CN204422934U - 显示面板 - Google Patents

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CN204422934U
CN204422934U CN201520011129.2U CN201520011129U CN204422934U CN 204422934 U CN204422934 U CN 204422934U CN 201520011129 U CN201520011129 U CN 201520011129U CN 204422934 U CN204422934 U CN 204422934U
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梁馨宜
刘桂伶
李淂裕
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Innolux Display Corp
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Abstract

本实用新型公开一种显示面板,其包含扫描线和数据线交错设置于基板上,有源层设置于基板上且位于数据线与基板之间,以及透明导电层设置于基板上且位于有源层上方,其中有源层包含第一接孔区与数据线电连接,第二接孔区与透明导电层电连接,以及中间连接区位于第一接孔区与第二接孔区之间,中间连接区与扫描线重叠处为通道区,中间连接区与扫描线不重叠处为非通道区,非通道区的宽度大于通道区的宽度。

Description

显示面板
技术领域
本实用新型涉及显示面板技术,特别是涉及使用低温多晶硅制作薄膜晶体管的有源层的显示面板的有源层图案设计。
背景技术
近年来,液晶显示器因为具有薄型化、轻量化、低功率耗损和低辐射等优势,已经成为最主要的平面显示器,并且广泛地应用在各种电子装置中。在有源矩阵的液晶显示器中,薄膜晶体管(thin-film transistor;TFT)作为控制像素切换的驱动元件,依据薄膜晶体管的有源层材料,可以将薄膜晶体管分成两类:其中一类是非晶硅薄膜晶体管,另一类是多晶硅薄膜晶体管。
在先前的技术中,制造多晶硅薄膜晶体管需要使用高于1000度的高温,使得非晶硅层熔融和再结晶成为多晶硅层,然而,随着激光技术的发展,目前可使用低于600度的制作工艺温度形成多晶硅层,这种制造技术称为低温多晶硅(low-temperature polysilicon;LTPS)薄膜晶体管技术。
低温多晶硅薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管具有更快速的载流子移动率,因此使用低温多晶硅薄膜晶体管制造的液晶显示器具有高效能、短应答时间等优势。
然而,对于使用低温多晶硅制作的液晶显示器而言,形成薄膜晶体管的有源层的低温多晶硅还有许多可以改善的地方,以使得液晶显示器达到更佳的显示品质。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种显示面板,其对于薄膜晶体管的低温多晶硅有源层进行改良,利用低温多晶硅有源层的图案宽度设计,让低温多晶硅有源层的整体阻值降低,由此可提高薄膜晶体管的电性特性,进而提升了显示面板的影像显示品质。
为达上述目的,本实用新型提供一种显示面板,包括:第一基板;扫描线和数据线交错设置于第一基板上;有源层设置于第一基板上,且有源层位于数据线与第一基板之间;以及第一透明导电层设置于第一基板上,且第一透明导电层位于有源层上方,其中有源层包括:第一接孔区与数据线电连接,第二接孔区与第一透明导电层电连接,以及中间连接区位于第一接孔区与第二接孔区之间,中间连接区与扫描线重叠处包含第一通道区,中间连接区与该扫描线不重叠处为非通道区,且非通道区的宽度大于第一通道区的宽度。
该中间连接区与该数据线部分重叠,且该中间连接区包含一第一区和一第二区分别位于该数据线的两侧,其中该第二区位于该数据线与该第二接孔区之间。
该第一区的宽度与该第二区的宽度相等。
该第一区的宽度大于该第二区的宽度。
该第一区的宽度小于该第二区的宽度。
该中间连接区邻近该第一接孔区的宽度大于该中间连接区邻近该第二接孔区的宽度。
该第二接孔区的宽度大于该第一接孔区的宽度,且该些宽度的方向平行于该扫描线。
