CN202634311U

CN202634311U - 用于电子标签的整流器

Info

Publication number: CN202634311U
Application number: CN 201220316347
Authority: CN
Inventors: 曾维亮
Original assignee: Chengdu Hongshan Technology Co Ltd
Current assignee: Chengdu Hongshan Technology Co Ltd
Priority date: 2012-07-03
Filing date: 2012-07-03
Publication date: 2012-12-26
Anticipated expiration: 2022-07-03

Abstract

本实用新型公开了用于电子标签的整流器，包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，其中，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管均为二极管连接的MOS管，第一MOS晶体管的源极和漏极分别与第四MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极连接，第一MOS晶体管栅极与第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极和栅极分别与第三MOS晶体管漏极和第四MOS晶体管栅极连接，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管两者的源极均接地，第一MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极之间的线路上连接有电源。采用上述结构，可将输出电压由两个阈值电压降减小为一个阈值电压降，进而能减小***电源电压波动。

Description

用于电子标签的整流器

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，具体是用于电子标签的整流器。

背景技术

射频识别是当前应用最广泛的非接触式自动目标识别技术之一，其具有非接触、读写灵活、速度快、安全性高等优点，因此被广泛应用于各个领域。射频识别***主要包括阅读器和电子标签，阅读器发射接收天线耦合过来的是交流信号，在获取内部电源前必须对其进行整流，即将交流信号转换为直流信号。现今人们主要用MOS晶体管实现整流电路，由于MOS晶体管形成的单向导通电路的压降不仅与其阈值电压有关，同时随流过它的电流呈线性平方根增长，因此会导致在MOS管上的压降不是一个定值，在电源所能提供的功率是一个常量时，这就导致内部负载电流变化时***电源电压产生波动。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了在内部负载电流变化时能减小***电源电压波动的用于电子标签的整流器。

本实用新型的目的主要通过以下技术方案实现：用于电子标签的整流器，包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管均为二极管连接的MOS管，第一MOS晶体管的源极和漏极分别与第四MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极连接，第一MOS晶体管栅极与第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极和栅极分别与第三MOS晶体管漏极和第四MOS晶体管栅极连接，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管两者的源极均接地；所述第一MOS晶体管源极与第四MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线，所述第二MOS晶体管源极与第三MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线，所述第一MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极之间的线路上连接有电源。

用于电子标签的整流器，还包括第一电容、第二电容及第一电阻，所述第二电容与第一电阻串联后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第一电阻的一端与第一MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述电源连接在第一电阻与第二电容之间的线路上。本实用新型中第一电容、第二电容及第一电阻整体构成一个带通滤波器，通过该带通滤波器能使电源更加稳定。

因为电子标签经常要承受电感谐振网络产生的高压信号的冲击，出于耐压考虑，作为优选，所述第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管均为Ｎ沟道增强型场效应管。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，其中，第一MOS晶体管的源极和漏极分别与第四MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极连接，第一MOS晶体管栅极与第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极和栅极分别与第三MOS晶体漏极和第四MOS晶体管栅极连接，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管两者的源极均接地，第一MOS晶体管源极与第四MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线，第二MOS晶体管源极与第三MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线，本实用新型采用上述结构，整体结构简单，便于实现，本实用新型中第一MOS晶体管和第二MOS晶体管采用二极管的连接方法，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管采取交叉开关的连接结构，因为第一射频信号输入线和第二射频信号输入线具有对称性，本实用新型中第一MOS晶体管和第三MOS晶体管导通时第二MOS晶体管和第四MOS晶体管关断，而第一MOS晶体管和第三MOS晶体管关断时第二MOS晶体管和第四MOS晶体管导通，如此，本实用新型可将输出电压由两个阈值电压降减小为一个阈值电压降，进而在内部负载电流变化时能减小***电源电压波动。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

