CN202049960U - 太阳能电池片的背场 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种太阳能电池片的背场，所述背场覆盖在太阳能电池片的背表面，并且所述背场的边沿距离所述太阳能电池片的边沿为0.4mm至0.6mm。本实用新型提供的太阳能电池片的背场，将背场范围拓宽至太阳能电池片边沿的0.4mm至0.6mm，背场面积增大可以有效降低背表面载流子的复合率，进而增强短路电流。对进入太阳能电池片内部的光线，增大的背场面积可以延长光线反射的光程，配合表面绒面结构可以形成光陷阱效果，进一步提高光的利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及光电技术领域，特别涉及一种太阳能电池片的背场。
背景技术
随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视。光伏发电具有安全可靠、无噪声、故障率低等优点，太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转换为电能的主要器件。
常见的晶体硅太阳能电池是由背电极、背场、半导体材料构成的P型层、N型层、P-N结、减反射薄膜、正面栅电极等部分构成。当太阳光照射到太阳能电池表面时，减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳光能后，激发产生电子、空穴对，电子、空穴对被半导体内部P-N结自建电场分开，电子流入N区，空穴流入P区，形成光生电场，如果将晶体硅太阳电池的正、负电极与外部电路连接，外部电路中就有光生电流流过。
目前多数的晶硅太阳能电池采用P型硅片，经过磷扩散后形成P-N结，在P型硅上制作背电极和背场，在扩散形成的N面制作正面栅电极，整个器件利用P-N结的光生伏特效应来工作。采用丝网印刷制作的晶硅太阳能电池结构中，背场主要由铝浆烧结形成，起到表面钝化降低背表面复合速率，提供背发射增加光程，形成欧姆接触，降低接触电阻，利用铝吸杂效应，提高少子寿命，另外在电池片背面形成P+层铝背场来提高太阳能电池的开路电压，进而提高其转换效率和输出功率。因此，增大背场的覆盖面积以提高电池片的使用效率显得尤为重要，而盲目地增加覆盖面积可能会使浆料漏到电池片的边沿导致电池片的正负极发生短路。因此，在增大背场的覆盖面积这个问题上，控制背场边沿与电池片边沿的距离十分关键。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池片的背场，以解决太阳能电池片使用效率不高的问题。
本实用新型提供一种太阳能电池片的背场，所述背场覆盖在太阳能电池片的背表面，并且所述背场的边沿距离太阳能电池片的边沿为0.4mm至0.6mm。
优选地，所述背场的边沿距离太阳能电池片的边沿为0.5mm。
优选地，所述背场由铝浆烧结形成。
本实用新型提供的太阳能电池片的背场，将背场范围拓宽至太阳能电池片边沿的0.4mm至0.6mm，背场面积增大可以有效降低背表面载流子的复合率，进而增强短路电流。对进入太阳能电池片内部的光线，增大的背场面积可以延长光线反射的光程，配合表面绒面结构可以形成光陷阱效果，进一步提高光的利用率。
附图说明
参照附图阅读了本实用新型的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本实用新型的各个方面。其中，
图1为本实用新型实施例提供的太阳能电池片的背场的分布结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的太阳能电池片的背场作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
本实用新型的核心思想在于，提供一种太阳能电池片的背场，将背场范围拓宽至太阳能电池片边沿的0.4mm至0.6mm，背场面积增大可以有效降低背表面载流子的复合率，进而增强短路电流。对进入太阳能电池片内部的光线，增大的背场面积可以延长光线反射的光程，配合表面绒面结构可以形成光陷阱效果，进一步提高光的利用率。
图1为本实用新型实施例提供的太阳能电池片的背场的分布结构示意图。参照图1，太阳能电池片10的背场11覆盖在太阳能电池片10的背表面，并且所述背场11的边沿距离太阳能电池片10的边沿为0.4mm至0.6mm。
在本实施例中，所述背场11的边沿距离太阳能电池片10的边沿为0.5mm。所述背场11由铝浆烧结形成，将背场11的面积拓宽而不致使铝浆漏至太阳能电池片10的边沿引起电池的正负极短路。增加的背场11面积可以进一步有效降低背表面载流子的复合率，进而增强短路电流。对进入太阳能电池片10内部的光线，增大的背场11面积可以延长光线反射的光程，配合表面绒面结构可以形成光陷阱效果，进一步提高光的利用率。
制作太阳能电池片10电极可以采用丝网印刷、蒸发、溅射、电镀、喷涂等任何制作电极的方法，在本实施例中，采用丝网印刷的方式制作背场11和背电极12。首先选取检验合格的P型单晶硅片，规格为125mm×125mm，经过化学清洗和表面制绒以在单晶硅片上形成金字塔结构，增加光的吸收，提高电池片的短路电流和转换效率；再利用高温扩散或者离子注入等工艺在P型单晶硅片上制作出N型的晶硅层，这样便形成了P-N结结构，然后经过等离子刻蚀去除边沿的扩散层，通过化学腐蚀去掉扩散形成的磷硅玻璃层，淀积氮化硅增透薄膜，所述氮化硅增透薄膜能减少硅片表面的光反射率，同时利用氢离子的成键来增强硅片表面和体内的钝化效果，降低载流子的复合；最后利用丝网印刷先后制作背电极12和背场11。
增大的背场11面积不仅能用在上述规格的P型单晶硅片，太阳能电池片10的材料还可以是规格为156mm×156mm的多晶硅。本领域的普通技术人员应该理解，所述太阳能电池的材料可以是单晶硅、多晶硅，还可以是有机半导体、纳米材料、低维材料等。
本实用新型提供的太阳能电池10的背场11，仅需设计丝网印刷网版结构，然后按照丝网印刷网版结构来制作背电极12和背场11，无需购置新设备，不会增加额外成本，对各种类型的太阳能电池和各种制作正面、背面电极的工艺均可达到规模化生产。
上文中，参照附图描述了本实用新型的具体实施方式。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以对本实用新型的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本实用新型权利要求书所限定的范围内。
Claims (3)
1.一种太阳能电池片的背场，所述背场覆盖在太阳能电池片的背表面，并且所述背场的边沿距离所述太阳能电池片的边沿为0.4mm至0.6mm。
2.如权利要求1所述的太阳能电池片的背场，其特征在于，所述背场的边沿距离所述太阳能电池片的边沿为0.5mm。
3.如权利要求1所述的太阳能电池片的背场，其特征在于，所述背场由铝浆烧结形成。
Priority Applications (1)
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| CN2011201182206U CN202049960U (zh) | 2011-04-20 | 2011-04-20 | 太阳能电池片的背场 |
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| CN202049960U true CN202049960U (zh) | 2011-11-23 |
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| CN (1) | CN202049960U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103997288A (zh) * | 2014-06-11 | 2014-08-20 | 成都聚合科技有限公司 | 一种聚光太阳能电池片 |
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2011
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