CN202585440U - 一种非晶硅薄膜太阳能电池芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种非晶硅薄膜太阳能电池芯片，所述电池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜层和背电极，所述玻璃基板上依次设有非晶硅薄膜层和背电极，所述背电极的上面覆盖有保护膜。本实用新型的电池芯片的背电极表面贴有保护膜，是的电池的产品质量更加稳定，保质期也得以加长，并能够在户外长期使用不受外界大气侵蚀，保护背电极；并且工艺简单，该种封装方式在外界长期使用保质可达5年以上。本实用新型提高了太阳电池的工作稳定性，并提高了工作效率，是产品成本得以降低，同时也提高了同行业的竞争力。

Description

一种非晶硅薄膜太阳能电池芯片

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，具体是一种非晶硅薄膜太阳能电池芯片。

背景技术

非晶硅太阳电池芯片主要用于草坪灯、太阳能装饰灯、室内电子产品等充电使用。现有的太阳能电池的使用环境大部分都在室外，由于现在很多的封装技术，都是在背电极表面丝印保护漆，经过加热烘烤后凝固而成一种保护效果；但是由于在长期受风吹雨淋，外界大气侵蚀，导致背电极被氧化，使太阳电池芯片失去电性能，从而影响整个太阳能装置的工作。

现在很多做非晶硅薄膜公司生产工艺通用为：在背电极表面丝印保护漆，放入烤箱中烘烤，温度加至100摄氏度；烘烤15-20分钟后，使其固化在背电极表面上，再通过丝印字符，再烘烤15-20分钟，使其固化，最后再丝印导电铜浆，放置烤箱中，加温到150-200℃，烘烤20分钟后，在玻璃基板上形成正负电极点。

由于以上工艺流程比较复杂，繁琐，并且在制作过程中使用的保护漆为有污染化学试剂，对环境也有严重影响；该保护漆在室外长期使用过程中，对外界大气的侵蚀，很容易造成非晶硅膜面、背电极的氧化，影响电气性能的输出，所以其稳定性极差，保质期也很短暂。

实用新型内容

为了解决现有的太阳能电池芯片的的背电极在使用过程中容易氧化问题，本实用新型提供了一种非晶硅薄膜太阳能电池芯片。

本实用新型采用的技术方案是：所述电池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜层和背电极，所述玻璃基板上依次设有非晶硅薄膜层和背电极，所述背电极上面覆盖有保护膜。

优选地，所述玻璃基板和非晶硅薄膜层之间设有透明导电膜。

优选地，所述非晶硅薄膜层和背电极上设有绝缘线。

优选地，所述绝缘线的宽度为0.03-0.05mm。

优选地，所述电池芯片包括正电极和负电极，所述正电极和负电极分别与背电极相连接。

优选地，所述正电极和负电极位于保护膜的上部。

本实用新型的电池芯片的背电极表面贴有保护膜，使得电池的产品质量更加稳定，保质期也得以加长，并能够在户外长期使用不受外界大气侵蚀，保护背电极；并且工艺简单，该种封装方式在外界长期使用保质可达5年以上。本实用新型提高了太阳能电池的工作稳定性，并提高了工作效率，使得产品成本得以降低，同时也提高了同行业的竞争力。

附图说明

图1为本实用新型一种实施例的局部结构示意图；

图2为本实用新型一种实施例的结构示意图；

图3为本实用新型第二种实施例的结构示意图。

在图中，1玻璃基板、2透明导电膜、3非晶硅薄膜层、4背电极、5绝缘线、6保护膜、21一次光刻处、22二次光刻处、23三次光刻处、24横向绝缘线、25正电极、26负电极。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型提供的具体实施方式作进一步详细的描述：

如图1-2所示，为本实用新型一种实施例的结构示意图，该电池芯片包括玻璃基板1、非晶硅薄膜层3和背电极4，所述玻璃基板1上依次设有非晶硅薄膜层3和背电极4，所述背电极4的上面覆盖有保护膜6。本实用新型的电池芯片的背电极表面贴有保护膜，使得电池芯片的产品质量更加稳定，保质期也得以加长，并能够在户外长期使用不受外界大气侵蚀，保护背电极；并且工艺简单，该种封装方式在外界长期使用保质可达5年以上。本实用新型提高了太阳能电池芯片的工作稳定性，并提高了工作效率，使得产品成本得以降低，同时也提高了同行业的竞争力。

如图3所示，为本实用新型第二种实施例的结构示意图，所述玻璃基板1和非晶硅薄膜层3之间设有透明导电膜2，实现电池的导电。在背电极的上面设有正电极25和负电极26，所述正电极25和负电极26分别与背电极4相连接。背电极4包括铝层和铜镍合金层，所述镍合金层位于铝层之上，所述镍合金层的上部覆盖有保护膜。优选地，所述正电极和负电极位于保护膜的上部。所述非晶硅薄膜层和背电极上设有绝缘线5，该绝缘线包括横向绝缘线24，为若干条横向设置的绝缘线。优选地，所述横向绝缘线24的宽度为0.03-0.05mm。

本实用新型的电池芯片的制造过程如下：

首先，在激光机上设置相应的刻划程序，使激光平台沿着设定好的程序图形刻划；在刻划该线时候，是绿色激光透过玻璃基板1将透明导电膜2、非晶硅薄膜层3、背电极4一次性刻蚀断，分别形成一次光刻处21、二次光刻处22、三次光刻处23；电池芯片与外界隔离，在非晶硅薄膜层和背电极上设有多条横向绝缘线24，该横向绝缘线24的宽度为0.03-0.05mm，并要求跨线电阻大于2MΩ；

再将刻蚀好横向绝缘线24的非晶硅薄膜电池在专用贴膜机上贴一层保护膜6，可以采用非晶硅薄膜专用绝缘保护膜。如图2所示，要求贴膜机滚动频率为30Hz，贴膜滚轮压力为0.2-0.5MPa。

再将贴膜后的非晶硅薄膜电池在自动玻璃切割机上，根据设定后的规格尺寸进行切割；如图3所示，最后用激光打标机将非晶硅表面上的绝缘保护膜开出正负电极25、26；再经过测试分选包装入库，得到100％性能的非晶硅薄膜太阳电池芯片；

在此说明书中，本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。

Claims (6)

1.一种非晶硅薄膜太阳能电池芯片，其特征在于，所述电池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜层和背电极，所述玻璃基板上依次设有非晶硅薄膜层和背电极，所述背电极上面覆盖有保护膜。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述玻璃基板和非晶硅薄膜层之间设有透明导电膜。

3.根据权利要求1或者2所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述非晶硅薄膜层和背电极上设有绝缘线。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述绝缘线的宽度为0.03-0.05mm。

5.根据权利要求1或者2所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述电池芯片包括正电极和负电极，所述正电极和负电极分别与背电极相连接。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述正电极和负电极位于保护膜的上部。

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