CN1963380A - 位置测量装置和用于运行位置测量装置的方法 - Google Patents

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CN1963380A
CN1963380A CN 200610144606 CN200610144606A CN1963380A CN 1963380 A CN1963380 A CN 1963380A CN 200610144606 CN200610144606 CN 200610144606 CN 200610144606 A CN200610144606 A CN 200610144606A CN 1963380 A CN1963380 A CN 1963380A
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China
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M·梅斯纳
J·德勒舍
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Dr Johannes Heidenhain GmbH
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Abstract

本发明涉及一种位置测量装置,用于检测两个以沿至少一个测量方向可相互移动的方式布置的对象的位置;此外本发明还涉及一种用于运行这种位置测量装置的方法。所述位置测量装置包含整体量具、以及带有光源和一个或者多个用于产生与位移有关的位置信号的光和/或光电子器件的采样装置。具有大的相干长度的半导体激光器被设置为光源,所述半导体激光器以一种单模运行方式脉冲式地工作。

Description

位置测量装置和用于运行位置测量装置的方法
技术领域
本发明涉及一种位置测量装置以及一种用于运行位置测量装置的方法。
在制造半导体器件的装置中要求借助于适当的位置测量装置精确地测定可相互移动的某些部分之间的空间位置。然后可以通过所测定的位置信息在所述装置中实现计算机控制的流程控制。迄今为此所需要的位置测量主要通过多个激光干涉仪进行。将来的出发点是:对位置测量的精度要求在不同部分的工艺速度提高的同时进一步增加。在于是所产生的高精度要求的情况下,不能再采用激光干涉仪作为位置测量装置。即使在最佳的空气调节的情况下,周围空气中的折射率波动在位置测定时也会导致处于几个纳米(nm)数量级内的不可接受的测量值波动。
背景技术
出于该原因,因此对于这样的装置已经建议了可替代的位置测量装置。因此譬如从EP 1 019 669 B1公知,采用带有作为二维整体量具的所谓正交光栅的光位置测量装置。这样的位置测量装置接下来也被称为基于光栅的位置测量装置。这种***几乎不受可能的空气折射率波动的影响,并且从而允许良好的能再现的位置测量。
提供纳米范围内的所需分辨率的带有作为整体量具的光栅的光位置测量装置通常基于干涉的采样原理。在此一般把适当的光源的光线***成至少两个相干的分光束,其中在所述相干的分光束被复合并且产生干涉之前,所述相干的分光束接着供给采样光路中的多个光栅。最终感兴趣的位置信息通过这两个干涉分光束的(与位移有关的)相位给出。在这种***的对称的采样光路变型方案中,对在***和复合之间的两个分光束而言所得出的路径长度差通常近似为零。因此,所采用的光的微小的相干长度就足以在检测侧保证所期望的干涉。
在DE 10 2005 043 569 A1中建议了另一种干涉位置测量装置,所述另一干涉位置测量装置优选地对于两个分光束而言具有不对称的采样光路。也就是说,由于这种不对称性而产生针对得到干涉的分光束的高达几个毫米(mm)数量级的路径长度差。在所采用的光的所要求的相干长度方面,这意味着所述相干长度必须处于几毫米(mm)至几厘米(cm)的范围内,否则发生重叠的分光束的干涉是不可能的。
发明内容
因此本发明的任务是,说明一种带有适当的光源的用于高精度位置测量的位置测量装置以及一种运行所述位置测量装置的方法。
根据本发明,该任务通过根据权利要求1的位置测量装置来解决。
根据本发明的位置测量装置的有利的扩展可能性由从属权利要求的措施中得出。
此外上述任务还通过根据权利要求13的方法来解决。
根据本发明的方法的有利的实施变型方案由从属权利要求的措施中得出。
根据本发明的位置测量装置用于检测两个以沿至少一个测量方向可相互移动的方式布置的对象的位置,该位置测量装置包含整体量具(maβverkrperung)、以及带有光源和一个或者多个用于产生与位移有关的位置信号的光和/或光电子器件的采样装置。所述光源被构成为具有大的相干长度的半导体激光器,所述半导体激光器以一种单模运行方式脉冲式地工作。
采用这样的光源尤其是在把根据本发明的位置测量装置用在高精度应用方面提供了其他优点。因此,由于光源的脉冲式运行也可以避免例如可能通过所谓的存储抖动所引起的测量误差。误差应该被理解为以下方面,即由于对本来的位置测量值的测量和输出之间的时间所产生的误差。在此方面可以详细地参阅本申请人的EP 1 334332 B2。
优选地,所述半导体激光器具有大于200μm的相干长度。
在一个有利的变型方案中,所述半导体激光器提供脉冲宽度在5ns至50ns范围中的光脉冲。
所述光源可以被构成为DFB半导体激光器、DBR半导体激光器或者还可以被构成为模式耦合的半导体激光器或者模式耦合的固体激光器。
优选地,通过布置采样装置来构造具有不同的光路径长度的不对称的分采样光路,其中在分光束重叠产生干涉之前,分光束经历所述不同的光路径长度。
有利地,所述采样装置被布置在相对于所述整体量具可移动的采样单元中,并且所述光源以远离所述采样单元的方式被布置,其中所述光源借助于光波导与所述采样单元连接。
优选地,对所述位置测量装置分配用于测定光位置测定用的辐射的波长的装置。
用于测定波长的装置可以被构成为波长测量仪,所述波长测量仪的测量值被输送给一个分析单元,该分析单元与位置测量装置的计量学模型结合对依赖波长的位置误差进行校正。
此外,用于测定波长的装置可以被构成为附加的位置测量装置,该附加的位置测量装置以固定的空间分配的方式包含采样单元和整体量具,并且该附加的位置测量装置的测量值被输送给一个分析单元,该分析单元通过测量值对依赖波长的位置误差进行校正。
最后,用于测定波长的装置可以包含温度检测装置,通过所述温度检测装置测定光源的温度并且把所检测的温度输送到一个分析单元,在已知的波长对温度的依赖性的情况下,所述分析单元通过所述温度对依赖波长的位置误差进行校正。
在根据本发明的用于运行位置测量装置的方法的范围内,其中所述位置测量装置检测两个以沿至少一个测量方向可相互移动的方式布置的对象的位置,所述位置测量装置包含整体量具、以及带有光源和一个或多个用于产生与位移有关的位置信号的光和/或光电子器件的采样装置。所述光源被构成为具有大的相干长度的半导体激光器,所述半导体激光器以一种单模运行方式脉冲式地运行。
优选地,如此脉冲式地运行所述半导体激光器,使得所述半导体激光器提供脉冲宽度在5ns至50ns范围内的光脉冲。
此外,有利地对光位置测定用的辐射的波长进行测定。
例如可以采用一种波长测量仪用于测定波长,所述波长测量仪的测量值被输送给一个分析单元,借助于所述分析单元结合所述位置测量装置的计量学模型对依赖波长的位置误差进行校正。
可替代地,可以采用附加的位置测量装置用于测定波长,所述附加的位置测量装置以固定的空间分配的方式包含采样单元以及整体量具,并且所述附加的位置测量装置的测量值被输送给一个分析单元,借助于所述分析单元对依赖波长的位置误差进行校正。
此外可以采用温度检测装置用于测定波长,通过所述温度检测装置测定所述光源的温度并且把所检测的温度输送给一个分析单元,在波长对温度的已知的依赖性的情况下,借助于所述分析单元对依赖波长的位置误差进行校正。
附图说明
本发明的其他优点以及细节从以下参照附图对实施例的说明中得出。
图1示出用于说明根据本发明的位置测量装置或者根据本发明的方法的第一实施例的示意图;
图2示出根据本发明的位置测量装置的第二实施例的示意图;
图3a-3c各示出根据本发明的位置测量装置用的适当的光源的示意图;
图4a-4c分别以示意性的形式示出在采用根据本发明的位置测量装置的情况下用于检测波长的变型方案。
具体实施方式
在图1中示出根据本发明的、基于光栅的位置测量装置(ENCODER(编码器))的第一实施形式的示意图。
