CN1871554A - 用于从衬底去除光刻胶的方法和设备 - Google Patents

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CN1871554A CNA2004800313405A CN200480031340A CN1871554A CN 1871554 A CN1871554 A CN 1871554A CN A2004800313405 A CNA2004800313405 A CN A2004800313405A CN 200480031340 A CN200480031340 A CN 200480031340A CN 1871554 A CN1871554 A CN 1871554A
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Abstract

本发明公开了一种用于在等离子体处理***中从衬底去除光刻胶的方法和***，包括：引入包含NxOy的处理气体，其中x和y表示大于或者等于1的整数。此外，处理化学物可以还包括添加的惰性气体，诸如稀有气体(即He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn)。本发明还描述了一种用于在衬底上的薄膜中形成特征的方法，其中该方法包括：在衬底上形成介电层；在介电层上形成光刻胶图案；通过刻蚀将光刻胶图案转移到介电层；以及利用由包含NxOy的处理气体形成的等离子体从介电层去除光刻胶，其中x和y是大于或者等于1的整数。

Description

用于从衬底去除光刻胶的方法和设备
技术领域
本发明涉及用于从衬底去除光刻胶的方法和设备。
背景技术
在半导体处理中，(干法)等离子体刻蚀工艺可以被用来去除或者刻蚀沿着图案化于硅衬底上的精细线或者图案化于硅衬底上的过孔或者接触区内的材料。等离子体刻蚀工艺通常包括将具有例如光刻胶层的上覆图案化的保护层的半导体衬底置于处理室中。一旦衬底被置于该室内，可离子化可离解的气体混合物以预定流率被引入该室内，同时真空泵被节流以获得环境处理压强。此后，当存在的气体物质的一部分被通过射频(RF)功率电感性或者电容性转移加热或者通过利用例如电子回旋共振(ECR)的微波功率加热的电子电离时，形成等离子体。而且，热电子用于离解周围气体物质中的某些，并且生成适于暴露表面刻蚀化学反应的反应性物质。一旦形成等离子体，衬底的选定表面被等离子体刻蚀。将工艺进行调节以获得合适的条件，包括用于刻蚀衬底的选定区域中的各种特征(例如沟槽、过孔、接触区等)的所期望的反应物和总的离子的合适浓度。这样的需要进行刻蚀的衬底材料包括二氧化硅(SiO2)、低介电常数(即，低k)介电材料、多晶硅、和氮化硅。一旦图案被从图案化的光刻胶层转移到下面的介电层，则利用例如干法等离子体刻蚀通过灰化(或者剥离)工艺去除光刻胶的残留层和刻蚀后的残余物。例如，在传统的灰化工艺中，具有残留光刻胶层的衬底被暴露于氧等离子体，该氧等离子体通过引入双原子氧(O2)并且对其进行电离/离解来形成。
发明内容
在本发明的一个方面中，一种用于从衬底去除光刻胶的方法包括：将所述衬底放置于等离子体处理***中，所述衬底具有形成于其上的介电层，所述光刻胶上覆于所述介电层，其中所述光刻胶提供用于将特征刻蚀到所述介电层中的掩模；引入包含NxOy的处理气体，其中x和y是大于或者等于1的整数；在所述等离子体处理***中由所述处理气体形成等离子体；以及利用所述等离子体从所述衬底去除所述光刻胶。
在本发明的另一个方面中，描述了一种在衬底上的介电层中形成特征的方法，包括：在所述衬底上形成所述介电层；在所述介电层上形成光刻胶图案；通过刻蚀将所述光刻胶图案转移到所述介电层；以及利用由包含NxOy的处理气体形成的等离子体从所述介电层去除所述光刻胶，其中x和y是大于或者等于1的整数。
在本发明的另一个方面中，描述了一种用于从衬底去除光刻胶的等离子体处理***，包括：等离子体处理室，用于使处理体形成等离子体；和控制器，所述控制器耦合到所述等离子体处理室并且配置来执行利用所述工艺气体形成等离子体以从所述衬底去除所述光刻胶的工艺流程，其中所述处理气体包含NxOy，且x和y是大于或者等于1的整数。
