CN1957485B - 具有密封边沿的有机电子封装及其制造方法 - Google Patents

具有密封边沿的有机电子封装及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1957485B
CN1957485B CN2005800170073A CN200580017007A CN1957485B CN 1957485 B CN1957485 B CN 1957485B CN 2005800170073 A CN2005800170073 A CN 2005800170073A CN 200580017007 A CN200580017007 A CN 200580017007A CN 1957485 B CN1957485 B CN 1957485B
Authority
CN
China
Prior art keywords
encapsulation
coupled
flexible substrates
electronic device
organic electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005800170073A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1957485A (zh
Inventor
M·谢普肯斯
A·杜加尔
C·M·赫勒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of CN1957485A publication Critical patent/CN1957485A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1957485B publication Critical patent/CN1957485B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Packages (AREA)

Abstract

具有密封边沿的有机电子封装。更具体地说，提供具有有机电子器件的封装。提供若干密封机制来密封该封装的边沿，以便完全保护该有机电子器件免受外部因素影响。可以实现密封剂以完全包围该有机电子器件。作为另一方案，可以提供边封，以便完全包围该有机电子器件。

Description

具有密封边沿的有机电子封装及其制造方法
背景技术
电路和显示器技术的发展趋势涉及提供低成本、高性能的硅电子器件替代物的有机电子和光电子器件的实现。一个这样的有机器件便是有机发光二极管(OLED)。OLED是固态半导体器件，它实现有机半导体层把电能转换为光。一般，OLED通过处理两个导体或电极之间的多层有机薄膜制造。该电极层和有机层一般设置在两个基底(诸如玻璃或塑料)之间。OLED通过从电极接受极性相反的载流子(电子和空穴)而运行。外部所施加的电压驱动载流子进入该复合区，以便产生光发射。不像许多硅基器件，OLED可以利用低成本、大面积薄膜淀积处理进行加工，允许制造超薄的、重量轻的发光显示器。在提供通用区域照明实现的OLED方面已经取得了重大发展。
传统的OLED器件可以实现顶部和底部玻璃基底。有利的是，玻璃基底一般提供适当的密封，来密封器件，以免曝露于存在于大气中的水份和氧。不利的是，玻璃基底厚、笨重和相对易碎。当该器件暴露于能使它们的电子特性迅速退化的空气和水时，向有机薄膜提供可靠的电气触点变得更加困难。
另一个示例有机电子器件是有机光电伏打(OPV)器件。OPV是固态半导体器件，它实现有机半导体层以把光转换为电能。不利的是，OPV也可能易受上面就OLED讨论的退化、耐久性和可制造性问题困扰。
为了提供更耐久和更容易制造的器件，有机电子器件可以在柔性基底材料上制造，诸如透明的、聚合物薄膜或金属箔。涂有超高阻挡层的聚合物薄膜和金属箔一般提供可以接受的材料的密封，在其上构建有机电子器件，并可以在卷式制造处理中实现。尽管金属箔和超高阻挡涂层聚合物薄膜一般在有机电子器件的顶部和底部表面对水份和氧提供足够的保护，但是该器件的边沿仍旧可能易受水份和氧的影响。在卷式制造***中尤为如此。相应地，对实现柔性基底而且没有环境要素通过该器件的边沿渗透的问题的有机电子器件有持续不断的需求。
发明内容
按照本技术的一个实施例，提供一种封装，包括：柔性基底，其包括聚合透明膜；有机电子器件，耦合到该透明膜；密封剂，耦合到该柔性基底并设置在该有机电子器件的边缘周围；以及上覆层，耦合到该密封剂并设置成紧靠该有机电子器件。
按照本技术的另一个实施例，提供一种封装，包括：柔性基底，其包括聚合透明膜；有机电子器件，耦合到该透明膜；密封剂，耦合到该透明膜并设置在该有机电子器件的边缘周围；和上覆层，耦合到该密封剂并设置成紧靠该有机电子器件，其中该上覆层包括适于包裹该封装边沿的周边，使得该上覆层的周边耦合到与该有机电子器件相反的柔性基底一侧。
按照本技术又一个实施例，提供一种封装，包括：柔性基底，其包括聚合透明膜；有机电子器件，耦合到该透明膜；密封剂，耦合到该透明膜并设置在该有机电子器件的边缘周围；上覆层，耦合到该密封剂并设置成紧接该有机电子器件；和边封，耦合到柔性基底和该上覆层中的每一个，并配置成密封该封装的***边沿。
按照本技术再一个实施例，提供一种封装，包括：第一复合基底，其中该第一复合基底的***边沿用第一边封覆盖；第二复合基底，其中该第二复合基底的***边沿用第二边封覆盖；和有机电子器件，设置在该第一复合基底和该第二复合基底之间，其中该第一复合基底通过密封剂耦合到该第二复合基底。
按照本技术的另一个实施例，提供一个制造封装的方法，包括：提供一卷柔性基底膜；在该柔性基底膜上设置多个有机器件；提供一卷金属箔，该卷金属箔具有与该卷柔性基底膜大约相同的尺寸；在该金属箔上设置密封剂，以使该密封剂布置成形成多个周边，其中一旦该金属箔耦合到该柔性基底膜，该多个周边中的每一个的大小便完全包围该有机器件；以及把该金属箔耦合到该柔性基底膜。
附图说明
参照附图阅读以下的详细说明，本发明的优点和特征便变得显而易见，其中：
图1说明按照本技术的有机电子封装一个实施例的剖面视图；
图2说明制造按照本技术的有机电子封装的一个方法的透视图；
图3说明按照本技术的有机电子封装另一个实施例的剖面视图；
图4说明按照本技术的有机电子封装的又一个实施例的剖面视图；
图5说明可以与本技术结合实现的示例性复合基底的剖面视图；
图6说明可以与本技术结合实现的另一个示例性复合基底的剖面视图；和
图7说明按照本技术的有机电子封装的再一个实施例的剖面视图。
具体实施方式
图1举例说明具有柔性基底12的有机封装。该柔性基底12一般包括基本上透明的膜。正如在这里使用的，″基本上透明的″是指总透射率至少约50％，最好至少约80％可见光(亦即，波长在从约400nm至约700nm的范围)的材料。柔性基底12一般是薄的，厚度在大约0.25-50.0密耳的范围内，最好在大约0.5-10.0密耳的范围内。该术语″柔性″一般是指能够弯曲成曲率半径小于大约100cm的形状。
柔性基底12可以从例如一卷配给。有利的是，实现柔性基底用的一卷透明薄膜，便能够使用高产量、低成本、卷带式处理和制造该有机封装10。该卷透明膜可以有例如1英尺的宽度，在其上可以制造和实施若干有机封装。该柔性基底12可以包括单层或可以包括一个具有多个不同材料的相邻层的结构。柔性基底12具有在大约1.05-2.5范围内的折射率，最好在大约1.1-1.6范围内的折射率。另外，柔性基底12一般包括任何柔性的适当的聚合材料。例如，该柔性基底12可以包括聚碳酸酯、聚芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚***砜、聚丙亚胺，诸如Kapton H或Kapton E(Dupont制造)或Upilex(UBE工业有限公司制造)、聚冰片烯，诸如环烯(COC)、液晶聚合物(LCP)，诸如聚******酮(PEEK)、聚对苯二甲酸二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯纤维(PEN)。
为了提供密封，柔性基底12涂有透明的阻挡涂层14，以防止水份和氧通过该柔性基底12扩散。可以设置阻挡涂层14或不然在该柔性基底12的表面上形成阻挡涂层14，使得该阻挡涂层14完全覆盖该柔性基底12。阻挡涂层14可以包括反应物种用的任何适当的反应或复合产物。阻挡涂层14可以设置成大约10nm至约10,000nm范围内的厚度，最好在大约10nm至约1,000nm的范围内。一般最好选择不妨碍光通过柔性基底12透射的涂层厚度，诸如使光透射减少小于约20％，最好小于约5％的阻挡涂层14。最好还选择不显著地降低该基底柔软性和其特性不因弯曲而显著退化的涂层材料和厚度。该涂层可以通过任何适当的淀积技术来设置，诸如等离子体增强化学蒸汽淀积(PECVD)、射频等离子体增强化学蒸汽淀积(RFPECVD)、扩展热等离子体化学蒸汽淀积(ETPCVD)、反应溅射、电子环拉驻留(electron-cyclodrawn-residence)等离子体增强化学蒸汽淀积(ECRPECVD)、感应耦合等离子体增强化学蒸汽淀积(ICPECVD)、溅射淀积、蒸镀、原子层淀积(ALD)，或其组合。
阻挡涂层14可以包括例如有机、无机或陶瓷材料。该材料是反应等离子体物种的反应或复合产物，而且淀积在该柔性基底12的表面上。有机涂层材料可以包括碳、氢、氧和任选的其它微量元素，诸如硫、氮、硅等，取决于反应剂的类型。在该涂层上得出无机成份的适当的反应剂是具有高达15个碳原子的直链或分支的链烷、链烯、炔烃、酒精、醛、醚、烯烃基氧化物、芳香族化合物等。无机和陶瓷涂层材料一般包括IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB和IIB族元素的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物或其组合；IIIB、IVB和VB族金属和稀土金属。例如，碳化硅可以通过从硅烷(SiH4)和有机材料(诸如甲烷或二甲苯)产生的等离子体复合淀积在基底上。硅碳氧化物可以从硅烷、甲烷和氧或硅烷和氧化丙烯产生的等离子体淀积。碳氧化硅还可以从有机硅前体，诸如四乙氧基硅烷(TEOS)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)或八甲基环四硅氧烷(D4)产生的等离子体淀积。氮化硅可以从硅烷和氨产生的等离子体淀积。铝氧碳氮化物可以从铝被滴定液和氨的混合物产生的等离子体淀积。反应剂，诸如金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的其它组合都可以选择来获得要求的涂层成份。
另外，阻挡涂层14可以包括混合型有机/无机材料或多层的有机/无机材料。无机材料可以从A-F元素选择，而有机材料可以包括丙烯酸盐、环氧树脂、环氧胺、二甲苯、硅氧烷和聚硅酮等。本专业的技术人员可以理解特定反应剂的选择。在不要求柔性基底12的透明度的应用中，大部分金属也都可以适用于该阻挡涂层14。正如可以理解的，柔性基底12可以包括结合有阻挡涂层14的成份，以便提供密封的基底。
