CN1930775A - 导频信号检测电路与配备该电路的半导体集成电路 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提高导频信号检测电路的检测准确度。将导频检测信号电压输入差动放大电路16，并将由参考信号发生电路17产生的参考电压输入差动放大电路19。通过差动放大电路16和19将导频信号与上述参考电压进行比较。通过电流－电压转换电路21将差动放大电路16、19的输出电流转换成电压。并且，将与导频信号检测电路的偏移电压成正比的电压回馈到电流－电压转换电路21的输入，从而消除了该电路的偏移电压。

Description

导频信号检测电路与配备该电路的半导体集成电路
技术领域
本发明涉及用于FM接收机的导频信号检测电路与配备该电路的半导体集成电路。
背景技术
FM接收机检测包括在立体声复合信号中的导频信号的电平，并基于检测结果在立体声接收与单声道接收之间切换。
比如，该导频信号检测电路包括相位波形检测电路、平滑电路、比较器电路，等等，使得上述比较器电路比较经过平滑处理的信号是否等于或大于参考值。
当将该导频信号与上述参考电压进行比较时，配备偏移消除电路，以消除出现在检测电路内部的偏移电压的影响。
专利文献1记录了一种技术，用于间歇地对电容器进行充电和放电，以便使导频信号检测电路的平滑电路的电容器的电容值较小。
专利文献2记录了一种CMOS带隙参考电压发生电路，该电路不受电源电压波动的影响。
同时，由于电源电压的波动、温度变化等可改变导频信号检测电路的比较器电路的参考电压，因而准确检测导频信号的电平变得很困难。在由MOS晶体管构成导频信号检测电路的情况下，因为MOS晶体管特性中的失配较大，因而出现在该电路内部的偏移电压也变得较大，因而有时需要调整导频信号检测电路的偏移电压。
[专利文献1]日本公开特许公报NO.2003-152666(图2和3)
[专利文献2]日本公开特许公报NO.2000-222054(0015段)
发明内容
本发明面临的挑战是提高导频信号检测电路的检测准确度。
根据本发明的导频信号检测电路包括：通过选择基带信号或预定电压来进行输出的第一半导体开关；检测从上述第一半导体开关输出的信号的检测电路；对上述检测电路的输出信号进行平滑处理的平滑电路；对上述平滑电路的输出信号进行差动放大的第一差动放大电路；产生参考电压的带隙参考电压发生电路；通过选择从上述带隙参考电压发生电路输出的参考电压或上述预定电压来进行输出的第二半导体开关；对从上述第二半导体开关输出的信号进行差动放大的第二差动放大电路；和偏移消除电路，当上述第一和第二半导体开关选择了预定电压时，该电路用于保留上述第一和第二差动放大电路的输出作为偏移消除电压，并根据该偏移消除电压来消除从上述第一和第二差动放大电路输出的信号中包括的偏移电压。
通过将上述基带信号和参考电压输入各不相同的差动放大电路(即上述第一和第二差动放大电路)，本发明使得独立地设置导频信号的电平与参考电压的电平成为了可能。
并且，可以通过将半导体开关设置在上述检测电路与平滑电路的前置级处、通过切换为上述第一差动放大电路提供基带信号与预定电压，当提供预定电压时保留上述第一和第二差动放大电路的输出电压作为偏移消除电压和根据偏移消除电压来消除偏移电压，可以消除包括上述检测电路与平滑电路在内的整个导频信号检测电路的偏移电压。使得提高导频信号检测电路的检测准确度成为了可能。
而且，通过使用形成于MOS集成电路板上的双极晶体管，上述带隙参考电压发生电路可产生具有良好温度特性的参考电压。以便能更准确地检测导频信号的电平。
根据本发明的另一种导频信号检测电路包括：通过选择基带信号和预定电压进行输出的第一半导体开关；检测从上述第一半导体开关输出的信号的检测电路；对上述检测电路的输出信号进行平滑处理的平滑电路；对上述平滑电路的输出信号进行差动放大的第一差动放大电路；产生参考电压的带隙参考电压发生电路；通过选择从上述带隙参考电压发生电路输出的参考电压或预定电压进行输出的第二半导体开关；对上述第二半导体开关输出的信号进行差动放大的第二差动放大电路；将上述第一差动放大电路与第二差动放大电路的输出电流转换成各个电压的电流-电压转换电路；当上述第一和第二半导体开关选择了上述预定电压时保留上述电流-电压转换电路的输出电压作为偏移消除电压、并通过将该保留的偏移消除电压回馈至上述电流-电压转换电路的输入来消除偏移电压的偏移消除电路。
通过将基带信号和参考电压输入各不相同的差动放大电路(即上述第一和第二差动放大电路)，本发明使得独立地设置导频信号的电平与参考电压的电平成为了可能。
而且，可以通过将半导体开关设置在上述检测电路与平滑电路的前置级处、通过切换为上述检测电路提供基带信号与预定电压和当提供预定电压时检测上述电流-电压转换电路的输出电压，可以检测包括上述检测电路和平滑电路在内的整个导频信号检测电路的偏移电压。并且，通过将作为偏移消除电压的上述检测的电压回馈至上述电流-电压转换电路的输入，可以消除包括上述检测电路和平滑电路在内的整个导频信号检测电路的偏移电压。这种配置消除了为检测电路或平滑电路配备偏移消除电路的必要，从而使得该导频信号检测电路的配置较为简单。
而且，将带隙电压用作参考电压提高了导频信号电平的检测准确度。
根据本发明的另一个方面，上述平滑电路包括电容器和第三半导体开关，在上述的发明中，当上述第一半导体开关选择基带信号时，该第三半导体开关变为导通状态，以便用上述平滑电路的输出电压对上述电容器充电，当第一半导体开关选择预定电压时，该第三半导体开关变为关断状态，以便保留上述电容器的电压。
当将上述基带信号输入上述检测电路时，这样的配置用经平滑电路进行平滑处理的电压对上述电容器充电；而当预定电压提供给上述检测电路时，便通过关断第三半导体开关将上述电容器从检测电路断开。这种配置防止了由上述电容器保留的导频信号电压影响偏移电压。
根据本发明的另一个方面，在上述发明中，参考电压发生电路通过使用形成于MOS集成电路板上的双极晶体管来产生参考电压。
这样的配置通过将上述双极晶体管的带隙电压作为参考电压来改善参考电压的温度特性。
根据本发明的另一个方面，偏移消除电路包括：第四半导体开关，当上述第一半导体开关选择预定电压时，它变为导通状态，否则，它便变为关断状态；电容器，用于保留第一与第二差动放大电路或电流-电压转换电路的输出电压作为偏移消除电压；和第三差动放大电路，在上述发明中，它用于通过将由上述电容器保留的偏移消除电压回馈至上述第一和第二差动放大电路的输出或上述电流-电压转换电路的输入来消除偏移电压。
这样的配置能够消除在导频信号检测电路内部产生的偏移电压。
根据本发明的半导体集成电路通过MOS工艺在半导体集成电路板上形成导频信号检测电路，包括：检测基带信号的检测电路；对该检测电路的输出信号进行平滑处理的平滑电路；对上述平滑电路的输出信号进行差动放大的第一差动放大电路；产生参考电压的带隙参考电压发生电路；对上述参考电压进行差动放大的第二差动放大电路；以及输出电路，该输出电路输出由上述第一和第二差动放大电路的输出之和的信号，该信号用于指示导频信号的电平是否等于或大于参考电压。
根据本发明，通过将上述基带信号和参考电压输入各不相同的差动放大电路(即上述第一和第二差动放大电路)，可以独立地设置导频信号的电平与参考电压的电平。
附图说明
图1是根据实施例的导频信号检测电路的框图；
图2是导频信号检测电路的主要部分的电路图；
图3是带隙参考电压发生电路的电路图。
具体实施方式
以下是参考附图对本发明的优选实施例的详细说明。本发明包括如下所述的内容。
根据本发明的导频信号检测电路包括：通过选择基带信号或预定电压进行输出的第一半导体开关；检测从上述第一半导体开关输出的信号的检测电路；对上述检测电路的输出信号进行平滑处理的平滑电路；对上述平滑电路的输出信号进行差动放大的第一差动放大电路；产生参考电压的带隙参考电压发生电路；通过选择从上述带隙参考电压发生电路输出的参考电压或预定电压进行输出的第二半导体开关；对从上述第二半导体开关输出的信号进行差动放大的第二差动放大电路；和偏移消除电路，当上述第一和第二半导体开关选择预定电压时，该电路保留上述第一和第二差动放大电路的输出作为偏移消除电压，并根据该偏移消除电压消除包括在从上述第一和第二差动放大电路输出的信号之中的偏移电压。
