CN109935618A - 一种oled显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种OLED显示面板及其制备方法，OLED显示面板包括对向设置的衬底基板和玻璃盖板；衬底基板包括：像素定义层，界定出像素开口区；间隔垫，制备于像素定义层上；发光层，对应像素开口区制备于衬底基板上；阴极层，整面的制备于发光层上。玻璃盖板包括：金属层，制备于玻璃盖板表面。其中，玻璃盖板与衬底基板对位贴合后，金属层与对应间隔垫表面的阴极层电性接触，使得金属层与阴极层并联后整体的电阻小于阴极层自身的电阻，从而减小OLED显示面板的阴极的电压降问题。

Description

一种OLED显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。

背景技术

近年来，有机发光显示面板以其超轻薄、自发光、低功耗、高效率、高对比度和响应速度快等优点成为了继薄膜晶体管液晶显示面板之后市场上最受欢迎的产品。

目前已有顶发射AMOLED面板，在面板表面整面蒸镀一层超薄的金属层作为阴极电极，由于有透过率的要求导致该金属层阻值无法做到无限小，由于电压降(IR-Drop)的存在使得面板的各个位置的阴极电压存在一定的压降，进而使得面板发光的均一性无法达到要求。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本申请提供一种OLED显示面板及其制备方法，能够减小OLED显示面板的阴极的电压降问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种OLED显示面板，包括衬底基板和对向设置的玻璃盖板；

所述衬底基板包括：

像素定义层，界定出像素开口区；

间隔垫，避开所述像素开口区制备于所述像素定义层上；

发光层，对应所述像素开口区制备于所述衬底基板上；

阴极层，整面的制备于所述发光层上；

所述玻璃盖板包括：

金属层，制备于所述玻璃盖板表面；

其中，所述玻璃盖板与所述衬底基板对位贴合后，所述金属层与对应所述间隔垫表面的所述阴极层电性接触，使得所述金属层与所述阴极层并联后整体的电阻小于所述阴极层自身的电阻。

在本申请的OLED显示面板中，所述金属层为网状结构。

在本申请的OLED显示面板中，所述金属层呈条状或片状并阵列分布于所述玻璃盖板表面。

在本申请的OLED显示面板中，所述金属层包括电阻在0.05～15ohm/sq范围内的金属材料。

在本申请的OLED显示面板中，所述金属层的材料为银、铝、铜、铬中的一种或一种以上。

在本申请的OLED显示面板中，所述金属层对应相邻两所述像素开口区之间的间隙位置设置，且所述金属层的宽度小于等于相邻两所述像素开口区之间的宽度。

本申请还提供一种OLED显示面板的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S10，在衬底基板上形成图案化的像素定义层，所述像素定义层界定出像素开口区，并在所述像素定义层上形成图案化的间隔垫；

步骤S20，在所述衬底基板对应所述像素开口区形成发光层，在所述发光层以及所述间隔垫上形成整面的阴极层；

步骤S30，提供一玻璃盖板，并在所述玻璃盖板表面制备一层图案化的金属层；

步骤S40，将所述玻璃盖板制备有所述金属层的一侧面向所述衬底基板，对位贴合后所述金属层与对应所述间隔垫表面的所述阴极层电性接触，使得所述金属层与所述阴极层并联后整体的电阻小于所述阴极层自身的电阻。

在本申请的制备方法中，在所述步骤S30中，形成图案化的所述金属层的方法包括：将用于形成所述金属层的材料制作于所述玻璃盖板表面，进行曝光和蚀刻工艺，形成对应所述间隔垫的所述金属层。

在本申请的制备方法中，所述金属层包括电阻在0.05～15ohm/sq范围内的金属材料。

在本申请的制备方法中，所述金属层对应相邻两所述像素开口区之间的间隙位置设置，且所述金属层的宽度小于等于相邻两所述像素开口区之间的宽度。

本申请的有益效果为：相较于现有的OLED显示面板，本申请提供的OLED显示面板及其制备方法，通过在玻璃盖板表面采用光刻工艺形成图案化的低电阻金属层，从而使得在衬底基板与玻璃盖板对位贴合时，衬底基板上对应间隔垫表面的阴极层能够与玻璃盖板的金属层电性接触，使得该金属层与阴极层并联后整体的电阻小于阴极层自身的电阻。从而达到有效降低阴极电压降的问题，进而有效改善OLED显示面板发光均一性的问题。另外，也不会影响像素开口率，而且制作工艺简单。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的OLED显示面板对位贴合前的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的OLED显示面板对位贴合后的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法流程图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本申请针对现有的OLED显示面板，由于阴极存在电压降的问题，从而影响OLED显示面板发光的均一性的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。

