CN1963988A - 高压放电灯以及照明装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种无汞高压放电灯,其第1卤化物包含铥卤化物作为发光金属,易于制造,且寿命特性优良,而且发光效率及电特性优良。上述高压放电灯的电离介质的构成是,包含第1卤化物、第2卤化物以及稀有气体,且实质上不含汞,其中第1卤化物是主要在可见区发光的金属卤化物,包含至少含有溴化物的铥(Tm)卤化物,第2卤化物主要造成灯电压形成作用,且主体包含选自规定群组中的一种或多种金属卤化物。
Description
技术领域
本发明涉及一种实质上不含汞的高压放电灯(high pressuredischarge lamp)以及使用此高压放电灯的照明装置。
背景技术
现在已经知道有实质上不含汞的金属卤化物灯(metal halide lamp)(参照日本专利特开平11-238488号公报。)。日本专利特开平11-238488号公报中所述的金属卤化物灯,取代汞,使蒸气压(vapor pressure)相对较大、且与第1卤化物(halogenide)的金属相比更难以在可见区发光的金属卤化物作为第2卤化物,将主要进行可见区发光的金属卤化物作为第1卤化物,一同封入。
并且,在日本专利特开平11-238488号公报中,记载有如下用于液晶投影机(liquid crystal projector)的金属卤化物灯,即,作为实施形态1,电极间距离为4mm,且分别封入有1 mg的碘化镝(DyI3)及1mg的碘化钕(NdI3)作为第1卤化物、500Torr的氩(Ar)作为稀有气体(raregas),并以150W的输入功率点亮。在该实施形态中,当封入有例如8mg的碘化锌(ZnI2)作为第2卤化物时,灯电压为73V,发光效率为68lm/W,色温(color temperature)为9160K。
另外,在日本专利特开平11-238488号公报中记载有如下金属卤化物灯,即,作为实施形态8,电极间距离为30mm,且分别封入有溴化镝(DyBr3)、溴化钬(HoBr3)以及溴化铥(TmBr3)各4mg作为第1卤化物、100Torr的氩(Ar)作为稀有气体,并以输入功率2kW点亮。在该实施形态中,当封入例如30mg的碘化锌(ZnI2)作为第2卤化物时,灯电压为112V,发光效率为92lm/W,色温为5340K,平均显色指数(color rendering index)为Ra73。
另一方面,现在已经知道可获得如下的高压放电灯,即,通过将Na、Tl、In及Tm的卤化物的封入质量比规定在规定范围内,而封入汞以作为发光效率、光色以及寿命特性优良的缓冲气体(buffer gas)(例如,参照例如日本专利特开2004-349242号公报。)。
根据日本专利特开平11-238488号公报所述的发明,已获得一种不使用环境负荷(environmental load)大的汞、且具有与封入有汞的现有金属卤化物灯大致相同的电特性及发光特性的金属卤化物灯。然而,仍期待出现一种实质上不使用汞、并具有现有程度或现有程度以上的发光效率的金属卤化物灯。
将钠(Na)作为高效产生白色系发光的物质,与例如钪(Sc)或稀土金属(rare-earth metal)并用,已为人所知,但仅使用钠仍然无法充分提高效率。并且,如果封入钠,将产生灯电压降低的弊病。因此,为了进一步提高效率,无论是否有钠,都必须提高最冷部温度。
然而,由于受到构成发光管的气密容器的耐热性或钠的其他反应性等各种各样的限制,所以大幅度地提高发光效率较困难。不仅如此,当在未封入汞的金属卤化物灯(以下为方便起见,称作“无汞灯”。)的情况时,钠尽管有助于提高发光效率,但却成为电极间的电位梯度(potentialgradient)降低的主要原因,从而成为导致灯电压方面降低的主要原因。如上所述,当放电介质包含较多钠时,由于灯电压降低,所以为了输入所期望的灯功率,而必须增加灯电流。如此一来,就存在不仅增大电极轴径等电极或气密容器的设计变得困难,而且稳定器(stabilizer)的设计也变得困难的问题。
然而,日本专利特开平11-238488号公报的情况时,尽管可获得具有与现有的金属卤化物灯大致相同的电特性及发光特性的金属卤化物灯,然而发光效率与封入有汞的金属卤化物灯的程度相等。
另一方面,日本专利特开2004-349242号公报的情况时,由于以使用汞作为缓冲气体为前提,所以无汞灯无法获得如所述般良好的灯特性。
在无汞的高压放电灯中,铥(Tm)适合作为发光金属。铥的明线光谱(bright line spectrum)在发光度曲线(luminosity curve)的峰值波长(peak wavelength)附近存在无数个,且在较峰值波长短的短波长侧,也适度存在着光谱。然而,当是在高压放电灯中不断使用的碘化物形态的情况时,碘化铥由于其熔点高达1030℃,所以为了获得铥的明线光谱,而必须升高发光管温度,以使得与熔点相称。
然而,如果如上所述升高发光管温度,给高压放电灯的寿命特性造成的影响将变得不可忽视。并且,由于碘化铥无法以单质而粒化(pelletization),所以给高压放电灯的制造带来困难。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种第1卤化物中包含铥卤化物作为发光金属、易于制造、且寿命特性优良、并且发光效率及电特性优良的无汞高压放电灯以及使用此灯的照明装置。
本发明的高压放电灯的特征在于,具备:透光性气密容器,内部具有放电空间;一对电极,封装在透光性气密容器中,且面对放电空间;以及电离介质(ionization medium),封入于透光性气密容器内,且此电离介质在构成上是包含第1卤化物、第2卤化物以及稀有气体,且实质上不含汞,其中第1卤化物是主要在可见区发光的金属卤化物,包含至少含有溴化物的铥(Tm)卤化物,第2卤化物主要造成灯电压形成作用,且主体包含选自镁(Mg)、铁(Fe)、钴(Co)、铬(Cr)、锌(Zn)、镍(Ni)、锰(Mn)、铝(Al)、锑(Sb)、铋(Bi)、铍(Be)、铼(Re)、镓(Ga)、钛(Ti)、锆(Zr)以及铪(Hf)的群组中的一种或多种金属卤化物。
(关于第1卤化物)
第1卤化物是主要在可见区发光的金属卤化物。在本发明中,第1卤化物包含铥(Tm)卤化物,且该铥(Tm)卤化物至少含有溴化铥。通过含有溴化铥,而将如下所示,发挥特殊的作用、效果。
铥(Tm)如上所述,在发光度曲线的峰值附近存在无数的明线光谱,且在短波长侧也适度存在着光谱,而该发光的峰值与发光度曲线的峰值一致,所以可以说,铥对高压放电灯的发光效率的提高是极其有效的发光金属。
本发明人发现,当是溴化铥的情况时,不存在上述问题。即,溴化铥的熔点是952℃,且可以单质而粒化。溴化铥不仅以此单质而粒化,而且混合有碘化铥时也可粒化。因此,制造工艺变容易。
另外,溴化铥的熔点如上所述,是952℃,明显比碘化物的熔点低。由于当溴化铥的熔点低时,即使在该低温下蒸气压也将升高,所以可比只有碘化铥的情况时更有效地利用铥的明线光谱。并且,由于随之可降低发光管的动作温度,从而降低透光性气密容器的动作温度,所以也可改善高压放电灯的寿命特性。
并且,第1卤化物除铥(Tm)卤化物以外,还可根据需要,封入铊(Tl)以及碱金属,例如钠(Na)等金属卤化物。通过封入铊(Tl)卤化物,可有助于进一步提高发光效率。并且,通过封入碱金属卤化物,可抑制点亮过程中的放电电弧(discharge arc)的弯曲,并可减少透光性气密容器的白浊(white turbidity)现象。
另外,第1卤化物,可将除铥(Tm)卤化物以外、根据需要而封入的金属卤化物的金属,限定于电离电位(ionization potential)大于等于5.4eV的金属。由此,可避免高压放电灯的电极间的电位梯度的降低。
(关于第2卤化物)
第2卤化物是主要有助于灯电压形成作用的卤化物。在本发明中,第2卤化物以选自镁(Mg)、铁(Fe)、钴(Co)、铬(Cr)、锌(Zn)、镍(Ni)、锰(Mn)、铝(Al)、锑(Sb)、铋(Bi)、铍(Be)、铼(Re)、镓(Ga)、钛(Ti)、锆(Zr)以及铪(Hf)的群组中的一种或多种金属卤化物为主体。
(关于本发明的其他实施例)
