CN202189209U - 引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏，为解决现有技术中，在刻蚀形成过孔的过程中，因钻刻而造成栅极绝缘层的底部坡度角过大，使栅极层上的像素电极断裂，从而无法将显示信号加载到显示区上，降低了液晶显示屏的良品率的问题而设计。一种引线结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有引线电极；在该引线电极上设置有绝缘结构；在所述引线电极上方的绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和绝缘结构表面设置有连接电极，该连接电极紧密覆盖过孔中所露出的引线电极；所述绝缘结构设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏，尤其涉及一种可有效避免钻刻的引线结构、液晶显示屏引线区结构和拥有该引线区结构的液晶显示屏。
背景技术
液晶显示屏因其重量轻，厚度薄和功耗低等特点，被广泛的应用于电子产品中。与液晶显示屏显示区相连接，还设置有引线区。在引线区的玻璃基板上设置有栅极层，栅极绝缘结构，源极绝缘层和像素电极；源极绝缘层形成后，需要对其进行刻蚀，以形成过孔；刻蚀后，沉积像素电极；该像素电极与下层的栅极层连接，使显示信号可以通过栅极传输到显示区的薄膜晶体管上。
在上述过程中，如图1所示，通过在刻蚀设备的腔体内吹入刻蚀气体对引线区进行刻蚀，在栅极绝缘层3底部，刻蚀气体沿栅极层5平行方向对栅极绝缘层3进行刻蚀。为提高刻蚀的均匀性，需要增加刻蚀时间，此时则会在栅极绝缘层3底部的过孔6中造成钻刻的情况，使栅极绝缘层3的底部坡度角增大。在像素电极沉积的过程中，像素电极沉积到过孔中，因所沉积的像素电极较薄，则在过孔处6像素电极1断裂，使像素电极1上的显示信号无法加载到栅极层5上，则显示信号无法传输到显示区的薄膜晶体管上，造成液晶显示器的线性不良，从而降低了液晶显示屏的良品率。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供了一种可有效避免钻刻的引线结构、液晶显示屏引线区结构和拥有该引线区结构的液晶显示屏。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
一种引线结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有引线电极；在该引线电极上设置有绝缘结构；在所述引线电极上方的绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和绝缘结构表面设置有连接电极，该连接电极紧密覆盖过孔中所露出的引线电极；所述绝缘结构设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。
一种液晶显示屏引线区结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层；所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
一种液晶显示屏，包括引线区；该引线区，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层；所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
本实用新型实施例提供的一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏，通过在引线电极上沉积至少三层绝缘层，且最下方的绝缘层的致密性最大，即下层的绝缘层难以刻蚀，在增加刻蚀时间保证刻蚀均匀性和过孔坡度角平滑的情况下，避免最下层的引线绝缘层钻刻的发生，提高了引线结构和使用该种引线结构的液晶显示屏生产的良品率。
附图说明
图1为背景技术中一种液晶显示屏引线区结构钻刻示意图；
图2为本实用新型一种引线结构的示意图；
图3为本实用新型一种液晶显示屏引线区的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型实施例一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏进行详细描述。
一种引线结构，如图2所示，包括玻璃基板4；在该玻璃基板4上设置有引线电极5；在该引线电极5上设置有绝缘结构3；在所述引线电极5上方的绝缘结构3上设置有过孔6；在该过孔6中和绝缘结构3表面设置有连接电极1，该连接电极1紧密覆盖过孔6中所露出的引线电极5；所述绝缘结构3设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。
根据刻蚀的需要，可设置多层绝缘层结构3，所述绝缘结构3的整体厚度为固定值。
在成膜的过程中，首先将玻璃基板4移动到第一喷溅设备的腔体中，斜置于腔体，在该腔体另一侧，设置有靶材，通过该靶材形成引线电极5，所述引线电极5的材料为铝、钨、铬、钽或钼中的一种。向腔体中通入惰性气体，例如氩气。此时，在腔体中玻璃基板4和靶材外侧加载高电压，使腔体中形成电场，并在玻璃基板4外侧加载磁场。在腔体中所加载的高电压作用下，氩气形成等离子体，并在电场的作用下使氩气的等离子体轰击靶材，将靶材轰击出靶材原子，并在磁场的作用下沉积于玻璃基板4上，形成引线电极5。
将沉积引线电极5的玻璃基板4取出，并在该引线电极5上喷洒光刻胶；将玻璃基板4置入曝光设备中，进行曝光；曝光后，将该玻璃基板4放入显影液中进行显影，此时曝光部分的光刻胶在显影液的作用下溶解，在玻璃基板4上剩下光刻胶未曝光的部分。
将玻璃基板4从显影液中取出，放置于湿法刻蚀设备中，对引线电极5进行刻蚀。刻蚀完成后将玻璃基板4放入剥离液中，将残留的光刻胶剥离。