上述第一半导体开关与图1所示的半导体开关11和13对应，且上述第一差动放大电路与图1所示的差动放大电路16对应。上述第二半导体开关与图1所示的半导体开关18和20对应，上述第二差动放大电路与图1所示的差动放大电路19对应。
根据本发明的另一个方面，偏移消除电路包括：第四半导体开关，当上述第一和第二半导体开关选择上述预定电压时，它处于导通状态，否则便处于关断状态；电容器，用于保留上述第一和第二差动放大电路的输出电压或上述电流-电压转换电路的输出电压作为偏移消除电压；第三差动放大电路，用于通过将上述电容器保留的偏移消除电压回馈到上述第一和第二差动放大电路的输出或上述电流-电压转换电路的输入来消除偏移电压。
上述第四半导体开关与图1所示的半导体开关22对应，上述电容器与图1所示的电容器C2和C3对应。
图1是根据本发明的实施例的导频信号检测电路10的框图。注意，根据本发明的导频信号检测电路被设置到用于FM和AM接收机的半导体集成电路板，该集成电路板通过能形成p沟道MOS晶体管与n沟道MOS晶体管的CMOS工艺进行生产。
参考图1，通过将其中两个半导体开关连接在半导体开关11进行导通和关断，其中一个开关的输入端子输入基带信号(如立体声复合信号，等等)，半导体开关11中另一个开关的输入端子输入预定电压Com，且两个输出端子连接到相位检测电路12。半导体开关11由传输门等构成。注意，预定电压Com是在半导体电路内部产生的参考电压，是区分上述参考电压而形成的自定电压(discretionary voltage)或接地电压。
通过将图1中两个半导体开关连接在半导体开关13来对它们进行导通和关断，可向其两个输入端子输入预定电压Com，且其两个输出端子连接到相位检测电路12。
当采集导频信号时，从控制信号发生单元(本文中未示出)提供控制信号，以导通半导体开关11，关断半导体开关13，且将基带信号提供给相位检测电路12。同时，在偏移消除过程中，提供控制信号来关断半导体开关11和导通半导体开关13，且将预定电压Com提供给检测电路12。
相位检测电路12与导频信号的相位同步地检测基带信号，并将检测输出信号输出给平滑电路14。
平滑电路14对相位检测电路12的输出信号进行平滑处理，以输出到差动放大电路16。平滑电路14的一个输出端子与半导体开关15和电容器C1串联。
向半导体开关15提供与半导体开关11相同的控制信号，以便当半导体开关11导通时也导通半导体开关15，从而经过平滑电路14平滑处理的导频信号电压对电容器C1充电。然后，当检测到偏移电压时，关断半导体开关11，使得由电容器C1保留的上述导频信号电压不影响上述偏移电压。
差动放大电路16对经平滑电路14平滑处理的导频信号电压进行放大，以输出到电流-电压转换电路21。差动放大电路16的非反相输入侧的偏移电压VOFF1为输出侧的偏移电压，它是由相位检测电路12、平滑电路14和差动放大电路16的CMOS晶体管特性的失配产生的，并转换成输入侧的电压。当偏移电压VOFF1施加到输入侧，且输入信号的状态为零时，来自该差动放大电路16的电压输出变得与在相位检测电路12、平滑电路14和差动放大电路16的内部产生的偏移电压的总和相同。
参考电压发生电路(即带隙参考电压发生电路)17用于利用双极晶体管的带隙电压产生参考电压，从而输出作为比较导频信号电平的基准的参考电压。
通过将两个半导体开关连接在一起来导通或关断开关，半导体开关18有选择地将参考电压发生电路17的输出信号输出到差动放大电路19。可向半导体开关18提供与半导体开关11相同的控制信号，从而，当半导体开关11导通时，半导体开关18导通，且当半导体开关11关断时，半导体开关18也关断。
通过将两个半导体开关连接在一起来导通或关断开关，半导体开关20有选择地将预定电压Com输出到差动放大电路19。向半导体开关20提供与半导体开关13相同的控制信号，从而当半导体开关13导通时，半导体开关20也导通，反之亦然。
差动放大电路19放大参考电压或预定电压，以根据半导体开关18和20的选择输出到电流-电压转换电路21。差动放大电路19的非反相输入侧的偏移电压VOFF2为其输出侧的偏移电压，其转换到输入侧的电压，而上述输出侧的偏移电压是由差动放大电路19的MOS晶体管特性的失配产生的。
电流-电压转换电路21用于将差动放大电路16与差动放大电路19的差动输出电流转换成电压。且电流-电压转换电路21的输出信号输出到包括换流器(未在本文中示出)等的输出电路。
通过将两个半导体开关连接在一起来导通或关断开关，半导体开关22将电流-电压转换电路21的输出有选择地输出到电容器C2和C3以及差动放大电路23。附带地，向半导体开关22提供与半导体开关13相同的控制信号。电容器C2和C3的其他端子连接到预定电压Com。
通过将由电容器C2和C3保留的偏移消除电压回馈到电流-电压转换电路21，差动放大电路23消除了整个导频信号检测电路10的偏移电压。差动放大电路23的非反相输入侧的偏移电压VOFF3为其输出侧的偏移电压，其转换到输入侧的电压，而上述输出侧的偏移电压是由差动放大电路23的MOS晶体管特性的失配产生的。
上述半导体开关22、电容器C2和C3以及差动放大电路23构成了偏移消除电路。
当半导体开关13导通，以便为相位检测电路12提供预定电压Com时，从电流-电压转换电路21输出的电压(即整个导频信号检测电路的偏移电压)对电容器C2和C3进行充电。
在每个预定采样周期半导体开关11导通为相位检测电路12提供导频信号时，由电容器C2和C3保留的偏移消除电压被回馈到电流-电压转换电路21的输入侧，从而消除了整个电路的偏移电压。
下面说明上述配置的导频信号检测电路10的操作。首先，说明采集导频信号时的情形，即半导体开关11、15和18导通，而半导体开关13、20和22关断。
在这种情况下，在相位检测电路12同步地检测基带信号，以提取导频信号。然后，由平滑电路14对该导频信号进行平滑处理，形成DC电压，之后，由差动放大电路16对该DC电压进行放大。在这种情况下，导通半导体开关15，且用采集的导频信号电压对电容器C1进行充电。
由于半导体开关18导通，且半导体开关20关断，因而由差动放大电路19对从参考电压发生电路17输出的参考电压进行放大。
由电流-电压转换电路21将差动放大电路16和19的输出电流转换成电压，并将其作为指示导频信号的判断结果的信号输出。
下面描述检测偏移电压时的情形，即，半导体开关13、20和22导通而半导体开关11、15和18关断。
在这种情况下，将预定电压Com提供给相位检测电路12的两个输入，从差动放大电路16输出在相位检测电路12、平滑电路14和差动放大电路16中产生的偏移电压。
在这种情况下，关断半导体开关15，从而在电容器C1中保留了导频信号电压。
并且，由于半导体开关20导通，且半导体开关18关断，因而预定电压Com被输入到差动放大电路19的两个输入端子，并因此输出在差动放大电路19中产生的偏移电压。
在这种情况下，施加到差动放大电路16和19的差动输入电压为相同的预定电压Com，因而在上述基带信号为零的情况下电流-电压转换电路21的输出电压变为整个电路的偏移电压。在这种情况下，由于半导体开关22导通，因而电容器C2和C3中的充电电压变为在相位检测电路12、平滑电路14、差动放大电路16、差动放大电路19、差动放大电路23和电流-电压转换电路21中产生的总偏移电压。
当下一个采集导频信号的时刻到来时，半导体开关11、15和18导通，且半导体开关13、20和22关断，使得在用于检测导频信号的相位检测电路中同步地检测基带信号，然后，对该导频信号进行平滑处理，并由差动放大电路16对其进行放大。
然后，由差动放大电路23将电容器C2和C3中充得的偏移消除电压(即整个电路的偏移电压)负回馈到电流-电压转换电路21的输入侧，从而消除了在导频信号检测电路10内产生的偏移电压。
根据本实施例的导频信号检测电路10使用两个差动放大电路16和19，以便将导频信号电压和参考电压输入到差动放大电路16和19的各不相同的输入端子，从而使得可以独立地设置相对于地电压的导频信号的电压电平和相对于地电压的参考电压的电压电平。这允许将形成于MOS集成电路板上的双极晶体管的带隙电压作为参考电压，从而提高了导频信号电平的检测准确性。
在使用形成于MOS集成电路板的双极晶体管的带隙电压的情况下，该双极晶体管的集电极成为电路板的电压最低点，因而参考电压发生电路17的参考电压变成电路板的最低电压。因此，该参考电压的电平是有限的。本实施例使用了两个差动放大电路16和19，从而可独立于上述导频信号电压的电平来设置上述参考电压的电平。由此，上述MOS集成电路板上的双极晶体管的带隙电压可被用作参考电压。
并且，通过切换半导体开关11来为相位检测电路12提供基带信号与预定电压Com，可以检测包括相位检测电路12、平滑电路14和差动放大电路16、19、23等在内的整个导频信号检测电路的偏移电压。这使得可以消除包括相位检测电路12和平滑电路14在内的整个导频信号检测电路的偏移电压，因而可以提高导频信号的检测准确度。且不再需要进行对导频信号检测电路10的偏移消除电路进行调整的工作。而且，也不再需要为相位检测电路12和平滑电路14配备偏移消除电路，从而，从导频信号检测电路10的整体来看，简化了电路结构。
接下来，图2给出了导频信号检测电路10的具体电路图。差动放大电路16包括恒定电流源31，该电流源的一端连接到电源VDD和差动连接的p沟道MOS晶体管32与33，它们的源极连接到恒定电流源31的输出侧。而p沟道MOS晶体管32与33的栅极输入由平滑电路14进行平滑处理的导频信号或预定电压Com。
p沟道MOS晶体管33的漏极连接到电流-电压转换电路21的连接点A，同时p沟道MOS晶体管32的漏极连接到电流-电压转换电路21的连接点B。恒定电流源31由电流镜像电路等构成。
差动放大电路19包括恒定电流源34，该电流源的一端连接到电源VDD和差动连接的p沟道MOS晶体管35与36，它们的源极连接到恒定电流源34的输出例。p沟道MOS晶体管35与36的栅极连接从参考电压发生电路17输出的参考电压或预定电压Com。
p沟道MOS晶体管35的漏极连接到电流-电压转换电路21的连接点A，同时p沟道MOS晶体管36的漏极连接到电流-电压转换电路21的连接点B。
电流-电压转换电路21包括p沟道MOS晶体管37和38、n沟道MOS晶体管39和40、n沟道MOS晶体管41和42，其中，p沟道MOS晶体管37和38构成电流镜像电路，n沟道MOS晶体管39和40级联到p沟道MOS晶体管37，n沟道MOS晶体管41和42则级联到p沟道MOS晶体管38。
n沟道MOS晶体管39和40之间的连接点A以及n沟道MOS晶体管41和42之间的连接点B输入差动放大电路16和19的输出电流。
向n沟道MOS晶体管39和41的栅极提供公共的栅极电压Va，并向n沟道MOS晶体管40和42的栅极提供公共的栅极电压Vb，且MOS晶体管40与42的源极接地。
差动放大电路23包括恒定电流源43，该电流源的一端连接到电源VDD和差动连接的p沟道MOS晶体管44和45，它们的源极连接到恒定电流源43的输出侧。
p沟道MOS晶体管44的栅极连接到电容器C2，并通过传输门46(即半导体开关22)连接到p沟道MOS晶体管38的漏极。p沟道MOS晶体管45的栅极连接到电容器C3，并通过传输门46连接到p沟道MOS晶体管37的漏极。通过并联p沟道MOS晶体管与n沟道MOS晶体管，构成了传输门46。
接下来，说明如上述配置的电路的操作。考虑从平滑电路14输出的导频信号电压等于作为基准的参考电压的情形，如果上述导频信号电压变得小于上述参考电压，则输入上述导频信号与反相信号的差动放大电路16的输出电流(即MOS晶体管33的输出电流)增加，因而，(通过观看图2的电流-电压转换电路21的前部)流至位于左侧的、MOS晶体管39与40之间的连接点A的电流也增加。
尽管从晶体管33流至连接点A的电流增加，但流入晶体管40的电流仍保持不变，导致流至晶体管39的电流减少，且晶体管37的漏极电流减少。由于晶体管37的漏极电流减少，晶体管38的漏极电流也减少，因而晶体管37和39的漏极部分的电压Vd(即相对接地的电压)增加。
另一方面，晶体管32的输出电流的减少量等于晶体管33的输出电流的增加量。尽管从晶体管32流入连接点B的电流减少，但流入晶体管42的电流仍保持不变，导致流入晶体管41的电流增加了，并增加了晶体管38的漏极电流。由于晶体管38的漏极电流增加，晶体管38与41的漏极部分的电压Vc减少。
结果，电流-电压转换电路21的输出电压(即MOS晶体管37的漏极部分的电压Vd)与MOS晶体管38的漏极部分的电压Vc之间的差动电压变得较大。
与以上相比较，由于导频信号电压变得大于参考电压，差动放大电路16的MOS晶体管33的输出电流减少，且流入处于电流-电压转换电路21的左侧的MOS晶体管39与40之间的连接点A的电流减少。
流至连接点A的电流减少的结果是，MOS晶体管37的漏电流增加，同时，位于电流镜像电路右侧的MOS晶体管38的电流增加。
另一方面，晶体管32的输出电流的增加量等于晶体管33的输出电流的减少量，这导致流至连接点B的电流增加。流至连接点B的电流增加的结果是，晶体管41的漏极电流减少。
结果，电流-电压转换电路21的输出电压(即MOS晶体管37的漏极部分的电压Vd)与MOS晶体管38的漏极部分的电压Vc之间的差动电压变得较小。可以由诸如换流器的输出电路将电流-电压转换电路21的输出电压的变化转换成高电平与低电平信号。
换言之，如果导频信号电压小于参考电压，则电流-电压转换电路21的输出电压大于其在导频信号电压等于上述参考电压时的输出电压，然而，如果导频信号电压大于上述参考电压，则电流-电压转换电路21的输出电压变得较小。因此，通过电流-电压转换电路21的输出电压，可以判断导频信号是否等于或大于上述参考电压。
接下来，图3给出了带隙参考电压发生电路17的实例。
参考图3，p沟道MOS晶体管51、n沟道MOS晶体管52和双极晶体管53串联于电源VDD与地之间。双极晶体管53的基极与集电极接地(处于集成电路板上的最低电位)。
类似地，p沟道MOS晶体管54、n沟道MOS晶体管55、电阻器R1和双极晶体管56串联于电源VDD与地之间。双极晶体管56的基极与集电极接地。
n沟道MOS晶体管52的栅极连接到其漏极，并连接到n沟道MOS晶体管55的栅极，以构成电流镜像电路。
p沟道MOS晶体管57、电阻器R2和双极晶体管58连接在电源VDD与地之间。双极晶体管58的基极与集电极接地。
而且，电阻器R3、R4和R5串联，并与电阻器R2和双极晶体管58并联，使得R4上的电压作为参考电压输出。
在图3所示的电路中，由MOS晶体管51和54、MOS晶体管52和55、双极晶体管53和56与电阻器R1产生了与绝对温度成正比的电流。且该电流流至MOS晶体管57，从而电阻器R2上的电压具有与上述绝对温度成正比的正的导热系数。
同时，双极晶体管58的基极与发射极之间的电压Vbe具有负的导热系数，从而，上述两个电压之和变得具有恒定的相对温度。
因而，通过由电阻器R3、R4和R5分担电阻器R2上的电压，可得到与温度无关的参考电压。
通过将基带信号与参考电压输入各不相同的差动放大电路(即第一和第二差动放大电路)，本发明使得可以独立地设置导频信号电平和参考电压电平。并且，通过切换半导体开关为检测电路提供基带信号与预定电压，可检测包括检测电路、平滑电路与差动放大电路在内的整个导频信号检测电路的偏移电压。这使得可以消除包括检测电路、平滑电路与差动放大电路在内的整个导频信号检测电路的偏移电压，从而提高了导频信号检测电路的检测准确度。
不受上述实施例的限制，本发明可配置如下：
(1)差动放大电路16、19和23可使用其他已知的差动放大电路，如功率输出型差动放大电路，而不限于上述实施例所示的电路。
(2)在使用功率输出型差动放大电路的情况下，电路配置不采用电流-电压转换电路。

Claims (9)

1.一种导频信号检测电路，包括：
第一半导体开关，通过选择基带信号或预定电压来输出；
检测电路，用于检测从所述第一半导体开关输出的信号；
平滑电路，用于对所述检测电路的输出信号进行平滑处理；
第一差动放大电路，用于差动放大所述平滑电路的输出信号；
带隙参考电压发生电路，用于产生参考电压；
第二半导体开关，通过选择从所述带隙参考电压发生电路输出的所述参考电压或所述预定电压来输出；
第二差动放大电路，用于差动放大从所述第二半导体开关输出的信号；
偏移消除电路，当所述第一和第二半导体开关选择所述预定电压时，保留所述第一和第二差动放大电路的输出作为偏移消除电压，并根据所述偏移消除电压消除包括在从所述第一和第二差动放大电路输出的信号中的偏移电压。
2.一种导频信号检测电路，包括：
第一半导体开关，通过选择基带信号或预定电压来输出；
检测电路，用于检测从所述第一半导体开关输出的信号；
平滑电路，用于对所述检测电路的输出信号进行平滑处理；
第一差动放大电路，用于差动放大所述平滑电路的输出信号；
带隙参考电压发生电路，用于产生参考电压；
第二半导体开关，通过选择从所述带隙参考电压发生电路输出的所述参考电压或所述预定电压来输出；
第二差动放大电路，用于差动放大从所述第二半导体开关输出的信号；
电流-电压转换电路，用于将所述第一差动放大电路的输出电流和所述第二差动放大电路的输出电流转换成各个电压；和
偏移消除电路，当所述第一和第二半导体开关选择所述预定电压时，保留所述电流-电压转换电路的输出电压作为偏移消除电压，并通过将所述保留的偏移消除电压回馈到所述电流-电压转换电路的输入来消除偏移电压。
3.如权利要求1或2所述的导频信号检测电路，其特征在于，
所述平滑电路包括电容器和第三半导体开关，其中，当所述第一半导体开关选择所述基带信号时，所述第三半导体开关变为导通状态，以便用所述平滑电路的输出电压对所述电容器充电，而当所述第一半导体开关选择所述预定电压时，所述第三半导体开关变为关断状态，以便保留所述电容器的电压。
4.如权利要求1或2所述的导频信号检测电路，其特征在于，
通过使用形成于MOS集成电路板上的双极晶体管，所述带隙参考电压发生电路产生所述参考电压。
5.如权利要求1或2所述的导频信号检测电路，其特征在于，
所述偏移消除电路包括：
第四半导体开关，当所述第一半导体开关选择所述预定电压时，所述第四半导体开关变为导通，否则变为关断，
电容器，用于保留所述第一和第二差动放大电路的输出电压或所述电流-电压转换电路的输出电压作为偏移消除电压，和
第三差动放大电路，用于通过将所述电容器保留的所述偏移消除电压回馈到所述第一和第二差动放大电路的输出或所述电流-电压转换电路的输入来消除偏移电压。
6.如权利要求1或2所述的导频信号检测电路，其特征在于，
所述检测电路是用于对立体声复合信号的导频信号进行相位检测的相位检测电路。
7.通过MOS工艺在半导体集成电路板上形成导频信号检测电路的半导体集成电路，包括：
检测电路，用于检测基带信号；
平滑电路，用于对所述检测电路的输出信号进行平滑处理；
第一差动放大电路，用于差动放大所述平滑电路的输出信号；
带隙参考电压发生电路，用于产生参考电压；
第二差动放大电路，用于差动放大所述参考电压；和
输出电路，用于输出所述第一和第二差动放大电路的输出之和的信号，且该信号用于指示导频信号的电平等于或大于所述参考电压。
8.通过MOS工艺在半导体集成电路板上形成导频信号检测电路的半导体集成电路，包括：
检测电路，用于检测从第一半导体开关输出的信号；
平滑电路，用于对相位电路的输出信号进行平滑处理；
第一差动放大电路，用于差动放大所述平滑电路的输出信号；
参考电压发生电路，用于产生参考电压；
第二半导体开关，通过选择从所述参考电压发生电路输出的所述参考电压或预定电压来输出；
第二差动放大电路，用于差动放大从所述第二半导体开关输出的信号；和
偏移消除电路，当所述第一和第二半导体开关选择所述预定电压时，保留所述第一和第二差动放大电路的输出作为偏移消除电压，并根据所述偏移消除电压消除包括在从所述第一和第二差动放大电路输出的信号中的偏移电压。
9.如权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于
所述平滑电路包括：
电容器，和
第三半导体开关，当所述第一半导体开关选择所述基带信号时，所述第三半导体开关变为导通，以便用所述平滑电路的输出电压对所述电容器充电，而当所述第一半导体开关选择所述预定电压时，所述第三半导体开关变为关断，以保留所述电容器的电压。
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