该中间连接区与该扫描线重叠处还包含一第二通道区,且该非通道区的宽度大于该第二通道区的宽度。
该第二通道区的宽度与该第一通道区的宽度不同。
该第二通道区的宽度与该第一通道区的宽度相同。
该中间连接区的一部分位于该第一通道区与该第二通道区之间,该中间连接区的该部分的宽度大于该第一通道区的宽度,并且该中间连接区的该部分的宽度大于该第二通道区的宽度。
该中间连接区的该部分具有两个突出部,该两个突出部在平行于该扫描线的方向上分别突出于该第一通道区和该第二通道区。
该显示面板还包括:第二基板,与该第一基板对向设置;以及显示介质,设置于该第一基板与该第二基板之间。
该显示面板还包括一第二透明导电层,设置于该第一基板上,且该第二透明导电层位于该第一透明导电层上方。
该第二透明导电层为一包含多个狭缝的图案化电极。
该显示面板还包括一第二透明导电层,设置于该第一基板上,且该第二透明导电层位于该第一透明导电层下方。
该第一透明导电层为一包含多个狭缝的图案化电极,且该第二透明导电层具有一开口邻近于该第二接孔区。
本实用新型的优点在于,其对显示面板的薄膜晶体管的有源层的图案进行改良,特别是针对由低温多晶硅制成的有源层,让有源层的第一接孔区和第二接孔区之间的中间连接区与扫描线不重叠所产生的非通道区的宽度大于中间连接区与扫描线重叠所产生的通道区的宽度,使得有源层的图案具有非通道区较宽且通道区较窄的宽细变化,由此达到降低有源层的阻值与寄生电容的功效,以提升薄膜晶体管的电性效能。
附图说明
图1为本实用新型的一些实施例的显示面板的局部平面示意图;
图2为本实用新型的一些实施例沿着图1的剖面线2-2’的显示面板的局部剖面示意图;
图3为本实用新型的另一些实施例的显示面板的局部平面示意图;
图4为本实用新型的一些实施例沿着图3的剖面线4-4’的显示面板的局部剖面示意图;
图5为本实用新型的一些其他实施例的显示面板的局部平面示意图;
图6为本实用新型的一些其他实施例的显示面板的局部平面示意图。
符号说明
100~显示面板;
101~第一基板;
102~第二基板;
1301~第一接孔区;
1302~第二接孔区;
1303~中间连接区;
1303-L1、1303-L2~中间连接区的侧边;
1304~第一非通道区;
1305~第二非通道区;
1306~第三非通道区;
1307~突出部;
1308~第一通道区;
1309~第二通道区;
1311~第一区;
1312~第二区;
110~第一透明导电层;
113~第一透明导电层的狭缝;
115、117、119~导通孔;
117-1、119-1~底部边缘;
117-2、119-2~顶部边缘;
120~第二透明导电层;
122~第二透明导电层的狭缝;
125~第二透明导电层的开口;
126~第一绝缘层;
128~第二绝缘层;
132~第三绝缘层;
134~第四绝缘层;
130~有源层;
136~显示介质层;
140~扫描线;
150~数据线;
152~漏极电极;
W1~第一通道区的宽度;
W2~第二通道区的宽度;
W3~第三非通道区的宽度;
W4~第一区的宽度;
W5~第二区的宽度;
W6~第一非通道区的宽度;
W7~第二非通道区的宽度;
W8~第一接孔区的宽度;
W9~第二接孔区的宽度。
具体实施方式
图1显示依据本实用新型的一些实施例,显示面板100的局部平面示意图,显示面板100包含多条扫描线140与多条数据线150互相交错地设置于第一基板(图1未绘出)上以定义出多次像素区域。在本实施例中,次像素区域为相邻数据线与相邻扫描线包围的区域。邻近于扫描线140与数据线150的交错处设置有薄膜晶体管,薄膜晶体管用以控制次像素区域且与数据线电连接的开关元件。依据本实用新型的实施例,薄膜晶体管包含以低温多晶硅制成的有源层130,有源层130包含第一接孔区1301、第二接孔区1302,以及位于第一接孔区1301与第二接孔区1302之间的中间连接区1303。有源层130的中间连接区1303与扫描线140重叠处产生两个通道区,分别为第一通道区1308和第二通道区1309,而有源层130的中间连接区1303与扫描线140不重叠处则为非通道区,如图1中所标示位于扫描线140上侧靠近数据线的第一非通道区1304、位于扫描线上侧较远离数据线的第二非通道区1305以及位于扫描线140下侧的第三非通道区1306。