有机封装10还包括耦合到该阻挡涂层14的有机电子器件16。有机电子器件16可以包括例如OLED或OPV。有机电子器件16一般包括设置在两个导体或电极之间的若干有机半导体层。相应地，尽管在图1中没有举例说明，但是该有机电子器件16的电极电耦合到外部电流源，它用来引发有机电子器件16中光的产生反应。
为了提供有机电子器件16的周边的密封，密封剂18耦合到该阻挡涂层14。密封剂18设置成围绕该有机电子器件16的整个周边，使得该有机电子器件16完全被该密封剂18包围。在这里参照图2进一步描述设置该密封剂18用的技术。密封剂18最好包括粘结剂材料，使得它可以实现柔性基底12(和阻挡涂层14)至上覆层20的耦合，以此完全封住该有机电子器件。相应地，该密封剂18可以包括例如环氧树脂、丙烯酸盐、可紫外线固化的Norland68、可热固化粘结剂、压敏粘结剂，诸如热固性和热塑性或室温硫化(RTV)粘结剂。密封剂18一般包括任何具有低磁导率的并提供粘结的材料。
最后，该有机封装10包括上覆层20，它可以通过密封剂18耦合到柔性基底12。正如在这里使用的，″上覆层″就是指该有机封装10的上基底。相应地，术语″上覆层″可以与″第二基底″、″上基底″、″顶部基底″等交换使用。为了提供密封和柔性，上覆层20一般包括薄的磁导率低的材料。上覆层20可以或可能不透明，这取决于用途。在一个实施例中，上覆层20包括反射材料，诸如金属箔，以便反射有机电子器件16产生的光。上覆层20可以包括铝箔、不锈钢箔、铜箔、锡、Kovar、不胀钢等。在反射光不那么关键的应用上，上覆层20可以包括磁导率低的薄玻璃、蓝宝石、云母或阻挡涂层塑料。
可以实现反射性上覆层20，以便反射从基本上透明的柔性基底12发射的任何辐射并将这样的辐射引向柔性基底12，使得在这个方向上发射的总辐射量增大。有利的是，上覆层20可以包括防止反应性环境元素扩散的材料，诸如氧和水扩散进入该有机电子器件16。上覆层20足够薄，以免降低整个器件的柔性。另外，上覆层20可以包括不同金属或金属化合物的若干层，以便进一步减少氧和水蒸汽扩散进入该有机电子器件16。在一个实施例中，上覆层20直接与有机电子器件16相邻的内层是反射性的，尽管该外层包括非反射性材料或化合物，诸如金属氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氧化物，它们可以实现来减少氧和水扩散进入该有机电子器件16的速率。
图2举例说明制造若干有机封装诸如参照图1讨论的有机封装10的示例性技术。正如将会意识到的，柔性基底12可以从聚合物膜卷馈送。在一个示例性实施例中，该卷大小可以是这样的，使得两个有机封装10可以彼此相邻地制造，正如图2举例说明的。柔性基底12涂有阻挡涂层14，而有机电子器件16可以布置于其上。上覆层20也可以从一卷馈送。在本示例性实施例中，密封剂18设置在上覆层20的表面上，以便一旦该上覆层20耦合到该柔性基底12，便形成围绕有机电子器件整个周边的密封。密封剂18可以丝网印刷、喷墨印刷、叠层或通过任何其它适当的手段设置在上覆层20的表面上。正如图2举例说明的，密封剂18布置成一旦成卷的上覆层20耦合到该基底12，它便包围有机电子器件16。一旦完成卷装的制造，该有机器件10可以从该卷切离。正如将会意识到的，可以实现其它的制造技术来构造有机器件10。
图3举例说明具有密封边沿的有机封装22的一个替代的实施例。与图1举例说明的实施例一样，有机封装22包括柔性基底12、阻挡涂层14、有机电子器件16和设置在该有机电子器件16周边的密封剂18。有机封装22包括上覆层24，具有适于包裹该有机封装22的边沿。就是说，上覆层24大于柔性基底12。正如在这里使用的，″适于″，″配置成″等等是指要素的大小、布置或制造成以便形成一个特定的结构或达到一个特定的结果。上覆层24可以包括铝箔、不锈钢箔、铜箔、锡、Kovar、不胀钢等。上覆层24可以是绝缘或导电的。若上覆层24是导电的，则有机封装22可以被配置成使上覆层24可以向有机电子器件16提供一个汇流触点。
该上覆层24包括边沿26，其大小定得它们可以包裹柔性基底12的边沿并耦合到柔性基底12的前侧(即，柔性基底12与具有附于其上的有机电子器件16一侧相反的一侧)。上覆层24的边沿26可以利用密封剂28粘结地耦合到柔性基底12的前侧。密封剂28可以包括与密封剂18相同的材料。作为另一方案，密封剂28可以包括不同于密封剂18的材料。正如可以理解的，为了有效地保护有机电子器件16免受水份和氧的影响，密封剂28最好包括磁导率低的材料。
有机封装22可以用类似于参照图2所描述的处理方法制造。可以在有机封装22初始制造的过程中实现卷式技术。在该处理中唯一的差异是印刷的密封剂18之间应该提供足够的间隔，使得一旦该有机器件16已经从该卷切离，上覆层20便可以模压在有机电子器件16的边沿和围绕该边沿，并附在柔性基底12的前侧上。
为了向有机封装22进一步提供密封，可以把干燥剂或吸气材料设置在包裹该上覆层24的边沿26而建立的袋内。正如可以理解的，该干燥剂包括一种对水或氧具有高亲和性的材料并实现为干燥剂。干燥剂或吸气剂30最好吸收水份或氧，进一步保护有机电子器件16。干燥剂或吸气剂30可以包括例如氧化钙、硅胶、Hisil、沸石、硫酸钙(DRIERITE)、氧化钡或其它的反应性金属。正如可以理解的，干燥剂或吸气剂30可以省略。
图4举例说明具有密封边沿的有机封装32的另一个替代的实施例。与图1和3举例说明的实施例一样，有机封装32包括柔性基底12、阻挡涂层14、有机电子器件16和设置在该有机电子器件16周边的密封剂18。在本示例性实施例中，不是实现反射性上覆层，而是在密封剂18上可以设置第二柔性基底34，类似于该第一柔性基底，并具有阻挡涂层36。一旦第二柔性基底34耦合到第一柔性基底12，该边沿便可以通过实现柔性边封38进行密封，以提供改善了的密封。边封38可以包括铝箔、不锈钢箔、铜箔、锡、Kovar、不胀钢等，可以是绝缘的或导电的。该柔性边封38通过密封剂28耦合到基底12并通过密封剂40耦合到基底34。柔性边封38可以提供更鲁棒的有机封装，因为例如排除了柔性上覆层的密封涂层中的裂纹。与参照图3描述的示例性实施例一样，干燥剂或吸气剂材料30可以设置在通过围绕有机封装32的边沿包裹边封38建立的袋内。