为形成绝缘结构3，所述绝缘结构3的材料为氮化硅，在完成光刻胶的剥离后，将玻璃基板4放入第二喷溅设备的腔体中，此时玻璃基板4放置于腔体下部；将反应气体通入腔体中，如SiH3或SiH4气体和NH3气体的混合气体，当腔体中的压强达到一定值时，在玻璃基板4下侧和腔体上部加载电压；在腔体内的两极管上加载高频电压，使反应气体进行辉光放电，产生反应气体的等离子体，在电场的作用下沉积在玻璃基板4和引线电极5上，并排除反应后的气体。在第二喷溅设备的腔体内，为形成至少三层绝缘层，会进行三次沉积，三次沉积中，两极管上所加的电压各不相同，从而使反应气体的放电功率不同，即最下层的第一绝缘层32沉积时，两极管上加载的电压最低，气体放电功率最小，沉积缓慢进行，使第一绝缘层32的致密性最大；在沉积中间的第二绝缘层31时，两极管上所加载的电压高于沉积第一绝缘层32的电压，气体放电功率增大，沉积速度加快，使第二绝缘层31的致密性低于第一绝缘层32；在沉积最上层的第三绝缘层30时，两极管上所加载的电压高于沉积第二绝缘层31的电压，气体放电功率再次增大，沉积速度再次加快，使第三绝缘层30的致密性低于第二绝缘层31。
此时，绝缘结构3上喷洒光刻胶7，并在曝光机中对光刻胶7进行曝光处理，在显影液中将光刻胶7的曝光部分溶解。
为形成过孔6将玻璃基板4及上方结构放入刻蚀设备内，向该设备中通入刻蚀气体，对绝缘结构3进行刻蚀。其中当刻蚀到绝缘结构3后，最上层的绝缘层30的致密性较低，刻蚀较容易，而最下层的绝缘层32的致密性较高，较难刻蚀，为使引线电极5完成露出，提高刻蚀的均匀性，会增加刻蚀时间。因为绝缘结构3设置有多层绝缘层，且最下层绝缘层的致密性最大，即在对绝缘结构3进行刻蚀时，上层的第三绝缘层30和第二绝缘层31较容易刻蚀，下方的绝缘层较难刻蚀，避免了所有绝缘层的致密性都比较高，从而提高了刻蚀的效率；另一方面，与引线电极5相接触的第一绝缘层32的致密性较大，在保证刻蚀的均匀性的前提下增加刻蚀时间时，避免因钻刻而使第一绝缘层32底部的坡度角过大，从而避免在沉积连接电极5时因绝缘层的坡度角过大而使连接电极5断裂。
过孔6形成后，将绝缘结构3上的光刻胶剥离，并沉积连接电极1，完成引线结构的形成。
所述连接电极1的材料为铟锡氧化物。
与所述一种引线结构相对应，本实用新型还提供了一种液晶显示屏引线区结构。
一种液晶显示屏引线区结构，如图3所示，包括玻璃基板4；在该玻璃基板4上设置有栅极层10；在该栅极层10上设置有栅极绝缘结构9；在该栅极绝缘结构9上设置有源极绝缘层8；在所述栅极层5上方的源极绝缘层8和栅极绝缘结构3上设置有过孔6；在该过孔6中和源极绝缘层8表面设置有像素电极7，该像素电极7紧密覆盖过孔6中所露出的栅极层5；所述栅极绝缘结构3设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
所述栅极层10与如图1所示的引线结构中的引线电极5作用相同；
所述栅极绝缘结构9与如图1所示的引线结构中的绝缘结构3作用相同；
所述像素电极7与如图1所示的引线结构中的连接电极1作用相同。
所述源极绝缘层8的材料为氮化硅，该源极绝缘层8的致密度小于栅极绝缘层的致密度。
在玻璃基板上已沉积栅极层10和栅极绝缘结构9后，将在所述包含三层栅极绝缘层的栅极绝缘结构9上方，沉积源极绝缘层8；在该源极绝缘层8沉积完成后，对源极绝缘层8和栅极绝缘结构9进行刻蚀，形成过孔6；将像素电极7沉积于源极绝缘层8表面和过孔6中，并使像素电极7紧密覆盖过孔6以及过孔6中的栅极层10上。
与上述一种液晶显示屏引线区结构相对应，本实用新型还提供了一种液晶显示屏。
一种液晶显示屏，包括引线区；该引线区，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层；所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
本实用新型实施例提供的一种引线结构、液晶显示屏引线区结构和液晶显示屏，通过在引线电极上沉积至少三层绝缘层，且最下方的绝缘层的致密性最大，即下层的绝缘层难以刻蚀，在增加刻蚀时间保证刻蚀均匀性和过孔坡度角平滑的情况下，避免最下层的引线绝缘层钻刻的发生，提高了引线结构和使用该种引线结构的液晶显示屏生产的良品率。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种引线结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有引线电极；在该引线电极上设置有绝缘结构；在所述引线电极上方的绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和绝缘结构表面设置有连接电极，该连接电极紧密覆盖过孔中所露出的引线电极，其特征在于，所述绝缘结构设置有至少三层绝缘层，且最下层的绝缘层的致密性最大。
2.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述绝缘结构的整体厚度为固定值。
3.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述引线电极的材料为铝、钨、铬、钽或钼中的一种。
4.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述绝缘结构的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述连接电极的材料为铟锡氧化物。
6.一种液晶显示屏引线区结构，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层，其特征在于，所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
7.根据权利要求6所述的液晶显示屏引线区结构，其特征在于，所述源极绝缘层的材料为氮化硅。
8.一种液晶显示屏，包括引线区；该引线区，包括玻璃基板；在该玻璃基板上设置有栅极层；在该栅极层上设置有栅极绝缘结构；在该栅极绝缘结构上设置有源极绝缘层；在所述栅极层上方的源极绝缘层和栅极绝缘结构上设置有过孔；在该过孔中和源极绝缘层表面设置有像素电极，该像素电极紧密覆盖过孔中所露出的栅极层，其特征在于，所述栅极绝缘结构设置有至少三层栅极绝缘层，且最下层的栅极绝缘层的致密性最大。
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