CN205428994U - 无衬底led芯片 - Google Patents

Abstract

一种无衬底LED芯片，包括芯片层及设置在该芯片层上的保护层，该无衬底LED芯片安装在一个光源板上，该保护层可被去除。本实用新型通过在芯片层上制作保护层，在生产和制作过程中起到支撑和固定的作用。且保护层为可去除结构，当LED芯片安装在光源板上后，去除该保护层。最终设置在光源板上的LED芯片不带有衬底或保护层，避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线，大大提高了出光效率，具有出光效率更好的优点。

Description

无衬底LED芯片

技术领域

本实用新型涉及一种LED芯片，特别是一种无衬底LED芯片。

背景技术

半导体发光二极管即LED，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红黄蓝绿青橙紫等颜色的光。近年来，在芯片领域，倒装芯片技术正异军突起，特别是在大功率、户外照明的应用市场上更受欢迎。然而，现有的倒装芯片通常包含衬底，如蓝宝石材料的衬底。衬底的折射率均大于封装时用的透明胶，导致了全反射，从而使得光学效率降低。

实用新型内容

有鉴于此，有必要提供一种光学效率高的无衬底LED芯片。

一种无衬底LED芯片，包括芯片层及设置在该芯片层上的保护层，该无衬底LED芯片安装在一个光源板上，该保护层可被去除。

与现有技术相比，无衬底LED芯片通过在芯片层上制作保护层，在生产和制作过程中起到支撑和固定的作用。且保护层为可去除结构，当LED芯片安装在光源板上后，去除该保护层。最终设置在光源板上的LED芯片不带有衬底或保护层，避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线，大大提高了出光效率，具有出光效率更好的优点。

附图说明

图1是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤二的示意图；

图2是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤三的示意图；

图3是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤三的示意图；

图4是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤四的示意图；

图5是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤五的示意图；

图6是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤五的示意图；

图7是本实用新型无衬底LED芯片的封装方法中步骤六的示意图；

图8是本实用新型无衬底LED芯片的示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

本实用新型第一实施例的无衬底LED芯片，请参考图1、图8。

该无衬底LED芯片包括芯片层20及设置在该芯片层20上的保护层40。在该无衬底LED芯片被安装到光源板50上之后，该保护层40可被去除。该芯片层20上设置芯片电极21，该无衬底LED芯片通过芯片电极21焊接安装在光源板50上。其中，该无衬底LED芯片不包括传统芯片中的衬底10结构，而使用一种可去除的保护层40取代衬底10。保护层40在制作和运输过程中起到了保护无衬底LED芯片的作用。而当将无衬底焊接到光源板50上后投入使用时，将保护层40去除，使得无衬底LED芯片的照明效果不会受到衬底和保护层的影响。避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线，大大提高了出光效率，具有出光效率更好的优点。

该保护层40由聚合物制成，通过溶剂溶解该聚合物可以去除该保护层40。该聚合物为PMMA材料或PDMS材料。

请参考图1至图8，通过以下无衬底LED芯片的封装方法制成无衬底LED芯片：

请参考图1至图8，该无衬底LED芯片的封装方法主要包括以下步骤：在衬底10上制作芯片层20；去除衬底10并在该芯片层20上设置保护层40；将该芯片层20及保护层40安装在光源板50上，之后去除该保护层40。最终所获得的结构为无衬底LED芯片设置在光源板50上，避免了衬底10吸收或反射LED芯片发出的光线，大大提高了出光效率，具有更好的照明效果。当然，在上述步骤中还可以包括其他常见的芯片封装步骤。以下是包含常见封装步骤的一个优选实施例：

步骤一：首先，在衬底10上制作芯片层20，然后在芯片层20上设置芯片电极21，形成所需的LED芯片结构。其中，更为优选的是倒装LED芯片结构，由于倒装LED芯片结构的芯片电极21为凸点，使得芯片的支撑固定更为简便，使得后续的生产和制作更为方便快捷。