本申请基于2003年12月23日递交的美国非临时专利申请No.10/743,275，通过引用将其全部内容包含在本文中。
附图说明
在附图中：
图1A、1B和1C示出了用于图案刻蚀薄膜的典型工序的另一个示意性表示；
图2示出了根据本发明一个实施例的等离子体处理***的简化示意图；
图3示出了根据本发明另一个实施例的等离子体处理***的简化示意图；
图4示出了示出了根据本发明另一个实施例的等离子体处理***的简化示意图；
图5示出了示出了根据本发明另一个实施例的等离子体处理***的简化示意图；
图6示出了示出了根据本发明另一个实施例的等离子体处理***的简化示意图；
图7表示根据本发明一个实施例在等离子体处理***中刻蚀衬底上的抗反射涂(ARC)层的方法；和
图8表示根据本发明另一个实施例形成用于刻蚀衬底上的薄层的双层掩模的方法。
具体实施方式
在材料处理方法中，图案刻蚀包括将诸如光刻胶之类的光敏材料薄层涂覆到衬底的上表面上，该光敏材料薄层随后被图案化，以提供用于在刻蚀过程中将此图案转移到下面的薄膜的掩模。光敏材料的图案化一般包括利用例如微光刻***由辐射源通过光罩(和相关的光学器件)进行曝光，然后利用显影溶剂去除光敏材料的被辐射区域(如正型光刻胶的情形)或者未辐射区域(如负型光刻胶的情形)。
例如，如图1A到1C所示，包括具有图案2的光敏层3(诸如图案化的光刻胶)的掩模可以被用来将特征图案转移到衬底5上的薄膜4中。利用例如干法等离子体刻蚀将图案2转移到薄膜4，以形成特征6，一旦完成刻蚀，就去除掩模3。
在一个实施例中，包含NxOy的处理气体被用于去除掩模3，其中x，y表示大于或者等于1的整数。包含NxOy的处理气体可以包括NO、NO2和N2O中的至少一种。或者，处理气体还可以包括惰性气体，诸如稀有气体(即He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn)。
根据一个实施例，图2中所描绘的等离子体处理***1包括等离子体处理室10、耦合到等离子体处理室10的诊断***12、以及耦合到诊断***12和等离子体处理室10的控制器14。控制器14被配置来执行包括上述化学品(即，NxOy等)中的至少一种从衬底去除光刻胶的工艺流程。此外，控制器14被配置来接收来自诊断***12的至少一个终点信号，并且后处理该至少一个终点信号，以精确地确定该工艺的终点。在图示的实施例中，图2所示的等离子体处理***1利用等离子体进行材料处理。等离子体处理***1可以包括刻蚀室，灰化室，或其组合。
根据图3所示的实施例，等离子体处理***1a可以包括等离子体处理室10、待处理的衬底25被固定到其上的衬底支座20、和真空泵吸***30。衬底25可以是半导体衬底、晶片或者液晶显示器。等离子体处理室10可以被配置成有利于在邻近衬底25表面的处理区域15中生成等离子体。可电离气体或者气体混合物通过气体注入***(没有示出)被引入，并且处理压强被调节。例如，控制机构(没有示出)可以被用来节流真空泵吸***30。可以利用等离子体来生成专用于预定材料处理的材料，和/或来帮助从衬底25的暴露表面去除材料。等离子体处理***1a可以被配置来处理任何所期望尺寸的衬底，诸如200mm衬底、300mm衬底或者更大的衬底。
衬底25可以通过静电夹持***固定在衬底支座20上。此外，衬底支座20可以例如还包括冷却***，该冷却***包括再循环冷却流，其接收来自衬底支座20的热量并将热量传送到热交换***(未示出)，或者当加热时传送来自热交换***的热量。而且，气体可以经由背面气体***传送到衬底25的背面，以提高衬底25和衬底支座20之间的气体间隙热导率。这种***可用在当需要控制衬底的温度以升高和降低温度时。例如，背面气体***可以包括两区域气体分配***，其中氦气间隙压强可以在衬底25的中心和边缘之间独立变化。在其他实施例中，诸如电阻加热元件或热电加热器/冷却器之类的加热/冷却元件可以被包括在衬底支座20以及等离子体处理室10的室壁和等离子体处理***1a内的任何其他组件中。
