CN203339214U - 多陶瓷层led封装结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种多陶瓷层LED封装结构，包括金属基体，并且在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和高导热陶瓷层，在所述高导热陶瓷层上形成有金属电路层和荧光陶瓷层；而在所述金属电路层和荧光陶瓷层上设置有LED芯片。本实用新型所述的印刷线路板具有多个功能陶瓷层，能够实现导热、耐高压击穿和提高LED光效的目的。

Description

多陶瓷层LED封装结构
技术领域
本实用新型属于电子技术领域，更具体的说，本实用新型涉及一种用于光学器件的多陶瓷层LED封装结构。
背景技术
用于光学和/或电子的器件，如集成电路或者激光二极管均需要利用热传导材料来进行传热。为此需要采用金属基体，如铜基体，并且在所述光学和/或电子的器件与金属基体之间经常需要电隔离。而有些陶瓷材料具有较高的热传导效率并且对电是绝缘的。为此经常在光学和/或电子的器件与金属基体之间使用高导热的陶瓷材料作为用于提供电隔离而又仍然维持热传导性的中间材料。为了提供从光学和/或电子的器件向金属基体的高效传热，在陶瓷与金属基体之间提供良好的热界面是必需的。随着光学和/或电子的器件的发展，对它们的性能要求也越来越苛刻，例如需要进一步提高集成电路的集成度，需要提高LED的发光效率等，从而对所述的陶瓷中间层的性能要求也越来越高，例如作为陶瓷中间层不仅需要具有高的导热率、电绝缘率，还需要具有高的电压击穿强度，还需要具有荧光特性；而这些性能要求通过单一的陶瓷功能层往往难以实现，而且研究也表明通过复合陶瓷涂层也难以满足所有的需求，而且复合陶瓷涂层由于各组份的热膨胀系数往往差别较大，反复经历不同温度的循环环境下，产生的内应力可能导致陶瓷层产生裂纹甚至导致破裂失效。
实用新型内容
为了解决现有技术中的上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种多陶瓷层LED封装结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
本实用新型所述的多陶瓷层LED封装结构，包括金属基体，并且在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和高导热陶瓷层，在所述高导热陶瓷层上形成有金属电路层和荧光陶瓷层；而在所述金属电路层和荧光陶瓷层上设置有LED芯片。
其中，所述荧光陶瓷层为稀土掺杂的陶瓷层，所述荧光陶瓷层的厚度为10-100 um；所述荧光陶瓷层例如为Ce掺杂的YAG层或Eu掺杂的SiN层。
其中，所述高导热陶瓷层的厚度为10-500 um；所述高导热陶瓷层的例子如AlN、 AlON或SiN。所述的高导热陶瓷层能够实现横向和径向的热传导，解决光学和/或电子部件的散热问题。
其中，所述耐压陶瓷层的厚度为10-500 um；所述耐压陶瓷层的例子如Al2O3、AlON或SiC。所述的耐压陶瓷层能够防止高电压击穿的问题，提高所述结构的安全性和稳定性。
其中，所述荧光陶瓷层、高导热陶瓷层和耐压陶瓷层可以通过粉末烧结法形成。
其中，所述金属基板与耐压陶瓷层之间、耐压陶瓷层与高导热陶瓷层之间，以及高导热陶瓷层与荧光陶瓷层之间均具有钎焊层。
本实用新型的技术方案相比现有技术具有以下有益效果：
（1）本实用新型所述的多陶瓷层LED封装结构中，所述荧光陶瓷层可以将LED蓝光转化至可见光，从而可以显著提高光效。
（2）本实用新型所述的多陶瓷层LED封装结构中，所述的高导热陶瓷层能够实现横向和径向的热传导，解决光学和/或电子部件的散热问题。
（3）本实用新型所述的多陶瓷层LED封装结构中，所述的耐压陶瓷层具有高的耐电压击穿性能。
附图说明
     图1 为本实用新型实施例1所述多陶瓷层LED封装结构的结构示意图。
具体实施方式
实施例1
如附图1所示，本实施例所述的多陶瓷层LED封装结构，包括金属基体10，并且在所述金属基体10上依次形成有耐压陶瓷层20和高导热陶瓷层30，在所述高导热陶瓷层30上形成有金属电路层40和荧光陶瓷层50；而在所述金属电路层40和荧光陶瓷层50上设置有LED芯片60。所述荧光陶瓷层为稀土掺杂的陶瓷层，所述荧光陶瓷层的厚度为10-100 um；并且优选为Ce掺杂的YAG层或Eu掺杂的SiN层。所述高导热陶瓷层的厚度为10-500 um；并且优选为AlN、 AlON或SiN。所述的高导热陶瓷层能够实现横向和径向的热传导，解决光学和/或电子部件的散热问题。所述耐压陶瓷层的厚度为10-500 um；并且优选为Al2O3、AlON或SiC。所述的耐压陶瓷层能够防止高电压击穿的问题，提高所述结构的安全性和稳定性。所述荧光陶瓷层、高导热陶瓷层和耐压陶瓷层通过粉末烧结法形成。而且所述金属基板与耐压陶瓷层之间、耐压陶瓷层与高导热陶瓷层之间，以及高导热陶瓷层与荧光陶瓷层之间均通过钎焊接合形成钎焊层。
对于本领域的普通技术人员而言，应当理解可以在不脱离本实用新型公开的范围以内，可以采用等同替换或等效变换形式实施上述实施例。本实用新型的保护范围并不限于具体实施方式部分的具体实施例，只要没有脱离实用新型实质的实施方式，均应理解为落在了本实用新型要求的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种多陶瓷层LED封装结构，包括金属基体，其特征在于在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和高导热陶瓷层，在所述高导热陶瓷层上形成有金属电路层和荧光陶瓷层；而在所述金属电路层和荧光陶瓷层上设置有LED芯片。
2.根据权利要求1所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述荧光陶瓷层的厚度为10-100 um。
3.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述高导热陶瓷层的厚度为10-500 um。
4.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述耐压陶瓷层的厚度为10-500 um。
5.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层LED封装结构，其特征在于所述金属基板与耐压陶瓷层之间、耐压陶瓷层与高导热陶瓷层之间，以及高导热陶瓷层与荧光陶瓷层之间具有钎焊层。
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Address after: Wujiang District of Suzhou City, Jiangsu province 215200 Lili town FENHU Road No. 558

Patentee after: Suzhou Jing Pin new material limited company

Address before: FenHu FenHu Avenue in Wujiang District of Suzhou City, Jiangsu province 215211 No. 558 No. two on the third floor of the building of scientific research innovation park (South)

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