1.电离介质以如下方式构成,即,当将铥(Tm)卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为A(%),将第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为B(%)时,封入质量比A及B分别满足下式:
30<A<90
0<B<20。
本实施例规定了铥(Tm)卤化物相对于所有卤化物的封入质量比A(%)及第1卤化物相对于所有卤化物的封入质量比B(%)的优选的第1范围。
如果铥(Tm)卤化物相对于所有卤化物的封入质量比A小于等于30%,则发光效率将不充分,所以不佳。并且,如果上述封入质量比A大于等于90%,则第1卤化物中的其他卤化物的封入量将变得过少,使例如白浊等不良现象增加,所以不佳。
第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比B(%)满足数式0<B<20,意味着第2卤化物的封入量较少。然而,当不封入第2卤化物、即封入质量比为0%时,由于无法利用取代汞的灯电压形成作用,所以电位梯度变小,从而灯电压将过低。并且,如果第2卤化物的封入质量比B超过20%,发光效率将显着降低,所以将不适合于以提高发光效率到所期望的程度为目的的情况。
如此一来,根据第1实施例,由于第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比B(%)的容许范围为较小的值,所以可获得发光效率优良的高压放电灯。
2.电离介质以如下方式构成,即,作为以用于投影机用的短弧(shortarc)形高压放电灯为前提且使高电位梯度为最优先的灯规格(容许效率降低某种程度的规格),当将铥(Tm)卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为A(%),将第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为B(%)时,封入质量比A及B分别满足下式:
50<A+B<95
20≤B<90。
本实施例规定了铥(Tm)卤化物相对于所有卤化物的封入质量比A(%)、及第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比B(%)的第2优选范围。在本实施例中,如果根据上述2式,求出铥(Tm)卤化物的封入质量比A(%),则将成为满足数式5<A<75的范围。然而,优选的是数式30<A<75。该数式的数值限定理由与第1实施例中的相同,然而封入质量比B的上限值大为降低。
铥(Tm)卤化物的封入质量比A(%)与第2卤化物的封入质量比B(%)之和A+B满足数式50<A+B<95,意味着在第1卤化物中可添加除铥(Tm)卤化物以外的金属卤化物。作为此类金属卤化物,例如有铊(Tl)及碱金属等的卤化物。
第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比B(%)满足数式20≤B<90,意味着第2卤化物的封入质量比相对较大。然而,如果第2卤化物的封入质量比B未满20%,则无法将一对电极间的电位梯度升高到作为短弧形灯所期望的程度,从而无法将高压放电灯的灯电压升高到作为短弧形灯所期望的程度。并且,如果第9的卤化物的封入质量比B超过90%,则发光效率将显着降低。
如此一来,在第2实施例中,因第2卤化物的封入质量比相对较大,所以电位梯度相对较大,换言之,灯电压相对变高,因而可获得电特性优良的无汞高压放电灯。从而,可获得实用性短弧形的高压放电灯。
3.电离介质以如下方式而构成,即,当将溴化铥(Tm)相对于所有卤化物的封入质量比设为C(%)时,封入质量比C满足下式:
5<C<60。
本实施例规定了溴化铥(Tm)所适合的封入质量比的范围。另外,本实施例也可应用在第1及第2实施例中的任一个中。
如果溴化铥(Tm)的封入质量比C未满5%,则通过封入铥(Tm)卤化物而获得的发光效率提高的效果将不充分。并且同样,如果超过60%,则对电极造成很大的损伤,从而有损高压放电灯的寿命特性。另外,根据需要,可附加第1或第2实施例。
