CN1935926A - 一种高热导电子封装材料及其制备方法 - Google Patents
一种高热导电子封装材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1935926A CN1935926A CN 200610113307 CN200610113307A CN1935926A CN 1935926 A CN1935926 A CN 1935926A CN 200610113307 CN200610113307 CN 200610113307 CN 200610113307 A CN200610113307 A CN 200610113307A CN 1935926 A CN1935926 A CN 1935926A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- silicon nitride
- beta phase
- phase silicon
- material according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 title claims description 7
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 31
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 11
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical group O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 3
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 claims description 3
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical group C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract 1
- 239000012757 flame retardant agent Substances 0.000 abstract 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000206 moulding compound Substances 0.000 description 21
- AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O thiamine pyrophosphate Chemical compound CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010074 rubber mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高热导电子封装材料,属于电子封装材料技术领域。其特征在于:所述材料配方为,填料粉:10~80%,环氧树脂:5-30%,固化剂:10-65%,固化促进剂:0.1-2.5%,脱模剂:0.5-3%,着色剂:0.5-3%,阻燃剂、触变剂适量。所述填料粉为β相氮化硅粉体,或者将β相氮化硅粉体与二氧化硅等陶瓷粉体按比例混合作为填料粉使用,所述二氧化硅等陶瓷粉体的添加比例占粉体填料总重量为5%-95%。本发明用β相氮化硅粉体作为填料,可提高材料电、热、力学性能,同时通过对填料粉粒径分布进行优化,提高了封装材料的热导性能与高温下的流动性。将β相氮化硅粉体与二氧化硅等陶瓷粉体混合填充,最终实现封装材料的热导率和热膨胀系数可调,并可大大缩短工业化生产转化周期。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型的高热导率陶瓷粉体-β相氮化硅粉体应用于电子封装材料(电子模塑料)填料,并提出了一种利用β相氮化硅粉体作为填料的高热导电子封装材料(电子模塑料)的制备方法,属于电子封装材料技术领域。
背景技术
近年来,随着目前电子信息产业的迅猛发展,电子元器件朝小型化、大功率与高集成度方向发展,导致集成电路单位体积产生的热量越来越高,从而对封装材料的要求越来越高,新型高热导电子封装材料成为目前广泛关注的热点。
目前,高导热复合材料被广泛使用于半导体封装材料、导热片、导热膏、相转移材料等,能显著提升电子元件的散热效率。其中,环氧树脂基封装材料在工业化生产中得到广泛应用,具有工艺简单、制造成本低、生产设备成熟等优点。通常,选用热导率较高的陶瓷粉体加入到环氧树脂中,以提高其热导率,目前所广泛使用的填料主要涉及氧化物陶瓷粉体,包括Al2O3、SiO2等,而氧化物陶瓷粉体的热导率普遍较低,Al2O3的本征热导率为20W/m·K,SiO2的本征热导率仅为14W/m·K,所制备出的封装材料的散热性能已不能满足实际要求。另外,SiO2填料还面临热导率和热膨胀系数不能两全的瓶颈:
1.晶态SiO2热膨胀率为15ppm/℃,与环氧树脂(30~50ppm/℃)复合后,与硅(3.5ppm/℃)不匹配,造成器件内部产生热应力。
2.非晶态SiO2热膨胀率为1.3ppm/℃,与硅的热膨胀系数较接近,但是热导率只有1.3W/m·K,不利于散热。
氮化物陶瓷粉体已经成为一种较为理想的新型电子封装材料(电子模塑料)填料,主要包括氮化硼和氮化铝陶瓷粉体,二者的本征热导率均在300W/m·K以上,可大幅度提高电子封装材料的热导性能。但氮化硼和氮化铝陶瓷粉体的价格较高,导致其性价比较低,此外氮化硼粉体的粒径过小,难以提高其添加比例,直接限制了它们的大规模工业化应用。
因为氮化硅粉体烧结后的热导率仅为23W/m.K,而且α相氮化硅粉体的售价较高,因此,目前氮化硅粉体一直未被用作电子封装材料(电子模塑料)填料使用。最近研究发现β相氮化硅的本征电导率高达320W/m·K,且价格便宜,仅为氮化硼和氮化铝陶瓷粉体的1/3至1/4。β氮化硅还具有相对于AlN和SiC更低的介电常数(4.8~9.5)、低的热膨胀系数(2~3.2×10-6/℃)和良好的化学稳定性和抗氧化性等优点,与其他填料相比具有明显的优势。因此,β相氮化硅粉体是最理想的电子封装材料(电子模塑料)填料。
发明内容
针对目前电子封装材料(电子模塑料)填料的现状,本发明提出了一种新型的高热导率陶瓷粉体填料-β相氮化硅粉体,并提出了一种利用β氮化硅作为填料的高热导电子封装材料(电子模塑料)的制备方法,克服传统陶瓷粉体填料的缺点,制备高热导和热膨胀与硅匹配兼备的电子封装材料(电子模塑料)。具体制备工艺步骤如下:
本发明提出的一种高热导电子封装材料,其特征在于:所述材料配方为,填料粉:10~80%,环氧树脂:5-30%,固化剂:10-65%,固化促进剂:0.1-2.5%,脱模剂:0.5-3%,着色剂:0.5-3%,阻燃剂、触变剂适量。
在上述封装材料中,所述填料粉为β相氮化硅粉体,或者将β相氮化硅粉体与二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼陶瓷粉体按比例混合作为填料粉使用,所述二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼陶瓷粉体的添加比例占粉体填料总重量为:5%-95%。
在上述封装材料中,所述固化剂为环氧固化剂。
在上述封装材料中,所述固化促进剂为三苯基磷。
在上述封装材料中,所述脱模剂选用巴西棕榈蜡。
在上述封装材料中,所述着色剂为炭黑。
在上述封装材料中,所述阻燃剂为三氧化二锑。
在上述封装材料中,所述触变剂为六方氮化硼。
在上述封装材料中,所述β相氮化硅粉体填料粉的预处理方法为:将β相氮化硅块状材料经机械破碎,通过控制研磨时间获得粉体;或将β相氮化硅粉体在流动氮气保护气氛下于1250~1550℃预烧1~7小时,获得粉体。
本发明是以克服使用传统陶瓷粉体作为电子模塑料填料的热导率,热膨胀率等方面存在的问题为基础,通过以综合性能优越的β相氮化硅作为填料,沿用传统电子模塑料的设备和工艺方法,同时对作为填料的β相氮化硅的粒径分布进行了优化,制得了一种高热导、低介电常数、低热膨胀率的电子模塑料。本发明具有工艺简单、重复性好、性价比较高等优点。其突出特点是:
(1)使用β相氮化硅粉体作为电子封装材料的填料,综合提高材料电、热、力学性能。
(2)通过对β相氮化硅粉体填料粒径分布进行了优化,进一步提高封装材料的热导性能与高温下的流动性。
(3)可与二氧化硅等陶瓷粉体混合填充,实现最终封装材料的热导率和热膨胀系数可调。目前成熟的电子模塑料工艺仍可沿用,可大大缩短工业化生产转化周期。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步说明:
1.β相氮化硅粉体填料预处理,获得具有一定粒径分布的粉体。
处理方法有二,其一为将β相氮化硅块状材料经机械破碎,如采用高效振动磨,通过控制不同的研磨时间(1~5小时),获得不同粒径的粉体;其二为将β相氮化硅粉体在流动氮气保护气氛下于1250~1550℃预烧1~7小时,获得不同粒径的粉体,根据实际工艺需要上述两种方法可单独进行,也可结合进行。然后,将得到的粉体按照一定比例混合。
2.配料
将步骤1预处理后的β相氮化硅粉体填料与环氧树脂及其固化剂均匀混合,再加入一定比例的固化促进剂、脱模剂、着色剂、阻燃剂、触变剂。固化促进剂可选用三苯基磷TPP,脱模剂选用巴西棕榈蜡,着色剂为炭黑,阻燃剂为三氧化二锑,触变剂为六方氮化硼,其重量百分比为:
填料粉:10-80%
环氧树脂:5-30%
固化剂:10-65%
TPP:0.1-2.5%
脱模剂:0.5-3%
着色剂:0.5-3%
阻燃剂、触变剂适量
根据电子封装材料(电子模塑料)实际导热性能和成本需求,可将β相氮化硅粉体与二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼等多种粉体按比例混合作为填料使用。二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼陶瓷粉体的添加比例为:
5%-95%(占粉体填料总重量)
3.将环氧树脂和固化剂在炼胶机上于70~90℃混合、同时加入脱模剂、着色剂、阻燃剂、触变剂。待环氧树脂熔化,粘度降低至无明显拉丝现象,立即加入陶瓷粉体填料和TPP,混合均匀后降温取胶,将取下来的胶粗磨成粉,打饼,即得电子模塑料料饼。
4.将料饼180℃预热30秒,在传递模上185℃,50-65kg/cm2下压制100秒,制得β相氮化硅粉体填充电子模塑料。
5.使用激光脉冲法测试热导率。
β相氮化硅粉体填充电子封装材料制备实施例:
实例一、按步骤1所述的方法,将原料β相氮化硅粉经预处理后,调整粒径为0.2~110μm之间的一个分布,按重量比β氮化硅粉:78.5%,树脂:18%,TPP:0.2%,脱模剂:1%,着色剂:1.5%,阻燃剂、触变剂适量。
然后按照步骤3,4,5进行,测得β相氮化硅粉体填充电子模塑料热导率为4.63W/m·K。
实例二、按步骤1所述的方法,将原料β相氮化硅粉经预处理后,调整粒径为0.1~130μm之间的一个分布,按重量比β氮化硅粉:78.5%,树脂:18%,TPP:0.4%,脱模剂:1.5%,着色剂:1.2%,阻燃剂、触变剂适量。
然后按照步骤3,4,5进行,测得β相氮化硅粉体填充电子模塑料热导率为4.86W/m·K。
实例三、按步骤1所述,将原料β相氮化硅粉经预处理后,调整粒径为1~150μm之间的一个分布,与二氧化硅粉混合填充,按重量比β氮化硅粉:60%,二氧化硅粉11.8%:树脂:26.5%,TPP:0.6%,脱模剂:1.2%,着色剂:2.0%,阻燃剂,触变剂适量。
然后按照步骤3,4,5进行,测得β相氮化硅粉体与二氧化硅粉混合填充电子模塑料热导率为2.52W/m·K。
实例四、按步骤1所述,将原料β相氮化硅粉经预处理后,调整粒径为1~150μm之间的一个分布,与氮化硼粉混合填充,按重量比β氮化硅粉:45.9%,氮化硼粉25.1%:树脂:27.9%,TPP:1%,脱模剂:1%,着色剂:1.2%,阻燃剂,触变剂适量。
然后按照步骤3,4,5进行,测得β相氮化硅与氮化硼粉体混合填充电子模塑料热导率为3.52W/m·K。
实例五、按步骤1所述,将原料β相氮化硅粉经预处理后,调整粒径为1~150μm之间的一个分布,与氮化铝粉混合填充,按重量比β氮化硅粉:30.7%,氮化铝粉38.1%:树脂:28.7%,TPP:1%,脱模剂:0.8%,着色剂:0.5%,阻燃剂,触变剂适量。
然后按照步骤3,4,5进行,测得β相氮化硅与氮化铝粉体混合填充电子模塑料热导率为4.58W/m·K。
实例六、按步骤1所述,将原料β相氮化硅粉经预处理后,调整粒径为1~150μm之间的一个分布,与氧化铝粉混合填充,按重量比β相氮化硅粉:15.3%,氧化铝粉52.2%:树脂:29.5%,TPP:1%,脱模剂:0.8%,着色剂:0.5%,阻燃剂,触变剂适量。
然后按照步骤3,4,5进行,测得β相氮化硅与氧化铝粉体混合填充电子模塑料热导率为0.941W/m·K。
Claims (9)
1、一种高热导电子封装材料,其特征在于:所述材料配方为,填料粉:10~80%,环氧树脂:5-30%,固化剂:10-65%,固化促进剂:0.1-2.5%,脱模剂:0.5-3%,着色剂:0.5-3%,阻燃剂、触变剂适量。
2、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述填料粉为β相氮化硅粉体,或者将β相氮化硅粉体与二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼陶瓷粉体按比例混合作为填料粉使用,所述二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼陶瓷粉体的添加比例占粉体填料总重量为:5%-95%。
3、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述固化剂为环氧固化剂。
4、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述固化促进剂为三苯基磷。
5、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述脱模剂选用巴西棕榈蜡。
6、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述着色剂为炭黑。
7、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述阻燃剂为三氧化二锑。
8、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述触变剂为六方氮化硼。
9、根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于:所述β相氮化硅粉体填料粉的预处理方法为:将β相氮化硅块状材料经机械破碎,通过控制研磨时间获得粉体;或将β相氮化硅粉体在流动氮气保护气氛下于1250~1550℃预烧1~7小时,获得粉体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200610113307 CN1935926A (zh) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 一种高热导电子封装材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200610113307 CN1935926A (zh) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 一种高热导电子封装材料及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1935926A true CN1935926A (zh) | 2007-03-28 |
Family
ID=37953672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200610113307 Pending CN1935926A (zh) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 一种高热导电子封装材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1935926A (zh) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101649400B (zh) * | 2009-07-20 | 2011-04-20 | 温州宏丰电工合金股份有限公司 | 电子封装用金刚石增强金属基复合材料及其制备方法 |
CN102134469A (zh) * | 2010-01-26 | 2011-07-27 | 宋健民 | 含六方氮化硼的导热绝缘胶 |
CN103068875A (zh) * | 2010-08-26 | 2013-04-24 | 电气化学工业株式会社 | 树脂组合物及由该树脂组合物构成的成型体和基板材料以及含有该基板材料的电路基板 |
CN104157581A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-11-19 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种功率二极管二次封装方法 |
CN106280258A (zh) * | 2016-08-22 | 2017-01-04 | 威海光威复合材料股份有限公司 | 纳米陶瓷粉改性环氧树脂制备复合材料的方法 |
CN107749319A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-02 | 北京国能电池科技有限公司 | 一种导电复合物及其制备方法与保护装置和应用 |
CN108054148A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-18 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及其制造方法、空调器 |
CN108424132A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-08-21 | 电子科技大学 | 一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法 |
CN109761205A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-17 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用 |
CN109761206A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-17 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用 |
CN111253685A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-06-09 | 南京阜太新材料科技有限公司 | 一种低介电常数低损耗易电镀塑料、其制备方法和应用 |
CN114410061A (zh) * | 2020-10-28 | 2022-04-29 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种高热导率的热界面材料及其制备工艺 |
-
2006
- 2006-09-22 CN CN 200610113307 patent/CN1935926A/zh active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101649400B (zh) * | 2009-07-20 | 2011-04-20 | 温州宏丰电工合金股份有限公司 | 电子封装用金刚石增强金属基复合材料及其制备方法 |
CN102134469A (zh) * | 2010-01-26 | 2011-07-27 | 宋健民 | 含六方氮化硼的导热绝缘胶 |
CN103068875A (zh) * | 2010-08-26 | 2013-04-24 | 电气化学工业株式会社 | 树脂组合物及由该树脂组合物构成的成型体和基板材料以及含有该基板材料的电路基板 |
CN104157581A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-11-19 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种功率二极管二次封装方法 |
CN104157581B (zh) * | 2014-07-23 | 2017-03-15 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种功率二极管二次封装方法 |
CN106280258A (zh) * | 2016-08-22 | 2017-01-04 | 威海光威复合材料股份有限公司 | 纳米陶瓷粉改性环氧树脂制备复合材料的方法 |
CN107749319A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-02 | 北京国能电池科技有限公司 | 一种导电复合物及其制备方法与保护装置和应用 |
CN108054148A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-18 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及其制造方法、空调器 |
CN108424132A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-08-21 | 电子科技大学 | 一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法 |
CN108424132B (zh) * | 2018-05-24 | 2021-04-30 | 电子科技大学 | 一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法 |
CN109761206A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-17 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用 |
WO2020186880A1 (zh) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用 |
WO2020186881A1 (zh) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用 |
CN109761205A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-17 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用 |
JP2022522311A (ja) * | 2019-03-18 | 2022-04-15 | 青島瓷興新材料有限公司 | 超純度・低放射性類球形β窒化ケイ素粉体、その製造方法と用途 |
EP3915934A4 (en) * | 2019-03-18 | 2022-04-20 | Qingdao Cup New Materials Co., Ltd. | HIGH PURITY LOW ALUMINUM SPHERICAL BETA SILICON NITRIDE POWDER, PROCESS FOR ITS PRODUCTION AND ITS USE |
EP3915935A4 (en) * | 2019-03-18 | 2022-04-20 | Qingdao Cup New Materials Co., Ltd. | ULTRAPURE SPHERICAL BETA SILICON NITRIDE POWDER OF LOW RADIOACTIVITY, PROCESS FOR ITS PRODUCTION AND ITS USE |
JP2022522814A (ja) * | 2019-03-18 | 2022-04-20 | 青島瓷興新材料有限公司 | 高純度・低アルミニウム類球形β窒化ケイ素粉体、その製造方法と用途 |
JP7362151B2 (ja) | 2019-03-18 | 2023-10-17 | 青島瓷興新材料有限公司 | 高純度・低アルミニウム類球形β窒化ケイ素粉体、その製造方法と用途 |
CN111253685A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-06-09 | 南京阜太新材料科技有限公司 | 一种低介电常数低损耗易电镀塑料、其制备方法和应用 |
CN114410061A (zh) * | 2020-10-28 | 2022-04-29 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种高热导率的热界面材料及其制备工艺 |
CN114410061B (zh) * | 2020-10-28 | 2023-08-01 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种高热导率的热界面材料及其制备工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1935926A (zh) | 一种高热导电子封装材料及其制备方法 | |
US10351728B2 (en) | Thermosetting resin composition, method of producing thermal conductive sheet, and power module | |
JP5208060B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP5036696B2 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
CN102618041B (zh) | 一种高导热绝缘硅橡胶及其制备方法 | |
JPWO2009041300A1 (ja) | 熱伝導性シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP5225303B2 (ja) | 熱伝導性シートの製造方法 | |
CN102190885A (zh) | 电子部件封装用树脂组合物和电子部件装置 | |
CN105440588B (zh) | 一种高导热模塑型环氧底填料及其制备方法与用途 | |
JPH09157773A (ja) | 低熱膨張・高熱伝導性アルミニウム複合材料及びその製造方法 | |
JP2014152299A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、その製造方法及びそれを備えるパワーモジュール | |
JP6500339B2 (ja) | 放熱シートおよび放熱シート用塗布液、並びにパワーデバイス装置 | |
JP6256158B2 (ja) | 放熱シートおよび放熱シート製造方法、放熱シート用スラリー、並びにパワーデバイス装置 | |
CN103421279A (zh) | 一种电子封装用环氧树脂组合物及其制备方法 | |
CN103949613A (zh) | 大功率模块用铝碳化硅高导热基板材料的制备方法 | |
JP2011208007A (ja) | 樹脂複合組成物及びその用途 | |
CN110317562B (zh) | 一种有机硅改性的环氧灌封胶 | |
CN116239087A (zh) | 一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用 | |
JP6394115B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂組成物からなる放熱シート、及び放熱シートを含むパワーデバイス装置 | |
US10177068B2 (en) | Heat conductive insulating sheet, power module, and manufacturing method thereof | |
TWI778936B (zh) | 用於製備半導體封裝件的填料組合物及包括其之底膠組合物及模製化合物 | |
CN103421275A (zh) | 一种电子封装用环氧树脂组合物及其制备方法 | |
JPH11269302A (ja) | 樹脂製品の熱伝導性向上用充填剤及びその製造方法 | |
KR101432476B1 (ko) | 고열전도성 질화알루미늄-폴리머 복합소재의 제조방법 | |
JP3989349B2 (ja) | 電子部品封止装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |