CN204557445U - 一种自电容式触控显示面板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种自电容式触控显示面板，包括：相向设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板的内侧设置有平坦化层，以及位于平坦化层之上的多个公共电极块，所述阵列基板的内侧还设置有与每个所述公共电极块电连接的触控引线，所述公共电极块复用为触摸电极块；所述彩膜基板的内侧设置有至少一个主支撑柱和至少一个辅助支撑柱，所述主支撑柱和所述辅助支撑柱的高度相同；还包括和所述触控引线同层设置的支撑柱衬垫，所述支撑柱衬垫和所述主支撑柱对应设置。本实用新型能够简化支撑柱的制作工艺、增加灵活性。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种自电容式触控显示面板。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控屏已经逐渐遍及人们的生活。与仅能提供显示功能的传统显示器相比较，使用触控屏的显示器能够使得使用者与显示控制主机之间进行信息交互。具有触控功能的显示器不仅能够显示，还能通过触控来控制。
现有的液晶显示器包括相向设置的彩膜基板和阵列基板，以及位于彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。彩膜基板和阵列基板之间设置有用于固定两者的框胶，为了结构更加稳定，彩膜基板上还设置有用于支撑阵列基板和彩膜基板之间间隙的支撑柱。对于具有触控功能的显示器，人们在对其进行触控时，显示器中的彩膜基板会被按压下陷，为了增加显示器的稳定度，人们采用高度不同的两种支撑柱来支撑阵列基板和彩膜基板之间的间隙------也就是盒厚：高度较高的支撑柱一般称为主柱，维持液晶显示器的正常盒厚；高度较低的支撑柱一般被称为辅柱，在液晶显示器被按压时来维持一定的盒厚防止不可逆的变形。
上述两种支撑柱的高度差通过曝光时光透过率的不同来实现，此时需要的工艺复杂度较高，且制作完成后，两种支撑柱的高度差固定，灵活性较低。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种自电容式触控显示面板，解决了现有技术中具有高度不同的两种支撑柱的结构制作工艺复杂、灵活性低的问题。
为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种自电容式触控显示面板，包括：
相向设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，
所述阵列基板的内侧设置有平坦化层，以及位于平坦化层之上的多个公共电极块，所述阵列基板的内侧还设置有与每个所述公共电极块电连接的触控引线，所述公共电极块复用为触摸电极块；
所述彩膜基板的内侧设置有至少一个主支撑柱和至少一个辅助支撑柱，所述主支撑柱和所述辅助支撑柱的高度相同；
还包括和所述触控引线同层设置的支撑柱衬垫，所述支撑柱衬垫和所述主支撑柱对应设置。
本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板，通过在阵列基板上设置和触控引线同层的支撑柱衬垫，在彩膜基板上设置高度相同的主支撑柱和辅助支撑柱，并将主支撑柱和支撑柱衬垫相对设置，实现了利用高度相同的主支撑柱和辅助支撑柱实现了高度不同的效果，无需再制作高度不同的两种支撑柱来支撑彩膜基板和阵列基板，简化了支撑柱的制作工艺、增加了灵活性。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的一种实现方式的结构剖面图；
图2是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的另一种实现方式的结构剖面图；
图3是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的公共电极层的结构俯视图；
图4是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图；
图5是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图；
图6是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图；
图7是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。
本实用新型实施例提供了一种自电容式触控显示面板，图1是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的一种实现方式的结构剖面图。参见图1，自电容式触控显示面板包括：相向设置的阵列基板11和彩膜基板12，以及位于阵列基板11和彩膜基板12之间的液晶层13；阵列基板11的内侧设置有平坦化层111，以及位于平坦化层111之上的多个公共电极块112；阵列基板11的内侧还设置有与每个公共电极块112电连接的触控引线113，公共电极块112复用为触摸电极块；阵列基板11还包括和触控电极113同层设置的支撑柱衬垫114；彩膜基板12的内侧设置有至少一个主支撑柱121和至少一个辅助支撑柱122，主支撑柱121和辅助支撑柱122的高度相同，主支撑柱121和支撑柱衬垫114对应设置。
