CN202421683U - 一种tft阵列基板的中间产品、阵列基板及显示器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提供一种TFT阵列基板的中间产品、阵列基板及显示器件，涉及显示技术领域，以解决在阵列基板制造过程中产生ESD的问题，包括至少一个单元基板，所述单元基板包括有效显示区和***引线区，其中，在所述***引线区内形成有数条栅线引线和至少一条栅线连接线，所述栅线连接线和所述数条栅线引线中的至少两条电连接。本实用新型实施例用于TFT阵列基板制造。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的中间产品、阵列基板及显示器件。
背景技术
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器)中，ESD(Electro-Static Discharge，静电击穿)会对TFT阵列基板的内部结构造成破坏。
现有技术通过在Array(阵列)工艺形成短路环，其中，Array工艺是形成阵列基板的工艺。如图1所示，包括至少一个单元基板100，每一单元基板100包括：有效显示区02和***引线区01；其中，在所述有效显示区02内形成横纵交叉的数据线和栅线(图中未标示)；在所述***引线区01内形成有为数据线提供数据信号的数据线引线03、以及为栅线提供栅线扫描信号的栅线引线04；并且，数据线引线03和栅线引线04分别与短路环05连接。当电流较小时，短路环05处于截止状态，当发生ESD产生较大电流时，短路环05处于导通状态，此时，电流通过短路环05扩散到每一根数据线或者栅线在每一根数据线或者栅线上形成等电位，减小了高压ESD对单根金属线的损伤。
由于上述短路环的设计是在薄膜晶体管的陈列(Array)基板制作完成后才形成的，只能防止这之后所产生的ESD损伤。但是，在Array工艺过程中，未形成短路环之前，经常会由于工艺等因素而产生瞬间的大电流造成不同金属层之间的绝缘层击穿，影响产品良率。因此对于Array工艺过程中即短路环未形成之前的ESD是无法预防的。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种TFT阵列基板的中间产品、阵列基板及显示器件，以解决在阵列基板制造过程中产生ESD的问题。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
提供一种TFT阵列基板的中间产品，一种TFT阵列基板的中间产品，包括至少一个单元基板，所述单元基板包括有效显示区和***引线区，其特征在于，在所述***引线区内形成有数条栅线引线和至少一条栅线连接线，所述栅线连接线和所述数条栅线引线中的至少两条电连接。
在所述***引线区形成有数条数据线引线和至少一条数据线连接线，所述数据线连接线与所述数条数据线引线中的至少两条电连接。
所述栅线连接线与所有栅线引线电连接，且所述数据线连接线与所有数据线引线电连接。
所述栅线连接线与所述数据线连接线电连接。
所述栅线连接线与所述数据线连接线电连接具体为：
所述数据线连接线与所述栅线连接线在交叠处通过过孔电连接。
所述栅线连接线或数据线连接线的宽度不小于栅线或数据线的宽度。
所有栅线引线与至少一条栅线连接线同层设置，或者，所有数据线引线与至少一条数据线连接线同层设置。
提供一种阵列基板，在所述阵列基板的***引线区，设置有至少一条栅线连接线、至少一条数据线连接线；其中，所述至少一条栅线连接线呈断开的多节状态，且栅线连接线的每一节和一条栅线引线连接；所述至少一条数据线连接线呈断开的多节状态，且数据线连接线的每一节和一条数据线引线连接；所述栅线引线与所述数据线引线无电连接。
提供一种显示器件，包含以上所述的阵列基板。
本实用新型实施例提供的TFT阵列基板的中间产品、阵列基板及显示器件，包括至少一个单元基板，该单元基板包括有效显示区和***引线区，其中，在所述***引线区内形成有数条栅线或数据线引线和至少一条栅线或数据线连接线，所述栅线或数据线连接线和所述数条栅线或数据线引线中的至少两条电连接，所述栅线连接线与所述数据线连接线在交叠处通过孔电连接。这样，通过在阵列基板的制造过程中，形成一种TFT阵列基板的中间产品，使得所有的栅线引线都与栅线连接线电连接，所有的数据线引线都与数据线连接线连接，栅线连接线与数据线连接线实现电连接，从而在阵列基板的制造过程中，若产生ESD电流不再是在每一根栅线内扩散，而是在整个单元基板栅线层及数据线层上扩散形成等电位，从而避免了高压ESD对单根金属线的损伤，提高了产品的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中TFT阵列基板中间产品的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板中间产品的结构示意图；
