CN203451615U - 生长石墨烯用石英平台 - Google Patents

生长石墨烯用石英平台 Download PDF

Info

Publication number
CN203451615U
CN203451615U CN201320506706.6U CN201320506706U CN203451615U CN 203451615 U CN203451615 U CN 203451615U CN 201320506706 U CN201320506706 U CN 201320506706U CN 203451615 U CN203451615 U CN 203451615U
Authority
CN
China
Prior art keywords
quartz
quartzy
platform
graphene
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320506706.6U
Other languages
English (en)
Inventor
金虎
刘志成
周振义
彭鹏
王增奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
2d Carbon Changzhou Tech Inc ltd
Original Assignee
2D CARBON (CHANGZHOU) TECH Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 2D CARBON (CHANGZHOU) TECH Co Ltd filed Critical 2D CARBON (CHANGZHOU) TECH Co Ltd
Priority to CN201320506706.6U priority Critical patent/CN203451615U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203451615U publication Critical patent/CN203451615U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型涉及用于石墨烯生长工具的技术领域,尤其涉及一种生长石墨烯用石英平台,该平台用于放置在管状的石英舟中进行生长石墨烯,包括多块上下设置的石英平板、相邻石英平板之间设置有用于支撑石英平板的石英柱,最底部的石英平板下方设置有底座,所述底座的底部形状与石英舟内圈相匹配。本实用新型的有益效果是,本实用新型的生长石墨烯用石英平台结构简单,易于加工,成本较低,适合于工业化生产,其平板表面平整,无褶皱,大大提高转片的质量及石墨烯产品的合格率,对于生产平板触摸屏等中小面积的石墨烯产品,本实用新型生产的石墨烯在数量和质量上具有明显的优势。

Description

生长石墨烯用石英平台
技术领域
本实用新型涉及用于石墨烯生长工具的技术领域,尤其涉及一种生长石墨烯用石英平台。
背景技术
石墨烯是2004年曼切斯特大学的Novoselov和Geim发现,其具有良好的物理、化学、电学、力学等各方面的优异性能,在新能源、新材料和电子元器件等诸多领域有着广泛的应用前景。石墨烯目前制备方法主要有:(1)微机剥离法。这种方法只能生产数量极少的石墨烯,主要停留在实验室水平上。(2)外延法。这种方法主要缺点是成本较高且硅片较小的尺寸限制了其大规模应用(3)氧化还原法。该方法生产的石墨烯缺陷较多。(4)溶剂剥离法。该方法主要缺点是生产效率比较低,限制其商业应用。(5)化学气相沉积法(CVD)。该法生产的石墨烯结构相对完整,质量较高,可用于透明电极、平板触摸屏等。化学气相沉积法的原理是将一种或多种气态物质导入到一个反应腔中发生化学反应,并在基底上沉积出一种材料。此方法生产效率高,适于工业化生产。
在工业化批量生产石墨烯薄膜的过程中,通常采用金属作为基底,金属基底一般贴附于石英舟表面。在沉积石墨烯的过程中,金属基底一般直接置于石英舟内部。然而受设备加热空间的限制,通常制备的石墨烯薄膜数量有限;并且当石英舟管径较大时,退火后金属基底硬度急剧下降,使得金属基底褶皱变形。现有技术中的“一种生长石墨烯的支架及方法”(申请号:201110442121.8)其最大优点是生长的石墨烯尺寸较大,但是也有以下缺点:1)卷绕结构的石英结构,加工困难,精度难以保证,成本也很高。2)金属基底装样和取样比较困难,退火后金属基底硬度会急剧下降,装配中如不能很好贴合,金属基底会变形,或发生褶皱,这会对之后的转片等工艺带来严重的影响,会影响石墨烯产品的质量。3)该卷绕结构层数过多时装入金属基底后,由于层与层之间完全遮挡也会导致该石英支架内的温度会有所偏差,影响石墨烯生长质量。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了解决由于石英舟内管径空间限制,而生长的石墨烯数量较少或采用卷曲石英支架生长时,卷曲结构层数较多导致温度偏差,金属基底易褶皱变形等技术问题,本实用新型提供一种生长石墨烯用石英平台。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种生长石墨烯用石英平台,该平台用于放置在管状的石英舟中进行生长石墨烯,包括多块上下设置的石英平板、相邻石英平板之间设置有用于支撑石英平板的石英柱,最底部的石英平板下方设置有底座,所述底座的底部形状与石英舟内圈相匹配。
为了便于生长平整的石墨烯,优选的所述石英平板上下平行设置。
为了适应石英舟内壁形状,优选的所述底座为弧形底座,底座的弧度与石英舟内圈相匹配。
为了支撑底座,使得石英平台尽量位于石英舟中心,优选的所述底座的底部两侧对称安装有石英支撑滑块。
为了减少推动过程中的摩擦力,优选的所述的石英支撑滑块呈圆柱状,其外圆柱面焊接在底座的底部,石英支撑滑块的两端呈圆倒角。,或者所述的石英支撑滑块呈球形,焊接在底座的底部。
为了适应石英舟内圈口径,提高空间利用率,优选的所述的多块石英平板中中间一块石英平板位于石英舟中部,且宽度D最宽且略小于石英舟内径,以中间的石英平板为界,上下两侧的石英平板的宽度向上下两端逐渐递减。
本实用新型的有益效果是,本实用新型的生长石墨烯用石英平台,结构简单,易于加工,成本较低,适合于工业化生产,其平板表面平整,无褶皱,大大提高转片的质量及石墨烯产品的合格率,对于生产平板触摸屏等中小面积的石墨烯产品,本实用新生产的石墨烯在数量和质量上具有明显的优势。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型生长石墨烯用石英平台的结构示意图。
图2是本实用新型生长石墨烯用石英平台置于石英舟中的结构示意图。
图中:1、石英舟,2、石英平板,3、石英柱,4、底座,5、石英支撑滑块。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1、2所示,是本实用新型生长石墨烯用石英平台的实施例,该平台放置在管状的石英舟1中用于进行生长石墨烯,包括多块上下平行设置的石英平板2、相邻石英平板2之间通过的石英柱3支撑,石英平板2的长度基本一致,主要取决于恒温区的长度,板的宽度上下不一致,主要取决于石英管内的口径,石英平板2数量为3~15块,一般5-7块为宜,本实施例中取7块。多块石英平板2中中间一块石英平板2(即第四块平板)位于石英舟1中部,且宽度D最宽且略小于石英舟1内径,以中间的石英平板2为界,上下两侧的石英平板2对称,且每块石英平板2的宽度向上下两端逐渐递减。石英柱3位于相邻石英平板2之间的两侧。最底部的石英平板2下方设置有弧形的底座4,最底部的石英平板2正好可嵌在底座4的弧形开口处,底座4的弧度与石英舟1内圈相匹配,底座4的底部两侧对称安装有石英支撑滑块5,图中共有4个石英支撑滑块5,石英支撑滑块5呈圆柱状,其外圆柱面焊接在底座4的底部,石英支撑滑块5的两端呈圆倒角。通过石英支撑滑块5的支撑,确保石英平台整体在石英舟的中心。
金属基底置于石英平台生长后,可以保证表面平整,无褶皱,大大提高转片的质量及石墨烯产品的合格率。对于生产平板触摸屏等中小面积的石墨烯产品,本实用新型生产的石墨烯在数量和质量上具有明显的优势。石英平台侧面无遮挡,沉积过程中温度的偏差相对较小。金属基底可以从石英平台的侧面放入及取出,操作简单。沉积出的石墨烯数量大约是普通圆形石英舟的2倍。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (7)

1.一种生长石墨烯用石英平台,该平台用于放置在管状的石英舟(1)中进行生长石墨烯,其特征在于:包括多块上下设置的石英平板(2)、相邻石英平板(2)之间设置有用于支撑石英平板(2)的石英柱(3),最底部的石英平板(2)下方设置有底座(4),所述底座(4)的底部形状与石英舟(1)内圈相匹配。
2.如权利要求1所述的生长石墨烯用石英平台,其特征在于:所述石英平板(2)上下平行设置。
3.如权利要求1所述的生长石墨烯用石英平台,其特征在于:所述底座(4)为弧形底座,底座(4)的弧度与石英舟(1)内圈相匹配。
4.如权利要求1所述的生长石墨烯用石英平台,其特征在于:所述底座(4)的底部两侧安装有石英支撑滑块(5)。
5.如权利要求4所述的生长石墨烯用石英平台,其特征在于:所述的石英支撑滑块(5)呈圆柱状,其外圆柱面焊接在底座(4)的底部,石英支撑滑块(5)的两端呈圆倒角。
6.如权利要求4所述的生长石墨烯用石英平台,其特征在于:所述的石英支撑滑块(5)呈球形,焊接在底座(4)的底部。
7.如权利要求1所述的生长石墨烯用石英平台,其特征在于:所述的多块石英平板(2)中中间一块石英平板(2)位于石英舟(1)中部,且宽度D最宽且略小于石英舟(1)内径,以中间的石英平板(2)为界,上下两侧的石英平板(2)的宽度向上下两端逐渐递减。
CN201320506706.6U 2013-08-19 2013-08-19 生长石墨烯用石英平台 Expired - Lifetime CN203451615U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320506706.6U CN203451615U (zh) 2013-08-19 2013-08-19 生长石墨烯用石英平台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320506706.6U CN203451615U (zh) 2013-08-19 2013-08-19 生长石墨烯用石英平台