在图3所示的实施例中，衬底支座20可以包括电极，其中RF功率通过该电极耦合到处理空间15中的处理等离子体。例如，衬底支座20可以被从RF发生器40经由阻抗匹配网络50发送到衬底支座20的RF功率电偏置在RF电压。RF偏置可用来加热电子以形成并维持等离子体。在这种配置中，***可操作为反应离子刻蚀(RIE)反应室，其中室和上部气体注入电极充当地平面。RF偏置的一般频率范围可以从0.1MHz到100MHz。用于等离子体处理的RF***对于本领域技术人员来说是公知的。
或者，RF功率被以多个频率施加到衬底支座电极上。此外，阻抗匹配网络50用来通过减少反射功率来改进等离子体处理室10中RF功率向等离子体的功率传送。匹配网络拓扑(例如，L型、π型、T型等)和自动控制方法对于本领域技术人员来说是公知的。
真空泵吸***30可以例如包括能够达到5000公升/秒(以及更大)泵吸速度的涡轮分子真空泵(TMP)和用于对室压强进行节流的闸门阀。在用于干法等离子体刻蚀的常规等离子体处理设备中，通常采用1000-3000公升/秒的TMP。TMP对于一般小于约50mTorr(毫托)的低压处理是有用的。对于高压处理(即，大于约100mTorr)，可以使用机械增压泵和干式低真空泵。此外，用于监视室压强的装置(未示出)可以耦合到等离子体处理室10。压强测量装置可以例如是628B型Baratron绝对电容压力计，其可从MKS仪器公司(Andover，MA)商业获得。
控制器14包括微处理器、存储器和能够生成控制电压的数字I/O端口，其中该端口足以传输并激活到等离子体处理***1a的输入，以及监视来自等离子体处理***1a的输出。而且，控制器14可以耦合到RF发生器40、阻抗匹配网络50、气体注入***(未示出)、真空泵吸***30，以及背面气体分配***(没有示出)、衬底/衬底支座温度测量***(未示出)和/或静电夹持***(没有示出)，并与其交换信息。例如，存储在存储器中的程序可被用于根据处理流程激活到等离子体处理***1a的前述组件的输入，以执行从衬底去除光刻胶的方法。控制器14的一个示例是Dell Precision Workstation 610TM，其可从Dell公司(Austin，Texas)获得。
控制器14相对于等离子体处理***1a可以位于当地，或者其相对于等离子体处理***1a可以位于远程。例如，控制器14可以利用直接连接、内联网和互联网中的至少一种与等离子体处理***1a交换数据。控制器14可以在例如客户(即，器件制造商等)处耦合到内联网，或者，其可以在销售商(即，装置制造商)处耦合到内联网。此外，例如，控制器14可以被耦合到互联网。此外，另一台计算机(即，控制器，服务器等)可以例如访问控制器14，以通过直接连接、内联网和互联网中的至少一种交换数据。
诊断***12可以包括光学诊断子***(未示出)。光学诊断子***可以包括诸如(硅)光电二极管或光电倍增管(PMT)之类的检测器，其用于测量从等离子体发射的光强。诊断***12还可以包括诸如窄带干涉滤波器之类的滤光器。在可替换实施例中，诊断***12可以包括线性CCD(电荷耦合器件)、CID(电荷注入器件)阵列和诸如光栅或棱镜之类的光发散设备中的至少一种。另外，诊断***12可以包括用于测量给定波长的光的单色仪(例如，光栅/检测器***)，或者用于测量光谱的光谱仪(例如具有旋转光栅)，如在美国专利No.5,888,337中描述的装置。
诊断***12可以包括高分辨率光发射谱(OES)传感器，如来自Peak Sensor Systems或Verity仪器公司等的传感器。这种OES传感器有宽的光谱，其跨越了紫外(UV)、可见(VIS)和近红外(NIR)光谱。分辨率约为1.4埃，即，该传感器能够收集从240到1000nm的5550个波长。OES传感器可以配备有高灵敏度微型光纤UV-VIS-NIR光谱仪，该光谱仪集成有2048像素的线性CCD阵列。