如此一来,根据第3实施例,本发明中,可充分获得在通过封入溴化铥(Tm)而形成的上述效果。
4.电离介质可在第1卤化物中添加电离电位大于等于5.4eV的金属卤化物。另外,可根据需要,附加第1至第3实施例中的任一个。
如此一来,根据第4实施例,由于避免电位梯度的降低变得容易,所以确保与封入汞的高压放电灯同等的灯电压变得容易。因此,可获得电极设计以及镇流器(ballast)亦即点亮电路的设计变得容易的无汞高压放电灯。
本发明的照明装置,其特征在于具备:照明装置本体;发明的第一项至第四项中任一项所述的高压放电灯,配设于照明装置本体;以及点亮电路,点亮高压放电灯。
在本发明中,照明装置是包括使用高压放电灯作为光源的所有装置的广泛概念,而照明器具本来就包括例如显示装置或化学反应装置等。
照明装置本体是指,从照明装置中除去高压放电灯及点亮电路的剩余的部分。
根据本发明,可提供一种无汞高压放电灯以及使用此无汞高压放电灯的照明装置,上述无汞高压放电灯通过封入电离介质,使得铥卤化物的粒化成为可能,从而制造工艺容易,且寿命特性优良,而且发光效率及电特性亦优良,其中上述电离介质的第1卤化物包含至少含有溴化物的铥卤化物,第2卤化物以选自上述规定群组中的一种或多种金属卤化物为主体。
附图说明
图1是表示用来实施本发明的高压放电灯的第1形态的正视图。
图2是表示在本发明的实施例1的构成中,当改变相对于所有卤化物的溴化铥TmBr3的封入质量比变化时造成电极损伤度的程度的图表。
图3是表示点亮本发明的高压放电灯的高压放电灯点亮装置的一形态的电路方框图。
图4是表示作为用来实施本发明的照明装置的一形态的汽车前照灯的概念的侧视图。
1:气密容器 1a:包围部
1b:密封部 1c:放电空间
1d:密封管 2:电极
3:封接金属箔 4A、4B:引入线
5:缩径部 11:前照灯本体
11a:反射镜 11b:透镜
12:高压放电灯点亮装置 12A:主点亮电路
12B:启动器 13:汽车前照灯用高压放电灯
B:灯口 BUT:升压斩波器
DC:直流电源 FBI:全桥式变换器
IG:点火器 IT:发光管
MHL:高压放电灯 OT:外管
T:绝缘管 t1:灯口端子
具体实施方式
以下参照图示,说明用以实施本发明的形态。
图1是表示用以实施本发明的高压放电灯的第1形态的正视图。本形态是作为本发明的一应用例的用于汽车前照灯的高压放电灯,在图中,高压放电灯MHL由发光管IT、绝缘管T、外管OT以及灯口B构成,且被水平点亮。
发光管IT由透光性气密容器1,一对电极2、2,封接金属箔3,一对引入线4、4以及电离介质构成。
透光性气密容器1,只要是具备可足以承受高压放电灯MHL的通常工作温度的耐火性的材料,且该材料可将通过放电而产生的所期望的波段(wavelength band)的可见光导出至外部,则任何此种材料均可用来制作。例如,可使用石英玻璃(quartz glass)及透光性陶瓷(translucentceramics)等。另外,作为透光性陶瓷,可使用透光性氧化铝,YAG(yttriumaluminum garnet,钇-铝-石榴石),氧化钇(YOX),多晶非氧化物,例如铝氮化物(AlN)等多晶或单晶的陶瓷等。另外,根据需要,容许在透光性气密容器1的内面形成耐卤性或耐金属性的透明被覆膜,或对透光性气密容器1的内面进行改质。
并且,透光性气密容器1在其内部具有放电空间1c。而且,为了包围放电空间1c,透光性气密容器1具备有包围部1a。包围部1a使形成在其内部的放电空间1c形成为适当的形状,例如球状、椭圆球状、近似圆柱状等形状。放电空间1c的容积根据高压放电灯MHL的额定灯功率(rated lampwattage)、电极间距离等,可选择各种各样的值。例如,当是用于液晶投影机的灯的情况时,可设为小于等于0.5cc。当是用于汽车前照灯的灯的情况时,可设为小于等于0.1cc。并且,当是用于一般照明的灯的情况时,根据额定灯功率,设为大于等于1cc及小于等于1cc中的任一项均可。