步骤二：在该芯片层20的底部设置支撑物30。请参考图1，通过设置此步骤主要是为了在后续去除衬底10等的生产和制作过程能够对芯片层20起到支撑固定作用。其中，该支撑物30为支撑板结构，该支撑物30粘合在芯片层20的底部，也就是说，该支撑物30设置在该芯片层20的芯片电极21的下方。通过剥离可去除该支撑物30。或者，该支撑物30为固定吸盘，该芯片层20吸附在该支撑物30上方。当然，根据不同的LED芯片结构，也可以不设置该支撑物30。

步骤三：去除衬底10，并在芯片层20上设置保护层40。请参考图2和图3，去除衬底10解决了将带有衬底10的LED芯片直接应用于照明中存在吸光、反射光线等问题。同时去除衬底10后增设保护层40，保证了后续的生产和制作过程芯片层20仍能够收到良好的支撑固定。其中，该保护层40由聚合物制成，通过溶剂溶解该聚合物可以去除该保护层40。优选的，聚合物选用PMMA材料或PDMS材料。当然，该保护层40也可以采用其他能起到保护LED芯片作用并能很方便的去除的材料制成。

步骤四：在该芯片层20上设置保护层40后，将步骤二中设置的支撑物30去除。请参考图4，由于已经设置了保护层40，用于对芯片层20的支撑固定。因此无需再设置支撑物30。后续将进行芯片层20的切割形成单颗的LED芯片，该支撑物30的存在会影响切割工艺。

步骤五：将设有保护层40的芯片层20切割成多个单颗LED芯片。请参考图5和图6，之后再将所述单颗LED芯片焊接到光源板50上。在此步骤中，由于该芯片层20收到该保护层40的支撑和保护，不容易发生断裂或被污染，从而保证了生产工艺的顺利进行。

步骤六：去除保护层40。请参考图7和图8，其所示为由上述无衬底LED芯片的封装方法制成的无衬底LED芯片。该无衬底LED芯片包括芯片层20及设置在该芯片层20上的保护层40，在该无衬底10LED芯片被安装到光源板50上之后，该保护层40可被去除。通过将LED芯片设置在光源板50上后，去除保护层40，使得LED芯片受到光源板50的支撑固定，无需其他的支撑固定结构。简化了LED芯片，省去了衬底10，避免了衬底10吸收或反射LED芯片发出的光线，大大提高了取光效率，具有更好的照明效果。

可以理解的，保护层40通过溶剂溶解实现去除保护层40，只要能够去除保护层40，同时不破坏芯片层20影响最终产品的使用，当然还可以使用其他技术手段去除保护层40。例如，该芯片层20在高温环境下焊接在该光源板50上，可以选择特定的材料，使该保护层40在焊接步骤中受到高温被分解去除。

综上所述，该无衬底LED芯片不包括传统芯片中的衬底结构，而使用一种可去除的保护层取代衬底。保护层在制作和运输过程中起到了保护无衬底LED芯片的作用。而当将无衬底焊接到光源板上后投入使用时，将保护层去除，使得无衬底LED芯片的照明效果不会受到衬底和保护层的影响。避免了衬底吸收或反射LED芯片发出的光线，大大提高了出光效率，具有出光效率更好的优点。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型保护的范围之内。

Claims (4)

1.一种无衬底LED芯片，其特征在于，包括芯片层及设置在该芯片层上的保护层，在该无衬底LED芯片安装在一个光源板上，该保护层可被去除。

2.根据权利要求1所述的无衬底LED芯片，其特征在于，该芯片层上设置芯片电极，该无衬底LED芯片通过芯片电极焊接安装在光源板上。

3.根据权利要求1所述的无衬底LED芯片，其特征在于，该保护层由聚合物制成，通过溶剂溶解该聚合物可以去除该保护层。

4.根据权利要求3所述的无衬底LED芯片，其特征在于，该聚合物为PMMA材料或PDMS材料。