CN203774287U - 带散热功能的三维堆叠芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电子封装技术领域,特别涉及一种带散热功能的三维堆叠芯片,包括顶层芯片单元、底层芯片单元及芯片基板。顶层芯片单元垂直连接在底层芯片单元的上方;芯片基板与底层芯片单元的底部连接。本实用新型提供的带散热功能的三维堆叠芯片,高热导率的散热单元制作工艺成熟、结构简单、制作成本低。散热单元将堆叠芯片热量直接从芯片内部传导至封装体外部进行散热,散热效率高。同时,在散热单元的上、下表面制作孔、槽、缝等结构,使散热层在长宽高尺寸一定的情况下,散热面积有效的增大,从而增加了散热单元的散热效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子封装技术领域,特别涉及一种带散热功能的三维堆叠芯片。
背景技术
在三维堆叠的芯片结构中,内部芯片的热量难以散出,因此堆叠芯片的最高温度会出现在内部芯片中,而内部芯片节温太高,容易使芯片失效,限制了整个器件的集成度和功率的提高。目前,对三维堆叠芯片结构散热处理得最好的方案是在封装芯片的内部设置一定高度、宽度及长度的工艺微流道,液体从微流道进入,带走芯片传导至该散热结构的热量;这种方案微流道制作工艺要求高,加工难度大,制作成本高。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、成本较低,并且散热效果好的带散热功能的三维堆叠芯片。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种带散热功能的三维堆叠芯片,包括顶层芯片单元、底层芯片单元及芯片基板;所述顶层芯片单元垂直连接在所述底层芯片单元的上方;所述芯片基板与所述底层芯片单元的底部连接。所述顶层芯片单元包括第一散热单元、第一芯片及第一塑封层;所述第一散热单元的上、下表面分别倒装互联至少一个所述第一芯片;所述塑封层填充在所述第一散热单元上、下两侧的所述第一芯片的装配区域。所述底层芯片单元包括第二散热单元、第二芯片及第二塑封层;所述第二散热单元的下表面倒装互联至少一个所述第二芯片;所述塑封层填充在所述第二散热单元下侧的所述第二芯片的装配区域。所述第一散热单元及所述第二散热单元为高热导率材料,所述第一散热单元及所述第二散热单元的上、下表面设置有散热槽。
进一步地,所述散热单元为高热导率的陶瓷基板或高热导率的硅基板。
进一步地,所述散热槽为圆锥形状,或为贯穿所述散热单元两端的三棱柱形状。
本实用新型提供的带散热功能的三维堆叠芯片,高热导率的散热单元制作工艺成熟、结构简单、制作成本低。散热单元将堆叠芯片热量直接从芯片内部传导至封装体外部进行散热,散热效率高。同时,在散热单元的上、下表面制作孔、槽、缝等结构,使散热层在长宽高尺寸一定的情况下,散热面积有效的增大,从而增加了散热单元的散热效率。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的带散热功能的三维堆叠芯片结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的设置有三棱柱形状散热槽的第一散热单元主视图;
图3为本实用新型实施例提供的设置有三棱柱形状散热槽的第一散热单元俯视图;
图4为本实用新型实施例提供的设置有圆锥形状散热槽的第一散热单元主视图;
图5为本实用新型实施例提供的设置有圆锥形状散热槽的第一散热单元俯视图;
图6为本实用新型实施例提供的顶层芯片单元结构示意图;
图7为本实用新型实施例提供的底层芯片单元结构示意图。
具体实施方式
参见图1-图7,本实用新型实施例提供的一种带散热功能的三维堆叠芯片,包括顶层芯片单元101、底层芯片单元201及芯片基板5。顶层芯片单元101垂直连接在底层芯片单元201的上方;芯片基板5与底层芯片单元201的底部连接。顶层芯片单元101包括第一散热单元2、第一芯片1及第一塑封层6;第一散热单元2的上、下表面分别倒装互联至少一个第一芯片1(本实用新型实施例中,第一散热单元2的上、下表面分别倒装互联两个第一芯片1);塑封层6填充在第一散热单元2上、下两侧的第一芯片1的装配区域。底层芯片单元201包括第二散热单元3、第二芯片4及第二塑封层7;第二散热单元3的下表面倒装互联至少一个第二芯片4(本实用新型实施例采用两个第二芯片4);第二塑封层7填充在第二散热单元3下侧的第二芯片4的装配区域。第一散热单元2及第二散热单元3为高热导率材料(如陶瓷材料或硅基材料);参见图2-图5,第一散热单元2及第二散热单元3的上、下表面设置有多个散热槽;需要说明的是,在第一散热单元2和第二散热单元3的上、下表面的中间安装芯片的区域不刻蚀散热槽;散热槽为圆锥形状,或为贯穿散热单元(包括第一散热单元2和第二散热单元3)两端的三棱柱形状(采用三棱柱形状的散热槽时,多个散热槽互相平行)。本实用新型实施例中,散热单元为高热导率的陶瓷基板或高热导率的硅基板。
参见图1-图7,本实用新型实施例提供的带散热功能的三维堆叠芯片的制造方法为:步骤10:选取第一散热单元2及第二散热单元3,并在第一散热单元2和第二散热单元3的上、下表面刻蚀多个散热槽。第一散热单元2和第二散热单元3选用高热导率材料(如陶瓷材料或硅基材料),散热槽为圆锥形状,或为贯穿散热单元(包括第一散热单元2和第二散热单元3)两端的三棱柱形状(采用三棱柱形状的散热槽时,多个散热槽互相平行)。需要注意的是,第一散热单元2和第二散热单元3的上、下表面的中间安装芯片的区域不刻蚀散热槽。步骤20:选取一个已经刻蚀散热槽的第一散热单元2,在第一散热单元2的上、下表面分别倒装互联至少一个第一芯片1(本实用新型实施例中,第一散热单元2的上、下表面分别倒装互联两个第一芯片1),并用塑封剂(如底部填充胶)进行塑封,构成顶层芯片单元101,顶层芯片单元101的最底端为裸露的芯片金属球。步骤30:选取一个已经刻蚀散热槽的第二散热单元3,在第二散热单元3的下表面倒装互联至少一个第二芯片4(本实用新型实施例采用两个第二芯片4),并用塑封剂(如底部填充胶)进行塑封,形成底层芯片单元201,底层芯片单元201的最底端为裸露的芯片金属球。步骤40:将底层芯片单元201的顶部通过芯片连接材料(如异向导电胶)压合在顶层芯片单元101的底部;或将至少两个底层芯片单元201(本实用新型实施例采用两个)垂直堆叠形成一个芯片模块,将芯片模块的顶部通过芯片连接材料(如异向导电胶)压合在顶层芯片单元101的底部。步骤50:选取芯片基板5(环氧树脂基板或硅基板),将底层芯片单元201的底部通过芯片连接材料(如异向导电胶)连接在芯片基板5上;或使用多个底层芯片单元201形成的芯片模块时,将芯片模块的底部通过芯片连接材料(如异向导电胶)连接在芯片基板5上。
本实用新型实施例提供的带散热功能的三维堆叠芯片,高热导率的散热单元制作工艺成熟、结构简单、制作成本低。散热单元将堆叠芯片热量直接从芯片内部传导至封装体外部进行散热,散热效率高。同时,在散热单元的上、下表面制作孔、槽、缝等结构,使散热层在长宽高尺寸一定的情况下,散热面积有效的增大,从而增加了散热单元的散热效率。此外,散热单元除具有散热作用外,还具有连接和机械支撑的作用,能够减少芯片因过热而翘曲失效的问题。
最后所应说明的是,以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
Claims (3)
1.一种带散热功能的三维堆叠芯片,其特征在于,包括顶层芯片单元、底层芯片单元及芯片基板;所述顶层芯片单元垂直连接在所述底层芯片单元的上方;所述芯片基板与所述底层芯片单元的底部连接;
所述顶层芯片单元包括第一散热单元、第一芯片及第一塑封层;所述第一散热单元的上、下表面分别倒装互联至少一个所述第一芯片;所述塑封层填充在所述第一散热单元上、下两侧的所述第一芯片的装配区域;
所述底层芯片单元包括第二散热单元、第二芯片及第二塑封层;所述第二散热单元的下表面倒装互联至少一个所述第二芯片;所述塑封层填充在所述第二散热单元下侧的所述第二芯片的装配区域;
所述第一散热单元及所述第二散热单元为高热导率材料,所述第一散热单元及所述第二散热单元的上、下表面设置有散热槽。
2.根据权利要求1所述的带散热功能的三维堆叠芯片,其特征在于,所述散热单元为高热导率的陶瓷基板或高热导率的硅基板。
3.根据权利要求1所述的带散热功能的三维堆叠芯片,其特征在于,所述散热槽为圆锥形状,或为贯穿所述散热单元两端的三棱柱形状。
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Cited By (5)
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CN103839903A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-06-04 | 中国科学院微电子研究所 | 带散热功能的三维堆叠芯片及其制造方法 |
CN103839903B (zh) * | 2014-03-10 | 2016-09-28 | 中国科学院微电子研究所 | 带散热功能的三维堆叠芯片的制造方法 |
CN105600739A (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-25 | 英特尔公司 | 从光子器件的热移除 |
CN111508940A (zh) * | 2017-12-05 | 2020-08-07 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光器件及显示设备 |
US11862529B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-01-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Chip and manufacturing method thereof, and electronic device |
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