此外,如图1所示,在一些实施例中,显示面板100还包含作为上方透明导电层的第二透明导电层120,于此实施例中,第二透明导电层120作为共用电极,第二透明导电层120具有多个狭缝122形成于其中,第二透明导电层120覆盖了扫描线140、数据线150以及有源层130。在一些实施例中,第二透明导电层120覆盖了位于有源层130的第一接孔区1301的导通孔(via)115以及位于有源层130的第二接孔区1302的导通孔(via)117和119。在另一些实施例中,第二透明导电层120可具有开口(opening)(在图1中未绘出),此开口邻近于导通孔117和119的形成位置,亦即第二透明导电层120的开口邻近于第二接孔区1302,且使得第二透明导电层120可避开而不会覆盖导通孔117和119。在本实施例中,数据线150为非直线布线形式,但该数据线150大致上具有一实质上的延伸方向;在其他实施例中,数据线150可为直线布线形式。在本实施例中,扫描线140为直线布线形式;在其他实施例中,扫描线140可为非直线布线形式,但该扫描线140大致上具有一实质上的延伸方向。
如图1所示,第一通道区1308具有第一宽度W1,第二通道区1309具有第二宽度W2,第一宽度W1和第二宽度W2的方向为平行于扫描线140的实质上延伸方向。中间连接区1303在第一通道区1308与第二通道区1309之间的部分,亦即第三非通道区1306具有第三宽度W3,第三宽度W3为中间连接区1303的第一侧边1303-L1与第二侧边1303-L2之间的垂直距离。第一侧边1303-L1是指有源层130的中间连接区1303内侧的侧边,第二侧边1303-L2是指有源层中间连接区1303外侧的侧边。
依据本实用新型的实施例,第三非通道区1306的第三宽度W3大于第一通道区1308的第一宽度W1,同时第三非通道区1306的第三宽度W3也大于第二通道区1309的第二宽度W2。此外,依据本实用新型的实施例,中间连接区1303与扫描线140不重叠的第一非通道区1304与第二非通道区1305的宽度大于第一通道区1308的第一宽度W1,并且第一非通道区1304与第二非通道区1305的宽度也大于第二通道区1309的第二宽度W2。在本实用新型的实施例中,中间连接区1303的各部分的宽度定义为中间连接区1303的两个侧边1303-L1与1303-L2之间的垂直距离,因此中间连接区1303的一些部分的宽度的方向可以不平行于扫描线140的延伸方向。
为了符合薄膜晶体管作为像素开关元件的功能要求,薄膜晶体管的有源层130与扫描线140的重叠处所产生的第一通道区1308的长宽比值以及第二通道区1309的长宽比值都需要维持在一定比值范围内,因此第一通道区1308的第一宽度W1和第二通道区1309的第二宽度W2需符合显示面板的分辨率对薄膜晶体管的通道长宽比的设计需求。在已知的显示面板制造技术中,薄膜晶体管的有源层除了接孔区的部分以外,其余部分具有一致的宽度,通常有源层的宽度采用符合通道区的长宽比值要求的宽度制作,然而,采用此方式制作的有源层的阻值无法降低,导致薄膜晶体管的效能无法提升。
依据本实用新型的实施例,有源层130的第一非通道区1304、第二非通道区1305与第三非通道区1306的宽度大于第一通道区1308的宽度,也大于第二通道区1309的宽度,使得有源层130的图案具有非通道区较宽且通道区较窄的宽细变化。经由宽度较大的第一非通道区1304、第二非通道区1305与第三非通道区1306,可以降低由低温多晶硅制成的有源层130的整体阻值,同时,第一通道区1308和第二通道区1309的宽度也符合薄膜晶体管的通道区的长宽比例要求,因此,本实用新型的实施例可以提升薄膜晶体管的电性效能。
在一些实施例中,如图1所示,中间连接区1303在第一通道区1308与第二通道区1309之间的第三非通道区1306具有两个突出部1307,这两个突出部1307在平行于扫描线140的方向上分别突出于第一通道区1308和第二通道区1309外。另外,在一些实施例中,第一通道区1308的宽度W1与第二通道区1309的宽度W2可以约略相同。在一些其他实施例中,第一通道区1308的宽度W1则可以与第二通道区1309的宽度W2不同。此外,如图1所示,在一些实施例中,数据线150可以是具有弯折曲线的数据线,并且有源层130的第一接孔区1301和第二接孔区1302离扫描线140的距离相差不大,形成中间连接区1303的长度较短的有源层130。
