CN203688742U - 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 - Google Patents
一种半导体p、n类型非接触测试传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203688742U CN203688742U CN201320837941.1U CN201320837941U CN203688742U CN 203688742 U CN203688742 U CN 203688742U CN 201320837941 U CN201320837941 U CN 201320837941U CN 203688742 U CN203688742 U CN 203688742U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor
- type non
- induction electrode
- testing sensor
- charge induction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种半导体P、N类型非接触测试传感器，包括壳体以及设置于壳体内部的电荷感应电极，用于感应半导体表面产生的微弱光生电荷；红外激发二极管，用于发光照射到半导体表面；绝缘定位件，电荷感应电极设置于绝缘定位件上；壳体内还密封有绝缘填料。本实用新型利用红外激发二极管激发半导体表面诱发产生微弱的光生电荷，电荷感应电极采集到光生电荷并生成相应的电压信号，从而分别出半导体的P、N类型，采用红外激发二极管在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体测试领域，尤其涉及一种半导体P、N类型非接触测试传感器。
背景技术
由于半导体具有掺杂性可控导电特性的物理效应，使其具有热敏性、光敏性、磁敏性、及电子放大、突变能力等特点，因此在非电量电测信息电子技术、电子光学成像技术、通信、固体信息储存器等具有很高的实用价值。
不同电学类型的半导体材料具有不同的载流子特性，在应用中也有不同需求。现有检测半导体材料的P、N类型大多使用接触式冷热探针法，极易损伤半导体材料以致造成隐性缺陷。
因此，亟需一种非接触的测试半导体P、N类型的传感器。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种半导体P、N类型非接触测试传感器。
实现本实用新型目的的技术方案是：一种半导体P、N类型非接触测试传感器，包括壳体以及设置于所述壳体内部的以下机构：电荷感应电极，所述电荷感应电极上开设有透光孔并设置有一个电极引线，所述电极引线一端延伸出所述壳体外，用于采集下述光生电荷并生成相应的电压信号；
红外激发二极管，所述红外激发二极管设置于所述透光孔中并设置有两个红外激发二极管引线，所述红外激发二极管引线焊接端延伸出所述壳体外，用于激发半导体产生微弱的光生电荷；
绝缘定位件，所述电荷感应电极设置于所述绝缘定位件上；
所述壳体内还密封有绝缘填料。
进一步的，所述壳体为中空圆柱体。
进一步的，所述壳体为不锈钢中空圆柱体。
进一步的，所述电荷感应电极为圆环状。
进一步的，所述电荷感应电极的透光孔直径为4～6mm。
进一步的，所述绝缘定位件为聚四氟乙烯圆柱体。
进一步的，所述绝缘填料为环氧树脂或硅胶。
进一步的，还包括与所述壳体连接的接地引线。
本实用新型具有积极的效果：本实用新型利用红外激发二极管激发半导体表面诱发产生微弱的光生电荷，电荷感应电极采集到光生电荷并生成相应的电压信号，根据N型半导体为电子型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极生成一个脉动正电压信号，而P型半导体为空穴型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极生成一个脉动负电压信号，从而分别出半导体的P、N类型，采用红外激发二极管在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中：图1为本实用新型的结构示意图。
其中：1、壳体，2、绝缘定位件，3、电荷感应电极，4、红外激发二极管，5、绝缘填料，6、电极引线，7、红外激发二极管引线，8、接地引线。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，本实用新型第一优选实施例提供一种半导体P、N类型非接触测试传感器，包括壳体1以及设置于壳体1内部的以下机构：
电荷感应电极3，电荷感应电极3上开设有透光孔（图中未示出）并设置有一个电极引线6，电极引线6一端延伸出壳体1外，用于采集光生电荷并生成相应的电压信号；
红外激发二极管4，红外激发二极管4设置于透光孔中并设置有两个红外激发二极管引线7，红外激发二极管引线7焊接端延伸出壳体1外，用于激发半导体产生微弱的光生电荷；
绝缘定位件2，电荷感应电极3设置于所述绝缘定位件2上；
壳体1内还密封有绝缘填料5。
本实施例利用红外激发二极管4脉动激发半导体表面诱发产生微弱的光生电荷，电荷感应电极3采集到光生电荷并生成相应的电压信号，根据N型半导体为电子型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极3生成一个脉动正电压信号，而P型半导体为空穴型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极3生成一个脉动负电压信号，从而分别出半导体的P、N类型，采用红外激发二极管4在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。
实施例2
作为第二优选实施例，其余与实施例1相同，不同之处在于，本实施例提供的壳体1为不锈钢中空圆柱体，结构刚度好，电荷感应电极3为圆环状，电荷感应电极3的透光孔直径为4～6mm，本实施例优选5mm，绝缘定位件2为聚四氟乙烯圆柱体，温度系数小，适应各种温度环境，绝缘填料5为环氧树脂或硅胶，具体不作限定，本实施例还包括与壳体1连接的接地引线8。
以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，包括壳体以及设置于所述壳体内部的以下机构：电荷感应电极，所述电荷感应电极上开设有透光孔并设置有一个电极引线，所述电极引线一端延伸出所述壳体外，用于采集下述光生电荷并生成相应的电压信号；
