CN202688425U - 一种用于柔性基材磁控溅射镀膜靶材 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于磁控溅射镀膜靶材，尤其涉及一种形成介质膜的MF磁控溅射用靶材。它包括背板，所述背板的上表面有一凸起条状部分，所述背板上的靶材通过粘接层与背板相连。溅射镀膜过程中，靶材中间背板材质凸起条状部分有效的阻挡由于局部高温等因素引起的邦定材质喷溅，该技术方案极大地提高了溅射镀膜成品良率及提高了靶材利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于磁控溅射镀膜靶材，尤其涉及一种形成介质膜的MF磁控溅射用靶材。
背景技术
溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度，高能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。
磁控溅射以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此，使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时，受正交电磁场束缚的电子，又只能在其能量要耗尽时才沉积在基片上。这就是磁控溅射具有“低温”，“高速”两大特点的道理。磁控溅射方式主要有DC磁控溅射，RF磁控溅射，MF磁控溅射。DC磁控溅射与RF/MF磁控溅射主要区别在于：DC用于金属靶材溅射，RF/MF用于金属靶材，介质靶材。
目前，用于柔性基材（如PET）表面溅射镀膜所用靶材，主要有矩形靶材及圆柱型靶材。矩形靶材结构如图2所示，为提高靶材利用率，背板上面靶材分为两部分，即靶材置于电磁场范围内。中间缺失部分不影响电磁场分布。采用由金属（如铟）绑定的矩形靶材溅镀薄膜时，由于磁控溅射过程中靶材表面温度较高，两部分靶材中间无遮挡结构导致较高温度的邦定材料部分裸露于真空室内，溅射过程中偶发靶材局部温度过高现象导致矩形靶材中间铟喷溅至柔性基材表面，导致柔性基材表面含有颗粒状铟点，该铟点在可见光范围内反射率很高，导致柔性基材镀膜良品率下降。
发明内容
为了克服上述缺陷，本实用新型的目的在于提供一种减少由铟邦定的靶材向基材喷溅铟，提高镀膜良品率的用于柔性基材磁控溅射镀膜靶材。
为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种用于柔性基材磁控溅射镀膜靶材，它包括背板，所述背板的上表面有一凸起条状部分，所述背板上的靶材通过粘接层与背板相连，凸起条状部分不影响电磁场分布及离化速率。
粘接层上表面高度与上述凸起条状部分上表面高度相同。
粘接层上表面高度低于上述凸起条状部分上表面高度。
本实用新型的有益效果：
溅射镀膜过程中，靶材中间背板材质凸起条状部分有效的阻挡由于局部高温等因素引起的邦定材质喷溅，该技术方案极大地提高了溅射镀膜成品良率及提高了靶材利用率。
附图说明
图1为本实用新型侧视角度的结构示意图。
图2 为本实用新型俯视角度的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1、2对本实用新型进行详细说明：
一种用于柔性基材磁控溅射镀膜靶材，它包括背板3，所述背板3的上表面有一凸起条状部分，所述背板3上的靶材1通过粘接层2与背板3相连。
粘接层2上表面高度与上述凸起条状部分上表面高度相同。粘接层2上表面高度低于上述凸起条状部分上表面高度。
粘接层采用熔点较高的材料，如导电胶粘接方式，铟粘接方式，该粘接层将背板与靶材结合在一起。背板具有导电，不导磁特性，导热性好，如无氧铜，钼，铝，不锈钢背板。
以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准.
Claims (3)
1.一种用于柔性基材磁控溅射镀膜靶材，其特征在于：它包括背板（3），所述背板（3）的上表面有一凸起条状部分，所述背板（3）上的靶材（1）通过粘接层（2）与背板（3）相连。
2.根据权利要求1所述用于柔性基材磁控溅射镀膜靶材，其特征在于：粘接层（2）上表面高度与上述凸起条状部分上表面高度相同。
3.根据权利要求1所述用于柔性基材磁控溅射镀膜靶材，其特征在于：粘接层（2）上表面高度低于上述凸起条状部分上表面高度。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104690487A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 有研亿金新材料股份有限公司 | 一种靶材与背板的粘合连接方法 |
| CN108239761A (zh) * | 2016-12-26 | 2018-07-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室 |
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