CN1979746A - 图像显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种图像显示装置。将形成在前面基板(2)内表面的BM膜(16)的开口部(161)的单位面积上的开口面积，设定为从画面显示区域的中央部向周边部逐渐变小。通过防止由荧光体膜的印刷位置偏移引起画面显示区域的周边部的颜色混合和在像素内产生荧光体膜的点缺陷，使成品率提高，并且能得到在画面显示区域的整个面色彩均匀性高的图像显示。

Description

图像显示装置

技术领域

本发明涉及利用了向形成在前面基板和背面基板之间的真空中的电子发射的平面型图像显示装置，尤其涉及在前面基板内表面具备由黑色矩阵膜划分的多色荧光体膜的图像显示装置。

背景技术

作为在高亮度、高清晰方面优良的显示设备，从以往便广泛应用着彩色阴极射线管。但是，伴随着近年的信息处理装置和电视广播的高像质化，对具有高亮度、高清晰的特性且轻便、省空间的平面型图像显示装置(平板显示器，FPD)的要求日益提高。

作为其典型的例子，液晶显示装置、等离子体显示装置等正在被实用化。另外，特别是作为能够进行高亮度化的、利用了从电子源向真空的电子发射的自发光型显示装置，力求实现被称为电子发射型图像显示装置或场致发射型图像显示装置的显示装置、和以低功耗为特征的有机EL显示器等各种平面型图像显示装置的实用化。

在平面型图像显示装置中的自发光型平板显示器中，众所周知将电子源配置成矩阵状的结构，作为其一，还已知有利用微小、可集成的冷阴极的上述电子发射型图像显示装置。

另外，在自发光型的平板显示器中，对其冷阴极使用Spindt型、表面传导型、碳纳米管型、层叠金属-绝缘体-金属的MIM(Metal-Insulator-Metal)型、层叠金属-绝缘体-半导体的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、或者金属-绝缘体-半导体-金属型等薄膜型电子源等。

关于MIM型电子源，已知例如专利文献1、专利文献2中公开的电子源。另外，关于金属-绝缘体-半导体型电子源，已知MOS型电子源，而关于金属-绝缘体-半导体-金属型电子源，已知HEED型电子源、EL型电子源、多孔硅型电子源等。

FPD，已知如下显示面板：由具备如上述那样的电子源的背面基板、具备荧光体层和形成用于使从电子源发射的电子轰射该荧光体层的加速电压的阳极电极的前面基板、以及将两基板相对的内部空间密封为预定真空状态的密封框构成。在该显示面板上组合驱动电路来使其进行动作。

在具有MIM型电子源的图像显示装置中，上述背面基板具有由绝缘材料构成的衬底，在该基板上形成有多个扫描信号布线，其在一个方向延伸、在与该一个方向垂直的另一个方向并行设置，在上述另一个方向依次施加扫描信号。另外，在该基板上形成有多个图像信号布线，其在上述另一个方向延伸，与上述扫描信号布线交叉地在上述一个方向并行设置。在扫描信号布线和图像信号布线的各交差部设置有上述电子源，上述两布线和电子源由供电电极连接，向电子源提供电流。

各个电子源，与对应的荧光体层成对地构成单位像素。通常由红(R)、绿(G)、蓝(B)三色单位像素构成一个像素(彩色像素、pixel)。此外，在彩色像素的情况下，构成各色的单位像素也被称为副像素(子像素)。

在近年的平面型图像显示装置中，有必要按照画面的大型化的要求形成大量且微小的像素单元或者电极布线。在平面型图像显示装置的制造上，组装几十英寸的大型平板的情况下，像素单元或者电极交点数量极大，因此有制造成本提高、成品率降低等各种问题。

下述专利文献3中，公开了解决一部分这种问题的手段。在该专利文献3中，提出了如下平板型图像显示装置：具备在相互交差的方向上排列了多个电极的至少2组电极组，和配置于电极组之间的、在各电极的交点部分形成像素的、具有画面的平板发光元件，通过相对于画面中心区域的像素面积将其周边区域的像素面积设定得大，来使电极驱动器数降低而使制造容易，并且使掩膜的偏移减轻而提高了成品率。