图2显示依据本实用新型的一些实施例,沿着图1的剖面线2-2’,显示面板100的局部剖面示意图。如图2所示,显示面板100包含第一基板101,扫描线140和数据线150设置在第一基板101上,有源层130设置于第一基板101上,且有源层130位于数据线150和扫描线140下方,同时有源层130位于数据线150与第一基板101之间。在一些实施例中,显示面板100的薄膜晶体管可以是顶部栅极(top-gate)结构,如图2所示,扫描线(栅极)140与有源层130重叠处所产生的通道区位于有源层130上方。在另一些实施例中,显示面板100的薄膜晶体管可以是底部栅极(bottom-gate)结构,其扫描线(栅极)与有源层重叠处所产生的通道区位于有源层下方。
参阅图1和图2,在有源层130的第一接孔区1301上方形成有导通孔(viahole)115,有源层130的第一接孔区1301经由导通孔115与数据线150电连接。此外,如图2所示,显示面板100还包含第一透明导电层110,在有源层130的第二接孔区1302上方形成有导通孔117和119,有源层130的第二接孔区1302经由导通孔117和119电连接至第一透明导电层110。导通孔115为形成在有源层130的第一接孔区1301上方的第一绝缘层126和第二绝缘层128中的孔洞,形成数据线150的金属材料填充于导通孔115内,使得数据线150可经由导通孔115与有源层130的第一接孔区1301电连接,并且数据线150的一部分形成薄膜晶体管的源极电极(source electrode)。另外,导通孔117为形成在有源层130的第二接孔区1302上方的第一绝缘层126和第二绝缘层128中的孔洞,形成薄膜晶体管的漏极电极(drain electrode)152的金属材料可经由导通孔117与有源层130连接。另外,导通孔119为形成在第二绝缘层128上方的第三绝缘层132中的孔洞,并且形成第一透明导电层110的材料填充于导通孔119内,使得第一透明导电层110可经由导通孔119电连接至薄膜晶体管的漏极电极152,继而经由导通孔117电连接至有源层130的第二接孔区1302。第一绝缘层126和第二绝缘层128可为相同或不同的无机材料,例如为SiOx或是SiNx。
如图2所示,在有源层130与扫描线140所形成的双栅极之间具有第一绝缘层126,在扫描线140上方形成有第二绝缘层128和第三绝缘层132,导通孔115和117形成于第一绝缘层126和第二绝缘层128内,而导通孔119则形成于第三绝缘层132内,在一些实施例中,第一透明导电层110的一部分可顺应性地形成在第三绝缘层132的导通孔119内,并且形成薄膜晶体管的源极电极的金属材料可顺应性地形成在导通孔115内,而形成薄膜晶体管的漏极电极152的金属材料也可顺应性地形成在导通孔117内。第三绝缘层132可为有机材料,可用于平坦化,例如可为有机材料(例如聚氟烷氧基polyfluoro alkoxy,PFA)或是彩色滤光层(Color Filter)材料。
显示面板100还包含第二基板102,显示介质层136设置在第二基板102与第一基板101之间。在一些实施例中,显示介质层136可以是液晶层,并且第二基板102可以是彩色滤光片(color filter;CF)基板,而第一基板101则是薄膜晶体管阵列(Array)基板。在另一些实施例中,彩色滤光层可设置于第一基板101上,例如第三绝缘层132可采用彩色滤光层材料取代之。
在一些实施例中,如图1和图2所示,显示面板100还包含第二透明导电层120位于第一透明导电层110上方,并且在第一透明导电层110与第二透明导电层120之间具有第四绝缘层134,第一透明导电层110通过第四绝缘层134与第二透明导电层120电性绝缘,第四绝缘层134可为无机材料,例如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx。在一些实施例中,第二透明导电层120为包含多个狭缝122的图案化电极,经由第二透明导电层120的狭缝122和第一透明导电层110的设置,使得显示面板100成为边界电场切换(Fringe FieldSwitching;FFS)的广视角液晶显示面板。于此实施例中,狭缝122并未超出次像素区域范围;在其他实施例中,狭缝122可超出次像素区域范围,例如可跨越数据线150或可跨越扫描线140。