需要说明的是，触控引线可以为金属线，金属线的阻抗值较小，能够提高触控显示面板的性能。触控引线可以位于公共电极块所在膜层的下方，也可以位于公共电极块所在膜层的上方。支撑柱衬垫的材料可以与触控引线的材料相同，这样能够简化制作工艺。支撑柱衬垫与触控引线绝缘设置。
自电容式触控显示面板的阵列基板在制作过程中，包括制备平坦化层的步骤，平坦化层因为厚度较厚，可以消除位于平坦化层下方各个膜层带来的高度断差，使得公共电极和像素电极形成在一个平坦的表面。制备完平坦化层之后，在平坦化层之上制备触控引线和与触控引线同层设置的支撑柱衬垫时，由于触控引线和支撑柱衬垫具有一定的厚度，使得制备完的阵列基板的触控引线和支撑柱衬垫所在区域的高度大于剩余区域(也就是未设置触控引线或支撑柱衬垫的区域)的高度，如图1中凸起的部分所示。在阵列基板之上的彩膜基板的内侧设置高度相同的主支撑柱和辅助支撑柱，且主支撑柱和支撑柱衬垫对应设置，即支撑柱位于支撑柱衬垫的上方，辅助支撑柱位于除触控引线和支撑柱衬垫上方之外的剩余区域。由于阵列基板上支撑柱衬垫上方的区域和除触控引线和支撑柱衬垫上方之外的剩余区域有高度差，自电容式触控显示面板处于未被触控的状态时，主支撑柱的下表面与阵列基板的上表面接触，辅助支撑柱的下表面不与阵列基板的上表面接触。在不对自电容式触控显示面板进行触控时，主支撑柱起到支撑阵列基板和彩膜基板的作用；在对自电容式触控显示面板进行触控时，彩膜基板下陷，主支撑柱收缩，辅助支撑柱的下表面落在阵列基板的上表面，此时，主支撑柱和辅助支撑柱同时起到支撑阵列基板和彩膜基板的作用。此种结构利用相同高度的主支撑柱和辅助支撑柱来支撑阵列基板和彩膜基板，不需要制作高度不同的两种支撑柱，简化了制备工艺，且避开了制备完的高度不同的两种支撑柱的高度差一定的问题，提高了灵活性。
参见图1，可选地，触控引线113和支撑柱衬垫114所在膜层的上层设置有绝缘层115，触控引线113和支撑柱衬垫114上方的绝缘层115的高度大于除触控引线113和支撑柱衬垫114上方之外的剩余区域的绝缘层115的高度。此绝缘层能够起到绝缘触控引线和支撑柱衬垫与公共电极块的作用，其中，触控引线和对应的公共电极块通过过孔连接的方式实现电连接。
可选地，辅助支撑柱的数量大于主支撑柱的数量。此种数量关系的设置能够使得对自电容式触控显示面板进行触控时，支撑力度更大，使得自电容式触控显示面板结构更加稳固。
可选地，触控引线和支撑柱衬垫垂直于阵列基板的区域的高度与剩余区域的高度的高度差为0.25毫米。
图2是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的另一种实现方式的结构剖面图。参见图2和图1，与图1示出的实现方式不同的是，该实现方式的部分触控引线113复用为支撑柱衬垫，主支撑柱121和上述复用为支撑柱衬垫的部分触控引线113相对设置。
与图1示出的实现方式相比，图2示出的实现方式通过将部分触控引线113复用为支撑柱衬垫，无需额外制作支撑柱衬垫，降低了制作工艺及制作成本。
图3是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的公共电极层的结构俯视图。参见图3，阵列基板包括显示区域A和除显示区域A之外的非显示区域B；显示区域中设置有公共电极层，公共电极层包括多个独立设置的公共电极块112，公共电极块112复用为触摸电极块；每个触摸电极块通过触控引线113与非显示区域B的控制单元116电连接，每个触摸电极块的触摸信号通过触控引线113传输到控制单元116，通过控制单元116对触控信号进行分析，实现自电容式触控，其中，触控引线113通过过孔连接的方式与触摸电极块电连接。
图4是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图。参见图4，阵列基板包括：透明衬底21；位于透明衬底21上的中间层22；位于中间层22上的多个(图中仅示出一个)薄膜晶体管23(Thin-Film Transistor，简称TFT)，其中，薄膜晶体管23包括源极231、漏极232、栅极233和多晶硅层234，源极231和漏极232通过多晶硅层234实现电连接，栅极233和多晶硅层234通过第一钝化层241实现电绝缘，源极231和数据线235实现电连接；源极231和漏极232所在膜层与多晶硅层234之间的第二钝化层242，源极231和漏极232均通过过孔连接方式与多晶硅层234实现连接；位于源极231和漏极232所在膜层上的平坦化层243；位于平坦化层243上的多个像素电极27(图中仅示出一个)，其中，像素电极27与对应的薄膜晶体管23的漏极232通过过孔连接的方式实现电连接；位于像素电极27所在膜层上的第三绝缘层25；位于第三绝缘层25上的多个触控引线26(图中仅示出一个)位于触控引线26所在膜层上的绝缘层28；位于绝缘层28上的多个公共电极块29，其中，公共电极块29与对应的触控引线26通过过孔连接的方式实现电连接。此实现方式的公共电极块位于像素电极之上，触控引线位于公共电极块之下。
