CN102957408A - 一种无极性电子开关 - Google Patents

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袁廷华
袁旭
秦彦超
施东仁
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HEFEI CHUANGYUAN VEHICLE CONTROL TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种无极性电子开关，包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管，两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。本发明的漏极分别与电源回路3、4引脚连接，电源回路3、4引脚可分别作为电源回路的正极或负极连接端，无需区分本发明连接时的正负极，不受极性限制可随便对接，安装连接简单方便。

Description

一种无极性电子开关
技术领域
本发明涉及电子控制、电源变换和电源管理领域，具体是一种无极性电子开关。
背景技术
无极性电源即外接电源连接时无需考虑正负极连接关系，可以做任意正反接线。目前，无极性电源的导通方式主要采用继电器来实现的，但继电器体积大、可靠性低，满足不了可靠性要求高或开关频度高的场合。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种无极性电子开关，其可实现电源回路双向导通和阻断的目的。
本发明的技术方案为：
一种无极性电子开关，包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管，两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。
所述的两个MOSFET管选用两个N型MOSFET管或两个P型MOSFET管。
所述的无极性电子开关还包括有放电电阻，放电电阻的两端并联连接于驱动电路1、2引脚上。
本发明的优点：
（1）、本发明的漏极分别与电源回路3、4引脚连接，电源回路3、4引脚可分别作为电源回路的正极或负极连接端，无需区分本发明连接时的正负极，不受极性限制可随便对接，安装连接简单方便；
（2）、本发明的导通和阻断依据驱动电路正负极电压的大小，当驱动电路正负极电压大于本发明MOSFET管的导通电压时，开关即导通，当驱动电路正负极电压小于本发明MOSFET管的截止电压时，开关即阻断，从而实现无极性开关的作用，解决了如DC/DC、BMS电池管理***和其它工业控制电路内要求电子开关可以双向导通和阻断的场合。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明实施例1的连接结构示意图。
图3是本发明实施例2的连接结构示意图。
图4是本发明实施例3的连接结构示意图。
图5是本发明实施例4的连接结构示意图。
具体实施方式
见图1，一种无极性电子开关，包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体1内设置有两个相互连接的MOSFET管Q1、Q2，两个MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接，驱动电路1、2引脚上并联连接有放电电阻R1。
实施例1
见图2，一种为无极性电子开关，包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体1内设置有两个相互连接的N型MOSFET管Q1、Q2，两个N型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个N型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个N型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，电源回路3引脚与电源回路的正极（高端）连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的负极（接地端）连接，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于N型MOSFET管Q1、Q2的导通电压时，N型MOSFET管Q1正向导通，Q2反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于N型MOSFET管的截止电压时，Q1截止，从而Q1、Q2两N型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。
实施例2
见图3，一种为无极性电子开关，包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体1内设置有两个相互连接的N型MOSFET管Q1、Q2，两个N型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个N型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个N型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，电源回路3引脚与电源回路的负极（接地端）连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的正极（高端）连接，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于N型MOSFET管的导通电压时，N型MOSFET管Q2正向导通，Q1反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于N型MOSFET管的截止电压时，Q2截止，从而Q1、Q2两N型MOSFET管连接的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。
实施例3
见图4，一种为无极性电子开关，包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体1内设置有两个相互连接的P型MOSFET管Q1、Q2，两个P型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个P型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个P型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，电源回路3引脚与电源回路的正极（高端）连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的负极（接地端）连接，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于P型MOSFET管的导通电压时，P型MOSFET管Q1正向导通，Q2反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于P型MOSFET管的截止电压时，Q1截止，从而Q1、Q2两P型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。
实施例4
见图5，一种为无极性电子开关，包括有壳体1、壳体1上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体1内设置有两个相互连接的P型MOSFET管Q1、Q2，两个P型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个P型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个P型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路1引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，电源回路3引脚与电源回路的负极（接地端）连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的正极（高端）连接，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于P型MOSFET管的导通电压时，P型MOSFET管Q2正向导通，Q1反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路1引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于P型MOSFET管的截止电压时，Q2截止，从而Q1、Q2两P型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。

Claims (3)

1.一种无极性电子开关，其特征在于：包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管，两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。
2.根据权利要求1所述的一种无极性电子开关，其特征在于：所述的两个MOSFET管选用两个N型MOSFET管或两个P型MOSFET管。
3.根据权利要求1所述的一种无极性电子开关，其特征在于：所述的无极性电子开关还包括有放电电阻，放电电阻的两端并联连接于驱动电路1、2引脚上。
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