高温被分解去除。
综上所述,该无衬底LED芯片不包括传统芯片中的衬底结构,而使用一种可去除的保护层取代衬底。保护层在制作和运输过程中起到了保护无衬底LED芯片的作用。而当将无衬底焊接到光源板上后投入使用时,将保护层去除,使得无衬底LED芯片的照明效果不会受到衬底和保护层的影响。避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线,大大提高了出光效率,具有出光效率更好的优点。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型保护的范围之内。
Claims (4)
1.一种无衬底LED芯片,其特征在于,包括芯片层及设置在该芯片层上的保护层,在该无衬底LED芯片安装在一个光源板上,该保护层可被去除。
2.根据权利要求1所述的无衬底LED芯片,其特征在于,该芯片层上设置芯片电极,该无衬底LED芯片通过芯片电极焊接安装在光源板上。
3.根据权利要求1所述的无衬底LED芯片,其特征在于,该保护层由聚合物制成,通过溶剂溶解该聚合物可以去除该保护层。
4.根据权利要求3所述的无衬底LED芯片,其特征在于,该聚合物为PMMA材料或PDMS材料。
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CN105244423A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-01-13 | 漳州立达信光电子科技有限公司 | 无衬底led芯片的封装方法及无衬底led芯片 |
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2015
- 2015-10-30 CN CN201520850711.8U patent/CN205428994U/zh active Active
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CN105244423A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-01-13 | 漳州立达信光电子科技有限公司 | 无衬底led芯片的封装方法及无衬底led芯片 |
CN105244423B (zh) * | 2015-10-30 | 2018-11-20 | 漳州立达信光电子科技有限公司 | 无衬底led芯片的封装方法及无衬底led芯片 |
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