图1-4提供一个具有在其上制造并配置得提供改善了的密封的有机器件的柔性基底的描述。正如上面所描述的，上面参照图1-4所描述的柔性基底12可以包括各种材料的复合。现参照图5和6举例说明和简要描述两个示例性复合基底。正如将会意识到的，通过参照上面参照图1提供的描述可以充分理解参照图5和6所描述的层。
图5举例说明具有复合结构的柔性基底42。基底42包括一个基本上透明的柔性薄膜44，厚度在大约0.25-50.0密耳，最好在大约0.5-10.0密耳的范围内。膜44可以从一卷配给，例如。该膜具有在大约1.05-2.5范围内，最好在大约1.1-1.6范围内的折射率。另外，膜44一般包括任何适当的柔性聚合材料。例如，膜44可以包括聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰亚胺，诸如Kapton H或Kapton E(Dupont制造)或Upilex(UBE工业有限公司制)、聚冰片烯，诸如环烯(COC)、液晶聚合物(LCP)，诸如聚******酮(PEEK)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯纤维(PEN)。
为了提供密封，膜44涂有透明的阻挡涂层46，以防止水份和氧通过该膜44扩散至有机电子器件(未示出)。阻挡涂层46可以设置或不然形成在膜44的表面上。阻挡涂层46可以包括反应物种用的任何适当的反应或复合产物。阻挡涂层46的厚度可以设置在大约10nm至约10,000nm范围内，最好在大约10nm至约1,000nm范围内。一般最好选择这样的涂层厚度，它不妨碍光通过该膜44，诸如阻挡涂层46的透射率以便使光透射率的减少小于约20％，最好小于约5％。例如该涂层可以通过任何适当的淀积技术设置，诸如等离子体增强化学蒸汽淀积(PECVD)。
正如在图1就阻挡涂层14所描述的，阻挡涂层46例如可以包括有机、无机或陶瓷材料。该材料是反应性等离子体物种的反应或复合产物，并淀积在该膜44的表面上。有机涂层材料可以包括碳、氢、氧和其它任选的微量元素，诸如硫、氮、硅等，取决于反应剂的类型。在该涂层中造成无机成份的适当的反应剂是直链或支链链烷、链烯、炔烃、酒精、醛、醚、烯烃基氧化物、芳香族化合物等，具有高达15个碳个原子。无机和陶瓷涂层材料一般包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物或IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB和IIB族元素的组合；IIIB、IVB和VB族金属和稀土金属。例如，碳化硅可以通过从硅烷(SiH4)和有机材料，诸如甲烷或二甲苯产生的等离子体的复合淀积在基底上。碳氧化硅可以从硅烷、甲烷和氧或硅烷和氧化丙烯产生的等离子体淀积。碳氧化硅还可以从有机硅前体，诸如四乙氧基硅烷(TEOS)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)或八甲基环四硅氧烷(D4)产生的等离子体淀积。氮化硅可以从硅烷和氨产生的等离子体淀积。氧碳氮化铝可以从铝滴定液和氨的混合物产生的等离子体淀积。可以选择反应剂的其它的组合，诸如金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，以便获得要求的涂层成份。
另外，阻挡涂层46可以包括混合型有机/无机材料或多层的有机/无机材料。该无机材料可以从A-F元素选择，而该有机材料可以包括丙烯酸盐、环氧树脂、环氧胺、二甲苯、硅氧烷、聚硅酮等。本专业的技术人员可以理解特定反应剂的选择。
基底42也可以包括涂层或保护层48，就是说，耐化学腐蚀和热膨胀系数(″CTE″)低。该保护层48可以实现为最好防止下面的材料在基底42的制造或该有机封装过程中一般使用的化学品的化学侵蚀。另外，因为CTE低，保护层48还允许该基底42在高温下处理。保护层48可以包括丙烯酸盐、环氧树脂、环氧胺、二甲苯、硅氧烷、聚硅酮等，潜在地用无机填料，诸如硅石颗粒填充，例如和可以通过卷涂层、间隙涂层、棒涂层、旋涂及其他已知的湿化学涂层技术淀积。作为另一方案，保护层48可以包括无机和陶瓷涂层材料，一般包括可以用淀积技术诸如等离子体增强化学蒸汽淀积(PECVD)、射频等离子体增强化学蒸汽淀积(RFPECVD)、扩展热等离子体化学蒸汽淀积(ETPCVD)、反应性溅射、电子环拉驻留(electron-cyclodrawn-residence)等离子体增强化学蒸汽淀积(ECRPECVD)、感应耦合等离子体增强化学蒸汽淀积(ICPECVD)、溅射淀积、蒸镀、原子层淀积(ALD)或其组合淀积的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物或IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB和IIB族元素的组合，或IIIB、IVB和VB族金属和稀土金属。
该复合基底42的外表面还可以包括保护层52。保护层52一般包括耐磨和热膨胀系数低的层/涂层。可以实现层52，以防止基底42在处理时被刮伤。另外，因为CTE低，保护层52还允许该基底42在高温下处理。该保护层52可以包括上面就层48描述的任何材料，并可以通过上面就此描述的这些淀积技术中的任何一个淀积。