并且,容许在包围部1a的两端具备有一对密封部1b、1b。密封部1b密封着包围部1a,并将下述电极2的轴部支承于此,且密封部1b是一种有助于将电流从未图示的点亮电路气密地导入电极2的元件,通常配设在包围部1a的两端。
如图示的形态,当透光性气密容器1的材质由石英玻璃构成时,密封部1b在其内部填充石英玻璃,且气密地埋设有封接金属箔3。密封部1b密封着包围部1a,并将下述电极2的轴部支承于此,且密封部1b是一种有助于将电流从点亮电路气密地导入电极2的元件。在封接金属箔3的放电空间1c侧的端部焊接有电极2的基端,而在另一端焊接有引入线4。另外,封接金属箔3是如下作用的元件,即,气密地埋设在密封部1b的内部,有助于密封部1b维持透光性气密容器1的包围部1a的内部的气密性,同时一方面与密封部1b联动,一方面作为电流导通导体而发挥作用。而且,作为材料,当透光性气密容器1由石英玻璃构成时,以钼(Mo)最为合适。将封接金属箔3埋设于密封部1b的方法无特别限定,但可从例如减压密封法、收缩密封(pinch seal)法以及上述多个方法的组合法等中适当选择来加以采用。
另外,在图中,形成左方的密封部1b后,将密封管1d不切断地从密封部1b的端部开始整体地延长,延伸至灯口B内。
另一方面,作为当透光性气密容器1由透光性陶瓷构成时的密封方法,可采用例如将玻璃料(frit)流入并密封于透光性陶瓷与导入导体之间的玻璃料密封、或利用与透光性气密容器1或供电导体同质材料的熔接来密封的技术等。
并且,由于一面将透光性气密容器1的密封部1b保持在所需要的较低温度,一面将形成在透光性气密容器1内的最冷部温度维持在所期望的较高温度,所以可形成与包围部1a连通的小径筒部。当在如此构造的情况时,通常将密封部1b配设在小径筒部的端部部分,并使电极轴在小径筒部内延伸,且在电极轴与小径筒部的内面之间,沿小径筒部的轴方向形成称作毛细管(capillary)的微小间隙。另外,电极2的基端与供电导体亦即引入线连接。
一对电极2、2封装在透光性气密容器1中,并以其前端间隔着放电空间1c以相面对的方式而配设着。在一对电极2、2之间所形成的电极间距离,当在液晶投影机等的情况时,优选小于等于2mm,而为0.5mm的距离也可。用作前照灯时,中心值标准化为4.2mm。当用于一般照明的灯的情况时,如果体形小且电极间距离小,则可设定为小于等于6mm,如果体形中等或体形大,则可设定为大于等于6mm。
并且,作为电极2的构成材料,可使用具有耐火性及导电性的金属而形成,例如纯钨(W)、含有掺杂剂(例如选自钪(Sc)、铝(Al)、钾(K)以及硅(Si)等群组中的一种或多种)的掺杂钨(doped tungsten)、含有氧化钍的敷钍钨(thoriated tungsten)、铼(Re)或钨-铼(W-Re)合金等。
另外,当是体形小的灯的情况时,可使用直棒状的盘条(wire rod)或前端部形成有径大部的盘条作为电极2。当是体形中等或体形大的电极2的情况时,可在电极轴的前端部缠绕电极构成材料制成的线圈等。另外,一对电极2、2,当在交流电中工作时,设为相同构造,但当在直流电中工作时,通常阳极因温度上升急剧,而与阴极相比时散热面积更大,因此可使用主体较粗者。
在图中所示的形态中,电极2的整个轴方向的前端部、中间部以及基端部的轴部直径相同,且前端部及中间部的一部分露出至放电空间1c内。并且,将电极1b的基端部焊接于埋设在密封部1b的下述封接金属箔3的放电空间1c侧的端部,并且将中间部通过用密封部1b松弛地支承着而配设在气密容器1的规定位置。
封接金属箔3如上所述,由钼箔构成。
一对引入线4A、4B,其基端侧从密封部1b的端部向外部导出。在图中,从发光管IT向右方导出的引入线4A,其中间部沿着下述外管OT折回而导入至下述灯口B内,且与配设在灯口B的外周面且呈环状的灯口端子t1连接。并且,在图中,从发光管IT向左方导出的引入线4B,沿着管轴延伸而导出至灯口B内,并与未图示的配设在中央的且呈针状的另一个灯口端子连接。
电离介质如上所述,是本发明的特征的构成部分,其包含第1卤化物、第2卤化物以及稀有气体,但实质上不含汞。
第1卤化物的构成是,包含至少含有溴化物、即溴化铥、的铥(Tm)卤化物。
