CN202712166U - 一种超快软恢复二极管模块的电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种超快软恢复二极管模块的电极结构，属于电力设备半导体器件技术领域。它解决了现有技术中焊接触点的不牢固，散热性和抗磁干扰能力不好的问题。本超快软恢复二极管模块的电极结构，超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，超快软恢复二极管模块的电极结构包括若干个电极和连接部，电极与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，若干个电极通过连接条与连接部连接。本结构具有结构紧凑，抗磁干扰性好，散热性强等优点。
Description
技术领域
本实用新型属于电力设备半导体器件技术领域，涉及一种超快软二极管的电极结构。
背景技术
超快软恢复二极管模块是一种具有开关特性好，反向恢复时间短的半导体二极管，多用于大电流、大功率环境下的控制设备当中，传统的超快软恢复二极管模块，包括铜制底板和其内部四个二极管芯片，生产时将并接的电极连接线通过超声波进行硅铝丝焊接，其另一端通过硅铝丝连接作为引出电极，硅铝丝与二极管芯片焊接的触点是点接触式，但是这种连接方式容易产生电极焊接脱落，降低了芯片并接的可靠性，而且硅铝丝外层包裹着绝缘层，在大功率、大电流的工作环境下二极管模块的整体散热性不好；此外，硅铝丝之间的连接也不会保证硅铝丝间走线的平行，容易形成交叉电流，产生电磁干扰，影响超快软恢复二极管模块高速工作的性能。
发明内容
本实用新型针对现有的技术存在上述问题，提出了一种超快软恢复二极管模块的电极结构，该超快软恢复二极管模块的电极结构能够提高焊接触点的牢固性，且散热性更好，抗磁干扰能力更强，更具实用性。
本实用新型通过下列技术方案来实现：一种超快软恢复二极管模块的电极结构，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，其特征在于，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构包括若干个电极和连接部，所述的电极与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，所述的若干个电极通过连接条与连接部连接。
电极跟二极管芯片焊接，通过连接条将各二极管芯片连通，通过连接部引出，相对于传统用的连接方法，本超快软恢复二极管模块的电极结构焊接更方便，且结构更紧凑。
在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的若干个电极以连接部为轴两两对称，且电极与连接部连接的连接条长度相等。便于定位，电极焊接更为方便。
在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的连接条上设有用于减少焊接时电极产生的应力的弯曲部。焊接时温度较高，由于热胀冷缩的原因，电极会产生应力，造成焊接不牢固，而弯曲部能够有效承受电极产生的应力，提高了焊接的可靠性。
在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极为正方形结构且形状小于超快软恢复二极管模块中的二极管芯片。正方形结构便于焊接且焊接牢靠。
在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片接触的外圈粘帖有绝缘层。防止短路，提高设备的可靠性。
在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极为四个，且两两平行与连接部构成H型结构。形成H型结构减少了交叉电流的通过，降低了电磁干扰，满足超快软恢复二极管模块器件的高速工作需求
在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极、连接条和连接部通过冲压一体成型。冲压一体成型，更紧凑。
与现有技术相比，本超快软恢复二极管模块的电极结构具有以下优点：1、电极、连接条和连接部通过冲压一体成型结构更加紧凑，降低装配工艺；2、电极间两两平行与连接部构成H型，使得本结构散热性更好；3、连接条上设有弯曲部，使得电极焊接更加牢靠。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中，1、电极；2、连接条；3、弯曲部；4、连接部。
具体实施方式
以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。
如图1所示，一种超快软恢复二极管模块的电极1结构，超快软恢复二极管模块的电极1结构设置在超快软恢复二极管模块中，超快软恢复二极管模块的电极1结构包括若干个电极1和连接部4，电极1与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，若干个电极1通过连接条2与连接部4连接，若干个电极1以连接部4为轴两两对称，且电极1与连接部4连接的连接条2长度相等，连接条2上设有用于减少焊接时电极1产生的应力的弯曲部3，电极1为正方形结构且形状小于超快软恢复二极管模块中的二极管芯片，电极1与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片接触的外圈粘帖有绝缘层，电极1为四个，且两两平行与连接部4构成H型结构，电极1、连接条2和连接部4通过冲压一体成型。
在本超快软恢复二极管模块的电极1结构中的四个两辆平行的电极1焊接时，由于焊接温度过高，导致连接条2与电极1热胀，而焊接完成后，温度降低冷缩使得电极1产生一应力，造成焊接不牢靠，而连接条2上设置的弯曲部3，当冷缩时，应力作用在弯曲部3上，保障了电极1的焊接牢固性；电极1与连接部4构成了H型结构，H型结构下表面与底板间留有间隙可双面进行散热，提高了本结构的散热性，四个电极1平行整体连接的焊接点减少了交叉电流的通过，降低了电磁干扰，满足超快软恢复二极管模块器件的高速工作需求。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
尽管本文较多地使用了电极1、连接条2、弯曲部3、连接部4等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。
Claims (7)
1.一种超快软恢复二极管模块的电极结构，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，其特征在于，所述的超快软恢复二极管模块的电极(1)结构包括若干个电极(1)和连接部(4)，所述的电极(1)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，所述的若干个电极(1)通过连接条(2)与连接部(4)连接。
2.根据权利要求1所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的若干个电极(1)以连接部(4)为轴两两对称，且电极(1)与连接部(4)连接的连接条(2)长度相等。
3.根据权利要求2所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的连接条(2)上设有用于减少焊接时电极(1)产生的应力的弯曲部(3)。
4.根据权利要求1或2或3所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(1)为正方形结构且形状小于超快软恢复二极管模块中的二极管芯片。
5.根据权利要求4所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(1)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片接触的外圈粘帖有绝缘层。
6.根据权利要求4所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(1)为四个，且两两平行与连接部(4)构成H型结构。
7.根据权利要求6所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(1)、连接条(2)和连接部(4)通过冲压一体成型。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202712166U true CN202712166U (zh) | 2013-01-30 |
Family
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| CN 201220273324 Expired - Fee Related CN202712166U (zh) | 2012-06-11 | 2012-06-11 | 一种超快软恢复二极管模块的电极结构 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN111063662A (zh) * | 2020-02-01 | 2020-04-24 | 深圳市芯域联合半导体科技有限公司 | 一种快速恢复二极管芯片结构 |
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- 2012-06-11 CN CN 201220273324 patent/CN202712166U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN111063662A (zh) * | 2020-02-01 | 2020-04-24 | 深圳市芯域联合半导体科技有限公司 | 一种快速恢复二极管芯片结构 |
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