CN201722425U - 真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备，它有一个镀膜室，镀膜室上接有真空抽气***，在镀膜室的中间装有旋转工件架，镀膜室的相对两侧装有一组平面磁控溅射对靶，电源由一个中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源提供。在镀膜室的另外相对两侧装有一个或两个贵金属磁控溅射靶，贵金属材料可为黄金、玫瑰金、白银等。在该贵金属磁控溅射靶的溅射面上设置有屏蔽罩，可根据需要控制其开启或关闭，以保护贵金属磁控溅射靶在不使用时不受到污染。本实用新型镀膜速度快，镀膜质量高，其既可实现有序的单层合金膜的镀制，也可实现多层复合膜的镀制。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用物理气相沉积方法镀制装饰膜层的设备，特别涉及一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备。
背景技术
利用真空磁控溅射技术，可以对简单或复杂形状装饰品或工艺品进行金、银等贵金属膜层的镀覆，基体材料可为塑料、陶瓷、铜及铜合金、不锈钢、钨钢及钛合金等，以获得优异的装饰效果，提高产品的档次。以下主要针对现有的黄金镀层的镀覆方法进行介绍。
传统的黄金镀层是采用电化学方法镀制的，用这种方法镀制的黄金镀层虽然色调丰富，装饰性强，但镀层与基片的结合力差，镀层的硬度也较差，因而不耐磨，容易脱落；另外在镀膜时不可避免要采用***等有毒化学药品，溶液回收困难，容易对环境造成污染，已不能满足人们不断增长的需要和社会发展的需要。
在真空条件下沉积黄金镀层是获得黄金装饰层的另一方法。根据沉积方法和工艺的不同，镀制黄金装饰层的设备可分为几种，例如，电子束离子镀金设备、多弧-蒸发离子束镀金设备等。
电子束离子镀金设备存在的最大问题是黄金耗量大，工作温升高，仅适用于良导电和导热性基材，因此，其工业应用受到一定限制。
多弧-离子镀金设备是一种由离子源和蒸发源组成的镀膜设备，但是镀制的膜层的均匀性较差，附着力不强，厚度控制难，因此，黄金消耗量大的问题仍然没有解决，因此这种镀金设备也不适用于工业应用。
实用新型内容
为解决以上技术的不足，本实用新型目的是提供一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备，其镀膜速度快，镀膜质量高，其既可实现有序的单层合金膜的镀制，也可实现多层复合膜的镀制。
本实用新型是这样实现的：
它有一个镀膜室，镀膜室上接有真空抽气***，在镀膜室的中间装有旋转工件架，在镀膜室的相对两侧装有一组平面磁控溅射对靶，其与一个中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源相连，该平面磁控溅射对靶材料可以为钛、锆、铬、铝等。在镀膜室的另外相对两侧装有一个或两个贵金属磁控溅射靶，该贵金属磁控溅射靶的材料可为黄金、玫瑰金、白银等。在该贵金属磁控溅射靶的溅射面上设置有屏蔽罩，可根据需要控制屏蔽罩的开启或关闭，以保护贵金属磁控溅射靶在不使用时不受到污染，便于镀膜工艺的调整。
本实用新型与现有技术相比有如下优点：
1.由于镀膜室内采用平面磁控溅射对靶结构，镀膜质量和镀膜速度都得以大幅度提高，从而减少镀膜时间，提高生产效率；
2.贵金属磁控溅射靶在不使用时有屏蔽罩加以保护，防止平面磁控溅射对靶单独工作时对它的污染，便于镀膜工艺的调整。
附图说明
图1是本实用新型结构的俯视图。
图2是本实用新型结构的主视图。
具体实施方式
如图1、图2所示，本实用新型有一镀膜室1，在其外壁上装有冷却水管11。在镀膜室1上接有真空抽气***2，所述的真空抽气***2是由机械泵、罗茨泵、分子泵、阀门及连接管道组成。在镀膜室1的中间顶部安装有旋转工件架10，旋转工件架10既可公转，又可实现自转。在镀膜室1的相对两侧安装有一组平面磁控溅射对靶3，所述平面磁控溅射对靶3的两个靶的磁场极性布置方向相反，形成闭合场，且均为非平衡磁场。在本实施例中，平面磁控溅射对靶3均是钛靶，由一个中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源供电。在镀膜室1的另外相对两侧可安装一个或两个贵金属磁控溅射靶5，该贵金属磁控溅射靶5的材料可为黄金、玫瑰金、白银等。贵金属磁控溅射靶5可由直流电源供电。在贵金属磁控溅射靶5的溅射面上设置有一屏蔽罩6，可根据需要控制该屏蔽罩6的开启或关闭，以保护贵金属磁控溅射靶5在不使用时不受到污染。在本实施例中，所述屏蔽罩6为圆柱形。在镀膜室1的外壁上适当位置还可安装有视窗4，以便于对镀膜室1进行观察。
本实用新型的平面磁控溅射对靶3和贵金属磁控溅射靶5可根据工艺要求分别开启，也可以同时开启。例如，若需在工件表面镀制Au镀层时，可先开启控制平面磁控溅射对靶3的控制电源，在工件上镀上Ti和TiN底层；然后开启控制贵金属磁控溅射靶5的直流电源，通过控制沉积时间及电源功率，便可获得所需的TiN加Au的膜层厚度，同时控制工件的公转和自转速度，可实现膜层的均匀性良好；在沉积的后期，可关闭平面磁控溅射对靶3的控制电源，单独沉积Au层，以获得更好的装饰效果，这样构成的膜系可表达为：Ti---TiN---TiN加Au---Au。
当然，在平面磁控溅射对靶3上也可安装其他金属材料，例如，锆、铬、铝等。
Claims (2)
1.一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备，它有一个镀膜室，镀膜室上接有真空抽气***，在镀膜室的中间安装有旋转工件架，在镀膜室的相对两侧装有一组平面磁控溅射对靶，其与一中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源相连，其特征在于：
在镀膜室的另外相对两侧装有一个或两个贵金属磁控溅射靶，在该贵金属磁控溅射靶的溅射面上设置有屏蔽罩。
2.根据权利要求1所述的真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备，其特征在于，所述屏蔽罩为圆柱形。
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| CN2010201464886U CN201722425U (zh) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备 |
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2010
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