CN202898516U - 一种阵列基板、掩膜板和显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、掩膜板和显示装置 Download PDF

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李周炫
梁逸南
洪瑞
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Abstract

本实用新型公开了一种阵列基板、掩膜板和显示装置,涉及显示技术,该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案,网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度,允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,这样,在进行阴极沉积时,阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,即可实现阴极图案的制造,简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺,同时,可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。

Description

一种阵列基板、掩膜板和显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术,尤其涉及一种阵列基板、掩膜板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,AMOLED(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode,是有源矩阵有机发光二极体面板)以其良好的显示性能,具体有良好的发展前景。
实现透明AMOLED显示的方法包括:使用透明阴极(cathode)的方法和形成未沉积阴极材料的特定区域(透过窗)的方法。
使用透明阴极的方法可以提高面板(panel)的透过率,实现透明显示。
如图1a和图1b所示,在图1a所示的图案的基板上形成透明阴极,形成图1b所示的图案,即在基板的全部区域上沉积透明阴极。
虽然在基板的全部区域沉积透明阴极具有工艺便利性,但是透明阴极相比现有的满足EL(Electroluminescence,场致发光)特性的传统阴极材料(conventional cathode material),会导致EL特性及寿命降低的问题,且具有透明特性的阴极材料种类较少,也具有局限性。
所以,使用透明cathode的方法需要开发具有良好的透过率和良好的电极特性的材料和工艺,并且相比使用现有的不透明阴极电极材料具有EL特性差的缺点。
为解决上述问题,产生了一种形成未沉积阴极的特定区域的方法实现透明AMOLED。
在面板上的部分区域不沉积阴极材料,也可以实现透明显示,即在各像素区域上形成透明的区域,整体上可以确保透过率。若透过窗的尺寸设计较佳,还可以改善透过率且提高可见性(visibility)。通常,不沉积不透明阴极材料的区域记载为TW(Transparent Window,透过窗或透明窗),如图2a所示,在进行阴极沉积时,通过调节PDL(Pixel Desgin Layer,像素界定层)的大小,形成透过窗,沉积阴极材料后的基板如图2b所示。
为了在使用现有的阴极材料铝(Al)或镁:银(Mg:Ag)的同时实现透明AMOLED,需要在像素的某一区域内形成透过窗。但是,使用FMM(Fine MetalMask,高精度金属掩膜板)形式进行透过窗形成时,需要经过多次掩膜的对齐,沉积较困难,使得透过窗的制造工艺比较复杂。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种阵列基板、掩膜板和显示装置,以简化透过窗的制造工艺。
一种掩膜板,包括:
网格图案掩膜板以及固定在所述网格图案掩膜板上的透过窗图案掩膜板,所述网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度与所述透过窗图案掩膜板的厚度,允许阴极材料蒸汽在透过窗图案掩膜板以外的区域实现沉积。
一种阵列基板,使用本实用新型实施例提供的掩膜板制造。
一种显示装置,包括本实用新型实施例提供的阵列基板。
本实用新型实施例提供一种阵列基板、掩膜板和显示装置,该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案,网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度,允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,这样,在进行阴极沉积时,阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,即可实现阴极图案的制造,简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺,同时,可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。
附图说明
图1a为现有技术中像素区结构示意图;
图1b为现有技术中透明阴极结构示意图;
图2a为现有技术中透过窗结构示意图;
图2b为现有技术中具有透过窗的传统阴极结构示意图;
图3a为本实用新型实施例提供的掩膜板结构示意图;
图3b为图3a的B-B’面截面图;
图3c为本实用新型实施例提供的掩膜板中网格图案掩膜板结构示意图;
图4a为本实用新型实施例提供的具有基础透过窗图案的网格图案掩膜板结构示意图;
图4b为图4a的A-A’面截面图;
图5为本实用新型实施例提供的具有掩膜框架的掩膜板结构示意图;
图6为本实用新型实施例提供的掩膜板制造方法流程图;
图7为本实用新型实施例提供的透过窗制造方法流程图;
图8为本实用新型实施例提供的透过窗制造过程状态示意图。
具体实施方式
本实用新型实施例提供一种阵列基板、掩膜板和显示装置,该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案,网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度,允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,这样,在进行阴极沉积时,阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,即可实现阵列基板中阴极图案的制造,简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺,同时,可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。
如图3a和图3b所示,其中图3b是图3c的B-B’截面图,本实用新型实施例提供的掩膜板,包括:
网格图案以及设置在网格图案掩膜板上的透过窗图案,网格图案的网格间掩膜框架的宽度b与透过窗图案的厚度h,允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积。
