CN201549505U - 玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构 - Google Patents
玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构,构造包括2个二极管管芯(1),每个管芯(1)为一个半导体PN结,在2个管芯(1)之间设有连接件(2),在2个管芯(1)上分别连接电极(3),电极(3)连接引线(4),在管芯(1)、连接件(2)和电极(3)外侧设有玻璃封装体(5)。本实用新型在2颗管芯之间用1颗连接片进行缓冲,可以有效解决材料热膨胀系数差异的问题,提高产品的质量和成品率。经试验,可以在现有技术的基础上提高10%的成品率,降低了生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构,属于瞬态电压抑制二极管技术领域。
背景技术
双向瞬态电压抑制二极管采用玻璃钝化兼实体封装,与传统的金属封装相比较,具有体积小、重量轻、无水汽含量、无氧含量超标、外壳绝缘等优势。但是,由于玻璃钝化封装的双向瞬态电压抑制二极管体积小,又是实体封装,使得该系列产品无法达到很好的散热效果,经温度冲击和功率老炼筛选后,由于内部材料热膨胀系数差异的影响,产品淘汰比例较高。
发明内容
本实用新型的目的在于:提供一种散热效果较好、成品率较高的玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构,以克服现有技术的不足。
本实用新型是这样构成的:本实用新型的一种玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构包括2个二极管管芯,每个管芯为一个半导体PN结,在2个管芯之间设有连接件,在2个管芯上分别连接电极,电极连接引线,在管芯、连接件和电极外侧设有玻璃封装体。
上述连接件为圆形钼片结构,连接件的圆形直径与管芯的直径相同。
上述连接件的厚度为0.3μm~5μm。
由于采用了上述技术方案,本实用新型在2个管芯之间用1个连接片进行缓冲,可以有效解决材料热膨胀系数差异的问题,提高产品的质量和成品率。经试验,可以在现有技术的基础上提高10%以上的成品率,有效地降低了生产成本。
附图说明
附图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的实施例:如图1所示,采用2个现有的硅双向瞬态电压抑制二极管管芯1,每个管芯为一个半导体PN结,在2个管芯1之间加入连接件2,连接件2采用常规的金属钼并制作成圆形钼片结构,将连接件2的圆形直径制作成与管芯1的直径相同,并将连接件2的厚度控制在0.3μm~5μm的范围;在2个管芯1上分别连接上电极3和将电极3连接引线4,在管芯1、连接件2和电极3外侧按常规工艺制作出玻璃封装体5即成。
Claims (3)
1.一种玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构,该结构包括2个二极管管芯(1),每个管芯(1)为一个半导体PN结,其特征在于:在2个管芯(1)之间设有连接件(2),在2个管芯(1)上分别连接电极(3),电极(3)连接引线(4),在管芯(1)、连接件(2)和电极(3)外侧设有玻璃封装体(5)。
2.根据权利要求1所述的玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构,其特征在于:连接件(2)为圆形钼片结构,连接件(2)的圆形直径与管芯(1)的直径相同。
3.根据权利要求1所述的玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构,其特征在于:连接件(2)的厚度为0.3μm~5μm。
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