图3为依据本实用新型的另一些实施例,显示面板100的局部平面示意图,有源层130的中间连接区1303与扫描线140重叠处产生两个通道区,分别为第一通道区1308和第二通道区1309,有源层130的中间连接区1303与扫描线140不重叠处则为第一非通道区1304、第二非通道区1305与第三非通道区1306。依据本实用新型的实施例,第一非通道区1304、第二非通道区1305与第三非通道区1306的宽度大于第一通道区1308和第二通道区1309的宽度,使得有源层130的图案具有非通道区较宽且通道区较窄的宽细变化,由此达到降低有源层的阻值的功效。
如图3所示,在一些实施例中,有源层130的第一接孔区1301相较于第二接孔区1302来得远离扫描线140,使得第一接孔区1301与扫描线140之间的第一非通道区1304具有较长的长度。因第一非通道区1304相较于第三非通道区1306的长度来的较长,因此可错开第一接孔区1301与第二接孔区1302,因为接孔区需要的面积较大(保留制作工艺上的对位误差),因此错开可让两接孔区于平行扫描线140方向上较为接近,可减少单颗次像素于平行扫描线140方向上的宽度。但因为第一非通道区1304长度较长,若维持固定宽度,可能会降低可设置的次像素数量,进而限制了显示面板的分辨率设计需求,因此,令第一非通道区1304具有不同宽度(但还是比通道区来得宽),既可维持阻值,也可降低对开口率的影响。
在一些实施例中,如图3所示,数据线150可以是具有笔直曲线的数据线,并且有源层130的中间连接区1303与数据线150部分重叠,使得中间连接区1303与数据线150不重叠的部分具有第一区1311和第二区1312分别位于数据线150的两侧,其中第二区1312位于数据线150与第二接孔区1302之间,而第一区1311则位于数据线150与第二区1312相异的另一侧。第一区1311具有宽度W4,第二区1312具有宽度W5,宽度W4和宽度W5的方向大致平行于扫描线140的实质延伸方向。在一些实施例中,第一区1311的宽度W4与第二区1312的宽度W5约略相等。在另一些实施例中,第一区1311的宽度W4可以大于第二区1312的宽度W5。在一些其他实施例中,第一区1311的宽度W4可以小于第二区1312的宽度W5。
相比较于有源层与数据线完全重叠的例子,在本实用新型的一些实施例中,有源层130的中间连接区1303与数据线150部分重叠,可以降低有源层130与数据线150之间产生的寄生电容。此外,相较于有源层与数据线完全错开的例子,在本实用新型的一些实施例中,有源层130的中间连接区1303与数据线150部分重叠,可以增加显示面板的开口率。
此外,在一些实施例中,如图3所示,有源层130的中间连接区1303的第一非通道区1304邻近第一接孔区1301处具有宽度W6,而中间连接区1303的第二非通道区1305邻近第二接孔区1302处具有宽度W7,并且宽度W6大于宽度W7。另外,在一些实施例中,第一接孔区1301具有宽度W8,而第二接孔区1302具有宽度W9,并且宽度W9大于宽度W8。在一些实施例中,上述宽度W4~W9的方向大致平行于扫描线140的实质上延伸的方向。
图4为依据本实用新型的一些实施例,沿着图3的剖面线4-4’,显示面板100的局部剖面示意图。如图4所示,在一些实施例中,电连接至有源层130的第二接孔区1302的第一透明导电层110为包含多个狭缝113的图案化电极,第二透明导电层120位于第一透明导电层110下方,并且第二透明导电层120具有开口125邻近于第二接孔区1302处,开口125的设置可让第二透明导电层120不会覆盖到导通孔119进而避开导通孔119位置。在此实施例中,经由第一透明导电层110的狭缝113和第二透明导电层120的设置,使得显示面板100成为边界电场切换(FFS)的液晶显示面板。