其中,网格图案可以设置在网格图案掩膜板301上;透过窗图案可以设置在透过窗图案掩膜板302上;其中,透过窗图案掩膜板固定在网格图案掩膜板上。或者,在制作网格图案掩膜板时,可以直接将透过窗图案制作在网格图案掩膜板上,即刻蚀网格图案掩膜板时直接刻蚀出透过窗图案,只要网格间掩膜框架的宽度与所述透过窗图案的厚度满足要求即可。
其中,网格图案掩膜板301的示意图如图3c所示。
为使得阴极材料沉积时,能够较好的实现连接,网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度b小于0.1mm较佳,网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度为0.05mm左右更佳。透过窗图案掩膜板的厚度h为0.1mm或大于0.1mm较佳。具体的网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度b与透过窗图案掩膜板的厚度h,可以根据实际情况由本领域技术人员设定。
网格图案掩膜板可以使用镍铁合金材质,可以通过蚀刻方式形成网格图案掩膜板,较佳的,该镍铁合金可以具体为因瓦合金(Invar36)。
为便于透过窗图案掩膜板的固定,可以在网格图案掩膜板上固定透过窗图案掩膜板的位置设置有基础透过窗图案,该基础透过窗图案的形状大小与透过窗掩膜板相同,以便于透过窗掩膜板固定在网格图案掩膜板上的基础透过窗图案上,如图4a和图4b所示,其中图4b是图4a的A-A’截面图,该基础透过窗图案可以在蚀刻网格图案时一并完成。
透过窗图案掩膜板可以使用镍材质,在具体实现时,可以通过电铸的方式形成透过窗图案掩膜板,即,直接在基础透过窗图案上电铸形成具有一定厚度h的透过窗图案掩膜板。
为便于掩膜板的使用,如图5所示,该掩膜板可以进一步包括掩膜框架303,可以将网格图案掩膜板通过拉伸焊接的方式固定在掩膜框架303上。
本实用新型实施例相应提供一种掩膜板的制造方法,如图6所示,包括:
步骤S601、加工形成网格图案掩膜板,该网格图案掩膜板如图3c所示;
步骤S602、形成透过窗图案掩膜板,将透过窗图案掩膜板固定在网格图案掩膜板上。
其中,步骤S601中,可以使用刻蚀的方式加工形成网格图案掩膜板,在步骤S602中,可以使用电铸的方式形成透过窗图案掩膜板,当然,本领域技术人员也可以采用其他可行的方式形成网格图案掩膜板和透过窗图案掩膜板。
通过该方法,即可制造本实用新型实施例提供的掩膜板,所制造的掩膜板如图3a所示。
进一步,可以在蚀刻加工形成网格图案掩膜板时,在网格图案掩膜板上固定透过窗图案掩膜板的位置设置基础透过窗图案,以便于透过窗图案掩膜板的固定。
透过窗图案掩膜板可以预先制造出来,再固定在网格图案掩膜板上,也可以直接在网格图案掩膜板的基础透过窗图案上电铸形成透过窗图案掩膜板。
为便于掩膜板的使用,还可以将网格图案掩膜板固定在掩膜框架上,在具体固定时,可以通过拉伸焊接的方式将网格图案掩膜板固定在掩膜框架上。
本实用新型实施例还提供一种阵列基板制造方法,该阵列基板制造方法中,使用本实用新型实施例提供的掩膜板制造透过窗,如图7所示,该方法包括:
步骤S701、在玻璃基板上放置掩膜板,掩膜板的透过窗图案掩膜板紧贴玻璃基板;
步骤S702、喷洒阴极材料蒸汽,在玻璃基板上贴紧透过窗图案掩膜板以外的区域沉积阴极材料,阴极材料沉积时的截面图如图8所示。
本实用新型实施例还提供一种阵列基板,该阵列基板使用本实用新型实施例提供的阵列基板制造方法制造。
本实用新型实施例还相应提供一种显示装置,该显示设备包括本实用新型实施例提供的阵列基板。所述显示装置包括:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实用新型实施例提供一种阵列基板、掩膜板和显示装置,该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案,网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度,允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,这样,在进行阴极沉积时,阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积,即可实现阴极图案的制造,简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺,同时,可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。
本领域内的技术人员应明白,本实用新型的实施例可提供为方法、***、或计算机程序产品。因此,本实用新型可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本实用新型可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种掩膜板,其特征在于,包括:
网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案,所述网格图案的网格间掩膜框架的宽度与所述透过窗图案的厚度,允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积。
2.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述网格图案位于网格图案掩膜板上;
所述透过窗图案位于透过窗图案掩膜板上;
所述透过窗图案掩膜板固定在所述网格图案掩膜板上。
3.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述网格图案的网格间掩膜框架的宽度小于0.1mm。
4.如权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述网格图案的网格间掩膜框架的宽度为0.05mm。
5.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述透过窗图案的厚度为0.1mm或大于0.1mm。
6.如权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述网格图案掩膜板为镍铁合金材质。
7.如权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述透过窗图案掩膜板为镍材质。
8.如权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述网格图案掩膜板上固定所述透过窗图案掩膜板的位置设置有基础透过窗图案。
9.如权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述固定在所述网格图案掩膜板上的透过窗图案掩膜板,具体为:
在所述网格图案掩膜板的基础透过窗图案上电铸形成的透过窗图案掩膜板。
10.如权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,还包括:
掩膜框架,所述网格图案掩膜板通过拉伸焊接的方式固定在所述掩膜框架上。
11.一种阵列基板,其特征在于,使用如权利要求1-10任一所述的掩膜板制造。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11所述的阵列基板。
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