光谱仪接收从单根成束光纤传输的光，在此从光纤输出的光被利用固定光栅发散到线性CCD阵列。类似于上述配置，通过光真空窗口发射的光经由凸球面透镜被聚焦到光纤的输入端上。三个光谱仪(其中每一个都特定调谐用于给定的光谱范围(UV、VIS和NIR))，构成了用于处理室的传感器。每个光谱仪包括独立的A/D转换器。最后，取决于传感器的应用，可以每0.1到1.0秒记录一次全发射光谱。
在图4所示的实施例中，等离子体处理***1b可以例如类似于图2或3的实施例，并且除了参考图2和3所述的那些组件外，其还包括固定的、或者机械或电旋转的磁场***60，以潜在地增大等离子体密度和/或改进等离子体处理均匀性。而且，控制器14可以耦合到磁场***60，以调控旋转速度和场强。旋转磁场的设计和实现方式对于本领域技术人员来说是公知的。
在图5所示的实施例中，等离子体处理***1c可以例如类似于图2和图3的实施例，并且还可以包括上电极70，其中来自RF发生器72的RF功率可以通过阻抗匹配网络74耦合到上电极70。施加RF功率到上电极的频率范围可以从约0.1MHz到约200MHz。另外，施加功率到下电极的频率范围可以从约0.1MHz到约100MHz。而且，控制器14耦合到RF发生器72和阻抗匹配网络74，以控制向上电极的RF功率施加。上电极的设计和实现方式对于本领域技术人员来说是公知的。
在图6所示的实施例中，等离子体处理***1d可以例如类似于图2和3的实施例，并且还可以包括感应线圈80，其中RF功率经由RF发生器82通过阻抗匹配网络84耦合到该感应线圈80。来自感应线圈80的RF功率通过介电窗口(未示出)感应耦合到等离子体处理区域15。用于施加RF功率到感应线圈80的一般频率范围可以从10MHz到100MHz。类似地，施加功率到卡盘电极的一般频率范围可以从0.1MHz到100MHz。另外，可以采用槽形的法拉第护罩(未示出)来减少感应线圈80和等离子体之间的容性耦合。而且，控制器14耦合到RF发生器82和阻抗匹配网络84，以控制向感应线圈80的功率施加。在可替换实施例中，感应线圈80可以是如同在变压器耦合等离子体(TCP)反应室中那样从上部与等离子体处理区域15相关联的“螺旋”线圈或“扁平线圈”。感应耦合等离子体(ICP)源或者变压器耦合等离子体(TCP)源的设计和实现方式对于本领域技术人员来说是公知的。
或者，等离子体可以利用电子回旋共振(ECR)来形成。在另一个实施例中，等离子体以Helicon波的发射来形成。在另一个实施例中，等离子体以平面波的传播来形成。上述的每种等离子体源对于本领域技术人员来说是公知的。
在下面的讨论中，表述了一种利用等离子体处理装置从衬底去除光刻胶的方法。等离子体处理装置可以包括各种元件，诸如在图2到图6中所描述的那些，或者其组合。
在一个实施例中，去除光刻胶的方法包括基于NxOy的化学物质。例如，工艺参数区间可以包括约20～约1000mTorr的室压强、范围从约50～约1000sccm的NO处理气体流率、范围从约500～约2000W的上电极(例如图5中的元件70)RF偏置，以及范围从约10～约500W的下电极(例如图5中的元件20)RF偏置。并且，上电极偏置频率的范围可以从约0.1MHz～约200MHz，例如约60MHz。此外，下电极偏置频率的范围可以从约0.1MHz～约100MHz，例如约2MHz。
在替换实施例中，去除光刻胶的方法包括基于NO2的化学物质。例如，工艺参数区间可以包括约20～约1000mTorr的室压强、范围从约50～约1000sccm的NO2处理气体流率、范围从约500～约2000W的上电极(例如图5中的元件70)RF偏置，以及范围从约10～约500W的下电极(例如图5中的元件20)RF偏置。
在替换实施例中，去除光刻胶的方法包括基于N2O的化学物质。例如，工艺参数区间可以包括约20～约1000mTorr的室压强、范围从约50～约1000sccm的N2O处理气体流率、范围从约500～约2000W的上电极(例如图5中的元件70)RF偏置，以及范围从约10～约500W的下电极(例如图5中的元件20)RF偏置。
在替换实施例中，可以使用其任何的混合物。在另一个替换实施例中，RF功率被供应到上电极而不供应到下电极。在另一个替换实施例中，RF功率被供应到下电极而不供应到上电极。
一般来说，去除光刻胶的时间可以使用实验设计(DOE)技术来确定，但是其也可以使用终点检测来确定。终点检测的一个可能的方法是监视来自等离子体区域的发射光谱中的一部分，其指示由于基本接近完成从衬底去除光刻胶并且与下面的材料膜接触所导致的等离子体化学物质的变化。例如，光谱的指示这样的变化的部分包括482.5nm处的波长(CO)，并且可以利用光学发射光谱(OES)来测量。在对应于这些频率的发射水平超过规定的阈值之后(例如下降到基本为零或者增大到高于特定水平)，就可以认为达到了终点。也可以使用提供终点信息的其他波长。此外，刻蚀时间可以被延长以将过灰化时间段包括在内，其中所述过灰化时间段构成了刻蚀工艺开始和与终点检测相关的时间之间的时间中的一部分(即，1～100％)。
图7表示根据本发明的一个实施例用于在等离子体处理***中去除衬底上的光刻胶的方法的流程图。流程400开始与410，其中处理气体被引入到等离子体处理***，所述处理气体包括NxOy，x和y是大于或者等于1的整数。例如，处理气体可以包括NO、NO2或者N2O。或者，处理气体还可以包括惰性气体，诸如诸如有气体(即He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn)。
在420，使用在图2到图6中所述的***中的任何一种或其组合，由处理气体在等离子体处理***中形成等离子体。
在430，包含光刻胶层或者光刻胶层残留物的衬底被暴露于在420中所形成的等离子体。在第一时间段之后，流程400结束。具有光刻胶层的衬底暴露于等离子体的第一时间段一般可以由灰化光刻胶层所需的时间来确定。一般来说，去除光刻胶所需的时间段是预定的。或者，可以对该时间段进一步增加第二时间段或者过灰化时间段。如上所述，过灰化时间可以包括第一时间段的时间的一部分，诸如1～100％，并且此过灰化时间段可以包括超出终点检测的延长灰化。
图8表示根据本发明的另一个实施例在等离子体处理***中在衬底上的介电层中形成特征的方法。该方法被示于流程图500中，其开始于510，即在衬底上形成介电层。介电层可以包括诸如二氧化硅(SiO2)的氧化物层，并且其可以通过包括化学气相沉积(CVD)在内的各种工艺来形成。另一方面，介电层具有小于SiO2的介电常数的名义介电常数值，其中SiO2的介电常数为约4(例如，热二氧化硅的介电常数的范围可以从约3.8～约3.9)。更具体地，介电层可以具有小于约3.0的介电常数，或者从约1.6～约2.7的介电常数。
或者，介电层可以被表征为低介电常数(或者低k)介电膜。介电层可以包括有机、无机和有机无机杂化材料中的至少一种。此外，介电层可以是多孔的或者无孔的。例如，介电层可以包括无机硅酸盐基材料，诸如使用CVD技术所沉积的氧化有机硅烷(或者有机硅氧烷)。这样的膜的示例包括可从Applied Materials，Inc.商购的Black DiamondTM CVD有机硅酸盐玻璃(OSG)膜或者可从Novellus Systems商购的CoralTM CVD膜。此外，多孔介电膜可以包括单相材料，诸如具有在固化过程中断裂以生成小空洞(或者孔)的CH3键的硅氧化物基的基体。此外，多孔介电膜可以包括两相材料，诸如具有在固化工艺过程中被蒸发掉的有机材料(例如成孔剂)的孔的硅氧化物基的基体。或者，介电膜可以包括无机硅酸盐基材料，诸如使用SOD技术沉积的氢硅倍半氧烷(HSQ)或者甲基硅倍半氧烷(MSQ)。这样的膜的示例包括可从Dow Corning商购的FOx HSQ，可从Dow Corning商购的XLK多孔HSQ，和可从JSR Microelectronics商购的JSR LKD-5109。或者，介电膜可以包括使用SOD技术沉积的有机材料。这样的膜的示例包括可从Dow Chemical商购的SiLK-I，SiLK-J，SiLK-H，SiLK-D，和多孔SiLK半导体介电树脂，以及可从Honeywell商购的FLARETM和纳米玻璃。