图3为本实用新型实施例提供的另一种TFT阵列基板中间产品的结构示意图；
图4为图3所示TFT阵列基板中间产品在断开连接线后形成的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
简单介绍一下液晶显示面板的制作工艺：一般在母阵列基板和母彩膜基板(其中，母阵列基板是指切割前的阵列基板，母彩膜基板是指切割前的彩膜基板)上均包括多个单元基板，在每个单元基板上形成有各自的图案；母阵列基板和母彩膜基板经过对盒工艺，使得母阵列基板的单元基板(子阵列基板)和母彩膜基板的单元基板(子彩膜基板)对应设置；之后，再通过切割工艺，以及后续工艺制作完成多个液晶显示面板，每个液晶显示面板包括：对盒后的子彩膜基板和子阵列基板。
图1-图4均可以表示切割前的母阵列基板中的一个单元基板；其中，图4还可以表示切割后的子阵列基板。
本实用新型实施例提供一种TFT阵列基板的中间产品，如图2所示，包括：
至少一个单元基板10，该单元基板10包括有效显示区2和***引线区1，其中，在该***引线区1内形成有数条栅线引线4和至少一条栅线连接线6，所述栅线连接线6和所述数条栅线引线4中的至少两条电连接。
进一步地，在该***引线区1形成有数条数据线引线3和至少一条数据线连接线7，该数据线连接线7与该数条数据线引线3中的至少两条电连接。
这样，通过在阵列基板的制造过程中，形成一种TFT阵列基板的中间产品，使得所有的栅线引线都与栅线连接线电连接，所有的数据线引线都与数据线连接线电连接，从而在阵列基板的制造过程中，若产生ESD电流不再是在每一根栅线或数据线内扩散，而是在整个单元基板的栅线层上或者数据线层上扩散形成等电位，从而避免了高压ESD对单根金属线的损伤，提高了产品的良品率。
更进一步地，如图3所示，单元基板10内栅线连接线6与所有栅线引线4电连接，且该数据线连接线7与所有数据线引线3电连接。
优选地，数据线连接线7与栅线连接线6在交叠处通过过孔电连接。需要说明的是，上述电连接的方式可以是任意电连接方式。
进一步优选的，数据线引线与至少一条数据线连接线同层设置；更进一步优选的，栅线引线与至少一条栅线连接线同层设置。
在本实用新型所有实施例中，同层是指利用同种材料制成的一层薄膜，同层设置是针对至少两种图案而言的，是指至少两种图案设置在同一层薄膜上的结构，具体的，是通过构图工艺在同种材料制成的一层薄膜上形成所述至少两种图案。针对上述方案，所述数据线引线与至少一条数据线连接线同层设置是指数据线引线与至少一条数据线连接线是在数据线层上的两种图案，具体制作过程为，将制作完成的数据线金属薄膜通过构图工艺形成数据线层，该数据线层包括：数据线引线的图案、至少一条数据线连接线的图案，当然根据现有技术还包括数据线图案以及薄膜晶体管(本发明提到的薄膜晶体管是在TFT阵列基板的有效显示区内各个像素中的薄膜晶体管)的源漏电极的图案。同样的，所述栅线引线与至少一条栅线连接线同层设置是指栅线引线与至少一条栅线连接线是在栅线层的两种图案，具体制作过程为，将制作完成的栅金属薄膜通过构图工艺形成栅线层，该栅线层包括：栅线引线的图案与至少一条栅线连接线的图案，根据现有技术进一步还包括：栅线及薄膜晶体管的栅极的图案。这样，就无需增加新的工序，只需要更换一下构图工艺中的掩模板即可。
下面对数据线连接线7与栅线连接线6电连接方式进行具体说明。
由于优选的数据线连接线7为数据层上的图案，栅线连接线6为栅线层上的图案，又由于数据线层和栅线层之间栅绝缘层，故在制作栅绝缘层时，可以在数据线连接线7与栅线连接线6需要连接的位置上不沉积栅绝缘层材料，以使得两者直接电连接。由于一般沉积栅绝缘层材料时会在将整个单元基板覆盖，在这样情况下，优选的，数据线连接线7与栅线连接线6可通过过孔8实现电连接；显然，上述过孔8是通过构图工艺形成在该栅绝缘层上的。
这样，通过在阵列基板的制造过程中，形成一种TFT阵列基板的中间产品，使得所有的栅线引线都与栅线连接线电连接，所有的数据线引线都与数据线连接线电连接，且栅线连接线与数据线连接线电连接，从而在阵列基板的制造过程中，若产生ESD电流不再是在每一根栅线内扩散，而是在整个单元基板内部扩散形成等电位，从而避免了高压ESD对单根金属线的损伤，提高了产品的良品率。
上述TFT阵列基板的中间产品，该TFT阵列基板在制作完成数据线层的同时，数据线连接线7、栅线连接线6以及现有技术当中需要形成的短路环都完成制作。