另外，在下述专利文献4中，作为其他手段提出了如下等离子体显示面板：与配置为矩阵状的多个单元中的从面板中央区域向面板上下两端并行设置的多对显示电极对应，使沿着各显示电极的单元面积依次逐渐减小，将面板中央区域的平均单元面积设定得比包围面板中央区域的面板周边区域的平均单元面积大，由此，通过在面板中央区域局部地增大平均单元面积、平均单元开口率、平均可见光透射率的至少任意一个，使该区域的单元组的发光亮度比面板周边区域的单元组的发光亮度相对地高。

另外，在下述专利文献5中，提出了如下冷阴极显示面板：通过使像素密度和大小中的至少任意一个从显示面板显示部分中心部到周边部不同，来消除在显示部分的中心部和周边部的视场角的不同所产生的显示部分周边部看起来被压缩了的现象，防止图像看起来失真。

[专利文献1]日本特开平7-65710号公报

[专利文献2]日本特开平10-153979号公报

[专利文献3]日本特开平6-251712号公报

[专利文献4]日本特开2003-51258号公报

[专利文献5]日本特开平7-255022号公报

发明内容

但是，这种图像显示装置，在前面面板的制作中，在前面基板的内表面形成荧光体膜的情况下，由使用了与黑色矩阵膜的开口部对合而设置有开口的丝网印刷版的丝网印刷法，涂敷形成荧光体膜。此时，由丝网印刷版的伸缩或歪斜等产生荧光体膜的印刷位置偏移。该印刷位置偏移将产生以下课题，即、尤其在画面显示区域的周边部，发生由向相邻像素的印刷引起的颜色混合或像素内的荧光体膜的点缺陷等不适，从而使成品率降低、并且使显示质量降低。

因此，本发明是为了解决上述现有课题而作出的发明，其目的在于提供一种图像显示装置，其通过防止由荧光体膜的印刷位置偏移所引起的在画面显示区域周边部的颜色混合或在像素内的荧光体膜的点缺陷的发生，来提高成品率，并且能得到在画面显示区域的整个面上色彩均匀性高的图像显示。

为了达到这种目的，本发明的图像显示装置，通过将形成在前面基板上的黑色矩阵膜开口部的单位面积上的开口面积设定为从画面显示区域的中央部向周边部逐渐变小，使得对因荧光体膜的位置偏移而发生颜色混合的裕度变大，因此能够解决背景技术的课题。

此外，本发明不限于上述结构以及后述实施例的结构，在不脱离本发明技术思想的情况下，能够进行种种变更。

按照本发明的图像显示装置，将黑色矩阵膜开口部的单位面积上的开口面积设定为从画面显示区域的中央部向周边部逐渐变小，由此，对因印刷涂敷法形成的荧光体膜的位置偏移而发生颜色混合的裕度变大，因此不会发生在画面显示区域的周边部的色彩不均或斑点等。因此，成品率提高，并且能得到在画面显示区域的整个面色彩均匀性高的图像显示，因此具有能够得到质量以及可靠性高的图像显示装置这一极为优良的效果。

附图说明

图1是说明本发明的图像显示装置的一个实施例的从前面基板侧观察的俯视图。

图2是从图1的I方向观察的侧视图。

图3是取下图1的前面基板表示的背面基板的示意俯视图。

图4是沿图3的II-II线的背面基板以及与其对应的前面基板的示意剖视图。

图5是表示形成在图1的前面基板的内侧的荧光面结构的BM膜的示意俯视图。

图6是图5的BM膜的显示区域中央部分的放大俯视图。

图7是图5的BM膜的显示区域周边部分的放大俯视图。

图8是表示本发明的图像显示装置的实施例2的结构的BM膜的显示区域周边部分的放大俯视图。

图9A是构成本发明的图像显示装置的像素的电子源的俯视图，图9B是沿图9A的A-A’线剖开的剖视图，图9C是沿图9A的B-B’线剖开的剖视图。

图10是表示应用了本发明的结构的图像显示装置的等效电路例的图。

具体实施方式

以下，参照实施例的附图详细说明本发明的具体实施方式。

[实施例1]

图1至图4是用于说明本发明的图像显示装置的一个实施例的图，图1是从前面基板侧观察的俯视图，图2是从图1的I方向观察的侧视图，图3是取下图1的前面基板表示的背面基板的示意俯视图，图4是沿图3的II-II线的背面基板的示意剖视图和与该背面基板对应的部分前面基板的示意剖视图。

在上述图1至图4中，附图标记1表示背面基板，2表示前面基板，上述背面基板1以及前面基板由厚度为几mm、例如3mm左右的玻璃板构成。3表示框体，该框体3由厚度为几mm、例如3mm左右的玻璃板或者熔接玻璃的烧结体构成。4表示排气管，该排气管4固定在背面基板1上。框体3在背面基板1和前面基板2之间的周缘部围绕地***，与背面基板1和前面基板2通过例如由熔接玻璃等构成的密封部件5进行气密密封。另外，框体3包围图像显示区域6地配置。

由该框体3、背面基板1、前面基板2和密封部件5所包围的空间，通过排气管4排气，保持例如10^-3～10^-5Pa的真空。另外，排气管4，如前述那样安装在背面基板1的外表面上，并连通到贯通该背面基板1而穿设的贯通孔7，排气完成后排气管4被密封。8表示图像信号布线，该图像信号布线8在背面基板1的内表面并在Y方向延伸、在X方向并行设置。

另外，9表示扫描信号布线，该扫描信号布线9在图像信号布线8之上并在与其交差的X方向延伸，在Y方向并行设置。10是电子源，该电子源10设置在扫描信号布线9和图像信号布线8的各交差部上，扫描信号布线9和电子源10由连接电极11连接。另外，在图像信号布线8、电子源10和扫描信号布线9之间配置有层间绝缘膜FTR。

在此，上述图像信号布线8例如使用Al/Nd膜等，扫描信号布线9例如使用Ir/Pt/Au膜等。

另外，附图标记12表示间隔物，该间隔物12例如由陶瓷材料构成，被整形成长方形的薄板形状，在该实施例中，在扫描信号布线9上每隔1根直立配置。该间隔物12通常每隔多个像素设置在不妨碍各像素动作的位置上。

此外，该间隔物12的尺寸根据基板尺寸、框体3的高度、基板材料、间隔物的配置间隔、间隔物材料等进行设定，但一般来说，其高度是与上述支持体3大致相同的尺寸、厚度是几十μm～几mm以下、长度是50mm至400mm左右，优选80mm至250mm左右为实用的值。

附图标记13表示接合部件，该接合部件13，例如由接合用熔接玻璃或者玻璃化成分和例如含有银的导电性接合材料等构成，将间隔物12接合固定在背面基板1和前面基板2上。该接合部件13，对大多数成分来说，其厚度从确保接合固定的观点出发设定为十几μm以上，优选20～40μm左右的厚度。

另一方面，在前面基板2的内表面上，红色、绿色、蓝色由荧光体膜15由遮光用BM(黑色矩阵)膜16划分地配置，覆盖荧光体膜15和BM膜16地设置由金属薄膜构成的背金膜(阳极电极)17，形成荧光面。该荧光面结构，使从电子源10发射的电子加速，轰击到对应的构成像素的荧光体膜15上。由此，荧光体膜15以预定的有色光发光，与其他像素的荧光体发光色混合，构成预定色的彩色像素。另外，阳极电极17作为面电极表示，但是也可以设为与扫描信号布线9交差并按各像素列分割的条状电极。

图5至图7是说明图1所示的本发明的图像显示装置的实施例1的前面基板内侧的荧光面结构的图，图5是从背面基板侧观察的示意俯视图，图6是图5的显示区域中央部的放大俯视图，图7是图5的显示区域周边部的放大俯视图。在图5至图7中，在与前面基板2上的显示区域6对应的部分形成有BM膜16，该BM膜16(在显示区域6的X-Y方向)具备多个开口(窗)部161，这些开口部161，形成为单位面积上的开口面积从显示区域6的中央部分向周边部分逐渐变小。即，形成为如下构造：开口部161的开口率(单位面积上的开口面积)从显示区域6的中央部分向周边部分逐渐变小。

图6是表示显示区域6的中央部分的单位面积S的开口率的图。具有开口面积S1的开口部161，在X方向以预定的像素间距Px排列，在Y方向以预定的像素间距Py排列。而图7是表示显示区域6的周边部分的单位面积S的开口率的图。具有开口面积S2的开口部161与中央部分相同地，在X方向以预定的像素间距Px排列，在Y方向以预定的像素间距Py排列。即，具有中央部分的开口面积S1＞周边部分的开口面积S2的关系地形成。

另外，分别堵塞上述各开口部161，贴附形成有绿荧光体膜(15G)、蓝荧光体膜(15B)、红荧光体膜(15R)。作为这些荧光体，例如作为红色可使用Y₂O₂S:Eu(P22-R)，作为绿色可使用ZnS:Cu，Al(P22-G)，作为蓝色可使用ZnS:Ag，Cl(P22-B)。

另外，覆盖形成在该前面基板2的内表面的BM膜16以及荧光体膜15地，在其上例如用蒸镀方法形成有以铝为主成分的背金膜17。该背金膜17，具有贯通膜的多个针孔，将该针孔作为来自基底的有机平滑膜(薄膜)、荧光体膜15等的燃烧气体的气体放出孔使用。

当在这样构成的荧光面上从背面基板1的电子源10发射的电子透过背金膜17轰击在荧光体膜15上时，荧光体粒子发光，能由从前面基板2出射到前方的光能够得到图像。

在本实施例中，使形成在前面基板2的BM膜16的开口部161的单位面积S上的开口面积从图像显示区域6的中央部分向周边部分逐渐变小地形成。通过使用了与BM16的开口部161对合地设置了开口的丝网印刷版的丝网印刷法形成荧光体膜15时，尤其能够增大对周边部分的因荧光体膜15的位置偏移而发生点缺陷或颜色混合的裕度，其中，上述荧光体膜15的位置偏移是由丝网印刷版的伸缩或歪斜等引起的。

[实施例2]

图8是表示说明本发明的图像显示装置的实施例2的前面基板内侧荧光面的显示区域周边部分结构的放大俯视图，对与上述图相同的部分标记同一符号，并省略其说明。显示区域6中央部分的结构，与实施例1相同。在图8中，形成在显示区域6的周边部分的多个开口部161，具有与形成在中央部分的开口部161相等的开口面积S1。周边部分的像素间距px1，比中央部分的X方向的像素间距Px大。Y方向也同样，周边部分的像素间距Py1，比中央部分的像素间距Py大。

即，具有中央部分的开口面积S1＝周边部分的开口面积S1的关系，在X方向具有中央部分的像素间距Px＜周边部分的像素间距Px1的关系，在Y方向也同样具有中央部分的像素间距Py＜周边部分的像素Py1的关系。

在这种情况下，从中央部分的X方向的像素间距Px到周边部分的像素间距Px1的间距间隔、以及从中央部分的Y方向的像素间距Py到周边部分的像素间距Py1的间距间隔逐渐变大。

在这种结构中，也形成为开口部161的开口率(单位面积S上的开口面积)实质上从显示区域6的中央部分向周边部分逐渐变小的结构，因此能够得到与上述相同的效果。

图9是说明构成本发明图像显示装置的像素的电子源10的一个例子的图，图9A是俯视图，图9B是沿图9A的A-A’线剖开的剖视图，图9C是沿图9A的B-B’线剖开的剖视图。该电子源是MIM型电子源。

对该电子源的结构使用其制造工序进行说明。首先，在背面基板SUB1上形成下部电极DED(实施例中的视频信号电极8)、保护绝缘层INS1、绝缘层INS2。接着，例如用溅射法等形成层间膜INS3、作为上部电极AED的供电线的上部总线电极(实施例中的扫描信号电极9)和用于配置间隔物12的作为间隔物电极的金属膜。下部电极以及上部电极可使用铝(Al)，但是也可以使用后述的其他金属。

作为层间膜INS3，例如可使用硅氧化物、硅氮化物或者硅等。在此，使用硅氮化物，膜厚设为约100nm。该层间膜INS3，在由阳极氧化形成的保护绝缘层INS1具有针孔的情况下，掩埋其缺陷，起到保持下部电极DED和作为扫描信号电极的上部总线电极(在金属膜下层MDL和金属膜上层MAL之间作为金属膜中间层MML夹有铜(Cu)的三层的层叠膜)间绝缘的作用。

此外，作为扫描信号布线的上部总线电极AED，不限于上述的三层层叠膜，也能够设为三层以上。例如，作为金属膜下层MDL、金属膜上层MAL，可使用铝(Al)或铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)等耐氧化性高的金属材料或者含有上述材料的合金或它们的层叠膜。此外，在此作为金属膜下层MDL、金属膜上层MAL，使用了铝和钕(Al-Nd)的合金。除此之外，通过使用如下所述的5层膜，能够在图像显示装置的制造工艺的加热工序时使高熔点金属成为阻挡膜而抑制Al和Cu形成合金，因此对布线的低电阻化特别有效，其中，上述5层膜，作为金属膜下层MDL使用Al合金和Cr、W、Mo等的层叠膜，作为金属膜上层MAL使用铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)等和Al合金的层叠膜，并将接触金属膜中间层MML的Cu的膜设为高熔点金属。

作为上部总线电极使用Al-Nd合金时的该Al-Nd合金的膜厚，使金属膜上层MAL比金属膜下层MDL厚，为了降低布线电阻，使金属膜中间层MML的Cu尽量厚。在此，将金属膜下层MDL的膜厚设为约300nm，金属膜中间层MML的膜厚设为约4μm，金属膜上层MAL的膜厚设为约450nm。此外，金属膜中间层MML的Cu，除了溅射以外还能通过电镀等形成。

使用高熔点金属的上述5层膜的情况下，与Cu同样地，使用尤其可在磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液中进行湿蚀刻的Mo夹着Cu的层叠膜作为金属膜中间层MML，是特别有效的。此时，夹有Cu的Mo的膜厚设为约50nm，夹有该金属膜中间层的金属膜下层MDL的Al合金的膜厚设为约300nm、金属膜上层MAL的Al合金的膜厚设为约450nm。

接着，通过丝网印刷的抗蚀剂的图形化和蚀刻加工，将金属膜上层MAL加工成与下部电极DED交叉的条状。在该蚀刻加工中，使用例如磷酸、醋酸的混合水溶液中的湿蚀刻。通过不向蚀刻液加入硝酸，能不蚀刻Cu而有选择地只蚀刻Al-Nd合金。

在使用了Mo的5层膜的情况下，也能通过不向蚀刻液加入硝酸，来不蚀刻Mo和Cu而有选择地只蚀刻Al-Nd合金。这里，对每1个像素形成1根金属膜上层MAL，也可以形成2根。

接着，原样使用相同的抗蚀剂膜，或将金属膜上层MAL的Al-Nd合金作为掩膜，用例如磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液对金属膜上层MML的Cu进行湿蚀刻。在磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液的蚀刻液中，Cu的蚀刻速度与Al-Nd合金相比足够快，因此可以有选择地只蚀刻金属膜中间层MML的Cu。在使用了Mo的5层膜的情况下，Mo和Cu的蚀刻速度与Al-Nd合金相比也足够快，也可以有选择地只蚀刻Mo和Cu的3层层叠膜。此外过硫酸铵水溶液或过硫酸钠水溶液对Cu的蚀刻也有效。

接着，通过丝网印刷的抗蚀剂的图形化和蚀刻加工，将金属膜下层MDL加工成与下部电极DED交叉的条状。该蚀刻加工，用例如在磷酸、醋酸的混合水溶液中的湿蚀刻进行。此时，将要印刷的抗蚀剂膜在与金属膜上层MAL的条状电极平行的方向上错开位置，由此金属膜下层MDL的一例EG1比金属膜上层MAL突出，将其作为确保在后面的工序中与上部电极AED连接的连接部。在金属膜下层MDL的相反侧EG2，将金属膜上层MAL和金属膜中间层MML作为掩膜，进行过蚀刻(over etching)加工，形成后退部分，使得在金属膜中间层MML形成有檐。

利用该金属膜中间层MML的檐，在接下来的工序中成膜的上部电极AED被分离。此时，由于使金属膜上层MAL比金属膜下层MDL的膜厚厚，所以即使金属膜下层MDL的蚀刻结束，金属膜上层MAL也能够留在金属膜中间层MML的Cu上。由此，可以保护Cu的表面，所以即使使用Cu也具有耐氧化性，且能够自对准地分离上部电极AED，并且能够形成进行供电的作为扫描信号布线的上部总线电极。另外，在取为用Mo夹持Cu的5层膜的金属膜中间层MML的情况下，即使金属膜上层MAL的Al合金很薄，Mo也可以抑制Cu的氧化，所以没有必要必须使金属膜上层MAL比金属膜下层MDL的膜厚厚。

接着，加工层间膜INS3，将电子发射部开口。电子发射部形成在由像素内的1根下部电极DED和与下部电极DED交叉的2根上部总线电极(金属膜下层MDL、金属膜中间层MML、金属膜上层MAL的层叠膜以及未图示的相邻像素的金属膜下层MDL、金属膜中间层MML、金属膜上层MAL的层叠膜)之间所夹有的空间的交叉部的一部分。该蚀刻加工，能够通过使用了例如以CF₄、SF₆为主要成分的蚀刻气体的干蚀刻进行。