在520，光刻胶图案被形成在上覆于介电层的衬底上。光刻胶膜可以利用诸如光刻胶旋涂***之类的常规技术来形成。图案可以通过使用诸如步进微光刻***之类的常规技术和显影溶剂形成在光刻胶膜内。
在530中，光刻胶图案被转移到介电层，以在介电层中形成特征。图案转移利用干法刻蚀技术来完成，其中刻蚀工艺在等离子体处理***中执行。例如，当刻蚀诸如氧化硅、二氧化硅等之类的氧化物介电膜时，或者当刻蚀诸如氧化有机硅烷之类的无机低k介电膜时，刻蚀气体组合物一般包括诸如C4F8、C5F8、C3F6、C4F6、CF4等中的至少一种的氟碳基化学物质，以及惰性气体、氧和CO中的至少一种。此外，例如，当刻蚀有机低k介电膜时，刻蚀气体组合物一般包括含氮气体和含氢气体中的至少一种。用于选择性刻蚀介电膜(诸如前面所描述的那些)的技术对于电介质刻蚀工艺领域的技术人员是公知的。
在540中，光刻胶图案或者残留光刻胶或者刻蚀后残余物等被去除。去除光刻胶通过将衬底暴露于由包含NxOy(其中x和y是大于1的整数)的处理气体形成的等离子体来执行。例如，处理气体可以包括NO、NO2或者N2O。或者，处理气体还可以包括惰性气体，诸如稀有气体(即He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn)。使用例如图2到图6中所描述的***中的任何一种由处理气体在等离子体处理***中形成等离子体，并且包含光刻胶的衬底被暴露于所形成的等离子体。具有光刻胶层的衬底暴露于等离子体的时间段一般可以由去除光刻胶层所需的时间来确定。一般来说，去除光刻胶所需的时间段是预定的。但是，可以对该时间段进一步增加第二时间段或者过灰化时间段。如上所述，过灰化时间可以包括所述时间段的时间的一部分，诸如1～100％，并且此过灰化时间段可以包括超出终点检测的延长灰化。
在一个实施例中，光刻胶图案到介电层的转移以及光刻胶的去除在同一等离子体处理***中执行。在另一个实施例中，光刻胶图案到介电层的转移以及光刻胶的去除在不同的等离子体处理***中执行。
虽然上面仅仅详细描述了本发明的某些实施例，但是本领域技术人员将容易理解在这些实施例中可以进行许多修改，而不会实质偏离本发明的新颖教导和优点。因此，所有这些修改被包括在本发明的范围内。

Claims (33)

1.一种用于从衬底去除光刻胶的方法，包括：
将所述衬底放置于等离子体处理***中，所述衬底具有形成于其上的介电层，所述光刻胶上覆于所述介电层，其中所述光刻胶提供用于将特征刻蚀到所述介电层中的掩模；
引入包含NxOy的处理气体，其中x和y是大于或者等于1的整数；
在所述等离子体处理***中由所述处理气体形成等离子体；以及
利用所述等离子体从所述衬底去除所述光刻胶。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述引入所述处理气体的操作包括引入NO、NO2和N2O中的至少一种。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述引入所述处理气体的操作还包括引入惰性气体。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述引入所述惰性气体的操作包括引入稀有气体。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有低介电常数的介电层的衬底。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有多孔介电层和无孔介电层中的至少一种的衬底。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有包含有机材料和无机材料中的至少一种的介电层的衬底。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有包含无机-有机杂化材料的介电层的衬底。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有包含氧化有机硅烷的介电层的衬底。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有包含氢硅倍半氧烷和甲基硅倍半氧烷中的至少一种的介电层的衬底。
11.如权利要求7所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有包含硅酸盐基材料的介电层的衬底。
12.如权利要求9所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括放置具有包含包括硅、碳和氧的聚集膜的介电层的衬底。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述放置具有所述介电层的所述衬底的操作包括将氢置于所述聚集膜中。
14.一种在衬底上的介电层中形成特征的方法，包括：
在所述衬底上形成所述介电层；
在所述介电层上形成光刻胶图案；
通过刻蚀将所述光刻胶图案转移到所述介电层；以及
利用由包含NxOy的处理气体形成的等离子体从所述介电层去除所述光刻胶，其中x和y是大于或者等于1的整数。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述利用所述处理气体的操作包括利用NO、NO2和N2O中的至少一种。
16.如权利要求14所述的方法，其中所述利用所述处理气体的操作还包括利用惰性气体。
17.如权利要求14所述的方法，其中所述利用所述惰性气体的操作包括利用稀有气体。
18.如权利要求14所述的方法，其中所述去除所述光刻胶的操作执行第一时间段。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述去除所述光刻胶持续所述第一时间段的操作由终点检测确定。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述通过终点检测确定所述第一时间段的操作包括使用光学发射光谱。
21.如权利要求18所述的方法，其中在所述去除所述光刻胶持续第一时间段的操作之后，将所述光刻胶暴露于所述基于NxOy的等离子体第二时间段。
22.如权利要求21所述的方法，其中所述暴露于所述第二时间段的操作包括将所述光刻胶暴露于所述基于NxOy的等离子体持续所述第一时间段的一部分。
23.如权利要求14所述的方法，其中所述通过刻蚀将所述光刻胶图案转移到所述介电层的操作在等离子体处理***中执行，并且所述从所述介电层去除所述光刻胶的操作在所述等离子体处理***中执行。
24.如权利要求14所述的方法，其中所述通过刻蚀将所述光刻胶图案转移到所述介电层的操作在等离子体处理***中执行，并且所述从所述介电层去除所述光刻胶的操作在另一个等离子体处理***中执行。
25.一种用于从衬底去除光刻胶的等离子体处理***，包括：
等离子体处理室，用于利用处理气体形成等离子体；和
控制器，所述控制器耦合到所述等离子体处理室并且配置来执行利用所述处理气体形成等离子体以从所述衬底去除所述光刻胶的工艺流程，其中所述处理气体包含NxOy，且x和y是大于或者等于1的整数。
26.如权利要求25所述的***，还包括诊断***，所述诊断***耦合到所述等离子体处理室并且耦合到所述控制器。
27.如权利要求26所述的***，其中所述诊断***被配置来接收与从所述等离子体发射的光相关联的信号。
28.如权利要求25所述的***，其中所述处理气体包含NO、NO2和N2O中的至少一种。
29.如权利要求25所述的***，其中所述处理气体还包含惰性气体。
30.如权利要求25所述的***，其中所述惰性气体包含稀有气体。
31.如权利要求26所述的***，其中所述控制器使得所述光刻胶暴露于所述等离子体一段时间。
32.如权利要求31所述的***，其中所述一段时间由通过所述诊断***的确定的终点检测确定。
33.如权利要求26所述的***，其中所述诊断***包括光学发射光谱装置。
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