在后续工艺中，还需要在该TFT阵列基板上制作钝化层以及像素电极层；其中，像素电极层需要通过钝化层上的过孔与薄膜晶体管的漏极相连。
需要说明的是，该TFT阵列基板的数据线连接线、栅线连接线是为了防止在Array工艺当中所产生的ESD；实际上，对于制作完成的TFT阵列基板中各栅线引线之间以及各数据线引线之间并不存在电连接，因此还需要将数据线连接线在每条数据线引线两侧的位置处断开，并将栅线连接线在每条栅线引线两侧的位置处断开。
具体地，上述断开数据线连接线和栅线连接线的制作过程可以按照如下方式：
如图4所示，在钝化层上形成过孔以连接薄膜晶体管的漏极和像素电极的同时，在该钝化层上每条数据线引线两侧的位置处、每条栅线引线两侧的位置处也形成过孔9，在具体的刻蚀过程中，刻蚀液可以顺着在数据线连接线7和栅线连接线6上形成的过孔9流入，从而刻蚀掉数据线连接线7与栅线连接线6上过孔9对应的部分，使得两者均在相应的位置上断开。此时，数据线连接线7和栅线连接线6断开，从而失去了防止ESD的作用，但是，由于短路环5已经形成，故而可继续有效防止ESD的发生。
需要说明的是，上述断开数据线连接线和栅线连接线的方式是通过过孔刻蚀断开的，本实施例并不局限于此，还可以通过激光切割的方式将数据线连接线和栅线连接线断开，最终在显示器面板成盒工艺后，通过切割工艺，将残存的数据线连接线和栅线连接线切除。
本实用新型提供一种阵列基板，如图4所示，在阵列基板的***引线区1，设置有至少一条栅线连接线6、至少一条数据线连接线7；其中，至少一条栅线连接线6呈断开的多节状态，且该栅线连接线6的每一节和一条栅线引线4连接；至少一条数据线连接线7呈断开的多节状态，且该数据线连接线7的每一节和一条数据线引线3连接；栅线引线4和数据线引线3无电连接。
本实用新型实施例提供的阵列基板，在该阵列基板的制造过程中，形成一种TFT阵列基板的中间产品，使得所有的栅线引线都与栅线连接线电连接，所有的数据线引线都与数据线连接线电连接，且栅线连接线与数据线连接线电连接，从而在阵列基板的制造过程中，若产生ESD电流不再是在每一根栅线内扩散，而是在整个单元基板内部扩散形成等电位，从而避免了高压ESD对单根金属线的损伤，提高了产品的良品率。
本实用新型提供一种显示器件，包含以上任一实施例中所述的TFT阵列基板。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种TFT阵列基板的中间产品，包括至少一个单元基板，所述单元基板包括有效显示区和***引线区，其特征在于，在所述***引线区内形成有数条栅线引线和至少一条栅线连接线，所述栅线连接线和所述数条栅线引线中的至少两条电连接。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的中间产品，其特征在于，在所述***引线区形成有数条数据线引线和至少一条数据线连接线，所述数据线连接线与所述数条数据线引线中的至少两条电连接。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的中间产品，其特征在于，
所述栅线连接线与所有栅线引线电连接，且所述数据线连接线与所有数据线引线电连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的TFT阵列基板的中间产品，其特征在于，所述栅线连接线与所述数据线连接线电连接。
5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的中间产品，其特征在于，所述栅线连接线与所述数据线连接线电连接具体为：
所述数据线连接线与所述栅线连接线在交叠处通过过孔电连接。
6.根据权利要求2或3所述的TFT阵列基板的中间产品，其特征在于，所述栅线连接线或数据线连接线的宽度不小于栅线或数据线的宽度。
7.根据权利要求2或3所述的TFT阵列基板的中间产品，其特征在于，所有栅线引线与至少一条栅线连接线同层设置，或者，所有数据线引线与至少一条数据线连接线同层设置。
8.一种阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的***引线区，设置有至少一条栅线连接线、至少一条数据线连接线；其中，所述至少一条栅线连接线呈断开的多节状态，且栅线连接线的每一节和一条栅线引线连接；所述至少一条数据线连接线呈断开的多节状态，且数据线连接线的每一节和一条数据线引线连接；所述栅线引线与所述数据线引线无电连接。
9.一种显示器件，其特征在于，包括权利要求8中所述的阵列基板。
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