CN1967335B - 显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的是通过不增加新的工序地形成用于位置对准的标记来抑制成品率的降低，并且实现高精确度的位置对准以及检查过程所需要的时间的缩短化，因此提供可见度高的液晶显示器件。本发明的技术要点是如下：将在对向设置的一对衬底中的一个的、具有像素部分的有源矩阵衬底上形成的图案作为用于位置对准的第一标记，而在一对衬底中的另一个的相对衬底上形成的遮光膜的开口部分作为用于位置对准的第二标记。此外，由于使用这些标记进行位置对准，所以可以实现有源矩阵衬底和相对衬底的高精确度的位置对准。

Description

显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及有源矩阵型液晶显示器件等的显示器件。

背景技术

对于使用薄膜晶体管(TFT)等主动元件的有源矩阵型液晶显示器件已经是众所周知。由于有源矩阵型液晶显示器件可以提高像素密度，并且其体积小重量轻且耗电低，因而作为代替CRT的平面显示器中的一种，正在对个人电脑的监视器、液晶电视机、以及汽车导航***的监视器等的产品进行开发。

在液晶显示器件中，将形成有除了多个TFT和布线以外还包括第一电极(像素电极)等的像素部分等的衬底(有源矩阵衬底)与形成有第二电极(相对电极)、遮光膜(黑矩阵)、以及着色膜(彩色滤光片)等的衬底(相对衬底)贴合在一起，并将液晶封入它们之间，且利用施加到像素电极和相对电极之间的电场使液晶分子定向，以控制来自光源的光量而进行显示。

然而，当有源矩阵衬底与相对衬底贴合在一起时，必须精确地位置对准。若不充分地进行对准，则存在着如下问题：有源矩阵衬底上的像素电极与相对衬底上的着色膜或遮光膜之间出现位移，在显示工序中除了颜色偏移或影像模糊的问题以外，还出现导致由漏光引起的对比度下降从而显示可见度欠佳的问题。

与之对应，已经提供了一种液晶显示器件的制造方法，其中，将以往形成在相对衬底上的着色膜以及遮光膜形成在有源矩阵衬底上，并对照在开关元件、着色膜、以及遮光膜的任一个的制造过程中在有源矩阵衬底上由金属或者树脂膜来形成了的第一标记(对准标记)与在相对衬底上由涂敷导电涂料来形成了的第二标记(对准标记)，因而当将双衬底贴合时，可以精确地位置对准。(例如参照专利文件1)

专利文件1特开2002-350800号公报

然而，在包括复杂工序的液晶显示器件等的显示器件的制造过程中，对于各个有源矩阵及相对衬底，以新的工序来形成用于位置对准的标记(第一标记及第二标记)成为导致进一步降低成品率的一个要因。而且，随着面板的大型化，发生位 置对准的精确度降低，并位置对准的检查过程需要长时间的问题。

发明内容

因而，本发明的目的是通过不增加新的工序地形成用于位置对准的标记而抑制成品率的降低，同时实现高精确度的位置对准及检查过程需要的时间的缩短化，以提供一种可见度高的液晶显示器件等的显示器件。

本发明的液晶显示器件等的显示器件，将在对向设置的一对衬底中的一个的、具有像素部分的有源矩阵衬底上形成的图案作为用于位置对准的第一标记，，而在一对衬底中的另一个的相对衬底上形成的遮光膜的开口部分作为用于位置对准的第二标记。此外，由于使用这些标记进行位置对准，所以可以实现有源矩阵衬底和相对衬底的高精确度的位置对准。此外，在本发明中形成了的图案可以使用如下材料而形成：在有源矩阵衬底的制造过程中形成了的半导体膜、绝缘膜、导电膜等。

本发明中的液晶显示器件无论在如下任何情况下：透过型、半透过型、微反射型(当反射部分的面积小于透过部分时的结构)、反射型，都可以适用。

此外，也可以适用于有源矩阵衬底和相对衬底的位置对准为重要的MVA(Multi-domain Vertical Alignment；多象限垂直配向)液晶、PVA(Patterned VerticalAlignment；垂直取向构型)液晶、ASV(Advanced Super View；流动超视觉)液晶等的广视野角技术的液晶显示器件。

本发明的液晶显示器件等的显示器件相关的具体结构，是一种液晶显示器件等的显示器件，它至少包括：在对向设置的一对衬底中的一个上形成了的图案；在所述一对衬底中的另一个上形成了并具有开口部分的遮光膜，其中，所述图案和所述开口部分分别在相同的位置上相对。

此外，本发明的液晶显示器件等相关的显示器件的另一种结构，是一种液晶显示器件等的显示器件，它至少包括：在对向设置的一对衬底中的一个上的布线、薄膜晶体管、像素电极和图案；以及在所述一对衬底中的另一个上的相对电极和具有开口部分的遮光膜，其中，所述图案形成在所述布线上，而且所述布线与所述像素电极部分地重叠，所述图案和所述开口部分各个在相同的位置上相对。

此外，本发明的液晶显示器件等相关的显示器件的另一种结构，是一种液晶显示器件等的显示器件，它至少包括：在对向设置的一对衬底中的一个上的布线、薄膜晶体管、像素电极和图案；以及在上述一对衬底中的另一个上的相对电极和具有开口部分的遮光膜，其中，所述图案形成在所述布线上，而且所述像素电极在与 上述图案不重叠的位置上与上述布线部分地重叠，所述图案和所述开口部分分别在相同的位置上相对。

此外，本发明的液晶显示器件等相关的显示器件的另一种结构是一种液晶显示器件等的显示器件，它至少包括：在对向设置的一对衬底中的一个上的布线、薄膜晶体管、像素电极和图案；以及在上述一对衬底中的另一个的相对电极和具有开口部分的遮光膜，其中，所述图案形成在所述布线上，在所述像素电极上的一部分上形成反射性的导电膜，所述图案与所述开口部分分别在相同的位置上相对。

在上述每个结构中，所述反射性的导电膜形成为占领所述像素电极的面积的50％或更少的面积。

在上述每个结构中，所述图案使用与所述薄膜晶体管具有的沟道形成区相同的半导体膜而形成。

在上述每个结构中，所述图案可以使用半导体膜，绝缘膜，导电膜等而形成，但是优选由以硅、硅-锗等为主要成分的非晶半导体或结晶半导体形成。

在上述每个结构中，所述图案是具有十字形，四边形或圆形中任一的形状的标记。

在上述每个结构中，所述开口部分对于所述图案成为其相似比1或更大的相似形。

此外，在本发明中，液晶显示器件指的是使用液晶元件的设备，即图像显示设备。此外，该液晶显示器件包括：在液晶显示面板上安装了连接器例如柔性印刷电路(FPC：Flexible Printed Circuit)或TAB(Tape Automated Bonding；带式自动接合)带或者TCP(Tape Carrier Package；薄膜封装)的模块；在TAB带或TCP的顶端设置了印刷线路板的模块；或通过COG(Chip On Glass)方式将IC(集成电路)或CPU(中央计算处理器件)直接安装到液晶显示面板的模块。

在本发明的液晶显示器件等的显示器件中，在有源矩阵衬底上的像素部分形成了的标记(也称为第一标记)不增加新的工序地形成于像素部分的每个像素，而且，当遮光膜的构图时，也同时形成为对应于所述第一标记的形成在相对衬底上的标记(也称为第二标记)，因为无论在任何情况下不增加工序，所以可以抑制成品率的降低。

此外，由于进行使用上述标记的位置对准，所以可以实现在双衬底的整个面上的高精确度的位置对准。因而，即使面板大型化了，也可以高精确度地贴合有源矩阵衬底和相对衬底。再者，在本发明中，由于将第一标记及第二标记重叠在一起 来进行双衬底的位置对准，因为双衬底的位移瞬间得知，所以可以实现检查过程需要的时间的缩短化。

此外，在本发明中，可以实现高精确度的位置对准，因此可以提供可见度高的液晶显示器件等的显示器件。

附图说明

图1为说明本发明的结构的图；

图2A和2B为说明本发明的有源矩阵衬底的结构的图；

图3A和3B为说明本发明的相对衬底的结构的图；

图4A和4B为说明本发明的有源矩阵衬底的制造方法的图；

图5A至5E为说明本发明的有源矩阵衬底的制造方法的图；

图6A至6D为对本发明的液晶显示面板的驱动电路说明的图；

图7A和7B为对本发明的液晶显示面板说明的图；

图8A至8C为对本发明的安装到液晶显示面板的驱动电路说明的图；

图9为对本发明的液晶模块说明的图；

图10A至10E为对电子设备说明的图；

图11A和11B为说明本发明的有源矩阵衬底的结构的图；

图12A和12B为说明本发明的有源矩阵衬底的结构的图；

图13A至13J为对本发明的标记形状说明的图。

101有源矩阵衬底

102像素

103像素部分

104第一标记

105相对衬底

106第二标记

201衬底

202(202a、202b)栅极线

203(203a、203b)源极线

204薄膜晶体管(TFT)

205绝缘膜

206(206a、206b)第一标记

207a源极

207b漏极

208保护膜

209像素电极

210定向膜

213相对电极

220衬底

221遮光膜

222着色膜

223(223a、223b)第二标记

224平坦化膜

225相对电极

226定向膜

230反射电极

240像素电极

301第一导电膜

302栅极

304第一半导体膜

305第二半导体膜

306(306a、306b)第一掩模

307(307a、307b)第一半导体膜

308(308a、308b)第二半导体膜

309第二导电膜

310(310a、310b)第二掩模

311(311a、311b)第二导电膜

312a源极区域

312b漏极区域

501遮光膜

502第一标记

503第二标记

504第一标记

505第二标记

506第一标记

507第二标记

508第一标记

509第二标记

510第一标记

511第二标记

512第一标记

513第二标记

514第一标记

515第二标记

516第一标记

517第二标记

518第一标记

519第二标记

520第一标记

521第二标记

701有源矩阵衬底

702相对衬底

703密封剂

704密封剂

705像素部分

706驱动电路部分

707第一衬底

708第二衬底

710液晶元件

711第一电极

712液晶层

713驱动TFT

714第一标记

715定向膜

716遮光膜

717着色层(彩色滤光片)

718第二标记

719第二电极

720定向膜

721间隔物

722连接布线

723FPC

724各向异性导电树脂

800衬底

801像素部分

802源极线驱动电路

803(803a、803b)栅极线驱动电路

805IC芯片

806FPC(柔性印刷电路)

901有源矩阵衬底

902相对衬底

903密封剂

905液晶层

906着色膜

907偏振片

908偏振片

909保护膜

910连接端子

911FPC

912布线衬底

913外部电路

914冷阴极管

915反射板

916光学薄膜

917框架

918定向膜

919定向膜

8001主体

8002显示部分

8101主体

8102显示部分

8201主体

8202显示部分

8301主体

8302显示部分

8401主体

8402显示部分

具体实施方式

下面，对本发明的实施方式将参照附图等给予说明。但是，本发明可能通过多种不同的方式来实施，所属领域的普通人员可以很容易地理解一个事实即其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式，而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式所记载的内容中。

实施方式1

在本发明中，将参照图1至图4B对有源矩阵衬底及相对衬底的结构进行说明，该结构可以使有源矩阵衬底和相对衬底高精确度地贴合在一起。此外，在本实施方式中，涉及由半导体膜形成作为第一标记的图案的情况进行说明。

在图1中，在有源矩阵衬底101上，形成了由多个像素102来构成的像素部分103。此外，在每个像素102中，除了用于驱动的开关元件以外，还形成了布线及像素电极等。此外，为了当贴合时的位置对准而形成在有源矩阵衬底101一侧的第一标记104形成在每个像素102中。

另外，在相对衬底105上形成了相对电极、着色膜、遮光膜等。此外，为了当贴合时的位置对准而形成在相对衬底105一侧的第二标记106，是通过在遮光膜的一部分形成另一个开口部分而形成的。所述遮光膜形成为如下形式：当贴合有源矩阵衬底101和相对衬底105时在实质上重叠于形成在有源矩阵衬底上的像素102的位置具有开口部分。

因此，当在本发明中的有源矩阵衬底101与相对衬底105贴合在一起时的位置对准通过如下方法来进行：当该衬底重叠在一起时，使第一标记104和第二标记106重叠在一起。

接着，将参照图2A和2B对有源矩阵衬底101的详细的结构进行说明。图2A示出像素部分103的俯视图，图2B示出沿着图2A的A-A’切割的剖视图。

图2A为像素部分103的一部分放大图，各像素形成在栅极线202(202a、202b)及源极线203(203a、203b)包围的领域中。此外，在每个像素中形成薄膜晶体管(TFT)204，这里示出形成反交错TFT的情况。像素电极209形成为电连接于TFT204的形式。此外，第一标记206形成在栅极线202上。

此外，图2B所示那样，栅极线202(202a、202b)形成在衬底201上。作为栅极线202(202a、202b)，可以使用包含半导体如Si、Ge等的膜、由Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cr、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba、Nd等金属元素构成的膜、由以所述元素为主要成分的合金材料构成的膜、从衬底101一侧顺序层叠Mo、Al、和Mo而成的膜、从衬底101一侧顺序层叠Ti、Al、和Ti而成的膜、从衬底101一侧顺序层叠MoN、Al-Nd、和MoN的叠层而成的膜、从衬底101一侧顺序层叠Mo、Al-Nd、和Mo而成的膜、从衬底101一侧顺序层叠Cr和Al的叠层而成的膜、由金属氮化物等的化合物材料构成的膜、用作透明导电膜的铟锡氧化物(ITO：氧化铟锡)膜、将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合到氧化铟的IZO(氧化铟锌)膜、或具有氧化硅作为组合物的ITO等的膜。此外，栅极线202(202a、202b)的厚度优选为150nm或更厚，更优选为200至500nm。

绝缘膜205形成在栅极线202(202a、202b)上，虽然这里没有示出，然而其一部分是TFT204的栅绝缘膜。此外，绝缘膜205通过使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、包含硅的其它绝缘膜等，形成为单层或叠层。此外，绝缘膜205的厚度优选为300至500nm，更优选为350至480nm。

此外，第一半导体膜形成在绝缘膜205上。作为第一半导体膜，可以使用由以硅，硅锗(SiGe)等为主要成分且结晶状态互不相同的非晶半导体膜，将结晶状态包含在一部分的非晶半导体膜及结晶半导体膜中的任一个。此外，半导体膜可以通过等离子体CVD法和溅射法等的已知的成膜方法形成。硅膜的厚度为40至250nm，更优选为50至220nm。

通过对第一硅膜进行构图，形成TFT204的沟道形成区及第一标记206(206a、206b)。

此外，虽然这里没有示出，但由第二半导体膜构成的源极区域及漏极区域形成在TFT204的沟道形成区域上。作为第二硅膜，可以使用以硅，硅锗(SiGe)等为主要成分且结晶状态分别不同的非晶硅膜，将结晶状态包含在一部分的非晶硅膜及结晶半导体膜中的任一个。此外，这里使用的第二半导体膜除了上述主要成分以外，还包含诸如磷，砷或硼等的受主元素或施主元素。而且，第二半导体膜的厚度优选为30至250nm，更优选为40至220nm。

此外，在图2A中，源极207a形成在源极区域上，并且漏极207b形成在漏极区域上。此外，源极207a及漏极207b分别是使用与源极线203(203a、203b)同一的导电膜而形成的。

此外，源极207a、漏极207b及源极线203(203a、203b)是通过使用导电材料而形成的，其厚度优选为100nm或更厚，更优选为200至500nm。作为这里使用的导电材料，可以举出包含Si、Ge等的半导体的膜，由Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cr、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、以及Ba等的金属元素构成的膜、由以所述元素为主要成分的合金材料构成的膜、或者由金属氮化物等的化合物材料构成的膜等。

此外，在第一标记206(206a、206b)、源极207a、漏极207b及源极线203(203a、203b)上形成有保护膜208。保护膜208通过使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、包含硅的其它绝缘膜、形成为单层或叠层。此外，保护膜208的厚度优选为100至500nm，更优选为200至400nm。

此外，像素电极209通过形成在漏极207b上的保护膜208的一部分中的开口部分电连接到漏极207b。此外，像素电极209通过使用导电材料而形成，其厚度为10至150nm，更优选为40至125nm。

此外，这里使用的导电材料，可以举出用作透明导电膜的铟锡氧化物(ITO：氧化铟锡)，氧化锌(ZnO)，使用将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合到含有氧化硅的氧化铟的靶子而形成的IZO(氧化铟)，或具有氧化硅作为组合物的ITO等。

在像素电极209上，使用聚酰亚胺等已知的材料而形成定向膜210。此外，为了方便起见，在图2A和2B中，只在图2B中示出定向膜210。

此外，对图2A中的B-B’，在实施方式2中进行说明，因此省略这里说明。

此外，本发明可以适用于微反射性的液晶显示，因而作为有源矩阵衬底，也可如图11A和11B所示那样，将反射电极230形成在像素电极209的一部分。图 11A和11B所示的有源矩阵衬底，与图2A和2B不同的点，只在于形成有反射电极230，其它结构与图2A和2B相同，因此使用相同的标号，且省略说明。

在这种情况下，反射电极230可以通过使用遮光性导电膜(其导电膜例如由Al或Ag等的金属元素构成的膜，以所述元素为主要成分的合金材料构成的膜，或从衬底101一侧顺序层叠IZO、Al等的膜)形成为10至150nm，更优选为40至125nm的厚度。此外，所述的IZO(氧化铟锌)指的是使用将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合到含有氧化硅的氧化铟的靶子而形成的导电膜。此外，反射电极230可形成为其面积为像素电极209的面积的50％或更小的形式。

再者，如图12A和12B所示那样，通过将像素电极240形成为像素电极的一部分与栅极线202(202a、202b)重叠，在图12A和12B所示的领域a(241)中，可以在栅极线202(202a、202b)和像素电极240之间形成电容。此外，在这种情况下，优选形成像素电极240并使它不重叠于形成在栅极线202(202a、202b)上的第一标记206(206a、206b)。此外，在图12A和12B所示的有源矩阵衬底，与图2A和2B不同的点只在于像素电极240形成为部分重叠于栅极线202(202a、202b)的形式，其它结构与图2A和2B相同，因此使用相同的标号，且省略说明。

通过采用图12A和12B所示的结构，可以形成电容，而不影响到在第一标记206的部分中的透光性。

在本发明中，在有源矩阵衬底上形成了的第一标记206(206a、206b)也可以形成在电容上，该电容线是用于与图2A和2B所示的栅极线202(202a、202b)平行地形成在与像素电极之间的电容。

接着，将参照图3A和3B对相对衬底105(图1)的详细的结构进行说明。在图3A中示出与在图2A和2B所示的有源矩阵衬底的像素部分103的一部分贴合的部分的俯视图，且在图3B示出沿着在图3A的A-A’切割的剖视图。

图3A为在相对衬底上的与有源矩阵衬底的像素部分103贴合的部分的放大图，在除外与有源矩阵衬底的像素重叠的区域及与第一标记206(206a、206b)(图2A和2B)重叠的部分而形成的遮光膜221上形成了相对电极225。

如图3B所示那样，在衬底220上形成遮光膜221，而遮光膜221被形成为在与有源矩阵衬底的像素重叠的领域及与第一标记206(206a、206b)(图2A和2B)重叠的部分设有开口部分。在遮光膜221上形成着色膜222，并且在着色膜222上形成用于缓和因形成遮光膜221而来发生的凹凸的平坦化膜224。而且，在平坦化膜224上形成相对电极225及定向膜226。

遮光膜221，将遮光性膜(例如铬(Cr)的单层膜，氧化铬(CrXOy)和铬(Cr)的叠层膜，在树脂中将碳黑等的颜料或染料等分散的树脂BM(黑矩阵)等)形成为10至150nm的厚度，并进行构图并使它形成为在与有源矩阵衬底的像素重叠的区域及与第一标记206(206a、206b)(图2A和2B)重叠的部分设有开口部分。此外，形成在与第一标记206(206a、206b)(图2A和2B)重叠的部分的开口部分是第二标记223(223a，223b)，并且由于将第一标记和第二标记作为位置对准的目标而重叠，因而可以将有源矩阵衬底与相对衬底高精确度地重叠。

在遮光膜221上形成有着色膜222。此外，除了包含着色颜料的绝缘膜(聚酰亚胺，丙烯酸树脂)以外，着色膜222还可以使用感光树脂或抗蚀剂等。此外，其厚度优选为1至3μm。着色膜222可以由像素部分内每个像素列显示不同颜色(例如红色、绿色、以及蓝色三种颜色)的材料组成。或者，着色膜222可以由每个像素显示不同颜色(例如红色、绿色、以及蓝色三种颜色)的材料组成。而且，着色膜222可以由所有像素显示相同颜色的材料组成。

在着色膜222上形成有平坦化膜224。此外，平坦化膜224可以使用绝缘材料(有机材料或无机材料)，并可以以单层或叠层结构形成。此外，具体地说，可以用丙烯酸、甲基丙烯酸、及这些的衍生物；诸如聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、聚苯并咪唑、或环氧树脂之类的抗热高分子化合物；典型为氧化硅玻璃的通过用硅氧烷聚合物基材料作为原材料而形成的包括含硅、氧、氢的化合物的Si-O-Si键的无机硅氧烷聚合物基、烷基硅氧烷聚合物(alkylsiloxane polymer)、烷基倍半硅氧烷聚合物(alkylsilsesquioxane polymer)、氢化倍半硅氧烷聚合物(hydrogenated silsesquinoxanepolymer)；由典型为氢化烷基倍半硅氧烷聚合物(hydrogenated alkylsilsesquioxanepolymer)的其中键合到硅的氢被诸如甲基或苯基之类的有机原子团取代的有机硅氧烷聚合物基的有机绝缘材料组成的膜；氧化硅膜；氮化硅膜；氧氮化硅膜；氮氧化硅膜；或由包含硅的无机绝缘材料组成的其它膜，来形成平坦化膜224。此外，其厚度优选为1至3μm。此外，在本发明中，不必设置平坦化膜224，但是通过形成平坦化膜224而将相对衬底表面平坦化，可以防止当形成液晶面板时会发生的液晶的定向混乱。

再者，形成在平坦化膜224上的相对电极225，使用导电材料而形成，且其厚度为10至150nm，更优选为40至100nm。

此外，作为这里使用的导电材料，可以举出用作透明的导电膜的铟锡氧化物(ITO：氧化铟锡)，氧化锌(ZnO)，使用将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合 到含有氧化硅的氧化铟的靶子而形成的IZO(氧化铟锌)，或具有氧化硅作为组合物的ITO等。

在相对电极225上，使用聚酰亚胺等已知的材料而形成定向膜226。此外，为了方便起见，在图3A和3B中，只在图3B中示出定向膜226。

接着，在图4A和4B中示出涉及将在图2A和2B所示的有源矩阵衬底101与在图3A和3B所示的相对衬底105位置对准而贴合在一起的状态。在图4A中示出俯视图，并且在图4B中示出沿着图4A的A-A’切割的剖视图。

此外，通过将在有源矩阵衬底101上形成的第一标记206(206a、206b)与在相对衬底105上形成的第二标记223(223a，223b)重叠，可以进行双衬底的位置对准。

这里，将参照图13对在有源矩阵衬底101上形成的第一标记206(206a、206b)与在相对衬底105上形成的第二标记223(223a，223b)的形状的各种方式进行说明。

在图13中，为了涉及当重叠双衬底时的标记(第一标记及第二标记)的形状适当地进行说明，在有源矩阵衬底101一侧中，只示出遮光膜501和第一标记，并且在相对衬底105一侧中，只示出第二标记。

图13A示出如下情况；第一标记502成为十字形，并且第二标记503对于第一标记502成为其相似比1或更大的相似形。此外，当是图13A所示出的十字形时，包围周围的边的长短都相同。

图13B示出如下情况；第一标记504成为十字形，并且第二标记505对于第一标记504成为其相似比1或更大的相似形。此外，当是图13B所示出的十字形时，包围周围的边的长短不相同。当是图13B的形状时，可以实现比图13A的形状更高精确度的位置对准。

图13C示出如下情况；图13B所示出的第一标记504的十字形的端部四个部分也成为十字形，并且第二标记507对于第一标记506成为其相似比1或更大的相似形。

图13D示出如下情况；第一标记508成为两个矩形平行地排列的形状，并且第二标记509对于第一标记508成为其相似比1或更大的相似形。当图13D所示出的形状时，以两个矩形位置对准，因而可以更高精确度地位置对准。

图13E示出如下情况；第一标记510的矩形的端部两个部分成为十字形，并且第二标记511对于第一标记510成为其相似比1或更大的相似形。

图13F示出如下情况；第一标记512成为L字形，并且第二标记513对于第一标记512成为其相似比1或更大的相似形。

图13G示出如下情况；第一标记514成为四边形，并且第二标记515对于第一标记514成为其相似比1或更大的相似形。此外，这里所述的四边形包括正方形，矩形和菱形等。

图13H示出如下情况；第一标记516在四边形的内部中具有对于所述四边形成为其相似比小于1的相似形的开口部分，并且第二标记517对于第一标记516成为其相似比1或更大的相似形。

图13I示出如下情况；第一标记518在将圆周四等分且分开而做出来的四个四分之一圆周的每个内部中具有对于所述四分之一圆周成为其相似比小于1的相似形的开口部分，并且第二标记519对于第一标记518成为其相似比1或更大的相似形。