所示的位置测量装置包含整体量具10、至少相对地沿测量方向x可移动的采样单元10、以及远离采样单元10布置的光源21。所述整体量具10和采样单元20与两个未示出的其相互位置应当被检测的对象相连;例如这里如开始时所述的那样是用于制造半导体器件的装置的相对彼此可移动的部件。
在该例中,整体量具10被构成为线性反射整体量具,并且由不同反射率的以交替的方式沿测量方向x布置的区域组成。
用于产生与位移有关的位置信号的采样侧元件接下来也被称为采样装置。除了光源21之外,所述采样侧元件还包含各种其他的光和/或光电子器件。这些器件例如可以被布置在采样单元20中,但是和/或可以例如通过适当的光波导等与之处于适当的有效连接。为了阐述所述采样装置的功能,下面说明图1中所示实施例的采样光路。在此处已经指出,在本发明的范畴内当然还可以实现可替代的采样光路。
在图1的例子中,以光脉冲形式从光源21发射出的光束通过光波导28被输送给采样单元20。关于特别适用的光源的细节参阅接下来的说明。所述光脉冲或光束通过输出耦合透镜22抵达偏转镜23,所述偏转镜朝着整体量具10的方向偏转所述光脉冲或者光束。光束然后通过采样单元20的下侧处的采样板24的透射区域朝整体量具10的方向传播。在那里,光束在首次射到时被衍射或者***成两个分光束+1和-1级,并且朝采样单元20的方向被反射回来。被***的分光束然后分别穿过采样板24中的第一采样光栅25.1、25.2,并且通过后置的后向反射元件26.1、26.2再次朝整体量具10的方向被偏转回来;经偏转的分光束在图中用虚线示出。例如适当的棱镜、偏转镜组合或者类似物起后向反射元件26.1、26.2的作用。在再次穿过采样板24中的在图1中未示出的第二采样光栅并且由此产生方向偏转之后,所述分光束第二次射到整体量具10上;应当指出,在图1中偏转回的分光束的表示仅示意性地被示出,也就是说,特别是再次射到整体量具10上没有被完全正确地示出。在整体量具10上重新如此使所述分光束衍射,使得一对平行的分光束朝采样单元20的方向传播。在采样单元20中所述分光束射到采样板24的另一采样光栅25.3上,在此处沿三个空间方向***成三对干涉分光束。在相应的空间方向上把三个检测元件27.1、27.2、27.3布置在采样单元20中,通过所述所述三个检测元件可以检测移相的位置信号。
作为在采样单元10中的检测元件27.1-27.3的所示布置的替代方案,可能的是类似于光源21那样在空间上与该采样单元分开地来布置所述检测元件,并且通过光波导将待检测的分光束输送给所述检测元件。
在根据本发明的位置测量装置的本实施例中,在整体量具10上第一和第二反射之间的分光束现在经历明显不同的光路径长度L1和L2,也就是说L1≠L2;这在图1中只是粗略地示意性示出。因此对于然后获得干涉的分光束而言存在具有明显不同的光路径长度的不对称的分采样光路。如果在检测侧应该分析干涉信号用于测定位置,则由于该不对称性而产生如上所讨论的在所采用的光源的大的相干长度方面的要求。
在借助图3a-3c详细地探讨适当的光源之前,借助图2阐述根据本发明的位置测量装置的第二实施方式。图2再次仅仅示出相应的位置测量装置的十分概略的图示。
在图2中也示出了采样单元200,所述采样单元相对于整体量具100以沿至少一个测量方向x可移动的方式被布置;从光源201发射出的光脉冲又通过光波导208被输送给采样单元200。
位置测量装置的所示第二实施形式与图1中所示的变型方案不同之处在于,从现在起不仅检测沿所说明的测量方向x的相对移动,而且此外还同时在与之垂直的方向z上测定位置。所以可以由此测定整体量具100与采样单元200之间的距离。
为此目的,如图2中示意性所示的那样,采样单元200包含如在根据图1的方案中所说明的两个这种采样光路。在图2中,这两个采样光路配备有标记ENCODER A和ENCODER B.因此,两个采样光路的每个在原理上都如图1例子中的采样光路那样被构造。尤其就在被***的分光路中的走过的光路径长度L1、L2而言,适用的是所述光路径长度分别明显不同,就是说也是L1<L2。
与采样单元200分离布置的光源201的在输入侧所提供的光脉冲通过光波导208被输送给采样单元200,并且通过分束光学***202被分成两个采样光路;出于清楚的原因没有示出两个采样光路种的细节。在图2中,属于采样装置的光学部件在采样单元200中示意性地被表示为块210。也属于采样装置的光电子检测元件207.A、207.B同样仅被表示为示意性的块。通过所述检测元件207.A、207.B所检测的信号然后被输送给未示出的分析单元以进一步处理。
关于采样光路的细节在此也可详细地参阅本申请人的DE 102005 043 569.6。
在根据本发明的位置测量装置的第二实施形式中,也采用专门选取的对于高精度测量特别有利的光源。
因此,所述光源被构成为具有大的相干长度的半导体激光器,所述半导体激光器以一种单模运行方式脉冲式地工作或者运行。这里,所述相干长度优选地处于1mm和1cm之间的范围内。因此,即使在如上述两个采样变型方案中的极其不对称的分采样光路的情况下,也能确保两个分光束的干涉,其中所述两个分光束在进行了第二衍射并且在整体量具上复合以后平行地朝检测元件方向传播。
此外,例如基本上根据EP 1 334 332 B2所公知的那样,相应的测量任务可能要求采用脉冲式采样方法。通过这种方式,采样时刻只通过光脉冲确定,就是说,在脉冲式采样方法的情况下,上述存储抖动和在位置测定时由此产生的测量误差可以被避免或者说至少被最小化。
为此,被设置为光源的半导体激光器于是也必须可脉冲式地运行,其中在5ns和50ns之间的范围中的脉冲宽度必须是可能的。在采用譬如在EP133432A1中所建议的常规的、可脉冲式运行的半导体激光器或者说激光器二极管(例如法布里-珀罗二极管)的情况下,可以只实现他们的多模运行。然而在多模式运行中可以只达到短的相干长度,这又与由于不对称的分采样光路而尽可能大的相干长度的要求相矛盾。
从现在起根据本发明所选取的、以具有足够大的相干长度的半导体激光器的形式的光源绕开了所述问题,其中所述半导体激光器此外以单模运行方式脉冲式地工作。满足所述要求的典型半导体激光器例如是所谓的DFB半导体激光器[DFB=分布反馈式]、DBR半导体激光器[DBR=分布布拉格反射]、或者模式耦合的半导体激光器或固体激光器。
在此,DFB和DBR半导体激光器由于激光器内部的附加的滤光器结构而区别于常规的法布里-珀罗半导体激光器。在动态运行中,该滤光器结构导致已经在非常短的时间内(在DFB半导体激光器的情况下约14ps)就产生了一个唯一的激光模式。由于该非常快速的起振过程,这样的半导体激光器在ns范围内的脉冲的情况下几乎只以一种模式发射,所述模式占有非常窄的带宽并且因此对于本应用也具有足够大的相干长度。
在图3a中十分概略地示出DFB半导体激光器51的一个实施例。在这种半导体激光器中,所述滤光器结构被构成为在激光器谐振器内部所构造的折射率光栅51.1。这导致虽然也可能构造两个模式,但是通过在***对称方面的技术措施最终可以有针对性地选择一个模式。
DBR半导体激光器61的一个实施例在图3b中同样十分概略地被示出。DBR半导体激光器利用与所提及的DFB半导体激光器类似的原理。这里,在激光激活的半导体层之前或者之后连接一个布拉格光栅61.1作为反射器,所述布拉格光栅同样有滤光作用。
因此,上述两种半导体激光器变型方案可以动态地以单模形式运行,并且提供几个厘米(DFB半导体激光器:>6cm)的相干长度,这使之适合作为根据本发明的位置测量装置的优选的光源。
与这些半导体激光器类型相反,在法布里-珀罗半导体激光器的情况下在接通电流时许多激光模式起振,然后从所述激光模式中根据增益差异而产生一个唯一的模式。这里,典型的时间常数处于10ns-15ns。
最后,图3c以另一示意图示出同样适合作为本发明的光源71的公知的模式耦合的半导体激光器。与激光器介质74相邻地在光输出侧布置具有约98%的反射率的镜72,在对立的谐振器侧存在可饱和的吸收元件73,所述吸收元件根据开关状态具有0%或者100%的反射率。
作为根据本发明所选取的光源的相对大的相干长度的上述优点,要再次提出的是:与将两个干涉分光束之间的路径差限制为小于200μm的法布里-珀罗半导体激光器不同,从现在起可以实现以下采样原理,在所述采样原理中,路径差高达几个厘米的分采样光路是可能的。
由此在开发脉冲式运行的位置测量装置时不再局限于对称性采样光路,现在不对称的采样光路也是可能的。
此外,干涉分光束的较大的允许路径长度差可以被用于扩展的容差范围,因为由于位置测量装置的整体量具和采样单元的可能的倾斜,两个干涉分光束同样经历不同的光路径长度。在采用上述光源的情况下,现在提供以下可能性,即在使用干涉位置测量装置时通常允许比至今更大的倾斜容差。