附图中附图标记所对应的名称为：N1—第一MOS晶体管，N2—第二MOS晶体管，N3—第三MOS晶体管，N4—第四MOS晶体管，RF1—第一射频信号输入线，RF2—第二射频信号输入线，C1—第一电容，C2—第二电容，R1—第一电阻，VHD1—电源。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例：

如图1所示，用于电子标签的整流器，包括与电子标签内其它部件共同的外壳，以及设置在外壳内的内部电路，其中，内部电路第一MOS晶体管N1、第二MOS晶体管N2、第三MOS晶体管N3、第四MOS晶体管N4、第一电容C1、第二电容C2及第一电阻R1。第一MOS晶体管N1、第二MOS晶体管N2、第三MOS晶体管N3及第四MOS晶体管N4均为Ｎ沟道增强型场效应管。第一MOS晶体管N1和第二MOS晶体管N2均为二极管连接的MOS管，具体为第一MOS晶体管N1的栅极与其源极连接，第二MOS晶体管N2的栅极与其源极连接。第一MOS晶体管N1的源极与第四MOS晶体管N4漏极连接，第一MOS晶体管N1的漏极与第二MOS晶体管N2漏极连接，第一MOS晶体管N1栅极与第三MOS晶体管N3栅极连接，第二MOS晶体管N2源极和栅极分别与第三MOS晶体N3漏极和第四MOS晶体管N4栅极连接，第三MOS晶体管N3和第四MOS晶体管N4两者的源极均接地。

第一MOS晶体管N1源极与第四MOS晶体管N4漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线RF1，第二MOS晶体管N2源极与第三MOS晶体管N3漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线RF2，第一MOS晶体管N1漏极和第二MOS晶体管N2漏极之间的线路上连接有电源VHD1。第二电容C2与第一电阻R1串联后与第一电容C1并联构成串并联线路，该串并联线路设有第一电阻R1的一端与第一MOS晶体管N1漏极和第二MOS晶体管N2漏极之间的线路连接，其另一端接地，电源VHD1连接在第一电阻R1与第二电容C2之间的线路上。

如上所述，则能很好的实现本实用新型。

Claims

1.用于电子标签的整流器，其特征在于：包括第一MOS晶体管（N1）、第二MOS晶体管（N2）、第三MOS晶体管（N3）及第四MOS晶体管（N4），所述第一MOS晶体管（N1）和第二MOS晶体管（N2）均为二极管连接的MOS管，第一MOS晶体管（N1）的源极和漏极分别与第四MOS晶体管（N4）漏极和第二MOS晶体管（N2）漏极连接，第一MOS晶体管（N1）栅极与第三MOS晶体管（N3）栅极连接，第二MOS晶体管（N2）源极和栅极分别与第三MOS晶体（N3）漏极和第四MOS晶体管（N4）栅极连接，第三MOS晶体管（N3）和第四MOS晶体管（N4）两者的源极均接地；所述第一MOS晶体管（N1）源极与第四MOS晶体管（N4）漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线（RF1），所述第二MOS晶体管（N2）源极与第三MOS晶体管（N3）漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线（RF2），所述第一MOS晶体管（N1）漏极和第二MOS晶体管（N2）漏极之间的线路上连接有电源（VHD1）。

2.根据权利要求1所述的用于电子标签的整流器，其特征在于：还包括第一电容（C1）、第二电容（C2）及第一电阻（R1），所述第二电容（C2）与第一电阻（R1）串联后与第一电容（C1）并联构成串并联线路，该串并联线路设有第一电阻（R1）的一端与第一MOS晶体管（N1）漏极和第二MOS晶体管（N2）漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述电源（VHD1）连接在第一电阻（R1）与第二电容（C2）之间的线路上。

3.根据权利要求1或2所述的用于电子标签的整流器，其特征在于：所述第一MOS晶体管（N1）、第二MOS晶体管（N2）、第三MOS晶体管（N3）及第四MOS晶体管（N4）均为Ｎ沟道增强型场效应管。