红外激发二极管，所述红外激发二极管设置于所述透光孔中并设置有两个红外激发二极管引线，所述红外激发二极管引线焊接端延伸出所述壳体外，用于通电发光激发半导体产生微弱的光生电荷；
绝缘定位件，所述电荷感应电极设置于所述绝缘定位件上；
所述壳体内还密封有绝缘填料。
2.根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述壳体为中空圆柱体。
3.根据权利要求2所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述壳体为不锈钢中空圆柱体。
4.根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述电荷感应电极为圆环状。
5.根据权利要求4所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述电荷感应电极的透光孔直径为4～6mm。
6.根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述绝缘定位件为聚四氟乙烯圆柱体。
7.根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述绝缘填料为环氧树脂或硅胶。
8.根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，还包括与所述壳体连接的接地引线。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320837941.1U CN203688742U (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320837941.1U CN203688742U (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203688742U true CN203688742U (zh) | 2014-07-02 |
Family
ID=51010627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320837941.1U Expired - Fee Related CN203688742U (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203688742U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103675640A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-03-26 | 江苏瑞新科技股份有限公司 | 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 |
-
2013
- 2013-12-19 CN CN201320837941.1U patent/CN203688742U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103675640A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-03-26 | 江苏瑞新科技股份有限公司 | 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103616056B (zh) | 一种多点液位检测电路 | |
| CN203657886U (zh) | 一种多点液位检测传感器 | |
| CN204102853U (zh) | 一种离子束流密度测量装置 | |
| CN202693686U (zh) | 一种水产养殖水体电导率传感器 | |
| CN203688742U (zh) | 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 | |
| CN103675640A (zh) | 一种半导体p、n类型非接触测试传感器 | |
| CN201837481U (zh) | 温度传感器 | |
| CN207571260U (zh) | 一种测量载流子迁移率的渡越时间法的实验装置 | |
| CN208937210U (zh) | 一种微结构快速温度传感器及小型化采集电路 | |
| CN103163210B (zh) | 混凝土内含水率测定仪 | |
| CN206019676U (zh) | 一种设有惠斯通电桥的电阻式传感器 | |
| CN205080181U (zh) | 一种耐高温霍尔电流传感器 | |
| CN201413381Y (zh) | 太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置 | |
| CN203688741U (zh) | 一种半导体p、n类型非接触测试装置 | |
| CN110687358B (zh) | 基于热电材料的电容型电磁波探测器及*** | |
| CN210037988U (zh) | 一种非接触式静电传感器组网*** | |
| CN209263999U (zh) | 一种真空镀膜用耐高温的接近式传感器 | |
| CN103698681A (zh) | 一种新型半导体p、n类型非接触测试装置 | |
| CN103743947B (zh) | 基于mems结构的线性电容式微波功率传感器 | |
| CN207586389U (zh) | 带蓝牙及wifi连接功能的柴油发电机负载测试仪 | |
| CN205333561U (zh) | 一种气体浓度检测装置 | |
| US10209285B2 (en) | Electrometer | |
| CN103675549A (zh) | 一种半导体p、n类型非接触测试装置 | |
| US10101374B2 (en) | Electrostatic distribution measuring instrument | |
| CN107966218A (zh) | 一种用于电量传感器的热电阻避震防脱落结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140702 Termination date: 20181219 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |