CN102033370B - 液晶显示基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种液晶显示基板及其制造方法。该液晶显示基板包括衬底基板，衬底基板上形成多种导电结构的图案，各导电结构相互间隔或通过绝缘层保持绝缘，其中：形成有导电结构的绝缘层上形成有沟槽，导电结构的图案至少部分形成在沟槽中。本发明采用将导电结构形成在绝缘层的沟槽中的技术手段，减小了导电结构在其下绝缘层表面的高度差，从而减小了对导电结构厚度的限制。

Description

液晶显示基板及其制造方法

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示技术，尤其涉及一种液晶显示基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay；以下简称：TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

TFT-LCD通常包括对盒设置的两个液晶显示基板，一般即阵列基板和彩膜基板对盒，其间填充液晶。阵列基板一般包括一衬底基板，在衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式的多个像素单元。每个像素单元中都设有一个TFT开关，TFT开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。栅电极与栅极扫描线相连，一般与栅极扫描线采用相同材质同时形成；源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，通常源电极和漏电极与数据线采用相同材质同时形成。有源层位于栅电极与源电极和漏电极之间。当栅电极通入高电平时，源电极和漏电极通过有源层导通，将数据线的电压通入像素电极。

现有阵列基板的结构中，栅极扫描线、栅电极、数据线、源电极和漏电极等导电结构的图案之间存在相互交叠的区域，这些交叠区域之间容易形成交叠电容C，使TFT开关的动作时间形成一定的延迟。延迟时间还与各个导电结构的电阻R有关。电阻R和电容C之间的乘积越大则延迟越明显。

增加导电结构的横截面积是降低电阻的一种途径。但是，增加数据线、栅极扫描线等图案的宽度会减小像素单元能够透光区域的面积，即降低了开口率。若增加数据线、栅极扫描线等图案的厚度，则使阵列基板上导电结构图案在其下层的绝缘层平面的高度差过大，随后形成另一层导电结构图案的时候就容易出现断线的现象而导致不良，或者在进行摩擦取向(Rubbing)时容易出现断裂、不均匀问题，所以现有技术通常对导电结构图案的厚度有较大的限制。

发明内容

本发明的目的是提供一种液晶显示基板及其制造方法，以减小对导电结构图案厚度的限制。

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成多种导电结构的图案，各所述导电结构相互间隔或通过绝缘层保持绝缘，其中：

形成有导电结构的绝缘层上形成有沟槽，所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中。

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示基板的制造方法，包括在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案的步骤，其中，在绝缘层上形成导电结构之前，还包括：

在所述绝缘层上形成沟槽，所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中。

由以上技术方案可知，本发明采用将导电结构形成在绝缘层的沟槽中的技术手段，减小了导电结构在其下绝缘层表面的高度差，从而减小了对导电结构厚度的限制。适当增加不同导电结构的厚度可以带来多方面的有益效果。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图；

图2为图1中的A-A向剖面结构示意图；

图3为图1中的B-B向剖面结构示意图；

图4为本发明实施例二提供的液晶显示基板的局部剖面结构示意图；

图5为本发明实施例二提供的液晶显示基板中衬底绝缘层的局部俯视结构示意图；

图6为本发明实施例三提供的液晶显示基板的局部剖面结构示意图；

图7为本发明实施例三提供的液晶显示基板中栅绝缘层的局部俯视结构示意图；

图8为本发明实施例四提供的液晶显示基板的制造方法的流程图；

图9为本发明实施例五提供的液晶显示基板的制造方法中制备衬底绝缘层的流程图；

图10为本发明实施例六提供的液晶显示基板的制造方法的流程图。

具体实施方式

下面通过具体实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。

本发明实施例提供了一种液晶显示基板，该液晶显示基板包括衬底基板，在衬底基板上形成多种导电结构的图案。具体的，导电结构可以包括栅极扫描线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极、漏电极和像素电极等结构。各导电结构相互间隔或通过绝缘层保持绝缘，例如，栅极扫描线、栅电极和公共电极线形成在衬底基板上，数据线、源电极和漏电极形成在栅绝缘层上，像素电极形成在钝化层上，各层之间保持相互绝缘。其中，形成有导电结构的绝缘层上形成有沟槽，导电结构的图案至少部分形成在沟槽中。

