CN202918265U - 一种无极性电子开关 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种无极性电子开关,包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管,两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。本实用新型的漏极分别与电源回路3、4引脚连接,电源回路3、4引脚可分别作为电源回路的正极或负极连接端,无需区分本实用新型连接时的正负极,不受极性限制可随便对接,安装连接简单方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子控制、电源变换和电源管理领域,具体是一种无极性电子开关。
背景技术
无极性电源即外接电源连接时无需考虑正负极连接关系,可以做任意正反接线。目前,无极性电源的导通方式主要采用继电器来实现的,但继电器体积大、可靠性低,满足不了可靠性要求高或开关频度高的场合。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种无极性电子开关,其可实现电源回路双向导通和阻断的目的。
本实用新型的技术方案为:
一种无极性电子开关,包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管,两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。
所述的两个MOSFET管选用两个N型MOSFET管或两个P型MOSFET管。
所述的无极性电子开关还包括有放电电阻,放电电阻的两端并联连接于驱动电路1、2引脚上。
本实用新型的优点:
(1)、本实用新型的漏极分别与电源回路3、4引脚连接,电源回路3、4引脚可分别作为电源回路的正极或负极连接端,无需区分本实用新型连接时的正负极,不受极性限制可随便对接,安装连接简单方便;
(2)、本实用新型的导通和阻断依据驱动电路正负极电压的大小,当驱动电路正负极电压大于本实用新型MOSFET管的导通电压时,开关即导通,当驱动电路正负极电压小于本实用新型MOSFET管的截止电压时,开关即阻断,从而实现无极性开关的作用,解决了如DC/DC、BMS电池管理***和其它工业控制电路内要求电子开关可以双向导通和阻断的场合。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型实施例1的连接结构示意图。
图3是本实用新型实施例2的连接结构示意图。
图4是本实用新型实施例3的连接结构示意图。
图5是本实用新型实施例4的连接结构示意图。
具体实施方式
见图1,一种无极性电子开关,包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体1内设置有两个相互连接的MOSFET管Q1、Q2,两个MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接,驱动电路1、2引脚上并联连接有放电电阻R1。
实施例1
见图2,一种为无极性电子开关,包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体1内设置有两个相互连接的N型MOSFET管Q1、Q2,两个N型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个N型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个N型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接;驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2正极连接,驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2负极连接,电源回路3引脚与电源回路的正极(高端)连接,电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的负极(接地端)连接,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于N型MOSFET管Q1、Q2的导通电压时,N型MOSFET管Q1正向导通,Q2反向低阻导通,即无极性电子开关开启;反之,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于N型MOSFET管的截止电压时,Q1截止,从而Q1、Q2两N型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态,即无极性电子开关关闭。
实施例2
见图3,一种为无极性电子开关,包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体1内设置有两个相互连接的N型MOSFET管Q1、Q2,两个N型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个N型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个N型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接;驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2正极连接,驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2负极连接,电源回路3引脚与电源回路的负极(接地端)连接,电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的正极(高端)连接,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于N型MOSFET管的导通电压时,N型MOSFET管Q2正向导通,Q1反向低阻导通,即无极性电子开关开启;反之,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于N型MOSFET管的截止电压时,Q2截止,从而Q1、Q2两N型MOSFET管连接的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态,即无极性电子开关关闭。
实施例3
见图4,一种为无极性电子开关,包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体1内设置有两个相互连接的P型MOSFET管Q1、Q2,两个P型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个P型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个P型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接;驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2负极连接,驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2正极连接,电源回路3引脚与电源回路的正极(高端)连接,电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的负极(接地端)连接,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于P型MOSFET管的导通电压时,P型MOSFET管Q1正向导通,Q2反向低阻导通,即无极性电子开关开启;反之,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于P型MOSFET管的截止电压时,Q1截止,从而Q1、Q2两P型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态,即无极性电子开关关闭。
实施例4
见图5,一种为无极性电子开关,包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体1内设置有两个相互连接的P型MOSFET管Q1、Q2,两个P型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个P型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个P型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接;驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2负极连接,驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2正极连接,电源回路3引脚与电源回路的负极(接地端)连接,电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的正极(高端)连接,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于P型MOSFET管的导通电压时,P型MOSFET管Q2正向导通,Q1反向低阻导通,即无极性电子开关开启;反之,当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于P型MOSFET管的截止电压时,Q2截止,从而Q1、Q2两P型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态,即无极性电子开关关闭。
Claims (3)
1.一种无极性电子开关,其特征在于:包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚,壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管,两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接,两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接,两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。
2.根据权利要求1所述的一种无极性电子开关,其特征在于:所述的两个MOSFET管选用两个N型MOSFET管或两个P型MOSFET管。
3.根据权利要求1所述的一种无极性电子开关,其特征在于:所述的无极性电子开关还包括有放电电阻,放电电阻的两端并联连接于驱动电路1、2引脚上。
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CN 201220617023 CN202918265U (zh) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | 一种无极性电子开关 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102957408A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-03-06 | 合肥创源车辆控制技术有限公司 | 一种无极性电子开关 |
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2012
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