第2卤化物的构成是,以选自上述规定群组中的一种或多种金属卤化物为主体。上述铥(Tm)卤化物以及锌(Zn)卤化物的封入量如以下说明,作为优选的一构成例,被规定于第1规定范围内。
即,在第1形态中,规定范围是在如下范围内,即,当将相对于被封入的所有卤化物的铥(Tm)卤化物的封入质量比设为A(%),将第2卤化物的封入质量比设为B(%)时,封入质量比A以及B同时满足数式30<A<90以及数式0<B<20。
稀有气体作为启动气体以及缓冲气体而起作用,可将氙(Xe)、氩(Ar)以及氖(Ne)等群组中的一种单独封入,或将多种混合而封入。稀有气体的充入压力(charged pressure)可根据高压放电灯的用途而适当设定。
在稀有气体中,氙由于其原子量比其他稀有气体大,故热导率(thermalconductivity)相对较小,所以通过封入大于等于0.6气压,优选的是封入大于等于5气压的氙,将有助于点亮之后不久的灯电压形成,并且有助于在卤化物的蒸气压较低的阶段进行白色的可见光放射,使光束上升,因此,当是前照灯用的高压放电灯的情况时,以氙较为有效。当该情况时,氙的优选封入压是大于等于6气压,更优选的是8~16气压的范围。因此,可有助于从点亮之后不久开始的光束上升以及光色上升,并从点亮之后不久开始,满足作为汽车前照灯用的HID光源的白色发光的标准。
完全不含汞(Hg)有利于减少环境负荷物质,然而含有若干杂质的汞也是容许的。
外管OT具备防紫外线(ultraviolet protection)功能,且在内部收纳有发光管IT,两端的缩径部5(在图中,仅表示出右方的一端。)与发光管IT的密封部1b以玻璃焊接着。然而,外管OT的内部并非是气密的,而与外部空气连通。
绝缘管T由陶瓷软管构成,且包覆着引入线4。
灯口B是作为用于汽车前照灯而被标准化者,且沿中心轴竖直地支承着发光管IT及外管OT,且以可装卸的方式安装在汽车前照灯的背面。并且,灯口B的构成是具备有两个灯口端子,其中一个灯口端子t1以在安装时可与电源侧的灯插座(未图示。)连接的方式而成为配设在筒状部的外周面的环状,而另一个灯口端子则在形成在筒状部的内部的一端开放的凹部内,在轴方向中突出并配设在中央而成为针状。
[实施例1]
图1表示的是用于汽车前照灯的金属卤化物灯。
透光性气密容器1:最大外径为6.0mm,球体长为6.5mm,最大内径为2.4mm,
一对电极:掺杂钨制成,轴径为0.3mm,全长为10mm,
电极间距离为4.2mm
电离介质:ZnI2-TmI3-TmBr3(12.4∶43.8∶43.8)为0.8mg、
()内的数字是封入质量比(%),Xe为13气压
电特性:灯电压为107V,灯电流为0.65A,灯功率为60W
发光特性:全光束为6900lm,发光效率为115lm/W,
平均显色指数为Ra91,色偏差为+0.0007
[比较例1]
电离介质:ZnI2-TmI3-TlI(12.5∶72.6∶14.9)为0.8mg,
()内的数字是封入质量比(%),Xe为13气压
其他与实施例1相同。
电特性:灯电压为93V,灯电流为0.86A,灯功率为60W
发光特性:全光束为6800lm,发光效率为113lm/W,
平均显色指数为Ra93,色偏差为+0.0016
图2是表示在本发明的实施例1的构成中,当改变相对于所有卤化物的溴化铥TmBr3的封入质量比时所造成的电极损伤度的程度的图表。在图中,横轴表示溴化铥(质量%),纵轴表示电极损伤度(相对值)。
由图2可得出如下结果,即,根据图表可以理解的是,如果溴化铥的封入质量比未满60%,则不会形成对寿命造成严重影响的电极消耗、即,电极损伤。
其次,说明用以实施本发明的第2形态。
即,在第2形态中,规定范围是在如下所述范围内,即,当将相对于所封入的所有卤化物的铥(Tm)卤化物的封入质量比设为A(%),将第2卤化物的封入质量比设为B(%)时,封入质量比A以及B同时满足数式50<A+B<95以及数式20≤B<90。
[实施例2]
图1表示的是用于汽车前照灯的金属卤化物灯。
透光性气密容器1:最大外径为10mm,球体长为10mm,最大内径为6mm,
一对电极:掺杂钨制成,轴径为0.4mm,全长为10mm,