采用将导电结构形成在沟槽中的技术方案，可以减小导电结构相对于沟槽所在绝缘层表面露出的高度，甚至使导电结构与绝缘层平齐。在进一步形成其他层时而涂覆光刻胶进行构图工艺时，不会因为下层导电结构凸起的高度过大而使光刻胶在导电结构的侧面涂覆不均、断开，均匀涂覆的光刻胶能够保持构图工艺所形成图***，不易出现断线的现象。导电结构高度差的减小，还能够避免涂覆取向膜时形成的取向摩擦(PI rubbing)不良。

具体的，对于TFT-LCD中的阵列基板来说，形成在沟槽中的导电结构可以包括栅极扫描线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极和漏电极中的至少一个。衬底基板也为绝缘材料制成，相当于绝缘层，为使栅极扫描线、栅电极和公共电极线能够形成在绝缘层的沟槽中，可以采用易于刻蚀的材料作为衬底基板，或在衬底基板上再形成一层易于刻蚀的绝缘层。

将上述导电结构形成在沟槽中，不仅能够避免构图不准确等缺陷，还能够减小对导电结构图案厚度的限制，即可以适当的增加导电结构图案的厚度。厚度增加的优点在于可以减小导电结构的电阻，栅极扫描线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极和/或漏电极的电阻值减小，即能够减小所形成的RC值，进而可以减小对TFT开关动作的延迟影响，优化TFT开关动作的延迟特性。或者，在维持电阻不变的情况下减小导电结构图案的宽度，进而增加可透光区域的面积。

下面介绍本发明的几种优选实施方案。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图，图2为图1中的A-A向剖面结构示意图，图3为图1中的B-B向剖面结构示意图。本实施例的液晶显示基板具体可以为阵列基板，包括一衬底基板1，在衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线2和栅极扫描线3，围设形成矩阵形式的多个像素单元。每个像素单元中都设有一个TFT开关，TFT开关包括栅电极4、有源层5、源电极6和漏电极7。栅电极4与栅极扫描线3相连，一般与栅极扫描线3采用相同材质同时形成；源电极6连接数据线2，漏电极7连接像素电极16，通常源电极6和漏电极7与数据线2采用相同材质同时形成。有源层5位于栅电极4与源电极6和漏电极7之间。当栅电极4通入高电平时，源电极6和漏电极7通过有源层5导通，将数据线2的电压通入像素电极16。为公共电极传输公共电压的公共电极线8通常与栅极扫描线3采用相同材质同时形成。为保持上述导电结构之间的绝缘，在栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8上覆盖有栅绝缘层10，在数据线2、源电极6和漏电极7上覆盖有钝化层11，像素电极16通过钝化层11上的过孔12与漏电极7相连。

本实施例中，还增设了一层绝缘层，即衬底绝缘层9，直接形成在衬底基板1上，栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8形成在该衬底绝缘层9上。衬底绝缘层9上形成的沟槽包括第一沟槽13，栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8形成在第一沟槽13中。本实施例中，栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8的厚度与第一沟槽13的深度相等，具体应用中，栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8的厚度也可以大于或小于第一沟槽13的深度。

采用本实施例的技术方案，由于栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8嵌入第一沟槽13之中，所以在衬底绝缘层9的表面上没有凸出的栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8，或者凸出部分的厚度小于直接形成在衬底基板1上时栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8的厚度，即在衬底绝缘层9的表面上不形成或形成高度较小的台阶图案。

正常的工艺条件下，由栅金属薄膜形成的栅极扫描线、栅电极和公共电极线的厚度一般为200～500纳米(nm)。在后续制备数据线等图案的构图工艺中，台阶图案的侧面是薄弱的位置，若台阶图案的高度较大，则会导致涂覆的光刻胶不均匀或断开，使后续的刻蚀图案不准确。本实施例的技术方案减小了台阶图案的高度，能够解决上述问题，使后续刻蚀的图案更加准确，即能够避免出现刻蚀的数据线断线的问题。

另外，由于台阶图案的侧面是薄弱位置，所以现有技术往往需要增加台阶图案的厚度，也增加了栅绝缘层的厚度，这样导致的缺陷是栅电极与有源层、源电极和漏电极之间的垂直距离增加，则栅电极中需要通入更高的电压才能使有源层导通源电极和漏电极。所以本实施例的技术方案还提供了减小栅绝缘层厚度的可能，能有效降低TFT开关的开启阈值电压，降低驱动功耗。

再有，本实施例的技术方案减小了对栅极扫描线、栅电极和公共电极线厚度的限制，因此可以增加厚度，使导电结构的电阻降低，从而优化TFT开关的延迟特性，改善LCD的显示质量。

或者，由于对厚度限制的减小，可以在增加厚度的同时将栅极扫描线、栅电极和公共电极线图案的宽度减小。由于厚度的增加，所以减小图案宽度不会导致电阻的显著增加。宽度减小可以增加像素单元中透光的区域面积，即增加了像素单元的开口率。

第一沟槽的图案优选的是对应栅极扫描线、栅电极和公共电极线的位置，将栅极扫描线、栅电极和公共电极线全部形成在第一沟槽中。第一沟槽的图案也可以根据具体需要对应栅极扫描线、栅电极和公共电极线中至少一个或多个图案的位置，将栅极扫描线、栅电极和公共电极线中的部分图案形成在第一沟槽中。例如，仅将数据线和栅极扫描线交叠处形成第一沟槽，则可以达到避免后续数据线刻蚀时断线的问题。

实施例二

图4为本发明实施例二提供的液晶显示基板的局部剖面结构示意图，与实施例一的区别在于衬底绝缘层9上形成的沟槽还包括第二沟槽14，形成在栅绝缘层10之上的数据线2、源电极6和漏电极7形成在第二沟槽14中。本实施例液晶显示基板的俯视结构可参见图1所示，图4可以是沿图1中的B-B线对本实施例的液晶显示基板进行剖切的示意图，图5为本发明实施例二提供的液晶显示基板中衬底绝缘层9的局部俯视结构示意图。第一沟槽13和第二沟槽14可以是贯通的、深度相等的沟槽。

采用本实施例的技术方案可以类似地减小对数据线、源电极和漏电极的厚度限制，进而可以减小其电阻或者减小其宽度，能够优化TFT开关的延迟特性或提供像素单元的开口率。

具体应用中，第一沟槽13和第二沟槽14的深度可以相等，优选的是第一沟槽13的深度大于第二沟槽14的深度，即容纳数据线2的第二沟槽14略浅于第一沟槽13，则在数据线2和栅极扫描线3的交叉位置，使数据线2需要越过栅极扫描线3的高度减小，能够进一步减小数据线2断线出现的可能。

第二沟槽的图案优选的是对应数据线、源电极和漏电极的位置，将数据线、源电极和漏电极全部形成在第二沟槽中。第二沟槽的图案也可以根据具体需要对应数据线、源电极和漏电极中至少一个或多个图案的位置。

实施例三

图6为本发明实施例三提供的液晶显示基板的局部剖面结构示意图，图7为本发明实施例三提供的液晶显示基板中栅绝缘层10的局部俯视结构示意图。在本实施例中，数据线2、源电极6和漏电极7与栅极扫描线3、栅电极4和公共电极线8之间的绝缘层为栅绝缘层10，栅绝缘层10上形成的沟槽包括第三沟槽15，数据线2、源电极6和漏电极7中的至少一个或多个形成在第三沟槽15中。第三沟槽15的深度小于栅绝缘层10的厚度，避免与栅绝缘层10下的栅极扫描线3接触导通。

本实施例中，可以如图6所示包括衬底绝缘层9及其上的第一沟槽13，或者也可以不设置衬底绝缘层9。

采用本实施例的技术方案可以类似地减小对数据线、源电极和漏电极的厚度限制，进而可以减小其电阻或者减小其宽度，能够优化TFT开关的延迟特性或提高像素单元的开口率。

本发明实施例提供的液晶显示基板并不限于图中所示的扭转向列(Twisted Nematic；以下简称：TN)型阵列基板，还可以为形成水平电场的阵列基板，例如边缘场切换(Fringe Field Switching；以下简称：FFS)型阵列基板。则既可以在衬底绝缘层下形成整块图案的公共电极，还可以在衬底绝缘层上形成间隔的块状图案的公共电极，公共电极的图案也形成在第一沟槽中，且与栅电极和栅极扫描线相互间隔。

本发明还提供了一种液晶显示基板的制造方法，包括在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案的步骤，在绝缘层上形成导电结构之前，还在绝缘层上形成沟槽，导电结构的图案至少部分形成在沟槽中。本发明的制造方法可用于制备本发明的液晶显示基板，根据具体工艺流程设计的不同，可以有不同的制造方法，以下通过优选实施例进行说明。

实施例四

图8为本发明实施例四提供的液晶显示基板的制造方法的流程图，包括如下步骤：

步骤801、在衬底基板上形成衬底绝缘薄膜，衬底基板可以为透明玻璃板或石英板，可以通过化学汽相沉积法(PECVD)沉积厚度约为5000～20000(埃米)

的衬底绝缘薄膜，衬底绝缘薄膜的材料可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的化学反应气体为硅烷(SiH4)、氨气(NH3)、氮气(N2)或二氯二氢硅(SiH2Cl2)、氨气(NH3)、氮气(N2)；

步骤802、对衬底绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案，所谓构图工艺，包括曝光显影、刻蚀和剥离等操作；

步骤803、在衬底绝缘层上沉积栅金属薄膜，可以通过溅射或热蒸发方法来沉积厚度为5000～

的栅金属薄膜，栅金属薄膜可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要；

步骤804、对栅金属薄膜进行构图工艺，形成包括栅电极、栅极扫描线和公共电极线的图案，且栅电极、栅极扫描线和公共电极线中的至少一个形成在第一沟槽中；

步骤805、在形成栅电极、栅极扫描线和公共电极线的衬底基板上形成栅绝缘层、有源层薄膜和数据线金属薄膜，可以通过PECVD依次沉积厚度约为3000～

的栅绝缘层、厚度为1000～

的半导体层、厚度为500～

欧姆接触层，半导体层和欧姆接触层共同构成有源层，栅绝缘层可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2，半导体层对应的反应气体可以是SiH4、H2或SiH2Cl2、氢气(H2)，欧姆接触层的反应气体可为SiH4、磷化氢(PH3)，H2或SiH2Cl2、PH3、H2，可以通过溅射或热蒸发方法来沉积厚度为2000～

的数据线金属薄膜，数据线金属薄膜可以选用(铬)Cr、(钨)W、(钛)Ti、(钽)Ta、(钼)Mo、(铝)Al或(铜)Cu等金属和合金，可以是单层也可以是多层；

步骤806、对数据线金属薄膜和有源层薄膜进行构图工艺，形成包括数据线、源电极、漏电极和有源层的图案，可以采用双色调掩膜板分两次刻蚀出数据线、源电极和漏电极的图案，以及有源层上TFT沟道的图案；

步骤807、在形成数据线、源电极、漏电极和有源层的衬底基板上形成钝化层薄膜，可以通过PECVD沉积厚度约为1500～

的钝化层薄膜，钝化层薄膜可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2；

步骤808、对钝化层薄膜进行构图工艺，形成过孔的钝化层的图案，过孔对应漏电极的位置；

步骤809、在钝化层上沉积像素电极薄膜，可以通过溅射或热蒸发方法沉积一层厚度为300～的像素电极薄膜，其材质可以为铟锡氧化物(Indium Tin Oxides；以下简称：ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxides；以下简称：IZO)，也可以是其它的透明金属及金属氧化物；

步骤810、对像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极的图案。

上述步骤所形成的液晶显示基板结构可参见图1～3所示。减小了对栅极扫描线、栅电极和公共电极线的厚度限制，能够增加其厚度来减小电阻，优化TFT延迟特性，也可以减小其宽度来提高开口率。

在本实施例的基础上，并不限于以上述技术方案来制备图1～3所示的TN型阵列基板，还可以基于上述方案制备FFS型等水平电场的阵列基板，例如，可以在衬底基板上形成衬底绝缘薄膜之前，还包括：在衬底基板上沉积整块的公共电极，而后再形成衬底绝缘薄膜。

或者，还可以在衬底绝缘层上沉积栅金属薄膜之前，还包括：在衬底绝缘层上沉积公共电极薄膜，采用构图工艺形成间隔的块状的公共电极的图案，该公共电极的图案形成在部分第一沟槽中，以便于后续形成在第一沟槽中的栅极扫描线和栅电极相互间隔。第一沟槽的图案即可按照相互间隔的要求进行构图。

在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案，且在绝缘层上形成沟槽的步骤还可以具体为：

对覆盖在栅电极和栅极扫描线上的栅绝缘层进行构图工艺，形成包括第三沟槽的栅绝缘层的图案，且第三沟槽的深度小于栅绝缘层的厚度；

在栅绝缘层上沉积有源层薄膜和数据线金属薄膜；

对所述数据线金属薄膜和有源层薄膜进行构图工艺，形成包括数据线、源电极、漏电极和有源层的图案，所述数据线、源电极和漏电极中的至少一个形成在第三沟槽中。

形成第三沟槽的技术可以独立实施，也可以结合实施例四的方案一并实施。

实施例五

本发明实施例五提供的液晶显示基板的制造方法，可以以实施例四为基础，且步骤802可以具体为：对衬底绝缘薄膜进行构图工艺，同时形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案，第二沟槽的位置对应数据线、源电极和漏电极中至少一个的位置。

采用该方案形成的液晶显示基板结构可参见图4和5所示。能够进一步减小对数据线、源电极和漏电极的厚度限制，能够增加其厚度来减小电阻，优化TFT延迟特性，也可以减小其宽度来提高开口率。

对衬底绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案，具体可以是通过一次构图工艺同时形成深度相同的第一沟槽和第二沟槽的图案。

或者，对衬底绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案还可以是形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽，且第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。可以通过两次构图工艺分别形成第一沟槽和第二沟槽，也可以采用下述步骤实现，如图9所示：

步骤901、在衬底绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

步骤902、采用双色调掩膜板，即灰色调掩膜板或半色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影处理，形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域；

步骤903、进行第一次刻蚀，刻蚀完全去除区域对应的衬底绝缘薄膜，形成包括第一沟槽部分深度的衬底绝缘层的图案；

步骤904、按照部分保留区域光刻胶的厚度灰化去除光刻胶，则部分保留区域的光刻胶被完全去除，完全保留区域的光刻胶还有一定的厚度；

步骤905、进行第二次刻蚀，刻蚀部分保留区域和完全去除区域对应的衬底绝缘薄膜，形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案，此时第一沟槽的深度等于两次刻蚀的深度之后，第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。

上述方案可以通过一次掩膜曝光、两次刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽，工序简单，能提高生产效率。

实施例六

图10为本发明实施例六提供的液晶显示基板的制造方法的流程图，包括如下步骤：

步骤1001、在衬底基板上形成衬底绝缘薄膜；

步骤1002、在衬底绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

步骤1003、采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影处理，形成完全去除区域和完全保留区域；

步骤1004、对衬底绝缘薄膜进行刻蚀，形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案；

步骤1005、在涂覆有光刻胶的衬底绝缘层上沉积栅金属薄膜，栅金属薄膜沉积在光刻胶和第一沟槽中；

步骤1006、可以采用激光等方法剥离光刻胶及其上的栅金属薄膜，形成包括栅电极、栅极扫描线和公共电极线的图案，且栅电极、栅极扫描线和公共电极线保留在第一沟槽中；

步骤1007、在形成栅电极、栅极扫描线和公共电极线的衬底基板上形成栅绝缘层、有源层薄膜和数据线金属薄膜；

步骤1008、对数据线金属薄膜和有源层薄膜进行构图工艺，形成包括数据线、源电极、漏电极和有源层的图案；

步骤1009、在形成数据线、源电极、漏电极和有源层的衬底基板上形成钝化层薄膜；

步骤1010、对钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括过孔的钝化层的图案；

步骤1011、在钝化层上沉积像素电极薄膜；

步骤1012、对像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极的图案。

在上述技术方案的基础上，还可以进一步在形成栅电极、栅极扫描线和公共电极线之后，对形成栅电极、栅极扫描线和公共电极线的衬底绝缘层上进行构图工艺，在衬底绝缘层上形成第二沟槽的图案，以便随后形成的栅绝缘层、有源层、数据线、源电极和漏电极形成在具有第二沟槽的衬底绝缘层上，第二沟槽对应数据线、源电极和漏电极中至少一个的位置，从而减小对数据线、源电极和/或漏电极的厚度限制。