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203451615U true CN203451615U (zh) 2014-02-26

Family

ID=50131510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320506706.6U Expired - Lifetime CN203451615U (zh) 2013-08-19 2013-08-19 生长石墨烯用石英平台

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203451615U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108862253A (zh) * 2018-07-17 2018-11-23 云南大学 一种基于多层及大面积石墨烯生长用石英舟的石墨烯生长方法
CN109179389A (zh) * 2018-11-09 2019-01-11 北京石墨烯研究院 利用cvd方法生长石墨烯薄膜的载具

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108862253A (zh) * 2018-07-17 2018-11-23 云南大学 一种基于多层及大面积石墨烯生长用石英舟的石墨烯生长方法
CN109179389A (zh) * 2018-11-09 2019-01-11 北京石墨烯研究院 利用cvd方法生长石墨烯薄膜的载具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang Introduction: 2D materials chemistry
Zheng et al. Review of vertical graphene and its applications
Lou et al. Diamond formation by reduction of carbon dioxide at low temperatures
Liu et al. Vibrational Spectra and Molecular Vibrational Behaviors of All‐Carboatomic Rings, cyclo [18] carbon and Its Analogues
Yang et al. Hydrogen storage of dual-Ti-doped single-walled carbon nanotubes
Brady et al. Pre-Sodiated Ti3C2T x MXene Structure and Behavior as Electrode for Sodium-Ion Capacitors
Huang et al. Metal-catalyst-free growth of single-walled carbon nanotubes on substrates
Chen et al. Raman spectra and temperature-dependent Raman scattering of silicon nanowires
Thomas et al. Atomistic dynamics investigation of the thermomechanical properties and Li diffusion kinetics in ψ-graphene for LIB anode material
CN203451615U (zh) 生长石墨烯用石英平台
US20140170057A1 (en) Method and apparatus for manufacturing graphene sheet
Li et al. Separation of isotope 13C using high-performance structured packing
Kataoka et al. Ion-exchange synthesis, crystal structure, and physical properties of hydrogen titanium oxide H2Ti3O7
Tang et al. Reversible structural phase transition in ZnV2O6 at high pressures
Wu et al. Three-step growth of well-aligned ZnO nanotube arrays by self-catalyzed metalorganic chemical vapor deposition method
Deng et al. Electrolyte-dependent supercapacitor performance on nitrogen-doped porous bio-carbon from gelatin
Krungleviciute et al. Isosteric heat of argon adsorbed on single-walled carbon nanotubes prepared by laser ablation
Xu et al. Structure transition mechanism of single-crystalline silicon, g-C3N4, and diamond nanocone arrays synthesized by plasma sputtering reaction deposition
Dai et al. Atomistic insights into the layered microstructure and time-dependent stability of [BMIM][PF6] confined within the meso-slit of carbon
Wilson et al. Multilayer graphitic coatings for thermal stabilization of metallic nanostructures
CN102505112A (zh) 一种贴敷石墨烯薄膜的装置及方法
Er et al. Hydrogen storage by polylithiated molecules and nanostructures
CN203227313U (zh) 旋转蒸发器
CN203922732U (zh) 一种石英管管堵
CN203513283U (zh) 制备石墨烯用支架

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: CHANGZHOU 2D CARBON TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: 2D CARBON (CHANGZHOU) TECHNOLOGY CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 213149 No. 6 Xiangyun Road, Wujin Economic Development Zone, Jiangsu, Changzhou

Patentee after: 2D CARBON (CHANGZHOU) TECH Inc.,Ltd.

Address before: 213149 No. 6 Xiangyun Road, Wujin Economic Development Zone, Jiangsu, Changzhou

Patentee before: 2D CARBON (CHANGZHOU) TECH Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140226