图13J示出如下情况；第一标记520成为两个圆周排列的形状，并且第二标记521对于第一标记520成为其相似比1或更大的相似形。在图13J的情况下，因为是圆周形状，所以具有如下形成标记时的好处：当进行构图以形成标记时，不容易留下残渣。

此外，上述图13A至13J所示的标记形状的各种方式只不过是可以用于本发明的标记形状的一个例子而已，且并不限定本发明的标记形状。

此外，关于标记形状，因为由于曝光或蚀刻等的工序的情况，一般上述形状的隅角或角落若干具有圆度，但是其程度不会失去作为位置对准的本质的功能时，即没问题。

此外，通过在本实施方式中说明的有源矩阵衬底101和相对衬底105之间夹有液晶层，可以形成液晶显示面板。

在本发明中，当将第一半导体膜构图而形成TFT240的沟道形成区时，在有源矩阵衬底101上形成的第一标记206(206a、206b)同时被形成；此外，当将遮光性膜构图而形成遮光膜221时，在相对衬底105上形成的第二标记223(223a、223b)也同时被形成，因而通过不增加新的工序地可以实现有源矩阵衬底和相对衬底的高精确度的位置对准。

实施方式2

在本实施方式2中，将参照图5A至5E和6A至6D对在实施方式1中所说明 的有源矩阵衬底的制造方法进行说明。此外，图5A至5E和6A至6D示出的是直到形成在图2A和2B所示的有源矩阵衬底中的沿着图2A的B-B’切割的截面结构的制造方法。此外，在图2A和2B、5A至5E和6A至6D中，使用共同的标号来进行说明。

如图5A所示，在衬底201上形成第一导电膜301。第一导电膜301通过溅射法、PVD法、CVD法、液滴喷射法、印刷法、电镀法等成膜方法使用如下材料而形成：包含Si、Ge等的半导体的膜、由Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba、Nd等的金属元素、以所述元素为主要成分的合金材料、金属氮化物等的化合物材料、用作透明导电膜的铟锡氧化物(ITO：氧化铟锡)、使用将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合到包含氧化硅的氧化铟的靶子而形成的IZO(氧化铟锌)、或具有氧化硅作为组合物的ITO等的膜。

此外，作为衬底201，可以使用玻璃衬底、石英衬底、由诸如氧化铝等的陶瓷等绝缘物质形成的衬底、塑料衬底、硅片或金属板等。

此外，虽然这里没有示出，但可以在衬底201上还形成有氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、或它们的叠层膜等作为阻挡膜，以便防止杂质从衬底101混入到半导体膜等。

接着，通过对第一导电膜301进行构图，形成栅极302及栅极线202a(图5B)。在使用溅射法和CVD法等成膜方法来形成第一导电膜301的情况下，通过液滴喷射法、光刻工序、使用激光束直接描述装置对感光材料进行曝光且显影的方法等在导电膜上形成掩模。然后，使用该掩模对导电膜进行构图以使它具有所要求的形状。

在使用液滴喷射法的情况下，由于可以直接形成图形，所以从排放口(下文中示为喷嘴)喷射并加热在有机树脂中溶解或分散有上述金属颗粒的液状物质，以形成栅极302及栅极线202a。有机树脂可以使用选自用作金属颗粒的粘合剂(binder)、溶剂、分散剂、以及涂料的有机树脂中的一种或多种。典型的是，可以使用聚酰亚胺、丙烯酸、酚醛清漆树脂、蜜胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅树脂、呋喃树脂、苯二酸二烯丙酯树脂等、以及已知的有机树脂。

此外，液状物质的粘度优选为5至20mPa·s。这是因为为了防止干燥并且从排放口平滑喷射金属颗粒的缘故。此外，液状物质的表面张力优选为40mN/m或更小。此外，可以根据使用的溶剂和用途适当地控制液状物质的粘度等。

包含在液状物质中的金属颗粒的粒径，可以为几nm至10μm，然而为了防止喷嘴的阻塞并且制造高精密的图案，其粒径优选尽量小。更优选的是使用粒径为 0.1μm或更小的金属颗粒。

接着，形成绝缘膜205。绝缘膜205通过CVD法和溅射法等成膜方法由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及其他含硅的绝缘膜等以单层或叠层结构形成。绝缘膜205的厚度优选为300至500nm，更优选为350至480nm。

接着，形成第一半导体膜304。第一半导体膜304通过CVD法和溅射法等成膜方法来形成，并且可以使用以硅、硅-锗(SiGe)等为主要成分且结晶状态分别不同的非晶半导体膜、将结晶状态包含在其一部分的非晶半导体膜，以及结晶半导体膜的任何一种。此外，在第一半导体膜304中除了所述主要成分之外还可以包含磷、砷、硼等的受主元素或施主元素。此外，第一半导体膜304的厚度优选为40至250nm，更优选为50至220nm。

接着，在第一半导体膜304上形成呈现一个导电类型的第二半导体膜305。通过CVD法和溅射法等成膜方法来形成第二半导体膜305。此外，这里被形成的以硅、硅-锗(SiGe)等为主要成分且结晶状态分别不同的非晶半导体膜、将结晶状态包含在其一部分的非晶半导体膜，以及结晶半导体膜等的膜中除了所述主要成分之外还包含磷、砷、硼等的受主元素或施主元素(图5C)。

如图5D所示，将第一掩模306(306a、306b)形成在第二硅膜305上的所希望的位置，并且通过使用该掩模而对第一硅膜304及第二硅膜305的一部分分别进行蚀刻来得到被构图的第一硅膜(307a、3067)及第二硅膜308(308a、308b)。此外，307a用作TFT的沟道形成区，并且307b用作用于位置对准的标记(图5D)。

如图5E所示，将第一掩模306(306a、306b)除去之后，在第二半导体膜308(308a、308b)及绝缘膜205上形成第二导电膜309。此外，第二导电膜309的厚度优选为100nm或更厚，更优选为200至700nm。此外，用作第二导电膜309的材料，可以举出包含Si、Ge等的半导体的膜，由Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、以及Ba等的金属元素构成的膜、由以所述元素为主要成分的合金材料构成的膜、或者由金属氮化物等的化合物材料构成的膜等。