本发明所提供的液晶显示基板的制造方法可用于制备本发明的液晶显示基板，但是本发明的液晶显示基板并不限于由上述制造方法制备，还可以采用其他方法来制备。本发明的技术方案提供了一种能够减小对导电结构厚度限制的技术方案。各个导电结构厚度可以适当增加，这可以带来多方面的优势：能够通过厚度增加来减小导电结构的电阻，例如栅极扫描线、栅电极、数据线、源电极和漏电极的电阻减小，能够降低RC值，从而优化TFT开关的延迟特性，改善显示质量；在可以增加厚度的前提下，就可以适当减小导电结构图案的宽度，则能够提高透光区域的面积，提高开口率；下层导电结构嵌入沟槽中，使得在刻蚀上层导电结构的图案时，光刻胶能够涂覆得更均匀，图案刻蚀更准确，不易出现断线；栅极扫描线和栅电极嵌入沟槽中，使得栅绝缘层的厚度可以适当减小，则能够缩短栅电极与源电极和漏电极之间的距离，进而可以降低栅电极驱动TFT开关开启的电压值，能够降低驱动功耗。

本发明的技术方案不仅适用于液晶显示基板，还适用于各种半导体集成器件。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种液晶显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成多种导电结构的图案，各所述导电结构相互间隔或通过绝缘层保持绝缘，形成有导电结构的绝缘层上形成有沟槽，所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中；

形成在所述沟槽中的导电结构包括栅极扫描线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极和漏电极中的至少一个；

所述栅极扫描线、栅电极或公共电极线与所述衬底基板之间的绝缘层为衬底绝缘层，所述衬底绝缘层上形成的沟槽包括第一沟槽，所述栅极扫描线、栅电极和公共电极线中的至少一个形成在所述第一沟槽中；

其特征在于，所述栅极扫描线、栅电极或公共电极线上覆盖的绝缘层为栅绝缘层，所述数据线、源电极和漏电极形成在所述栅绝缘层之上；

所述衬底绝缘层上形成的沟槽还包括第二沟槽，形成在所述栅绝缘层之上的所述数据线、源电极和漏电极中的至少一个形成在所述第二沟槽中。

2.根据权利要求1所述的液晶显示基板，其特征在于：所述第一沟槽的深度大于或等于所述第二沟槽的深度。

3.一种液晶显示基板的制造方法，包括在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案的步骤，在绝缘层上形成导电结构之前，还包括：

在所述绝缘层上形成沟槽，所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中；

在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案，且在绝缘层上形成沟槽包括：

在衬底基板上形成衬底绝缘薄膜；

对所述衬底绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案；

在所述衬底绝缘层上沉积栅金属薄膜；

对所述栅金属薄膜进行构图工艺，形成包括栅电极、栅极扫描线和公共电极线的图案，且所述栅电极、栅极扫描线和公共电极线中的至少一个形成在所述第一沟槽中；

其特征在于，对所述衬底绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案的同时，还包括：

在衬底绝缘层上形成第二沟槽的图案，所述第二沟槽的位置对应数据线、源电极和漏电极中至少一个的位置。

4.根据权利要求3所述的液晶显示基板的制造方法，其特征在于，对所述衬底绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案包括：

在所述衬底绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

采用双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影处理，形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域；

进行第一次刻蚀，刻蚀所述完全去除区域对应的衬底绝缘薄膜，形成包括部分深度的第一沟槽的衬底绝缘层的图案；

按照部分保留区域光刻胶的厚度灰化去除光刻胶；

进行第二次刻蚀，刻蚀所述部分保留区域和完全去除区域对应的衬底绝缘薄膜，形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案，且所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。

5.根据权利要求3所述的液晶显示基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案，且在绝缘层上形成沟槽包括：

在衬底基板上形成衬底绝缘薄膜；

在所述衬底绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

采用单色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影处理，形成完全去除区域和完全保留区域；

对所述衬底绝缘薄膜进行刻蚀，形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案；

在涂覆有光刻胶的所述衬底绝缘层上沉积栅金属薄膜；

剥离所述光刻胶及其上的栅金属薄膜，形成包括栅电极、栅极扫描线和公共电极线的图案，且所述栅电极、栅极扫描线和公共电极线保留在所述第一沟槽中。

6.根据权利要求5所述的液晶显示基板的制造方法，其特征在于，在形成栅电极、栅极扫描线和公共电极线之后，还包括：

对形成所述栅电极、栅极扫描线和公共电极线的衬底绝缘层上进行构图工艺，在所述衬底绝缘层上形成第二沟槽的图案。

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