图6举例说明柔性基底54的又一个实施例，它们可以按照以前描述的密封技术实现。在图6中举例说明的复合基底54类似于参照图5举例说明的基底。基底54和基底42之间的差异在于，使用两层膜56和58(与一层膜44相反，正如图5)和两层阻挡涂层60和62(与一个阻挡涂层46相反，正如图5)。阻挡涂层60通过粘结剂层64耦合到阻挡涂层62。
尽管可以实现基底42和54的复合，以便形成上面参照图1-4所描述的有机封装中的任何一个，但是可以实现参照图7举例说明的又一个实施例，以便提供一种有机封装。现参见图7，举例说明有机封装66，其中实现参照图6描述的基底。正如将会意识到的，其它的基底实施例，诸如参照图5描述的实施例，也可以与图7举例说明的边封配置结合使用。正如下面进一步描述的，在图7中举例说明的实施例实现一种个别密封基底的结构。
有机封装66包括两个复合基底68和70。每一个复合基底都可以有例如参照图6描述的结构。基底68和70制造之后，每一个基底68和70的边沿都可以通过各自柔性边封72和74进行密封，以便提供改善了的密封。边封72和74可以包括铝箔、不锈钢箔、铜箔、锡、Kovar、不胀钢等，可以是绝缘的或导电的。正如将会意识到的，基底之一(这里是基底70)可以包括有机电子器件78的阳极层76。阳极层76可以是直接在该基底70上淀积和形成图案。正如将会意识到的，实现该阳极层76，以便把正载流子(或空穴)注入有机电子器件78的有机层并制成一种高功函数材料；例如，大于约4.5电子伏，最好从约5电子伏至约5.5电子伏。例如，氧化铟锡(″ITO″)可以用来形式阳极76。ITO对光透射基本上是透明的并允许至少80％的光透过它。因此，从该有机电子器件的有机电致发光层发射的光可以轻易地通过ITO阳极层76逸出，而又没有严重的衰减。适用于阳极层76的其它材料是氧化锡、氧化铟、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡镉及其混合物。另外，该阳极用的材料可以用铝或氟搀杂，以改善电荷注入特性。该阳极层76可以是在下面的结构上物理蒸汽淀积、化学汽相淀积、离子束协助淀积或溅射进行淀积。一个薄的基本上透明的金属层也是适当的。作为另一方案，阳极层76可以是有机电子器件78的一部分，它在以后耦合到基底70。
柔性边封72和74通过密封剂80耦合到各自基底68和70。一旦边封72和74附在基底68和70上，而且有机电子器件78便附在该基底68上，通过另一个密封剂层82该基底68和70便可以耦合到一起。密封剂80和82中的每一个都可以设置成围绕该有机电子器件78的整个周边，使得有机电子器件78完全被密封剂80和82包围，如前参照图1和2所述。密封剂80和82最好包括粘结剂材料，使得可以实现密封剂80以便把柔性边封72和74耦合到各自基底68和70，可以实现密封剂82以便使基底68和70彼此耦合。相应地，该密封剂80和82可以包括例如环氧树脂、丙烯酸盐、可紫外线固化的Norland68、可热固化粘结剂、压敏粘结，诸如热固性和热塑性或室温硫化(RTV)粘结剂。作为另一方案，边封可以是焊接剂或共同焊接，以此使焊接剂或焊接反应产物起密封剂82的作用。密封剂80和82一般包括磁导率低的材料并提供粘结。如前所述，可以在围绕基底68和70的边沿包裹边封72和74而建立的袋内设置干燥剂或吸气剂材料84。
尽管本发明不难进行不同的修改和替换，具体的实施例已经以举例方式在附图中表示和并已经在这里详细描述。但是，应该明白，本发明不打算限于所公开的特定的形式。而是，本发明将覆盖所有落在按照后附的权利要求书定义的本发明的精神和范围内的修改、等同和替代。

Claims (27)

1.一种封装，包括：
柔性基底，包括聚合物透明膜；
有机电子器件，耦合到所述透明膜；
密封剂，耦合到所述柔性基底并设置在所述有机电子器件的边缘周围；和
上覆层，耦合到所述密封剂并设置在紧靠所述有机电子器件的位置上，
其中，所述上覆层包括周边，所述周边适于包裹所述封装的边沿，而所述周边粘结地耦合到所述柔性基底与所述有机电子器件相反的一侧。
2.如权利要求1所述的封装，其中所述柔性基底包括阻挡涂层。
3.如权利要求1所述的封装，其中所述柔性基底是复合基底，包括：
第一保护层，配置成耐磨损；
聚合物透明膜，耦合到所述第一保护层；
阻挡涂层，耦合到所述透明膜；和
第二保护层，耦合到所述阻挡涂层并配置成在制造过程中保护所述透明膜免受化学侵蚀。
4.如权利要求1所述的封装，其中所述柔性基底是复合基底，包括：
第一保护层，配置成耐磨损；
第一聚合物透明膜，耦合到所述第一保护层；
第一阻挡涂层，耦合到所述第一透明膜；
第二阻挡涂层，通过粘结剂层耦合到所述第一阻挡涂层；
第二聚合物透明膜，耦合到所述第二阻挡涂层；和
第二保护层，耦合到所述第二聚合物透明膜并配置成保护所述第二透明膜在制造过程中免受化学侵蚀。
5.如权利要求1所述的封装，包括阻挡涂层，耦合在所述柔性基底和所述有机电子器件之间。
6.如权利要求1所述的封装，其中所述有机电子器件包括有机发光二极管。
7.如权利要求1所述的封装，其中所述有机电子器件包括有机光电伏打器件。
8.如权利要求1所述的封装，其中所述密封剂包括具有低磁导率的粘结材料。
9.如权利要求1所述的封装，其中所述密封剂包括大于所述有机电子器件厚度的厚度。
10.如权利要求1所述的封装，其中所述上覆层包括金属箔。
11.如权利要求1所述的封装，包括干燥剂材料，设置在通过包裹带有所述上覆层的封装的边沿而形成的袋内。
12.一种封装，包括：
柔性基底，包括聚合物透明膜；
有机电子器件，耦合到所述透明膜；
密封剂，耦合到所述透明膜并设置在所述有机电子器件的边缘周围；