作为这种光源的另一个优点应该提出的是,所述光源在脉冲运行中具有只是很小的“啁啾(Chirp)”,也就是说在时间脉冲曲线上很小的频率特性。在常规的、直接调制的半导体激光器的情况下,通常根据脉冲期间的时间得出频率变化。这种所谓的啁啾对上述相干长度有影响;因此随着啁啾增加而相干长度减小。
此外这种频率变化影响所得出的位置信号的调制度。基本上所述位置信号的调制度随着啁啾增长而下降。于是,与采用法布里-珀罗半导体激光器作为光源相比,脉冲式运行的DFB半导体激光器或者DBR半导体激光器或者模式耦合的激光器的使用也改善了位置信号。
在所讨论的光源方面还应提及的是,所述光源还能够有利地用在其他的应用或者其他的位置测量装置中。
特别是在具有不对称的分采样光路的位置测量装置的情况下,在所采用的光源或者由所述光源提供的辐射方面出现另一问题。因此,所产生的位置信号也取决于所采用的辐射的波长。只要在预先给定的时间间隔内可能的波长波动不是太大,在测定位置时就不会产生误差;但是,在相应的波长有太大波动并且也许面临错误测量的情况下,可能也有必要校正这种影响。为此在最简单的情况下可以把测量时刻的当前波长或者以已知的方式依赖于所述波长的位置或者其他的测量量用于校正的目的。利用所测量的位置与所测量的波长的已知的依赖性也可以以简单的方式在波长变化的情况下校正所述位置。
因此,为了考虑依赖波长的效应,在所使用的位置测量装置侧通过适当的装置的波长检测基本上是有利的,以便把从中得出的信息继续用于校正的目的。在位置测量时用于补偿依赖波长的误差的适用的可能性接下来借助于图4a-4c进行说明。
在第一变型方案中,对波长的控制或者检测譬如可以通过所谓的波长计或者高分辨率的校准器形式的波长测量仪进行;对此应参照图4a中的例子。该图以十分概略的形式示出根据本发明的位置测量装置,所述位置测量装置带有整体量具410、采样单元420、通过光波导428与所述采样单元有效连接的光源421、以及波长测量仪430,所述波长测量仪的测量值被输送给分析单元450。同样,由所述光源发射出的辐射通过纤维耦合器435和另一光波导429被输送给波长测量仪430以测定波长。
利用位置测量装置的相应的计量学模型,可以通过在分析单元450中接下来的位置信号处理来校正由于波长变化而可能的位置偏差。位置测量装置的计量学模型原则上可以被理解为描述移动容差(倾斜)、制造容差(楔角等等)和波长对所产生的位置信息的影响的函数(例如多项式)。
用于测量波长的可替代的第二变型方案是采用附加的位置测量装置,所述附加的位置测量装置也被用于本来的位置测定;对此参照图4b。所述附加的位置测量装置530包含与整体量具531固定连接的采样单元532;通过纤维耦合器535,同样向附加的测量装置530输送光源521的辐射,所述光源521被用在本来的位置测量装置中并且又包含在所定义的始终不变的相互相对方位中的采样单元520和整体量具510。如果从现在起在附加的位置测量装置中出现位置变化,则该位置变化是由于从光源521发射出的辐射中的波长波动所造成的。在该变型方案中,也可以通过分析单元550把该位置变化换算成波长变化,或者可以把所述位置变化直接用于校正所测量的对象位置。如果把用于测量波长的位置测量装置放置在与用于本来的位置测量的位置测量装置相同的热环境中,则还可以同时补偿热漂移。
在第三变型方案中,可以通过测量所采用的光源621的温度进行依赖波长的校正,其中针对该第三变型方案,图4c示出所述光源的示意性原理图。所述校正利用光源621的已知的波长依赖性来计算,所述波长依赖性必要时还可以在单独的测量步骤中来确定。为此例如可以把公知的温度传感器622布置在所使用的半导体激光器上,并且把其测量值输送给适当的分析单元650。
当然,在本发明的范畴内除了所述的例子以外还有一系列其他的实施可能性。

Claims (18)

1.位置测量装置,用于检测两个以沿至少一个测量方向可相互移动的方式布置的对象的位置,其中所述位置测量装置包含整体量具、以及带有光源和一个或者多个用于产生与位移有关的位置信号的光和/或光电子器件的采样装置,
其特征在于,
所述光源(21;201;51;61;71;421;521;621)被构成为具有大的相干长度的半导体激光器,所述半导体激光器以一种单模运行方式脉冲式地工作。
2.按照权利要求1的位置测量装置,其特征在于,所述半导体激光器具有大于200μm的相干长度。