第二掩模310(310a、310b)形成在第二导电膜309上，并且对第二导电膜309的一部分进行蚀刻而形成为所希望的形状。这里被构图的第二导电膜311(311a、311b)用作TFT的源极或漏极(图6A及6B)。此外，为了将第二导电膜309形成为所希望的形状可以采用如下方法；通过液滴喷射法、光刻工序、使用激光束直接描述装置对感光材料进行曝光及显影等在第二导电膜309上形成掩模， 且使用该掩模来进行蚀刻以获得所希望的形状。

将第二掩模311(311a、311b)除去之后，被构图的第二导电膜311(311a、311b)用作掩模来对第二半导体膜308a的一部分进行蚀刻，因而形成TFT204的源极区域312a及漏极区域312b。此外，也同时除去在用作标记的第一半导体膜307b上形成了的第二半导体膜308b(图6C)。

此外，在这里，第二导电膜311(311a、311b)中，与源极区域312a重叠的部分(311a)成为源极207a，并且与漏极区域312b重叠的部分(311b)成为漏极207b。

通过上述工序形成；栅极302、绝缘膜205、用作沟道形成区的第一硅膜307a、源极区域312a、漏极区域312b、源极207a、以及包括漏极207b的TFT204(图6C)。

接着，形成保护膜208。此外，保护膜208通过等离子体CVD法，溅射法等成膜方法由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、以及氮氧化硅膜等的绝缘膜以单层或叠层结构形成。此外，保护膜208的厚度为100至500nm，更优选为200至300nm。

接着，与漏极207b重叠地在保护膜208的一部分中形成开口部，并且在该开口部形成电连接到漏极207b的像素电极209(图6D)。

此外，像素电极209通过对透明导电膜进行构图而被形成，所述透明导电膜为通过溅射法、气相淀积法、CVD法、或涂敷法等形成的铟锡氧化物(ITO：氧化铟锡)、使用将2至20wt％的氧化锌(ZnO)混合到包含氧化硅的氧化铟的靶子来形成的IZO(氧化铟锌)、以及具有氧化硅作为组合物的ITO等。像素电极209的厚度优选为10至150nm，更优选为40至120nm。

通过上述工序，可以形成在本发明中的有源矩阵衬底。此外，在有源矩阵衬底上形成了的标记与在相对衬底上形成了的标记重叠地进行位置对准之后，可以形成在这些衬底之间具有液晶材料的液晶显示面板。此外，涉及液晶显示面板的结构，在实施方式3中进行详细地说明。

通过使用通过本实施方式所示的方法来制造在有源矩阵衬底上的标记，可以不需要新的工序地实现有源矩阵衬底和相对衬底的高精确度的位置对准。

实施方式3

在本实施方式中，将参照图7A和7B对本发明的液晶显示面板的结构进行说明。图7A为在有源矩阵衬底701和相对衬底702之间夹着液晶材料的液晶面板的俯视图。图7B相当于沿着图7A的A-A’切割的剖视图。此外，将在实施方式1或 实施方式2中所说明的有源矩阵衬底用作有源矩阵衬底701。

在图7A中，由虚线围绕的705为像素部分，并且706为驱动电路部分。在本实施方式中，像素部分705形成在由密封剂703包围的区域中，而驱动电路部分506安装在该区域之外。

用于密封有源矩阵衬底701和相对衬底702的密封剂703含有用于保持封闭空间的间隔的间隙材料(gap material)。在由这些围绕的空间中填充有液晶材料。此外，在图7A中示出如下情况；将有源矩阵衬底701和相对衬底702以密封剂703来贴合在一起之后，在有源矩阵衬底701与相对衬底702之间注入液晶材料，而由密封剂704来密封。但是本发明不局限于所述方法，也可以采用有源矩阵衬底701与相对衬底702中任何一个衬底上滴下液晶材料之后将有源矩阵衬底701与相对衬底702贴合在一起的方法(ODF法)。

接着，将使用图7B说明截面结构。在形成有源矩阵衬底701的第一衬底707上形成有像素部分705，该像素部分705包括以TFT为典型的多个半导体元件。在本实施方式中，安装在衬底上的驱动电路部分706包括源极线驱动电路和栅极线驱动电路。

像素部分705包括多个像素，并且作为像素电极的第一电极711通过布线电连接到驱动TFT713。此外，在像素部分705中提供多个第一标记714，该第一标记714是当贴合相对衬底702时用于位置对准的。此外，在第一电极711，驱动TFT713，以及第一标记714上形成了定向膜715。

另外，在形成相对衬底702的第二衬底708上形成了遮光膜716，着色层(彩色滤光片)717，第二标记718，以及作为相对电极的第二电极719。此外，在第二电极719上形成了定向膜720。

此外，在本实施方式所示的液晶显示面板中，在有源矩阵衬底701上形成了的第一电极711和在相对衬底702上形成了的第二电极719之间夹着液晶层712的部分为液晶元件710。

此外，标号721为柱状间隔物，该间隔物是为了控制有源矩阵衬底701和相对衬底702之间的距离(单元间隙)而提供的。将绝缘膜蚀刻成所要求的形状来形成间隔物721。此外，还可以使用球状间隔物。

供给到像素部分705和驱动电路部分706的各种信号和电位，通过连接布线722从FPC 723供给。连接布线722与FPC 723，通过各向异性导电膜或各向异性导电树脂724彼此电连接。此外，可以使用焊接剂或银膏等的导电膏而代替各向异 性导电膜或各向异性导电树脂。

虽然没有示出于图上，但在有源矩阵衬底701及相对衬底702的一方或双方的表面上由粘合剂固定有偏振片。此外，除了偏振片之外还可以提供相位差板。

在上述说明的液晶显示面板中，首先，通过使用本发明在有源矩阵衬底上形成了的第一标记与在相对衬底上形成了的第二标记重叠地进行位置对准，再将该有源矩阵衬底和相对衬底贴合在一起。此外，因为通过不增加新的工序地可以形成这些标记(第一标记，第二标及)，所以可以提供容易实现高精确度的位置对准的液晶显示面板。

实施方式4

在本实施方式中，将使用图8A至8C说明在本发明的液晶显示面板上驱动电路的安装方法。

在图8A的情况下，源极线驱动电路802以及栅极线驱动电路803a、803b安装在像素部分801的***。即，通过用众所周知的各向异性导电粘合剂以及各向异性导电薄膜的安装方法、COG方式、引线键合方法、以及用焊接凸块的回流处理等在衬底800上安装IC芯片805，而可以安装源极线驱动电路802以及栅极线驱动电路803a、803b等。此外，IC芯片805通过FPC(柔性印刷电路)806与外部电路连接。