柔性上覆层，耦合到所述密封剂并设置成紧接所述有机电子器件；
柔性边封，耦合到柔性基底和上覆层的每一个并配置成密封所述封装的***边沿，其中柔性边封包括金属箔。
13.如权利要求12所述的封装，其中所述柔性基底包括阻挡涂层。
14.如权利要求12所述的封装，其中所述柔性基底是复合基底，包括：
第一保护层，配置成耐磨损；
聚合物透明膜，耦合到所述第一保护层；
阻挡涂层，耦合到所述透明膜；和
第二保护层，耦合到所述阻挡涂层并配置成保护所述透明膜在制造过程中免受化学侵蚀。
15.如权利要求12所述的封装，其中所述柔性基底是复合基底，包括：
第一保护层，配置成耐磨损；
第一聚合物透明膜，耦合到所述第一保护层；
第一阻挡涂层，耦合到所述第一透明膜；
第二阻挡涂层，通过粘结剂层耦合到所述第一阻挡涂层；
第二聚合物透明膜，耦合到所述第二阻挡涂层；和
第二保护层，耦合到所述第二聚合物透明膜并配置成保护所述第二透明膜在制造过程中免受化学侵蚀。
16.如权利要求12所述的封装，包括耦合在所述柔性基底和所述有机电子器件之间的阻挡涂层。
17.如权利要求12所述的封装，其中所述有机电子器件包括有机发光二极管。
18.如权利要求12所述的封装，其中所述有机电子器件包括有机光电伏打器件。
19.如权利要求12所述的封装，其中所述密封剂包括具有低磁导率的粘结材料。
20.如权利要求12所述的封装，其中所述密封剂包括大于所述有机电子器件厚度的厚度。
21.如权利要求12所述的封装，其中所述上覆层包括金属箔。
22.如权利要求12所述的封装，包括干燥剂材料，设置在通过所述边封形成的袋内。
23.一种制造封装的方法，包括：
提供一卷柔性基底膜；
在所述柔性基底膜上设置多个有机器件；
提供一卷金属箔，所述金属箔卷具有与所述柔性基底膜卷大约相同的尺寸；
在金属箔上设置密封剂，以使密封剂被布置成形成多个周边，其中一旦所述金属箔耦合到所述柔性基底膜，多个周边中的每一个的大小便完全包围所述有机器件；和
把所述金属箔耦合到所述柔性基底膜。
24.如权利要求23所述的方法，包括实施多个封装中的每一个。
25.如权利要求24所述的方法，其中实施包括切割所述金属箔，使得在多个封装中的每一个上的金属箔具有比所述柔性基底膜的表面积大的表面积。
26.如权利要求25所述的方法，包括围绕所述柔性基底膜的整个周边包裹所述金属箔。
27.如权利要求24所述的方法，包括将边封耦合到实施的封装上，其中所述边封配置成密封所述封装的***边沿。
CN2005800170073A 2004-04-02 2005-03-01 具有密封边沿的有机电子封装及其制造方法 Expired - Fee Related CN1957485B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/817,531 2004-04-02
US10/817,531 US8405193B2 (en) 2004-04-02 2004-04-02 Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages
PCT/US2005/006602 WO2005104266A1 (en) 2004-04-02 2005-03-01 Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1957485A CN1957485A (zh) 2007-05-02
CN1957485B true CN1957485B (zh) 2010-09-01

Family

ID=34961188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800170073A Expired - Fee Related CN1957485B (zh) 2004-04-02 2005-03-01 具有密封边沿的有机电子封装及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8405193B2 (zh)
JP (1) JP5198058B2 (zh)
KR (2) KR101194612B1 (zh)
CN (1) CN1957485B (zh)
TW (1) TWI430454B (zh)
WO (1) WO2005104266A1 (zh)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US7541671B2 (en) * 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
US20060278965A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Foust Donald F Hermetically sealed package and methods of making the same
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
TWI286797B (en) * 2006-01-18 2007-09-11 Touch Micro System Tech Method of wafer level packaging and cutting
KR100688795B1 (ko) * 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101298025B1 (ko) * 2006-09-25 2013-08-26 엘지디스플레이 주식회사 렌티큘러방식 입체영상표시장치의 제조방법.