图5是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图。参见图5和图4，与图4示出的实现方式不同的是，该实现方式的结构像素电极位于公共电极的上方。绝缘层包括第一绝缘层281和第二绝缘层282，触控引线26位于平坦化层25之上，公共电极块位于第一绝缘层281之上，像素电极27位于第二绝缘层282之上。此实现方式的像素电极位于公共电极块之上，触控引线位于公共电极块之下。
图6是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图。参见图6和图5，与图5示出的实现方式不同的是，该实现方式的公共电极块29位于平坦化层25上，触控引线26位于第一绝缘层281上，像素电极27位于第二绝缘层282上。此实现方式的像素电极位于公共电极块之上，触控引线位于公共电极块之上。
图7是本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板的阵列基板的一种实现方式的结构剖面图。参见图7和图1，与图1示出的实现方式不同的是，该实现方式的像素电极和公共电极位于同一层；平坦化层25位于源极231和漏极232所在膜层之上；触控引线26位于平坦化层25之上，像素电极27和公共电极块29均位于绝缘层28之上。此实现方式的像素电极和公共电极块位于同一平面，且间隔排列，触控引线位于公共电极块之下。
本实用新型实施例还提供了一种自电容式触控显示装置，包括上面所述的自电容式触控显示面板。
本实用新型实施例提供的自电容式触控显示面板及自电容式触控显示装置，通过在阵列基板上设置和触控引线同层的支撑柱衬垫，在彩膜基板上设置高度相同的主支撑柱和辅助支撑柱，并将主支撑柱和支撑柱衬垫相对设置，实现了利用高度相同的主支撑柱和辅助支撑柱实现了高度不同的效果，无需再制作高度不同的两种支撑柱来支撑彩膜基板和阵列基板，简化了支撑柱的制作工艺、增加了灵活性。
注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种自电容式触控显示面板，其特征在于，包括：
相向设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，
所述阵列基板的内侧设置有平坦化层，以及位于所述平坦化层之上的多个公共电极块，所述阵列基板的内侧还设置有与每个所述公共电极块电连接的触控引线，所述公共电极块复用为触摸电极块；
所述彩膜基板的内侧设置有至少一个主支撑柱和至少一个辅助支撑柱，所述主支撑柱和所述辅助支撑柱的高度相同；
还包括和所述触控引线同层设置的支撑柱衬垫，所述支撑柱衬垫和所述主支撑柱对应设置。
2.根据权利要求1所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述触控引线及支撑柱衬垫的上层设置有绝缘层，所述触控引线及支撑柱衬垫的上方的绝缘层的高度大于除所述触控引线及支撑柱衬垫的上方之外的剩余区域的绝缘层的高度。
3.根据权利要求1所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述辅助支撑柱的数量大于所述主支撑柱的数量。
4.根据权利要求1所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述触控引线及支撑柱衬垫的垂直于所述阵列基板的区域的高度与剩余区域的高度的高度差为0.25毫米。
5.根据权利要求1所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述公共电极块与所述触控引线通过过孔连接的方式电连接。
6.根据权利要求1所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述触控引线及支撑柱衬垫位于所述公共电极块所在膜层的上方或下方。
7.根据权利要求1所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，部分所述触控引线复用为所述支撑柱衬垫，所述触控引线复用为所述支撑柱衬垫的部分和所述主支撑柱对应设置。
8.根据权利要求1-7任一所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述阵列基板的内侧设置有多个像素电极。
9.根据权利要求8所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述多个像素电极设置于所述公共电极块之上，或者所述像素电极设置于所述公共电极块之下。
10.根据权利要求8所述的自电容式触控显示面板，其特征在于，所述像素电极和所述公共电极块设置于同一平面，且所述像素电极与所述公共电极块间隔设置。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |