CN1941318A - 基板载置机构以及基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板载置机构，抑制伴随处理气体的供给而生成的反应生成物堆积在设置于基板载置机构的载置台上的销插通孔和在该销插通孔内升降从而在载置台上进行基板交换的升降销的间隙中。该基板的载置机构包括：在销插通孔的下端的开口部中，呈环状向内侧突出形成的环状突出部；和形成于上述升降销上，当该升降销下降时，支承在环出突出部上并塞住上述开口部的扩径部。进入到载置有基板的载置台下方周围的处理气体难以从销插通孔的下端进入，可以抑制反应生成物堆积在升降销和销插通孔之间的间隙中，因此能够抑制对升降销升降的阻碍。

Description

基板载置机构以及基板处理装置

技术领域

本发明涉及具有载置被处理基板的载置台，利用通过升降机构而升降的升降销，升降被处理基板的基板载置机构、以及具有该载置机构的基板处理装置。

背景技术

在现有技术中，就利用CVD(化学气相沉积)对被处理基板(例如半导体晶片(以下称为晶片))进行成膜处理或者蚀刻处理等各种处理的装置而言，其在内部具有相对晶片供给进行处理的处理气体的处理容器，此外，在该处理容器的内部设置有载置机构，该载置机构具有用于载置进行处理的晶片的载置台。该载置机构起到在载置台与将晶片搬送至处理容器内的搬送机构(没有示出)之间进行晶片交换的作用。

参照图9，对这种现有技术的晶片载置机构1进行说明，图中11代表的是载置台，12代表的是在该载置台11上的晶片W的载置面。例如，在载置台11上，以沿着其圆周方向隔开一定间隔的方式向着垂直方向穿设有三个贯通孔。在各贯通孔中嵌合固定有套筒13。在套筒13内***有升降销15，同时，在升降销15的下方设置有销基座16，销基座16通过升降臂17与图未示出的驱动部连接。当升降销15不进行晶片W的交换时，如图9(a)所示，升降销15的上端位于载置台11的载置面12的下方，该位置被称为初始位置；当载置机构1从搬送机构接受晶片W时，通过升降臂17的上升，销基座16沿着铅直方向上推处于初始位置的各升降销15，从而，如图9(b)所示，升降销15从载置台11上突出。然后，该突出的升降销15支承通过搬送机构搬入处理容器内的晶片W的背面。然后，销基座16下降，随着该销基座16的下降，升降销15保持支承晶片W的状态下降，并返回到上述初始位置，从而，将晶片W载置在载置台11上。其中，为了使升降销15在套筒13内顺利地升降，在套筒13的内壁与升降销15之间设置有一定大小的间隙，该升降销15的一部分与套筒13的内壁接触，并在套筒内升降。

但是，在上述现有技术的载置机构中，存在如下所述的问题。例如，对于通过CVD在晶片W上形成作为导电膜的Ti(钛)膜用的成膜装置来说，当将晶片W搬送至该成膜装置的处理容器内，并载置于载置台11上后，将作为成膜气体的TiCl₄气体供给至处理容器内的情况下，该TiCl₄气体的一部分流入至载置台11的下面。由于TiCl₄气体流入至固体间的间隙中，在该间隙中容易形成沉淀物(堆积物)，因此，对于该TiCl₄气体来说，如图10(a)箭头所示，从载置台11的下部进入上述升降销15与套筒13之间的间隙中，有时如图(10b)所示那样，形成可堵塞该间隙的沉淀物(堆积物)19。这样，若形成这种沉淀物19并蓄积，则升降销15不能顺利地在套筒13内移动，不能下降至初始位置，或者有可能固定在套筒13上，并在这种状态下，当利用销基座16强制升起时，升降销15有可能折断。

此外，当使用CVD的成膜装置利用等离子体的情况下，若由上述TiCl₄等气体生成的导电性沉淀物19附着在升降销15和套筒13的间隙中，那么，在处理容器内产生等离子体时，因为升降销15的电位与载置台11的电位之间产生差别，而造成升降销15周围产生异常放电，导致升降销15恶化，从而加速其破损。

然而，如上所述，由成膜气体生成的沉淀物19堵塞升降销15与套筒13之间的间隙的现象，并不只限于上述过程，此外，在蚀刻装置的载置机构中，因蚀刻而产生的反应生成物的粒子有时也会堵塞上述间隙，产生同样的问题。

为了防止设置在这种成膜装置或者蚀刻装置中的载置机构的升降销15产生破损，而需要在短时间内强制进行该升降销15以及套筒13的烦杂的更换作业以及对这些零件进行清洗，因此，成为维修作业负担较大的主要原因。

其中，在专利文献1中揭示有一种通过使固定在销***孔中的套筒的下端向载置台的下方突出，来抑制处理气体浸入上述间隙内的载置机构，但并不能充分解决上述问题。

此外，作为其他问题，在进行CVD的成膜装置中，存在着当清洁处理容器内之后、搬入晶片之前，为了使该处理容器内的气氛接近成膜处理时，对各晶片的每一个进行均匀的处理，而例如将上述TiCl₄气体等成膜气体供给至处理容器内，预涂敷载置面12。在这种情况下，如图11(a)的箭头所示，TiCl₄气体从载置台11的上部进入套筒13内，如图11(b)所示，在位于初始位置的升降销15的前端附近形成沉淀物19。然后，在为了接受搬入处理容器内的晶片W而使升降销15上升时，如图11(c)所示，沉淀物19从套筒13和升降销15剥离，沿着套筒13的内壁按压而载置于载置面12上，此时，若升降销15在保持晶片W的状态下下降，则因为沉淀物19作为颗粒附着在上述晶片背面而成为颗粒污染的主要原因。

【专利文献1】日本特开2004-343032号公极。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板载置机构，能够抑制随着处理气体的供给而产生的反应生成物积蓄在设置于基板载置机构的载置台上的销插通孔与通过在该销孔内升降而相对载置台进行基板交换的升降销之间的间隙中。

本发明的一种基板载置机构，其特征在于，包括：设置在形成有由处理气体造成的处理气氛的处理容器内，载置被处理基板的载置台；分别***设置于该载置台上的销插通孔中，通过出没动作相对载置台进行基板交换用的多个升降销；以及支承这些升降销的升降体，该基板载置机构能够利用升降机构并通过升降体使升降销升降，其中，还包括：在上述销插通孔的下端的开口部，呈环状向内侧突出形成的环状突出部；和形成于上述升降销上，当该升降销下降时，支承在环状突出部上并塞住上述开口部的扩径部。

上述环状突出部的上面一侧，例如为了引导扩径部并且使升降销位于销插通孔的中央而向内侧下方倾斜，此外，上述扩径部的下面侧，例如向着内侧下方倾斜。而且，在上述升降销中，形成为在支承基板时突出的部分的直径比扩径部小。当升降销在销插通孔内倾斜时，通过由扩径部抑制倾斜，而能够使该小径部不与销插通孔的内周面接触。

此外，例如若以所述扩径部作为第一扩径部，则在该扩径部的上方侧，而且当升降销位于接受基板的上升位置时，在位于销插通孔中的部分上设置有第二扩径部。上述升降销与升降体分离设置，利用升降销的自重，将扩径部支承在环状突出部上。

本发明的一种基板处理装置，其特征在于，包括：处理容器；设置在处理容器内的上述基板载置机构；以及将对被处理基板进行处理的处理气体供给至处理容器内的处理气体供给部。

本发明的基板载置机构，在载置台上形成的销插通孔的下端开口部形成有环状突出部，当升降销下降时，形成其上的扩径部支承在环状突出部上，并塞住上述开口部。因此，在载置基板的载置台的下方周围进入的处理气体难以从销插通孔的下端侵入，可以抑制反应生成物堆积在升降销与销插通孔之间的间隙中。因此，抑制对升降销的升降产生的阻碍，其结果，可以减少为了确保升降销的正常的动作而对升降销和销插通孔的零件进行的清洁以及更换等维修作业的频度。

此外，如果使上部侧形成为比升降销的扩径部细，尽量在扩径部中维持升降销的垂直姿势，则在上部侧的小径部中，由于升降销和销插通孔不摩擦或者摩擦程度小，而能够抑制附着在销插通孔的反应生成物压紧在载置台的载置面上，从而能够抑制反应生成物成为颗粒而污染基板。

附图说明

图1是表示设置本发明载置机构的成膜装置的全体结构的结构图。

图2是表示本发明的载置机构的截面图。

图3是上述套筒和升降销的透视图。

图4是用于表示上述套筒和升降销的各部尺寸的说明图。

图5为是表示上述升降销接收晶片的式样的工序图。

图6是表示升降销的另一结构的说明图。

图7是用于表示上述升降销的各部尺寸的说明图。

图8是表示本发明的另一载置机构的截面图。

图9是表示在现有技术的基板载置机构交换基板的式样的说明图。

图10是表示在现有技术的基板载置机构的套筒和升降销的间隙中形成沉淀物的式样的说明图。

图11是表示当上述升降销上升时，沉淀物在载置机构的载置台上的式样的说明图。

符号说明：

2-成膜装置；41-台；41a-载置面；51-套筒；52-销插通孔；53-开口部；56-环状突出部；61-升降销；62-扩径部；64销基座。

具体实施方式

对将本发明的基板载置机构组装在利用等离子体CVD进行成膜用的成膜装置2中的实方式进行说明。该成膜装置2具有上侧为大直径的圆筒部20a且其下侧与小直径的圆筒部20b连接的处理容器20，该处理容器20例如作为由铝制成的真空腔室而构成，设置有用于加热其内壁的图未示出的加热机构。排气管21的一端与处理容器20的底部连接，作为真空排气装置的真空泵22与该排气管21的另一端连接。此外，在处理容器20的大直径的圆筒部20a的侧壁上开设有利用闸阀23自由开闭的晶片W的搬送口24。

在处理容器20的天井部形成有开口部25，以塞住该开口部25的方式设置有气体喷淋头3，使其与形成后述载置台的台41相对。气体喷淋头3兼作上部电极使用，并通过匹配器31与高频电源部32连接。在气体喷淋头3的下面，例如在其全体下表面上，以一定间隔呈矩阵状分别开设有多个气体排出口33A、33B。此外，在气体喷淋头3的内部设置有互相隔开的气体流路34A和34B，气体流路34A与气体排出口33A连通，气体流路34B与气体排出口33B连通。

此外，气体供给管35A、35B与气体喷淋头3连接，气体供给管35A的一端与上述气体流路34A连接，而气体供给管35B的一端与气体流路34B连接。这些气体供给管35A、35B的另一端例如通过组装有阀或者质量流量控制器等的气体供给机器组36而分别与贮留有作为处理气体的TiCl₄的气体供给源37A、贮留有同样作为处理气体的NH₃(氨)的气体供给源37B连接。然后，当将晶片W载置在台41上时，分别从气体供给源37A、37B向气体供给管35A、35B供给气体。这些气体利用在气体供给机器组36中所含有的质量流量控制器而被控制至规定流量，通过气体排出口33A、33B，在载置于台41上的晶片W上面的处理空间26中扩散，在该处理空间26中互相混合而被供给至晶片W。其中，气体喷淋头3利用安装在其外周上的绝缘部件38而相对于处理容器20绝缘。

接着，参照图2～图3，对构成本发明的主要部分的台(载置台)41周边的载置机构的结构进行说明。台41例如形成为圆形，通过支承部件42被支承在处理容器20的小直径的圆筒部20b的底部，被设置成位于处理容器20的大直径的圆筒部20a的中央部，使载置在该台41的载置面41a上的晶片W保持水平。图中43代表的是埋设置在台41的载置面41中的、成为台41上的晶片W的调温装置的加热器，图中44代表的是用于吸附载置面41a上的晶片W的静电夹头。该台41接地，除了起到载置晶片W的载置台的作用以外，还起到作为下部电极的作用。其中，在图1中，配线图只用于简略地说明，实际上台41与处理容器20电气连接。

例如在台41的圆周方向上，分别以一定间隔在铅直方向上形成有三个贯通孔40，在该贯通孔40内设置有例如由氧化铝等材质构成的圆筒状的套筒51。其中，图中52代表的是作为套筒51的孔的销插通孔，图中53代表的是套筒51的下端侧的开口部。在套筒51的上端形成有凸缘部51a，通过将该凸缘部51a嵌入到上述贯通孔40的上部侧的扩径区域(凹部)中，可以将套筒51埋设在台41内，凸缘部51a的上面位于与台41的载置面41a大致相同的高度上。

在套筒51的下部外周上切出螺纹。通过使两个螺母54、54螺合在套筒51上，与台41的下面侧拧紧，而能够将套筒51固定在台41上。在该例中，该套筒51的长度形成为比台41的厚度大，套筒51的下端向台41的下方突出。通过这样构成套筒51，当台41的下方周围的处理气体从开口部53侵入销插通孔52内的情况下，由于能够抑制进入的处理气体到达销插通孔52内的上部一侧，因此处理气体产生的沉淀物难以附着在销插通孔52的上部和后述的升降销61的前端。

在套筒51的下端侧的开口部53中，设置有按照向着内侧的方式、以环状突出形成的环状突出部56。对于该环状突出部56的上侧的面，在升降销61下降时，与该升降销61接触，形成支承其的支承面57，形成为向着内侧下方倾斜。

接着，对升降销61进行说明。如图3所示，升降销61从各套筒51的上部一侧***至套筒51的销插通孔52内，如后述那样，形成为能够在该销插通孔52内升降。该升降销61例如由氧化铝等材质构成。在升降销61的中央设置有扩径部62，从该扩径部62的下端部(即扩径部62)移至小径部分的台阶差面63例如随着向下方而直径慢慢地缩小，换句话说，向内侧下方倾斜。当销基座64从升降销61离开时，该倾斜的台阶差面63与支承面57面接触，从而塞住套筒51下端侧的开口部53，能够抑制气体从该开口部53向套筒51的销插通孔52内流入。其中，在以下的说明中，称此时升降销61的位置为初始位置(下降位置)。

此外，在该升降销61的扩径部62的上方侧部分，形成有比扩径部62的直径小的小径部60。对于扩径部62的轴向的长度，将其设定为当升降销61处于从台41的载置面41a突出并对晶片W进行交换的位置时，不从载置面41a突出的尺寸。这是为了防止因升降销61的扩径部62摩擦套筒51的内壁而将由附着在内壁上的成膜气体产生的堆积物上推至载置面41a上，导致沉淀物作为颗粒而附着在载置于载置面41a上的晶片W上。

此外，扩径部62的外周面和套筒51的内周面的间隙大小，必需为升降销61能够顺利地升降的大小，若其过大，则升降销61的升降动作不稳定，如下所述那样升降销61的倾斜变大，导致小径部60与套筒51的内周面接触，此外，当成膜气体从下方侵入时，容易进入至上侧，因此需要考虑这些来决定。

这样，扩径部62不但起到抑制成膜气体侵入到上方的作用，而且，在该例中，由于扩径部62和套筒51的间隙小，所以当升降销61倾斜时，扩径部62本身与套筒51的内周面接触，可抑制其倾斜，因此，起到使其上方的小径部60不与套筒51的内周面接触的作用。即，由于扩径部62和套筒51的间隙小，所以，当升降销61倾斜时，升降销61和套筒51的接触点成为扩径部62的外周面，其上的小径部60不接触。因此，不必担心因小径部60摩擦套筒51的内壁而将沉淀物(附着物)上推至载置面41a上。

现举出各部位的尺寸的一个例子，如图4所示，套筒51的口径d为4mm，扩径部62的长度L以及外径R1分别为20mm和3.6mm，小径部60的外径r1为2mm。

在位于初始位置上的升降销的下方一侧，例如与升降销61隔开一定间隔而设置有用于上推升降销61的销基座64，支承该销基座64的升降臂65与各销基座64的下部连接。在该例中，通过销基座64和升降臂65构成升降体。图中66表示的是驱动杆，其一端与上述升降臂65连接，其另一端例如在圆筒部20a的底面上通过图未示出的轴承部向处理容器20的外面伸长，与升降机构67连接。图中68表示的是用于确保驱动杆66和处理容器20的气密性的波纹管。升降机构67通过驱动杆66使升降臂65上升，通过该升降臂65的上升，使销基座64在铅直方向上升。上升的销基座64与位于初始位置的升降销61的下端接触，进一步通过在垂直方向上推升降销61来使升降销61上升，使其前端部从载置面41a上突出。

接着，对由该成膜装置2进行的一系列动作进行说明。首先，打开闸阀23，利用图未示出的搬送机构并通过搬送口24将作为被处理基板的晶片W搬入至处理容器20内。当将晶片W搬送至台41的中央部上时，利用升降机构67并通过驱动杆66和升降臂65，使销基座64上升。

图5(a)表示的是位于初始位置的升降销61，当销基座64上升时，与升降销61的下端接触，在铅直方向上推升降销61并使其从载置面41a上突出。如图5(b)所示，当升降销61的前端支承晶片W的背面时，通过使销基座64停止上升，而可以停止升降销61的上升。失去向上方向作用力的升降销61倾斜，如该图所示，扩径部62的上端与套筒51的内壁接触。其中，升降销61和搬送机构在平面上互不干涉。

然后，当销基座64下降时，升降销61在保持有晶片W的状态下下降，当进入套筒51内时，将晶片W载置于载置面41a上。而且，当伴随着销基座64的下降而升降销61下降时，扩径部62的下端的台阶差面63与套筒的环状突起部56的支承面57接触，扩径部62的台阶差面63由支承面57导向，并靠升降销61的自重而滑落，被支承面57所包围，换句话说，嵌合支承在滑动体部分(筒部)中，升降销61的轴P1和套筒51的轴Q1为一致状态(参见升降销61上升前的图5(a))，即，在升降销61位于套筒51的中心的状态下，升降销61被套筒51的环状突出部56所支承。这时，销基座64位于升降销61的下方。

另一方面，若搬送机构从处理容器20内退避并关闭闸阀，则接着，处理气体从气体排出口33A、33B输出至处理空间26。这样进行气体的供给，另一方面，利用真空泵22对处理容器20内进行真空排气，使得设定为规定的压力，此外，分别将加热器43和处理容器20的内壁加热至设定温度。接着，通过从高频电源部32将高频电力供给至作为上部电极的气体喷淋头3和作为下部电极的台41之间，使TiCl₄和NH₃气体变成等离子体，将TiN堆积在晶片W上，形成薄膜。

若进行规定时间的处理，则停止高频电力的供给和各种气体的供给，然后，按照与上述搬送动作相反的顺序，利用升降销61和搬送机构进行搬送动作，将晶片W从处理容器20内搬出。

本实施方式的晶片W的载置机构2，在形成于台41上的贯通孔中所设置的套筒51的下端的开口部53上形成有环状突出部56，当升降销61下降时，在其上形成的扩径部62由环状突出部56所支承，从而塞住上述开口部53。因此，在载置有晶片W的台41的下方侧周围进入的处理气难以从套筒51的下端侵入，可以抑制由处理气体生成的堆积物积蓄在升降销61和套筒51之间的间隙中。因此，能够抑制对升降销61升降的阻碍，结果，可以减少为了确保升降销61正常动作而进行的升降销61和套筒51的清洁或者更换等维修作业的进行频度。

此外，当升降销61返回至初始位置时，扩径部62由环状突出部56的倾斜面导向而将升降销61的姿势限制为垂直状态，使升降销61和套筒51的各中心轴成为一致状态。在该例中，当使处于初始位置的升降销61倾斜时，由于扩径部62和套筒51的接触，使得小径部不与套筒51接触，所以，当升降销61上升时，其上部侧的小径部60不与套筒51接触，但即使不作这样的尺寸设定，由于升降销61以垂直姿势而被上推，在扩径部62的上部侧为小径部，所以，在上升时，升降销61的上部不与套筒51接触，而且对于扩径部62来说，也很难与套筒51的内壁接触。因此，能够抑制附着在套筒51的内壁上的沉淀物被升降销61被剥离并上推，载置于载置面41a上。结果，能够抑制该沉淀物成为颗粒而污染晶片W的情况。

其中，在上述实施方式中，虽然升降销61和销基座64离开，但是，当升降销61位于初始位置时，只要能够塞住上述开口部53，则因为得到本发明的效果，可以使升降销61和销基座64连接，同时利用销基座64垂直地支承升降销61，这种结构也包含在本发明的权利要求的范围中。

升降销不是仅限于上述实施方式的形状，也可以是如图6所示的形状。对于图6所示的升降销71来说，在其中央部隔开间隔，向着前端依次设置有第一扩径部72和第二扩径部73。在该升降销71中，在第二扩径部73的上侧和第一扩径部72与第二扩径部73之间分别形成有直径比各扩径部小的小径部70a、70b。与上述升降销61的扩径部62的下端相同，在第一扩径部72的下端形成有倾斜的台阶差面74，如图6(a)所示，当升降销71位于初始位置时，该台阶差面74由套筒51的环状突出部56支承，与上述例子相同，升降销71以垂直姿势堵塞套筒51的开口部53。

然后，如图6(b)所示，设定各个尺寸，使得当在初始位置时，即使升降销71倾斜，由于第二扩径部73与套筒51的内壁接触，使得其上面的小径部70a不与套筒51的内壁接触。此外，如图6(c)所示，构成为利用销基座64上推升降销71，当升降销71的前端部在载置面41a上突出时，第二扩径部73留在套筒51内。

表示该升降销71的各部分的大小的一个例子：在图7中，以11表示的第一扩径部72的长度为6mm，以12表示的第二扩径部73的长度为6mm。此外，以13表示的由扩径部72和扩径部73夹住的小径部70b的长度为7.4mm。上述小径部70a、70b的直径大小r2为2mm，各扩径部的直径大小R2为3.6mm。其中，套筒51的内径与现有技术的例子相同。

当通常生成沉淀物的气体进入固体和固体的间隙中时，该气体的沉淀物有集中附着在该间隙的某个部位上的倾向。在这样构成升降销71的情况下，当该升降销71位于初始位置时，上述TiCl₄等处理气体从开口部53泄漏流入销插通孔52内，该处理气体从扩径部72和套筒51的间隙扩散至扩径部72和扩径部73之间的广阔空间中。结果，由于能够抑制由上述处理气体生成沉淀物集中附着在扩径部72和套筒51的间隙中，阻碍升降销71的升降，因此，能够抑制升降销71和套筒51的更换频率变短。

而且，如图8所示，也可以构成为向形成于台(载置台)41上的贯通孔40中直接***升降销的结构。具体地说，在台41的贯通孔40的下端侧的开口部80中，设置有按照向着内侧的方式以环状突出形成的环状突出部81。当后述的升降销8下降时，该环状突出部81的上侧的面与该升降销8接触，形成支承其的支承面82，并向内侧方向倾斜。

如图8所示，***贯通孔40内的升降销8，在中央部分设置有一个与图6所示的实施方式相同的扩径部8a。即，该扩径部8a的上侧形成作为比该扩径部8a的直径小的小径部8b。此外，在扩径部8a的下端形成与上述升降销61的扩径部61a的下端相同的倾斜台阶差面83。如图8(a)所示，当升降销8位于初始位置时，该台阶差面83由台41的环状突出部81所支承，与上述例子相同，升降销8以垂直姿势塞住台41的开口部80。

此外，如图8(b)所示，当升降销8通过销基座64而被提升，并且升降销8的前端部在载置面41a上突出时，上述扩径部8a留在台41内。

在上述例子中，由于升降销8直接***台41的贯通孔40内，如上所述，与设置有套筒51的情况比较，可以缩短***升降销的孔的全长。因此，在将清洁气体供给至成膜装置2内，对该成膜装置2进行清洁的处理中，清洁气体可很容易到达台41的贯通孔40的下方侧，具有容易除去附着在贯通孔40下方侧的沉淀物(堆积物)的优点。

此外，因为构成载置机构的零件数少，因此能够缩短装配零件的作业时间，从而能够降低成本。

Claims (7)

1.一种基板载置机构，其特征在于，包括：

设置在形成有由处理气体造成的处理气氛的处理容器内，载置被处理基板的载置台；分别***设置于该载置台上的销插通孔中，通过出没动作相对载置台进行基板交换用的多个升降销；以及支承这些升降销的升降体，该基板载置机构能够利用升降机构并通过升降体使升降销升降，其中，还包括：

在所述销插通孔的下端的开口部，呈环状向内侧突出形成的环状突出部；和

形成于所述升降销上，当该升降销下降时，支承在环状突出部上并塞住所述开口部的扩径部。

2.如权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于：

所述环状突出部的上面侧，为了引导扩径部并使升降销位于销插通孔的中央而向着内侧下方倾斜。

3.如权利要求2所述的基板载置机构，其特征在于：

所述扩径部的下面侧向着内侧下方倾斜。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板载置机构，其特征在于：

在所述升降销中，形成为在支承基板时突出的部分的直径比扩径部小。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基板载置机构，其特征在于：

若以所述扩径部作为第一扩径部，则在该扩径部的上方侧，而且当升降销位于接受基板的上升位置时，在位于销插通孔中的部分上设置有第二扩径部。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基板载置机构，其特征在于：

所述升降销被设置成与升降体分离，利用升降销的自重，将扩径部支承在环状突出部上。

7.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

处理容器；设置在处理容器内的权利要求1～6中任一项所述的基板载置机构；以及将对被处理基板进行处理的处理气体供给至处理容器内的处理气体供给部。

Images