电极间距离为1.2mm
电离介质:ZnI2-TmI3-TmBr3(50∶20∶30)为4mg,
()内的数字是封入质量比(%),Xe为13气压
电特性:灯电压为54V,灯功率为100W
发光特性:全光束为6500lm,发光效率为65lm/W
[比较例2]
电离介质:ZnI2-Tl3-TmI3(50∶12.5∶37.5)为4mg,
()内的数字是封入质量比(%),Xe为13气压
其他与实施例2相同。
电特性:灯电压为48V,灯功率为100W
发光特性:全光束为6000lm,发光效率为60lm/W
通过实施例2以及比较例2的对比可以理解,根据本发明的第2形态,可获得高的灯电压。
图3是表示用以点亮本发明的高压放电灯的高压放电灯点亮装置的一形态的电路方框图。本形态的点亮电路采用低频交流点亮电路方式。在图中,DC是直流电源,BUT是升压斩波器(chopper),FBI是全桥式变换器(full-bridge inverter),IG是点火器,这些元件构成点亮电路。另外,MHL是上述本发明的高压放电灯。
直流电源DC由例如汽车的电池构成。
升压斩波器BUT的输入端与直流电源DC连接。
全桥式变换器FBI的输入端与升压斩波器BUT的输出端连接。
点火器IG输入全桥式变换器FBI的低频交流输出,产生高压启动脉冲,并在启动时施加到下述高压放电灯MHL的一对电极间。
高压放电灯MHL是图1所示的构成,其与全桥式变换器FBI的输出端间连接,以低频交流来点亮。
图4是表示作为用以实施本发明的照明装置的一形态的汽车前照灯的概念的侧视图。在图中,11是前照灯本体,12是高压放电灯点亮装置,13是用于汽车前照灯的高压放电灯。
前照灯本体11呈容器状,在内部中具备反射镜11a,在前面具备透镜(lens)1b以及省略图示的灯座(lamp socket)等。
高压放电灯点亮装置12具备有图3所示的电路构成,并具备有主点亮电路12A以及启动器(starter)12B。主点亮电路12A以图3的升压斩波器BUT以及全桥式变换器FBI为主要构成要素而构成。启动器12B同样以点火器IG为主要构成要素而构成。
用于汽车前照灯的高压放电灯13安装在上述灯座后点亮。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (5)
1、一种高压放电灯,其特征在于包括:
透光性气密容器,内部具有放电空间;
一对电极,封装在透光性气密容器中,且面对放电空间;以及
电离介质,封入于透光性气密容器内,且构成是,包含第1卤化物、第2卤化物以及稀有气体,且实质上不含汞,其中第1卤化物是主要在可见区发光的金属卤化物,包含至少含有溴化物的铥卤化物,第2卤化物主要造成灯电压形成作用,且主体包含选自镁、铁、钴、铬、锌、镍、锰、铝、锑、铋、铍、铼、镓、钛、锆以及铪的群组中的一种或多种金属卤化物。
2、如权利要求1所述的高压放电灯,其特征在于,电离介质当将铥卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为A(%),将第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为B(%)时,封入质量比A以及B分别满足下式:
30<A<90
0<B<20。
3、如权利要求1所述的高压放电灯,其特征在于,电离介质当将铥卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为A(%),将第2卤化物相对于所有卤化物的封入质量比设为B(%)时,封入质量比A以及B分别满足下式:
50<A+B<95
20≤B<90。
4、如权利要求1所述的高压放电灯,其特征在于,电离介质当将溴化铥相对于所有卤化物的封入质量比设为C(%)时,封入质量比C满足下式:
5<C<60。
5、一种照明装置,其特征在于包括:
照明装置本体;
如权利要求1至4中任一项所述的高压放电灯,配设在照明装置本体;以及
点亮电路,点亮高压放电灯。
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