CN202473920U - 一种高压led芯片和驱动电源芯片集成封装结构 - Google Patents

一种高压led芯片和驱动电源芯片集成封装结构 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,包括有一基板,所述基板上通过固晶打线方式设置有多个高压LED芯片和至少一个驱动电源芯片,所述高压LED芯片由多个低压LED芯片串联后形成。本实用新型将多个低压LED芯片通过串联后形成一个高压LED芯片,使高压LED芯片满足照明要求的同时,提高了高压LED芯片的照明工作电压,且采用多个高压LED芯片可使交流市电与照明工作电压之间的差距缩小,降低了AC-DC的转换效率损失,同时只需要对高压LED芯片和驱动电源模块进行固晶打线,避免了对多个低压LED固晶打线,减少了元件的使用,使产品小型化,解决了产品结构复杂、封装困难、成本高的问题。

Description

一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构
技术领域
本实用新型属于LED照明技术领域,具体涉及的是一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构。
背景技术
随着LED技术的快速发展,LED照明产品也逐渐进入到日常生活中,而LED芯片为了满足照明要求,其照明时功率不能低于1W,为此目前的大多LED照明产品都是由多个低压LED芯片通过串并联的方式构成,比如0.06W的LED芯片工作电压为3.2V,通过电流为20mA,如果需要满足照明要求,则必须要有至少17个同样的0.06W的LED芯片串联才能实现,在封装过程中,则需要对17个0.06W的LED芯片进行固晶打线,其不但封装制作成本较高,而且由于低压LED芯片数量较多,必然占用较大的基板,造成整个LED照明产品体积过大;另外,由于低压LED芯片工作电压为3.2V,采用目前的市电供电时,必须要将电压从AC220V降低到DV3.2V,该过程中功率转换损失较大。
实用新型内容
为此,本实用新型的目的在于提供一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,以解决目前LED照明产品采用低压LED芯片所存在的功率转换损失较大、元器件过多、结构复杂、封装困难、成本高的问题。
为实现上述目的,本实用新型主要采用以下技术方案:
一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,包括有一基板(1),所述基板(1)上通过固晶打线方式设置有多个高压LED芯片(2)和至少一个驱动电源芯片(3),所述高压LED芯片(2)由多个低压LED芯片(201)串联后形成。
其中还包括有一与上述驱动电源芯片(3)连接的桥式整流模块,所述驱动电源芯片(3)通过该桥式整流模块与外部交流市电连接。
其中所述基板(1)为铝基线路板。
本实用新型将多个低压LED芯片通过串联后形成一个高压LED芯片,使高压LED芯片满足照明要求的同时,提高了高压LED芯片的照明工作电压,且采用多个高压LED芯片可使交流市电与照明工作电压之间的差距缩小,降低了AC-DC的转换效率损失,同时只需要对高压LED芯片和驱动电源模块进行固晶打线,避免了对多个低压LED固晶打线,减少了元件的使用,使产品小型化,解决了产品结构复杂、封装困难、成本高的问题。
附图说明
图1为本实用新型高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装的立体结构示意图。
图2为本实用新型高压LED芯片的结构示意图。
图中标识说明:基板1、高压LED芯片2、低压LED芯片201、驱动电源芯片3。
具体实施方式
为阐述本实用新型的思想及目的,下面将结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的说明。
本实用新型提供的是一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,通过将多个低压LED芯片串联后形成一个高压LED芯片,将该高压LED芯片和驱动电源芯片一同由固晶打线工艺封装在基板上,通过外部桥式整流模块将市电转化成直流为驱动电源芯片供电,通过驱动电源芯片驱动高压LED芯片发光照明。
请参见图1、图2所示,图1为本实用新型高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装的立体结构示意图;图2为本实用新型高压LED芯片的结构示意图。本实用新型所述的高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,包括有基板1,所述基板1优选为铝基线路板,也可以选用其他具有良好散热效果的基板,该基板对应安装在灯罩中。
基板1上通过固晶打线工艺设置有多个高压LED芯片2和至少一个驱动电源芯片3,驱动电源芯片3通过设置在基板1外部的桥式整流模块或桥式整流电路与220V交流市电连接,通过桥式整流模块或桥式整流电路将交流转换成直流。
驱动电源芯片3的具体数量可以根据实际需要有所不同,可以是一个也可以是多个,其对应与高压LED芯片2连接,可以一个高压LED芯片2对应连接一个驱动电源芯片3,也可以多个高压LED芯片2对应连接多个不同的驱动电源芯片3。
其中如图2所示,所述高压LED芯片2是由多个低压LED芯片201串联后封装形成,比如17个0.06W的低压LED芯片串联后形成的高压LED芯片,对应电压为3.2*17=54.4,大概四个这样的高压LED芯片串联电压就接近市电电压220V,这样在进行AC-DC转换时,差别就不会很大,相应地可以降低转换效率损失。
由于本实用新型中的一个高压LED芯片就相当于多个低压LED芯片,因此对一个高压LED芯片进行固晶打线的工艺比对以前多个低压LED芯片固晶打线在工艺上相对简化,而且一个高压LED芯片的体积也相应较小,相对而言,可减少元件的使用,使产品小型化,同时也解决了产品结构复杂、封装困难、成本高的问题。
以上是对本实用新型所提供的一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构进行了详细的介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的结构原理及实施方式进行了阐述,以上实施例只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (3)

1.一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,其特征在于包括有一基板(1),所述基板(1)上通过固晶打线方式设置有多个高压LED芯片(2)和至少一个驱动电源芯片(3),所述高压LED芯片(2)由多个低压LED芯片(201)串联后形成。
2.根据权利要求1所述的高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,其特征在于还包括有一与上述驱动电源芯片(3)连接的桥式整流模块,所述驱动电源芯片(3)通过该桥式整流模块与外部交流市电连接。
3.根据权利要求1所述的高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,其特征在于所述基板(1)为铝基线路板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103343904A (zh) * 2013-07-11 2013-10-09 王珏越 一体化光电引擎模块
CN103851370A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 雅士电子有限公司 一种led灯具及其制造方法

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