图5为依据本实用新型的另一些实施例,显示面板100的局部平面示意图,如图5所示,在一些实施例中,有源层130的第一接孔区1301远离扫描线140,使得第一接孔区1301与第二接孔区1302之间的中间连接区1303的第一非通道区1304具有较长的长度。此外,在图5的实施例中,数据线150可以是具有弯折曲线的布线形式,数据线150大致上具有一实质上的延伸方向,使得有源层130的中间连接区1303与数据线150部分重叠,中间连接区1303可包含两个区域分别位于数据线150的两侧,在此实施例中,中间连接区1303位于数据线150左侧的区域相较于中间连接区1303位于数据线150右侧的区域具有更大的宽度。此外,如图5所示,位于有源层130的第二接孔区1302的导通孔117具有底部边缘(或称通孔下缘)117-1和顶部边缘(或称通孔上缘)117-2,其中底部边缘117-1所围绕的面积小于顶部边缘117-2所围绕的面积,因此在图5所示的平面图中,导通孔117具有两个环状边界。导通孔115、导通孔119也有顶部边缘与底部边缘,在图1、图3、图5中仅绘示导通孔的顶部边缘。
在图5的实施例中,有源层130的中间连接区1303与扫描线140不重叠所产生的第一非通道区1304、第二非通道区1305与第三非通道区1306的宽度大于中间连接区1303与扫描线140重叠所产生的第一通道区1308和第二通道区1309的宽度,使得有源层130的图案具有非通道区较宽且通道区较窄的宽细变化,由此达到降低有源层的阻值与寄生电容的功效。
另外,在图5中并未绘出显示面板100的第一透明导电层和第二透明导电层,在一些实施例中,图5的显示面板100可采用如图1所示的包含狭缝122的第二透明导电层120的图案化电极,来形成边界电场切换(FFS)的液晶显示面板。在另一些实施例中,图5的显示面板100也可采用如图3所示的包含狭缝113的第一透明导电层110的图案化电极,来形成边界电场切换(FFS)的液晶显示面板。
图6为依据本实用新型的另一些实施例,显示面板100的局部平面示意图,如图6所示,在一些实施例中,有源层130的第一接孔区1301靠近扫描线140,使得第一接孔区1301与第二接孔区1302之间的第一非通道区1304与第二非通道区1305具有较短的长度,但第一非通道区1304长度大于第二非通道区1305长度,因而可错开第一接孔区1301与第二接孔区1302的位置以降低对分辨率的影响,这是因为接孔区需占据较大面积,若两个接孔区并排设置,则可能需要较大的次像素宽度(平行于扫描线的实质延伸方向上)才能容纳第一接孔区1301与第二接孔区1302,如此将会限制次像素的数量,进而影响显示面板对较高分辨率的设计需求。在此实施例中,有源层130的中间连接区1303邻近第一接孔区1301处具有宽度W6,而中间连接区1303邻近第二接孔区1302处具有宽度W7,并且宽度W6大于宽度W7。此外,扫描线140与数据线150可以是直线布线图案。在其他实施例中,扫描线140与数据线150可以非是直线,但扫描线140与数据线150大致上分别具有一实质上的延伸方向。
此外,如图6所示,位于有源层130的第二接孔区1302的导通孔117具有底部边缘(或称通孔下缘)117-1和顶部边缘(或称通孔上缘)117-2,其中底部边缘117-1所围绕的面积小于顶部边缘117-2所围绕的面积,而且位于有源层130的第二接孔区1302的导通孔119也具有底部边缘(或称通孔下缘)119-1和顶部边缘(或称通孔上缘)119-2,其中底部边缘119-1所围绕的面积小于顶部边缘119-2所围绕的面积,因此在图6所示的平面图中,导通孔117和导通孔119分别具有两个环状边界。在其他实施例中,导通孔可为非圆形,例如可为椭圆形或不规则形。
在图6的实施例中,有源层130的中间连接区1303与扫描线140不重叠所产生的第一非通道区1304、第二非通道区1305与第三非通道区1306的宽度大于中间连接区1303与扫描线140重叠所产生的第一通道区1308和第二通道区1309的宽度,使得有源层130的图案具有非通道区较宽且通道区较窄的宽细变化,由此达到降低有源层的阻值与寄生电容的功效。
另外,在图6中并未绘出显示面板100的第一透明导电层和第二透明导电层,在一些实施例中,图6的显示面板100可采用如图1所示的包含狭缝122的第二透明导电层120的图案化电极;在另一些实施例中,图6的显示面板100的第二透明导电层120的狭缝122可不中断而跨越数据线或是跨越扫描线,端视设计需求。在另一些实施例中,图6的显示面板100也可采用如图3所示的包含狭缝113的第一透明导电层110的图案化电极,以形成边界电场切换(FFS)的液晶显示面板。
