CN1988168A

CN1988168A - 一种主动式有机顶发光器件的阴极装置

Info

Publication number: CN1988168A
Application number: CN 200510111948
Authority: CN
Inventors: 陈科; 肖田; 黄浩
Original assignee: GUANGDIAN ELECTRONIC CO Ltd SHANGHAI
Current assignee: GUANGDIAN ELECTRONIC CO Ltd SHANGHAI
Priority date: 2005-12-23
Filing date: 2005-12-23
Publication date: 2007-06-27

Abstract

本发明公开一种主动式有机顶发光器件的阴极装置，涉及电子显示器件技术领域；所述发光器件包括薄膜晶体管基板、在所述薄膜晶体管基板上的连接所有像素的透明公共阴极、行电极和列电极，其特征在于，在所述透明公共阴极与所述薄膜晶体管基板之间设有良导体的阴极的加强层，所述加强层为“口”字形，“口”字形四角设有引出电极，“口”字形中间是所有像素，所述透明公共阴极的四边分别连接“口”字形加强层的四条边。由于增加了加强层，可以降低公共透明阴极的引出电阻，加强该区域电极的机械强度，提高公共阴极的可靠性，减少阴极上的电压降，从而改善显示发光的均匀性。

Description

一种主动式有机顶发光器件的阴极装置

技术领域

本发明涉及电子显示器件技术，特别是涉及一种电子显示器件中主动式有机顶发光器件的阴极结构技术。

背景技术

主动式有机顶发光器件是一种正在发展中的技术，它是由薄膜晶体管驱动的有机发光器件，通常的底发光器件是从薄膜晶体管的基板这面发光的，由于薄膜晶体管一般是由不透明的材料制成，有一部分光被薄膜晶体管挡住，降低了器件的开口率。顶发光器件可以避免这个问题，所谓顶发光就是从薄膜晶体管基板的上面发光，这样发出的光可以不通过薄膜晶体管，不会被它挡住，可以提高开口率，增加显示屏亮度和效率。目前的主动式有机顶发光器件都采用一个透明的阴极作为顶发射的电极，参见图1所示，这一层透明阴极2是作为主动式有机发光显示器件所有像素1的公共电极，它是覆盖在所有像素1上的一整片电极，由于薄膜晶体管基板的四周都排布着行电极3和列电极4，为了引出公共电极，目前是通过四个角的部位引出，它的形状如图1所示。由于基板四周排布着行列电极，留给公共电极的引出区域很小，而一般都采用一层很薄的金属作为主要的导电材料，另外再在其上覆盖一层氧化铟锡材料，这一层阴极为了保证它的透光率，金属层的厚度通常很薄，只有几到几十纳米，所以该电极的电阻较高，而且容易被破坏，由于引出区域很小，整个透明阴极的电流都通过该区域引出，故该区域的电流很集中，很容易被烧毁和破坏，造成整个器件失效。

发明内容

针对上述现有技术中存在的缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种引脚电阻小，可靠性高的、能改善显示发光的均匀性的主动式有机顶发光器件的阴极装置。

为了解决上述技术问题，本发明提供的一种主动式有机顶发光器件的阴极装置，所述发光器件包括薄膜晶体管基板、在所述薄膜晶体管基板上的连接所有像素的透明公共阴极、行电极和列电极，其特征在于，在所述透明公共阴极与所述薄膜晶体管基板之间设有良导体的阴极的加强层，所述加强层为“口”字形，“口”字形四角设有引出电极，“口”字形中间是所有像素，所述透明公共阴极的四边分别连接“口”字形加强层的四条边；本发明就是在原来的透明阴极之下或之上附加一层导电的加强层。

所述阴极的加强层，可以是在阴极镀膜之前先用光刻法形成加强层，也可以是在常规阴极镀膜后换荫罩掩膜再次蒸镀更厚的导体(金属)来形成的加强层。

所述“口”字形加强层的四角中至少有一角设有引出电极。

所述在常规阴极镀膜后换荫罩掩膜再次蒸镀更厚的导体(金属)来形成的“口”字形加强层的“口”字的四边之中至少有一边是中间断开的形状。

所述良导体的阴极加强层是金属材料。

利用本发明提供的主动式有机顶发光器件的阴极装置，由于增加了加强层，可以大大降低公共透明阴极引出区域的电阻，使公共阴极不易被集中的电流烧毁；由于加强层可以做得很厚，可以到几百个纳米，它的导电性比单纯的透明阴极提高几十倍以上，也加强了该区域电极的机械强度；因为它分布在像素区域四周，电流不但可以通过透明阴极而且可以通过四周的加强层给像素供电，可以降低阴极的电阻，减少阴极上的电压降，从而改善显示发光的均匀性，特别在大尺寸显示器件。另外加强层机械强度比单纯的透明阴极好的多，不易被外力破坏，提高了公共阴极的可靠性。