其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映所述OLED显示面板的真实比例，目的只是示意说明本申请内容。

如图1所示，为本申请实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。所述OLED显示面板包括：衬底基板10和对向设置的玻璃盖板20；所述衬底基板10可以为阵列基板等；所述玻璃盖板20还可以是封装盖板等；所述衬底基板10上对应所述OLED显示面板的子像素设置有像素开口区101；相邻两所述像素开口区101之间以像素定义层11隔开；所述衬底基板10还包括：间隔垫12，避开所述像素开口区101制备于所述像素定义层11上；所述间隔垫12的宽度小于等于所述像素定义层11的宽度；阳极层13，对应所述像素开口区101制备于所述衬底基板10上；发光层14，对应所述像素开口区101制备于所述阳极层13上；阴极层15，整面的制备于所述发光层14以及所述间隔垫12上。

所述玻璃盖板20包括：金属层21，制备于所述玻璃盖板20面向所述衬底基板10一侧的表面。所述金属层21对应相邻两所述像素开口区101之间的间隙位置设置，且所述金属层21的宽度小于等于相邻两所述像素开口区101之间的宽度。

其中，如图2所示，所述玻璃盖板20与所述衬底基板10对位贴合后，所述金属层21与对应所述间隔垫12表面的所述阴极层15电性接触，使得所述金属层12与所述阴极层15并联后整体的电阻小于所述阴极层15自身的电阻。从而达到有效降低所述阴极层15电压降的问题，进而有效改善OLED显示面板发光均一性的问题。

可以理解的是，所述OLED显示面板还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子阻挡层等。所述衬底基板还包括薄膜晶体管层等。

其中，所述间隔垫21用于支撑所述衬底基板10和所述玻璃盖板20。所述阴极层15整面的覆盖所述发光层14和所述间隔垫12，其中所述间隔垫12的膜层厚度均一，从而保证所述金属层21与所述阴极层15的良好接触性。所述金属层21可以为网状结构，避开所述像素开口区101设置；具体地，所述金属层21对应相邻两所述发光层14之间的间隙设置，因此，所述金属层21并不会影响所述OLED显示面板的像素开口率。

在一种实施例中，所述金属层21可以呈条状或片状并阵列分布于所述玻璃盖板20表面，并对应相邻两所述发光层14之间的间隙位置。对于所述金属层21的具体结构可以根据实际制程而设定，在此不做限定。

在一种实施例中，所述金属层21的厚度为30埃～400埃之间，具体可以为50埃、100埃、200埃、300埃等。对于所述金属层21的具体厚度可以根据实际制程而设定，在此不做限定。

本实施例中，所述金属层21为低电阻金属材料。具体地，所述金属层21包括但不限于电阻在0.05～15ohm/sq范围内的金属材料。比如，所述金属层21的电阻为0.1ohm/sq、0.5ohm/sq、1ohm/sq、2ohm/sq、5ohm/sq等。

在一种实施例中，所述金属层21的材料为银、铝、铜、铬中的一种或一种以上。对于所述金属层21的选材可以根据实际制程而定，在此不做限定。

由于所述玻璃盖板20的表面制备有低电阻的所述金属层21，当所述玻璃盖板20与所述衬底基板10对位贴合后，所述金属层21与所述阴极层15电性连接。若所述金属层21的电阻为R1，所述阴极层15的电阻为R2，所述金属层21与所述阴极层15电性连接后，相当于R1与R2并联，从而得到两者整体的电阻为R3。由此可知，R3＝1/(1/R1+1/R2)，因此，可以得出R3小于R1或R2。所以，所述金属层21与所述阴极层15并联后整体的电阻将大大降低，从而达到有效降低所述阴极层15电压降的问题。

可以理解的是，所述OLED显示面板包括但不限于顶发射型。所述阳极层的材料包括但不限于透明铟锡氧化物、Ag等材料；所述阴极层的材料包括但不限于透明铟锡氧化物。

本申请还提供上述OLED显示面板的制备方法，如图3所示，并结合图1和图2，所述方法包括以下步骤：

步骤S10，在衬底基板上形成图案化的像素定义层，所述像素定义层界定出像素开口区，并在所述像素定义层上形成图案化的间隔垫；

具体地，首先在衬底基板10上形成薄膜晶体管层，然后在所述薄膜晶体管层上形成图案化的阳极层13；之后在所述衬底基板10上形成图案化的像素定义层11，并且同时界定出像素开口区101。在所述像素定义层11上制备图案化的间隔垫12，所述间隔垫12位于所述像素定义层11的表面，并且对应位于相邻两所述像素开口区101之间的间隙处，所述间隔垫12的大小及高度均保持均一。

步骤S20，在所述衬底基板对应所述像素开口区形成发光层，在所述发光层以及所述间隔垫上形成整面的阴极层；

具体地，首先采用精细掩膜板通过蒸镀工艺在对应所述像素开口区101的所述阳极层13上形成发光层14；然后采用open mask通过蒸镀工艺在所述发光层14以及所述间隔垫12上形成整面的阴极层15。

步骤S30，提供一玻璃盖板，并在所述玻璃盖板表面制备一层图案化的金属层；

具体地，形成图案化的所述金属层21的方法包括：将用于形成所述金属层21的材料制作于所述玻璃盖板20表面，进行曝光和蚀刻工艺，形成对应所述间隔垫12的所述金属层21。

其中，所述金属层21为网状结构，或者呈阵列分布的条状或片状结构，此处不做限制。所述金属层21避开所述像素开口区101设置，也可以说，所述金属层21的宽度小于等于相邻两所述像素开口区101之间的宽度。所述金属层21为低电阻金属材料，具体请参照上述实施例中描述，此处不再赘述。

步骤S40，将所述玻璃盖板制备有所述金属层的一侧面向所述衬底基板，对位贴合后所述金属层与对应所述间隔垫表面的所述阴极层电性接触，使得所述金属层与所述阴极层并联后整体的电阻小于所述阴极层自身的电阻。

具体地，将事先表面制备有所述金属层21的所述玻璃盖板20与表面制备有所述阴极层15的所述衬底基板10对位贴合，使得所述金属层21与所述阴极层15电性接触。由于所述金属层21为低电阻金属，与所述阴极层15并联后，使得所述阴极层15的整体电阻降低，从而有效的降低所述阴极层15的电压降，进而提升所述显示面板的发光均匀性。

综上所述，本申请提供的OLED显示面板及其制备方法，通过在玻璃盖板表面采用光刻工艺形成图案化的低电阻金属层，从而使得在衬底基板与玻璃盖板对位贴合时，衬底基板上对应间隔垫表面的阴极层能够与玻璃盖板的金属层电性接触，使得该金属层与阴极层并联后整体的电阻小于阴极层自身的电阻。从而达到有效降低阴极电压降的问题，进而有效改善OLED显示面板发光均一性的问题。另外，也不会影响像素开口率，而且制作工艺简单。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括衬底基板和对向设置的玻璃盖板；

所述衬底基板包括：

像素定义层，界定出像素开口区；

间隔垫，避开所述像素开口区制备于所述像素定义层上；

发光层，对应所述像素开口区制备于所述衬底基板上；

阴极层，整面的制备于所述发光层上；

所述玻璃盖板包括：

金属层，制备于所述玻璃盖板表面；

其中，所述玻璃盖板与所述衬底基板对位贴合后，所述金属层与对应所述间隔垫表面的所述阴极层电性接触，使得所述金属层与所述阴极层并联后整体的电阻小于所述阴极层自身的电阻。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层为网状结构。

3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层呈条状或片状并阵列分布于所述玻璃盖板表面。

4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层包括电阻在0.05～15ohm/sq范围内的金属材料。

5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层的材料为银、铝、铜、铬中的一种或一种以上。

6.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层对应相邻两所述像素开口区之间的间隙位置设置，且所述金属层的宽度小于等于相邻两所述像素开口区之间的宽度。

7.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤S 10，在衬底基板上形成图案化的像素定义层，所述像素定义层界定出像素开口区，并在所述像素定义层上形成图案化的间隔垫；

步骤S20，在所述衬底基板对应所述像素开口区形成发光层，在所述发光层以及所述间隔垫上形成整面的阴极层；

步骤S30，提供一玻璃盖板，并在所述玻璃盖板表面制备一层图案化的金属层；

步骤S40，将所述玻璃盖板制备有所述金属层的一侧面向所述衬底基板，对位贴合后所述金属层与对应所述间隔垫表面的所述阴极层电性接触，使得所述金属层与所述阴极层并联后整体的电阻小于所述阴极层自身的电阻。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，形成图案化的所述金属层的方法包括：将用于形成所述金属层的材料制作于所述玻璃盖板表面，进行曝光和蚀刻工艺，形成对应所述间隔垫的所述金属层。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括电阻在0.05～15ohm/sq范围内的金属材料。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属层对应相邻两所述像素开口区之间的间隙位置设置，且所述金属层的宽度小于等于相邻两所述像素开口区之间的宽度。