此外，也可以将源极线驱动电路802的一部分，例如模拟开关一体地形成在衬底上，并且使用IC芯片分别安装其它部分。

此外，在图8B的情况下，将像素部分801、栅极线驱动电路803a、803b等一体地形成在衬底上，并且使用IC芯片另外安装源极线驱动电路802等。也即说，通过COG方式等安装方法，在一体地形成有像素部分801和栅极线驱动电路803a、803b等的衬底800上安装IC芯片805，由此安装源极线驱动电路802等。此外，IC芯片805通过FPC 806与外部电路连接。

此外，可以将源极线驱动电路802的一部分，例如模拟开关一体地形成在衬底上，并且使用IC芯片分别安装其他部分。

而且，在图8C的情况下，通过TAB方式安装源极线驱动电路802等。此外，IC芯片805通过FPC 806与外部电路连接。在图8C中，通过TAB方式安装源极线驱动电路802等，然而，也可以通过TAB方式安装栅极线驱动电路等。

当通过TAB方式安装IC芯片805时，对于衬底可以提供较大的像素部分， 因而，可以实现窄框化。

此外，还可以安装IC形成在玻璃衬底上的IC(以下写为驱动IC)以代替IC芯片805。由于IC芯片805从圆形的硅片中取出IC芯片，所以对母体衬底的形状有限制。另一方面，驱动IC的母体衬底为玻璃，对其形状没有限制，所以可以提高生产率。因此，可以任意设定驱动IC的形状和尺寸。例如，当形成长边具有15至80mm的长度的驱动IC时，与安装IC芯片的情况相比可以减少所必需的数量。结果，可以减少连接端子的数量，从而提高制造时的成品率。

驱动IC可以使用形成在衬底上的结晶半导体而形成，结晶半导体优选通过辐照连续振荡型的激光束来形成。通过辐照连续振荡型的激光束而获得的半导体膜，结晶缺陷少，并具有大颗粒的晶粒。结果，具有这种半导体膜的晶体管的迁移率和响应速度良好，能够执行高速驱动，因此适合于驱动IC。

通过以上所示的安装方法来安装驱动电路的液晶显示面板使用标记来进行高精确度的位置对准，该标记是通过本发明而在有源矩阵衬底701上形成了的第一标记和在相对衬底702上形成了的第二标记。因而，在安装驱动电路的情况下，也可以提供可见度高的液晶显示面板。

实施方式5

在本实施方式中，将使用图9的剖视图，对液晶模块进行说明。该液晶模块是通过将电源电路和控制器等的外部电路连接到通过执行实施方式1至4而形成的本发明的液晶显示面板来形成的，并且它用白色光进行彩色显示。

如图9所示，有源矩阵衬底901和相对衬底902由密封剂903固定并接合，并且在其之间提供液晶层905以形成液晶显示面板。

另外，形成在有源矩阵衬底901上的着色膜906是当进行彩色显示时所必需的。在RGB方式的情况下，相对于每个像素提供对应于红、绿和蓝每种颜色的着色膜。在有源矩阵衬底901和相对衬底902的内侧形成定向膜918和919。在有源矩阵衬底901和相对衬底902的外侧设置偏振片907和908。另外，在偏振片907的表面上形成保护膜909，以减轻来自外部的冲撞。

提供在有源矩阵衬底901的连接端子910通过FPC 911与布线衬底912连接。在布线衬底912中组合有像素驱动电路(IC芯片、驱动IC等)以及外部电路913诸如控制电路或电源电路等。

冷阴极管914、反射板915、光学薄膜916、以及反相器(未图示)为背景光 单元，通过使用它们作为光源，将光投射到液晶显示面板上。由框架(bezel)917保持和保护液晶显示面板、光源、布线衬底912、FPC 911等。

以上所示的液晶模块由液晶显示面板形成，该液晶显示面板使用标记来进行高精确度的位置对准，该标记是通过本发明而在有源矩阵衬底701上形成了的第一标记和在相对衬底702上形成了的第二标记。因此，在形成模块的情况下，也可以实现可见度高的显示。

实施方式6

将对使用标记来进行高精确度的位置对准的方法进行说明，该标记是通过本发明而在有源矩阵衬底上形成了的第一标记和在相对衬底上形成了的第二标记。

当将有源矩阵衬底与相对衬底贴合在一起时，通过CCD相机或光学显微镜描出每个这两个衬底的全数或任意个数的标记的每一个，在一个衬底上的标记与在为对应于它形成的另一个衬底上的标记重叠地进行有源矩阵衬底和相对衬底的位置对准。此外，在这种情况下，分别地获得衬底的图像信息(包括x轴，y轴和z轴方向的位置信息)之后，计算贴合的位置而贴合在一起。但在向z轴方向固定有源矩阵衬底和相对衬底的状态下，也可以从相对衬底一侧由CCD相机或光学显微镜来确认标记(第一标记和第二标及)的重叠状态，并且将任何一个或这两个衬底移动于在x，y轴方向来进行位置对准。

此外，在部分地发生标记的偏移的情况下，计算标记的平均位置并且对x轴和y轴方向适当地进行微调整之后，进行位置对准即可。此外，同时也可以检测尘埃，污染物及布线的短路而进行处理。在这种情况下，由CCD等的一扫描，可以获得两种信息。

而且，通过贮存母玻璃的图案偏移或不良地方的信息，并送到为了管理工序的数据库，可以反馈给整个工序，并且可以提高生产成品率。

实施方式7

作为具有本发明的液晶显示器件等的显示器件的电子设备，可以举出电视装置(有时只称之为电视或电视接收机)、数码相机、数码摄像机等的相机、电话装置(有时只称之为移动电话机或电话)、PDA等信息终端、游戏机、用于计算机的监视器、计算机、汽车音响或MP3播放器等声音再现装置、以及家用游戏机等的具有记录介质的图像再现装置等。将参照图10A至10E说明其优选的方式。

图10A中所示的电视装置包括主体8001、显示部分8002等。对于该显示部分8002可以适用本发明的液晶显示器件等的显示器件。此外，本发明的液晶显示器件等的显示器件因为使用如下液晶显示面板，由此，可以提供一种能够实现可见度高的图像显示的电视装置。该显示面板是由通过不增加新的工序地形成的用于位置对准的标记来高精确度地贴合的。

图10B中所示的便携式信息终端设备包括主体8101、显示部分8102等。对于该显示部分8102可以适用本发明的液晶显示器件等的显示器件。此外，本发明的液晶显示器件等的显示器件因为使用如下液晶显示面板，由此，可以提供一种能够实现可见度高的图像显示的便携式信息终端设备。该显示面板是由通过不增加新的工序地形成的用于位置对准的标记来高精确度地贴合的。

图10C中所示的数码摄像机包括主体8201、显示部分8202等。对于该显示部分8202可以适用本发明的液晶显示器件等的显示器件。此外，本发明的液晶显示器件等的显示器件因为使用如下液晶显示面板，由此，可以提供一种能够实现可见度高的图像显示的数码摄像机。该显示面板是由通过不增加新的工序地形成的用于位置对准的标记来高精确度地贴合的。

图10D中所示的电话机包括主体8301、显示部分8302等。对于该显示部分8302可以适用本发明的液晶显示器件等的显示器件。此外，本发明的液晶显示器件等的显示器件因为使用如下液晶显示面板，由此，可以提供一种能够实现可见度高的图像显示的电话机。该显示面板是由通过不增加新的工序地形成的用于位置对准的标记来高精确度地贴合的。

图10E中所示的液晶监视器包括主体8401、显示部分8402等。对于该显示部分8402可以适用本发明的液晶显示器件。此外，本发明的液晶显示器件因为使用如下液晶显示面板，由此，可以提供一种能够实现可见度高的图像显示的液晶监视器。该液晶显示面板是由通过不增加新的工序地形成的用于位置对准的标记来高精确度地贴合的。

这样，因为将使用如下液晶显示面板等的显示面板用于本发明的液晶显示器件等的显示器件，并且它使用于该显示部分，由此，可以提供一种能够实现可见度高的图像显示的电子设备。该液晶显示面板等的显示面板是由通过不增加新的工序地形成的用于位置对准的标记来高精确度地贴合的。

本说明书根据2005年2月28日在日本专利局受理的日本专利申请编号2005-055197而制作，所述申请内容包括在本说明书中。

Claims (27)

1.一种显示器件，包括：

在彼此对向设置的一对衬底中的一个上形成并设置在像素中的图案和布线；以及

在所述一对衬底中的另一个上形成并具有与所述图案在同一位置中彼此相对的开口部分的遮光膜，

其中，所述图案完全地形成在所述布线上。

2.一种显示器件，包括：

在彼此对向设置的一对衬底中的一个上形成并设置在像素中的布线和多个图案；以及

在所述一对衬底中的另一个上形成并具有与所述图案在同一位置中彼此相对的多个开口部分的遮光膜，

其中，所述图案完全地形成在所述布线上。

3.一种显示器件，包括：

在彼此对向设置的一对衬底中的一个上形成的布线、薄膜晶体管、像素电极和图案；以及

在所述一对衬底中的另一个上的相对电极以及遮光膜，所述遮光膜具有与所述图案在同一位置中彼此相对的开口部分，

其中，所述图案完全地形成于所述布线上，所述布线与所述像素电极部分地重叠。

4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于：

所述像素电极的一部分与所述布线在所述像素电极与所述图案不重叠的位置中重叠。

5.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于：

一反射性导电膜形成于所述像素电极的一部分上，且所述反射性导电膜与所述图案不重叠。

6.根据权利要求5所述的显示器件，其特征在于：

所述反射性导电膜被形成为其面积等于或小于所述像素电极的面积的50％。

7.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于：

所述图案是使用与所述薄膜晶体管中包含的沟道形成区相同的半导体膜而形成的。

8.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于：

所述图案包括含有硅或硅-锗作为其主要成分的非晶半导体或结晶半导体。

9.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于：

所述图案包括含有硅或硅-锗作为其主要成分的非晶半导体或结晶半导体。

10.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于：

所述图案包括含有硅或硅-锗作为其主要成分的非晶半导体或结晶半导体。

11.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于：

所述图案是具有十字形、四边形、以及圆形中的任一种的标记。

12.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于：

所述图案是具有十字形、四边形、以及圆形中的任一种的标记。

13.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于：

所述图案是具有十字形、四边形、以及圆形中的任一种的标记。

14.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于：

所述开口部分具有对于所述图案的相似比为1或更大的相似形状。

15.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于：

所述开口部分具有对于所述图案的相似比为1或更大的相似形状。

16.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于：

所述开口部分具有对于所述图案的相似比为1或更大的相似形状。

17.一种显示器件，包括：

在第一衬底上形成并设置在像素中的布线、薄膜晶体管、像素电极和图案；以及

在第二衬底上形成的遮光膜，

其中，所述遮光膜具有对应于所述像素电极的第一开口部分和对应于所述图案的第二开口部分，以及

其中，所述图案完全地形成在所述布线上。

18.一种显示器件，包括：

在第一衬底上形成并设置在像素中的布线、薄膜晶体管和图案；以及

在第二衬底上形成的遮光膜，

其中，所述遮光膜具有：用于显示的第一开口部分，和第二开口部分；以及

其中，所述图案与所述第二开口部分重叠，以及

其中，所述图案完全地形成在所述布线上。

19.一种显示器件，包括：

在第一衬底上形成并设置在像素中的布线、薄膜晶体管和图案；以及

在第二衬底上形成的遮光膜，

其中，所述图案与所述薄膜晶体管中包括的膜形成于同一表面上，

其中，所述遮光膜具有：用于显示的第一开口部分，和第二开口部分；以及

其中，所述图案与所述第二开口部分重叠，以及

其中，所述图案完全地形成在所述布线上。

20.根据权利要求17所述的显示器件，其特征在于：

所述图案和所述第二开口部分具有相同的范围。

21.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于：

所述显示器件是液晶显示器件。

22.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于：

所述显示器件是液晶显示器件。

23.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于：

所述显示器件是液晶显示器件。

24.根据权利要求17所述的显示器件，其特征在于：

所述显示器件是液晶显示器件。

25.根据权利要求18所述的显示器件，其特征在于：

所述显示器件是液晶显示器件。

26.根据权利要求19所述的显示器件，其特征在于：

所述显示器件是液晶显示器件。

27.一种显示器件的制造方法，包括以下工序：

在第一衬底上形成位于像素中的布线、薄膜晶体管和图案；

在第二衬底上形成具有第一开口部分和第二开口部分的遮光膜；以及

使用所述图案和所述第二开口部分用于位置对准来贴合所述第一衬底和所述第二衬底，以使所述第一衬底的像素电极与所述第二衬底的第一开口部分重叠，

其中，所述位置对准是通过使所述第一衬底的图案与所述第二衬底的第二开口部分重叠而进行的，以及

其中，所述图案完全地形成在所述布线上。

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