JP2008103254A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Tokai Rubber Ind Ltd 有機ｅｌデバイス
US20080102223A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US20080138624A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 General Electric Company Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method
US20080138538A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 General Electric Company Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method
US7781031B2 (en) * 2006-12-06 2010-08-24 General Electric Company Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method
US7667285B2 (en) * 2006-12-14 2010-02-23 Motorola, Inc. Printed electronic substrate havine photochromic barrier layer
KR101443369B1 (ko) * 2007-02-12 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 표시 기판 모듈 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법
US7929106B2 (en) * 2007-12-13 2011-04-19 3M Innovative Properties Company Liquid crystal display comprising a void region and method of manufacturing same
WO2009136305A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reelable oled curtain
KR101563763B1 (ko) * 2008-05-07 2015-10-27 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
US20090284158A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 General Electric Company Organic light emitting device based lighting for low cost, flexible large area signage
US7976908B2 (en) * 2008-05-16 2011-07-12 General Electric Company High throughput processes and systems for barrier film deposition and/or encapsulation of optoelectronic devices
US8362517B2 (en) 2008-06-11 2013-01-29 Plextronics, Inc. Encapsulation for organic optoelectronic devices
JP2010044937A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Tohcello Co Ltd テープ状の密封材および有機ｅｌデバイス
US8022623B2 (en) * 2008-08-15 2011-09-20 General Electric Company Ultra-thin multi-substrate color tunable OLED device
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
EP2202819A1 (en) 2008-12-29 2010-06-30 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Electro-optic device and method for manufacturing the same
US20100167002A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Vitex Systems, Inc. Method for encapsulating environmentally sensitive devices
US7948178B2 (en) * 2009-03-04 2011-05-24 Global Oled Technology Llc Hermetic seal
US8405116B2 (en) * 2009-03-18 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
TWI389271B (zh) 2009-04-10 2013-03-11 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法
KR101621300B1 (ko) 2009-09-16 2016-05-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
US8753711B2 (en) * 2009-12-18 2014-06-17 General Electric Company Edge sealing method using barrier coatings
JP5290268B2 (ja) 2009-12-31 2013-09-18 三星ディスプレイ株式會社 バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法
JP5611811B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置
JP5611812B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
EP2363905A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-07 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electrical device and method for manufacturing thereof
EP2383817A1 (en) * 2010-04-29 2011-11-02 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8618731B2 (en) * 2010-05-18 2013-12-31 General Electric Company Large-area flexible OLED light source
TWI443784B (zh) 2010-07-29 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法
US9935289B2 (en) 2010-09-10 2018-04-03 Industrial Technology Research Institute Institute Environmental sensitive element package and encapsulation method thereof
KR101266103B1 (ko) * 2010-09-29 2013-05-27 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR20120066352A (ko) * 2010-12-14 2012-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8692457B2 (en) 2010-12-20 2014-04-08 General Electric Company Large area light emitting electrical package with current spreading bus
JP6228116B2 (ja) * 2011-08-04 2017-11-08 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 縁部保護バリアアセンブリ
EP2740327A4 (en) * 2011-08-04 2015-05-20 3M Innovative Properties Co BARRIER ASSEMBLIES
WO2013019695A2 (en) * 2011-08-04 2013-02-07 3M Innovative Properties Company Edge protected barrier assemblies
EP2740326A4 (en) * 2011-08-04 2015-05-20 3M Innovative Properties Co LOCKING DEVICE WITH EDGE PROTECTION
JP2014526985A (ja) * 2011-08-04 2014-10-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー エッジの保護されたバリアー性組立品
JP6362330B2 (ja) * 2011-11-14 2018-07-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
KR20130065219A (ko) * 2011-12-09 2013-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2013130122A1 (en) * 2012-03-01 2013-09-06 3M Innovative Properties Company Continuous edge protected barrier assemblies
JP2013219184A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明パネル及びこれを備えた照明装置
EP2685515A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-15 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and system for dividing a barrier foil
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
CN103794733A (zh) 2012-10-31 2014-05-14 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体
KR101420332B1 (ko) * 2012-11-14 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8829507B2 (en) 2012-12-06 2014-09-09 General Electric Company Sealed organic opto-electronic devices and related methods of manufacturing
CN103855105B (zh) 2012-12-06 2017-04-26 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体及其制作方法
TWI497655B (zh) 2012-12-14 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法
JP6186377B2 (ja) 2012-12-18 2017-08-23 パイオニア株式会社 発光装置
US9847512B2 (en) 2012-12-22 2017-12-19 Industrial Technology Research Institute Electronic device package structure and manufacturing method thereof
TWI552331B (zh) * 2013-01-11 2016-10-01 財團法人工業技術研究院 電子元件之封裝結構
KR102103421B1 (ko) * 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104051357B (zh) 2013-03-15 2017-04-12 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子装置以及其封装方法
KR20140119583A (ko) * 2013-04-01 2014-10-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102479472B1 (ko) 2013-04-15 2022-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
CN104124347A (zh) * 2013-04-28 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 柔性有机电致发光器件及其制备方法
TW201943069A (zh) * 2013-09-06 2019-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及發光裝置的製造方法
CN103500800A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US10008689B2 (en) 2013-09-27 2018-06-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display device and method of manufacturing display panel