3.按照权利要求1的位置测量装置,其特征在于,所述半导体激光器提供脉冲宽度在5ns至50ns范围内的光脉冲。
4.按照权利要求1-3中至少一项的位置测量装置,其特征在于,所述光源(21;201;51;421;521;621)被构成为DFB半导体激光器。
5.按照权利要求1-3中至少一项的位置测量装置,其特征在于,所述光源被构成为DBR半导体激光器(21;201;61;421;521;621)。
6.按照权利要求1-3中至少一项的位置测量装置,其特征在于,所述光源(21;201;71;421;521;621)被构成为模式耦合的半导体激光器或者模式耦合的固体激光器。
7.按照上述权利要求中至少一项的位置测量装置,其特征在于,通过布置所述采样装置来构造具有不同的光路径长度的不对称的分采样光路,其中在分光束重叠产生干涉之前,分光束经历所述不同的光路径长度。
8.按照上述权利要求中至少一项的位置测量装置,其特征在于,所述采样装置被布置在相对于整体量具(10;100;410;510;610)可移动的采样单元(20;200;420;520)中,并且所述光源(21;201;51;61;71;421;521;621)以远离采样单元(20;200;420;520)的方式被布置,其中所述光源(21;201;51;61;71;421;521;621)借助于光波导(28;208;428;528)与所述采样单元(20;200;420;520)连接。
9.按照权利要求1的位置测量装置,其特征在于,用于测定光位置测定用的辐射的波长的装置被分配给所述位置测量装置。
10.按照权利要求9的位置测量装置,其特征在于,用于测定波长的装置被构成为波长测量仪(430),所述波长测量仪的测量值被输送给分析单元(450),所述分析单元与所述位置测量装置的计量学模型结合对依赖波长的位置误差进行校正。
11.按照权利要求9的位置测量装置,其特征在于,所述用于测定波长的装置被构成为附加的位置测量装置(530),所述附加的位置测量装置以固定的空间分配的方式包含采样单元(532)以及整体量具(531),并且所述附加的位置测量装置的测量值被输送给分析单元(550),所述分析单元通过该测量值了来对依赖波长的位置误差进行校正。
12.按照权利要求9的位置测量装置,其特征在于,所述用于测定波长的装置包含温度检测装置(622),通过所述温度测量装置测定所述光源(621)的温度并且把所检测的温度输送给分析单元(650),所述分析单元在波长对温度的已知的依赖性的情况下通过所述所检测的温度对依赖波长的位置误差进行校正。
13.用于运行位置测量装置的方法,所述位置测量装置用于检测两个以沿至少一个测量方向可相互移动的方式布置的对象的位置,其中所述位置测量装置包含整体量具以及带有光源和一个或多个用于产生与位移有关的位置信号的光和/或光电子器件的采样装置,
其特征在于,
所述光源(21;201;51;61;71;421;521;621)被构成为具有大的相干长度的半导体激光器,所述半导体激光器以一种单模运行方式脉冲式地运行。
14.按照权利要求13的方法,其特征在于,如此脉冲式地运行所述半导体激光器,使得所述半导体激光器提供脉冲宽度在5ns至50ns范围内的光脉冲。
15.按照权利要求13的方法,其特征在于,此外测定光位置测定用的辐射的波长。
16.按照权利要求15的方法,其特征在于,采用波长测量仪(430)用于测定波长,所述波长测量仪的测量值被输送给分析单元(450),借助于所述分析单元结合所述位置测量装置的计量学模型对依赖波长的位置误差进行校正。
17.按照权利要求15的方法,其特征在于,采用附加的位置测量装置(530)用于测定波长,所述附加的位置测量装置以固定的空间分配的方式包含采样单元(532)以及整体量具(531),并且所述附加的位置测量装置的测量值被输送给分析单元(550),借助于所述分析单元对依赖波长的位置误差进行校正。
18.按照权利要求15的方法,其特征在于,采用温度检测装置(622)用于测定波长,通过所述温度检测装置测定所述光源的温度并且把所检测的温度值输送给分析单元(650),借助于所述分析单元在波长对温度的已知的依赖性的情况下对依赖波长的位置误差进行校正。
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