综上所述,依据本实用新型的一些实施例,对显示面板的薄膜晶体管的有源层的图案进行改良,特别是针对由低温多晶硅制成的有源层,让有源层的第一接孔区和第二接孔区之间的中间连接区与扫描线不重叠所产生的非通道区的宽度大于中间连接区与扫描线重叠所产生的通道区的宽度,使得有源层的图案具有非通道区较宽且通道区较窄的宽细变化,由此达到降低有源层的阻值与寄生电容的功效,以提升薄膜晶体管的电性效能。

Claims (17)

1.一种显示面板,其特征在于,该显示面板包括:
第一基板;
扫描线和数据线,交错设置于该第一基板上;
有源层,设置于该第一基板上,且该有源层位于该数据线与该第一基板之间;以及
第一透明导电层,设置于该第一基板上,且该第一透明导电层位于该有源层上方,
其中该有源层包括:
第一接孔区,与该数据线电连接;
第二接孔区,与该第一透明导电层电连接;以及
中间连接区,位于该第一接孔区与该第二接孔区之间,
其中该中间连接区与该扫描线重叠处包含第一通道区,该中间连接区与该扫描线不重叠处为一非通道区,且该非通道区的宽度大于该第一通道区的宽度。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该中间连接区与该数据线部分重叠,且该中间连接区包含第一区和第二区,分别位于该数据线的两侧,其中该第二区位于该数据线与该第二接孔区之间。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,该第一区的宽度与该第二区的宽度相等。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,该第一区的宽度大于该第二区的宽度。
5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,该第一区的宽度小于该第二区的宽度。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该中间连接区邻近该第一接孔区的宽度大于该中间连接区邻近该第二接孔区的宽度。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该第二接孔区的宽度大于该第一接孔区的宽度,且该些宽度的方向平行于该扫描线。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该中间连接区与该扫描线重叠处还包含第二通道区,且该非通道区的宽度大于该第二通道区的宽度。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,该第二通道区的宽度与该第一通道区的宽度不同。
10.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,该第二通道区的宽度与该第一通道区的宽度相同。
11.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,该中间连接区的一部分位于该第一通道区与该第二通道区之间,该中间连接区的该部分的宽度大于该第一通道区的宽度,并且该中间连接区的该部分的宽度大于该第二通道区的宽度。
12.如权利要求11所述的显示面板,其特征在于,该中间连接区的该部分具有两个突出部,该两个突出部在平行于该扫描线的方向上分别突出于该第一通道区和该第二通道区。
13.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该显示面板还包括:
第二基板,与该第一基板对向设置;以及
显示介质,设置于该第一基板与该第二基板之间。
14.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该显示面板还包括第二透明导电层,设置于该第一基板上,且该第二透明导电层位于该第一透明导电层上方。
15.如权利要求14所述的显示面板,其特征在于,该第二透明导电层为一包含多个狭缝的图案化电极。
16.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该显示面板还包括一第二透明导电层,设置于该第一基板上,且该第二透明导电层位于该第一透明导电层下方。
17.如权利要求16所述的显示面板,其特征在于,该第一透明导电层为一包含多个狭缝的图案化电极,且该第二透明导电层具有一开口邻近于该第二接孔区。
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