CN103490019B (zh) * 2013-09-29 2016-02-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置
US10424747B2 (en) 2013-09-30 2019-09-24 Lg Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device and method of manufacturing the same
CN103560209A (zh) * 2013-10-12 2014-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管装置以及其制造方法
KR102212764B1 (ko) * 2013-10-15 2021-02-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104637886B (zh) 2013-11-12 2017-09-22 财团法人工业技术研究院 折叠式封装结构
DE102013226280A1 (de) * 2013-12-17 2015-06-18 Belectric Opv Gmbh Organisches Photovoltaikelement, sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen
CN104157705B (zh) 2014-08-05 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阻隔膜层、具其的光电器件及光电器件的制作方法
US10244603B2 (en) 2014-09-03 2019-03-26 Lg Display Co., Ltd. OLED stand
WO2016059514A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR102439040B1 (ko) * 2014-12-01 2022-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 롤러블 유기 발광 디스플레이 시스템
CN104538556B (zh) * 2014-12-03 2017-01-25 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled衬底及柔性oled封装方法
US9847509B2 (en) 2015-01-22 2017-12-19 Industrial Technology Research Institute Package of flexible environmental sensitive electronic device and sealing member
JP6383682B2 (ja) * 2015-02-26 2018-08-29 富士フイルム株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
CN107624200A (zh) * 2015-04-29 2018-01-23 沙特基础工业全球技术公司 用于oled照明应用的密封方法
CN104993063A (zh) * 2015-07-17 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种封装件及其制作方法、oled装置
KR20170035055A (ko) * 2015-09-22 2017-03-30 코오롱인더스트리 주식회사 유연소자, 이의 제조방법 및 이의 제조장치
CN110268504A (zh) * 2016-11-06 2019-09-20 奥博泰克Lt太阳能公司 用于封装有机发光二极管的方法和设备
FR3061404B1 (fr) * 2016-12-27 2022-09-23 Packaging Sip Procede de fabrication collective de modules electroniques hermetiques
CN108735913A (zh) * 2017-04-25 2018-11-02 群创光电股份有限公司 显示设备
US20180319131A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Switch Materials Inc. Packaged film assembly for lamination between substrates
CN111418265B (zh) 2017-12-07 2023-06-16 索尼公司 显示装置
KR102480840B1 (ko) * 2018-01-31 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
CN108428804A (zh) * 2018-04-19 2018-08-21 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其封装方法
CN109346623B (zh) * 2018-11-14 2020-12-29 信利（惠州）智能显示有限公司 Amoled显示产品封边方法、封边结构及显示产品
CN111200879B (zh) * 2018-11-16 2022-02-01 财团法人工业技术研究院 加热器封装体
CN113544872A (zh) * 2019-04-11 2021-10-22 松下知识产权经营株式会社 太阳能电池模块
CN112509992B (zh) * 2020-11-30 2024-07-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、电子设备以及显示面板的制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6080031A (en) * 1998-09-02 2000-06-27 Motorola, Inc. Methods of encapsulating electroluminescent apparatus
CN1418042A (zh) * 2002-11-25 2003-05-14 清华大学 一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法和应用
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4352844A (en) * 1981-05-29 1982-10-05 W. R. Grace & Co. Thermoplastic film having improved handling and sealing characteristics and receptacle formed therefrom
JPH05242966A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nec Kansai Ltd 電界発光灯及びその製造方法
US6704133B2 (en) * 1998-03-18 2004-03-09 E-Ink Corporation Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays
US6081071A (en) * 1998-05-18 2000-06-27 Motorola, Inc. Electroluminescent apparatus and methods of manufacturing and encapsulating
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
KR100720066B1 (ko) * 1999-11-09 2007-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6537688B2 (en) 2000-12-01 2003-03-25 Universal Display Corporation Adhesive sealed organic optoelectronic structures
US6576351B2 (en) * 2001-02-16 2003-06-10 Universal Display Corporation Barrier region for optoelectronic devices
US6856086B2 (en) * 2001-06-25 2005-02-15 Avery Dennison Corporation Hybrid display device
US6692610B2 (en) * 2001-07-26 2004-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oled packaging
US6737753B2 (en) 2001-09-28 2004-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Barrier stack
US6655788B1 (en) * 2002-05-17 2003-12-02 Viztec Inc. Composite structure for enhanced flexibility of electro-optic displays with sliding layers
US7649674B2 (en) * 2002-06-10 2010-01-19 E Ink Corporation Electro-optic display with edge seal
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
US7648925B2 (en) * 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
JP4342870B2 (ja) * 2003-08-11 2009-10-14 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
KR100551121B1 (ko) * 2003-10-21 2006-02-13 엘지전자 주식회사 일렉트로 루미네센스 표시장치
US7541671B2 (en) * 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
US20060278965A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Foust Donald F Hermetically sealed package and methods of making the same
KR100719554B1 (ko) * 2005-07-06 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI389271B (zh) * 2009-04-10 2013-03-11 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6080031A (en) * 1998-09-02 2000-06-27 Motorola, Inc. Methods of encapsulating electroluminescent apparatus
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
CN1418042A (zh) * 2002-11-25 2003-05-14 清华大学 一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开平5-242966A 1993.09.21
同上.

Also Published As

Publication number Publication date
TWI430454B (zh) 2014-03-11
WO2005104266A1 (en) 2005-11-03
US20050224935A1 (en) 2005-10-13
KR20060133018A (ko) 2006-12-22
US8405193B2 (en) 2013-03-26
KR20110124327A (ko) 2011-11-16
JP5198058B2 (ja) 2013-05-15
KR101194612B1 (ko) 2012-10-25
JP2007531238A (ja) 2007-11-01
US8633574B2 (en) 2014-01-21
TW200603416A (en) 2006-01-16
US20130248828A1 (en) 2013-09-26
CN1957485A (zh) 2007-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1957485B (zh) 具有密封边沿的有机电子封装及其制造方法
KR101269607B1 (ko) 밀폐 밀봉된 패키지 및 그의 제조 방법
CN101156258B (zh) 具有外阻挡层的有机电子装置
US8350470B2 (en) Encapsulation structures of organic electroluminescence devices
KR101052380B1 (ko) 점차 변화되는 조성을 갖는 확산 차단 코팅 및 이를 포함하는 소자
KR101580860B1 (ko) 전자발광 디스플레이, 조명 또는 표시 장치 및 그 제조방법
US8022623B2 (en) Ultra-thin multi-substrate color tunable OLED device
WO2002067342A2 (en) Improved barrier region for optoelectronic devices
JP2005235743A (ja) 拡散障壁を有する複合材物品及び該物品を組み込んだ素子
KR100736872B1 (ko) 게터층을 포함하는 초박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계발광 소자
CN114171702B (zh) Oled封装结构与oled封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100901

Termination date: 20170301