CN201638838U - 一种发光二极管的封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管的封装结构，其包括金属基板、发光二极管、PCB线路和金线，所述金属基板正面开有至少一个凹腔体，发光二极管位于凹腔体底部，金线将发光二极管与PCB线路电性连接，凹腔体内填充有透明硅胶。在本实用新型中，发光芯片底部直接与铝基板的铝面接触，使得发光芯片发光产生的热能能够快速的通过铝板导到铝基板背面的散热器上，极大的降低了***的热阻，提高了发光芯片的使用寿命，减小了光衰。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管的封装结构，尤其涉及一种发光效率高、散热性能出色、使用寿命长、机械强度高的发光二极管的封装结构。
背景技术
有资料显示，照明每年消耗掉全球19％的电能.LED作为一种新型固体光源具有高光电转换效率，体积小、寿命长、波长固定、光量、光质可调整等优点，在照明市场的前景备受瞩目。但是这种大功率LED器件与一般的功率器件一样，急需要解决散热问题，除此之外，更高的发光效率，以及对器件的密封性，机械强度等都有较高的要求。
目前消费者普遍反映发光二极管灯具相比传统光源亮度偏低，为了改善此问题，导热方面，传统发光二极管多采用封装成成品好后通过SMT方式与铝基板线路PAD间进行连接，而铝基板线路层与铝板间还有一层导热胶，此种方式，大大了加大了发光二极管灯具的***热阻。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种发光二极管的封装结构，克服了现有封装结构光源亮度偏低、散热效果不佳的缺陷。
本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案为：
一种发光二极管的封装结构，其包括金属基板、发光二极管、PCB线路和金线，其特征在于：所述金属基板正面开有至少一个凹腔体，发光二极管位于凹腔体底部，金线将发光二极管与PCB线路电性连接，凹腔体内填充有透明硅胶。在本实用新型中，发光芯片底部直接与铝基板的铝面接触，使得发光芯片发光产生的热能能够快速的通过铝板导到铝基板背面的散热器上，极大的降低了***的热阻，提高了发光芯片的使用寿命，减小了光衰。发光芯片一般采用环氧树脂进行封装。当发光芯片为大功率芯片时，由于环氧树脂的导热性和耐高温性能较差，发光芯片产生的热量将使环氧树脂变黄，影响发光芯片的光输出效率和寿命。为了解决此问题，在本实用新型中，采用了透明硅胶将发光芯片将发光芯片包裹住，由于透明硅胶在透光性及耐高温性能方面都优于环氧树脂，因此提高器件的质量，延长了使用寿命。
所述凹腔体的侧壁表面为抛光面，在本实用新型中，在铝基板上开反射腔体，经过抛光处理，发光芯片发出的光一部分直接射出，一部分经反射腔反射后向外射出，通过二次光学的方式，提高了发光二极管(LED)灯具的亮度。
所述凹腔体为喇叭状腔体。
所述喇叭状凹腔体中垂直线与侧壁之间的角度大于等于10度，小于等于85度。
所述喇叭状凹腔体的凹陷深度大于等于0.1mm，小于等于1mm。
所述金属基板背面安装有散热片。安装散热片后能使其具有更好的散热效果。
所述金属基板为铝基板。
所述金属基板为铜基板。
本实用新型能提供一种发光二极管封装结构，其发光二极管发光效率高，散热性能出色，使用寿命长，机械强度高。
附图说明
图1为本实用新型实施例铝基板的局部剖面示意图；
图2为本实用新型实施例的局部剖面示意图。
其中：1、铝基板，2、发光二极管，3、金线，4、透明硅胶，5、凹腔体，6、侧壁，7、底部。
具体实施方式
以下通过实施例来描述本实用新型，应该指出的是，所列举的实施例不应理解对实用新型的限制。
如图1所示：在任何形状的铝基板1上，以任何形式的工具在铝基板1上做一个或复数个喇叭状凹腔体5。凹腔体角度10°≤θ≤85°，d＝0.1-1mm反光效果较佳；其中θ为喇叭状凹腔体中垂直线与侧壁之间的角度，d为喇叭状凹腔体的深度。
对凹腔体侧壁6做抛光处理，使其具有反光效果；
凹腔体内底部7可容置任何发光二极管2。
如图2所示：一种发光二极管封装结构包括铝基板1，发光二极管2，金线3，透明硅胶4。
在铝基板1的正面开设一个下凹反腔体5，表面做抛光处理。发光芯片2安装在该下凹腔体5的底部7，芯片电极与PCB板线路PAD间用金线3做电连接。发光二极管2的光线一部分直接射出，一部分经反射腔反射后向外射出，因此起到了提高光输出效果。由于该下凹腔体5直接开设在铝基板1上，因此极大的降低了发光二极管2***热阻，从而降低了发光二极管2的结温。另外，为了达到更好的散热效果，可以在铝基板1的背面安装散热片。
发光芯片一般采用环氧树脂进行封装。当发光芯片2为大功率芯片时，由于环氧树脂的导热性和耐高温性能较差，发光二极管2产生的热量将使环氧树脂变黄，影响发光芯片的光输出效率和寿命。为了解决此问题，在本实用新型中，采用了透明硅胶4将发光二极管2包裹住，由于透明硅胶在透光性及耐高温性能方面都优于环氧树脂，因此提高器件的质量，延长了使用寿命。
显然，上述内容只是为了说明本实用新型的特点，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员根据本实用新型在相应的技术领域做出的变化应属于本实用新型的保护范畴。
Claims (8)
1.一种发光二极管的封装结构，其包括金属基板、发光二极管、PCB线路和金线，其特征在于：所述金属基板正面开有至少一个凹腔体，发光二极管位于凹腔体底部，金线将发光二极管与PCB线路电性连接，凹腔体内填充有透明硅胶。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述凹腔体的侧壁表面为抛光面。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述凹腔体为喇叭状腔体。
4.根据权利要求3所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述喇叭状凹腔体中垂直线与侧壁之间的角度大于等于10度，小于等于85度。
5.根据权利要求3所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述喇叭状凹腔体的凹陷深度大于等于0.1mm，小于等于1mm。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述金属基板背面安装有散热片。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述金属基板为铝基板。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述金属基板为铜基板。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2009201324820U CN201638838U (zh) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 一种发光二极管的封装结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009201324820U CN201638838U (zh) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 一种发光二极管的封装结构 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN201638838U true CN201638838U (zh) | 2010-11-17 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009201324820U Expired - Fee Related CN201638838U (zh) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 一种发光二极管的封装结构 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102364684A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-02-29 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | 一种led模组及其制造工艺 |
| CN105552194A (zh) * | 2016-03-23 | 2016-05-04 | 中山芯达电子科技有限公司 | 一种led芯片封装体 |
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| C17 | Cessation of patent right | ||
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Granted publication date: 20101117 Termination date: 20110608 |