最后，进行上部电极AED的成膜。在该成膜中，使用溅射法。作为上部电极AED可以使用铝，或铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)的层叠膜，其膜厚取为例如6nm。这时，上部电极AED，在夹持电子发射部的2根上部总线电极(金属膜下层MDL、金属膜中间层MML、金属膜上层MAL的层叠膜)中的一个的端部(图9C的右侧)，被由金属膜中间层MML和金属膜上层MAL的檐结构形成的金属膜下层MDL的后退部(EG2)切断。而且，在上述总线电极的另一个端部(图9C的左侧)，上述电极AED与上部总线电极(金属膜下层MDL、金属膜中间层MML、金属膜上层MAL的层叠膜)，借助于金属膜下层MDL的连接部(EG1)不发生断线地连续成膜，形成向电子发射部供电的结构。

接下来，图10是应用了本发明的结构的图像显示装置的等效电路示例的说明图。图10中虚线所表示的区域是显示区域AR，该显示区域AR中n根图像信号电极8和m根扫描信号电极9相互交叉地配置，形成排列成n×m的矩阵的像素。矩阵的各交叉部构成副像素，以图中的三个单位像素(或副像素)“R”、“G”、“B”的一组构成一个彩色像素。并且，省略对电子源结构的图示。图像信号电极(阴极电极)8由图像信号电极引出端子连接到图像信号驱动电路DDR，扫描信号电极(栅极电极)9由扫描信号电极引出端子连接到扫描信号驱动电路SDR。从外部信号源向图像信号驱动电路DDR输入图像信号NS，同样地向扫描信号驱动电路SDR输入扫描信号SS。

由此，对与依次选择的扫描信号电极9交叉的图像信号电极8提供图像信号，由此能够显示二维的全彩色图像。通过使用本结构例的显示面板，能够实现以较低的电压高效率显示的图像显示装置。

此外，在上述的实施例中，说明了作为图像显示装置应用使用了如下前面基板的显示装置的情况，即，该前面基板在其内表面具有荧光体层以及黑色矩阵膜，在荧光体层以及黑色矩阵膜的背面具有背金膜(阳极电极)，但是本发明不限于此。

另外，在上述的实施例中，说明了MIM类型的阴极结构的图像显示装置，但是不限于此，当然可以利用各种阴极结构。

Claims (6)

1.一种图像显示装置，其特征在于：

包括

前面基板，具有：具备多个开口部的黑色矩阵膜、堵塞上述开口部地配置在上述黑色矩阵膜内的多色荧光体膜、由覆盖该荧光体膜以及上述黑色矩阵膜的金属薄膜构成的阳极电极；

与上述前面基板具有预定间隔地相对的背面基板，具有：在一个方向延伸并在与该一个方向交差的另一个方向并行设置的多个扫描信号布线、在上述另一个方向延伸并在上述一个方向并行设置的多个图像信号布线、以及连接在上述扫描信号布线和上述图像信号布线上的电子源；以及

框体，***到上述前面基板和背面基板之间，包围图像显示区域地配置，

由上述框体和上述前面基板以及背面基板构成图像显示装置的真空外壳，

上述开口部的面积，在上述图像显示区域的周边部比在中央部小。

2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：

上述开口部在上述一个方向或者另一个方向上以相同排列间距形成。

3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述荧光体膜，使相邻的荧光体膜的上述另一个方向的间隔，从上述显示区域中央部向周边部逐渐变大。

4.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：

上述荧光体膜堵塞上述开口部并延伸到上述黑色矩阵膜上地配置。

5.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：

形成在上述前面基板上的荧光体膜，由红、绿、蓝三色构成。

6.一种图像显示装置，其特征在于：

包括

前面基板，具有：具备多个开口部的黑色矩阵膜、堵塞上述开口部地配置在上述黑色矩阵膜内的多色荧光体膜、以及由覆盖该荧光体膜和上述黑色矩阵膜的金属薄膜构成的阳极电极；

与上述前面基板具有预定间隔地相对的背面基板，具有：在一个方向延伸并在与该一个方向交差的另一个方向并行设置的多个扫描信号布线、在上述另一个方向延伸并在上述一个方向并行设置的多个图像信号布线、连接在上述扫描信号布线和上述图像信号布线上的电子源；以及

框体，***在上述前面基板和背面基板之间，包围图像显示区域地配置，

由上述框体和上述前面基板以及背面基板构成图像显示装置的真空外壳，

上述开口部，其开口面积在上述图像显示区域的中央部和上述图像显示区域的周边部相同，且上述周边部的排列间距比上述中央部的排列间距大。

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