附图说明

图1是现有技术中器件的示意图；

图2是本发明实施例的阴极加强层的形状图。

图3是本发明实施例中光刻法加工后的器件示意图；

图4是本发明实施例的透明阴极的形状图；

图5是本发明实施例的最终器件示意图；

图6是本发明另一实施例的阴极加强层的形状图；

图7是本发明另一实施例的最终器件示意图。

具体实施方式

以下结合附图说明对本发明的实施例作进一步详细描述，但本实施例并不用于限制本发明，凡是采用本发明的相似结构及其相似变化，均应列入本发明的保护范围。

本发明实施例提供的一种主动式有机顶发光器件的阴极装置，如图5所示，所述发光器件包括薄膜晶体管基板、在所述薄膜晶体管基板上的连接所有像素1的透明公共阴极2、行电极和列电极，其特征在于，在所述透明公共阴极2与所述薄膜晶体管基板之间设有良导体的阴极的加强层5，所述加强层为“口”字形，“口”字形四角设有引出电极，“口”字形中间是所有像素1，所述透明公共阴极2的四边分别连接“口”字形加强层5的四条边；

所述设有“口”字形加强层的主动式有机顶发光器件的制造过程是：

1)在薄膜晶体管的基板上沉积一层银或镍，厚度在120纳米左右；

2)通过光刻的方法加工成如图2所示的“口”字形四角设有引出电极的形状的阴极的加强层5，即加强层是分布在透明阴极(像素)区域的周围，这种结构可以使加强层不影响像素区域的透光率，即使加强层的厚度很厚，透光率很低，也不会降低器件的亮度和效率。所述薄膜晶体管基板加工后如图3所示，即在像素区域1周围形成“口”字形的阴极的加强层5；

3)在完成的带有加强层薄膜晶体管基板上蒸镀有机层，在有机层上蒸镀一层1纳米的氟化锂，在氟化锂上再蒸镀一层5到50纳米的铝膜，最后再在铝膜上溅射一层50到100纳米的氧化铟锡(ITO)，形成最终的连接所有像素1的透明阴极2，其形状如图4所示，成膜过程采用镀膜范围大于有机层范围的荫罩掩膜形成，使得所述透明公共阴极2的四边分别连接“口”字形加强层5的四条边；最终器件如图5所示。

本发明的另一实施方式是：在蒸镀完有机层的薄膜晶体管基板上蒸镀一层1纳米的氟化锂，在氟化锂上再蒸镀一层50纳米的铝膜，成膜过程采用荫罩掩膜形成透明阴极2，其形状如图4所示，然后换用另一个荫罩掩膜，再蒸镀150纳米的铝，其形状如图6所示，形成“口”字形四角设有引出电极的、而且“口”字的每边中间断开的加强层6；最后再溅射一层50到100纳米的氧化铟锡，形成最终的连接所有像素的透明阴极2，所述透明公共阴极2的四边分别连接加强层6的四条边；最终的器件如图7所示。

在本发明的实施例中，“口”字形加强层四角的引出电极，也可以不是加强层的延伸，是另外蒸镀的连接加强层四角的金属膜，即所述引出电极可以设在其它层，由其它层引出。

Claims

1、一种主动式有机顶发光器件的阴极装置，所述发光器件包括薄膜晶体管基板、在所述薄膜晶体管基板上的连接所有像素的透明公共阴极、行电极和列电极，其特征在于，在所述透明公共阴极与所述薄膜晶体管基板之间设有良导体的阴极的加强层，所述加强层为“口”字形，“口”字形四角设有引出电极，“口”字形中间是所有像素，所述透明公共阴极的四边分别连接“口”字形加强层的四条边。

2、根据权利要求1所述的主动式有机顶发光器件的阴极装置，其特征是，所述“口”字形加强层的四角中至少有一角设有引出电极。

3、根据权利要求1所述的主动式有机顶发光器件的阴极装置，其特征是，所述阴极的加强层是在常规阴极镀膜后换荫罩掩膜再次蒸镀更厚的导体来形成的加强层。

4、根据权利要求3所述的主动式有机顶发光器件的阴极装置，其特征是，所述“口”字形加强层的“口”字的四边之中至少有一边是中间断开的形状。

5、根据权利要求1所述的主动式有机顶发光器件的阴极装置，其特征是，所述阴极的加强层是在阴极镀膜之前先用光刻法形成加强层。

6、根据权利要求1至5中任何一项所述的主动式有机顶发光器件的阴极装置，其特征是，所述良导体的阴极加强层是金属材料。