CN1866348A - 半导体集成电路以及液晶显示驱动用半导体集成电路 - Google Patents

半导体集成电路以及液晶显示驱动用半导体集成电路 Download PDF

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Abstract

借助于进一步将一个或二个或多个晶体管串联连接在输出电路中的一对晶体管之间，包括借助于将一对输出晶体管串联连接在一对电源电压端子之间，并输出施加到液晶屏的栅信号发生电路的信号，降低了施加在源与漏之间的电压。同时还提供了电位设定转换元件来准备一对电源电压的中间电位，并在输出晶体管被截止的情况下，将此中间电位施加到截止状态的输出晶体管的基体材料。从而可以实现液晶显示驱动用半导体集成电路。因此，借助于用抗压性低的元件来构造用来输出施加到液晶屏的栅信号发生电路的信号的电路，还能够实现低的制造成本，而无须使用抗压性高的工艺。而且，能够改善输出电路的工作速度，并能够降低其功耗。

Description

半导体集成电路以及液晶显示 驱动用半导体集成电路
相关申请的交叉参考
本申请对2005年5月18日提交的日本专利申请No.2005-145036提出优先权要求，此处将No.2005-145036的内容引入本申请作为参考。
技术领域
本发明涉及到能够有效地应用于包括用来输出高电位差信号的输出电路的半导体集成电路(IC)的技术，更具体地说是涉及到能够有效地应用于包含用来将施加的信号输出到例如液晶屏的电路的液晶显示驱动用IC(液晶控制驱动器)的技术。
背景技术
近年来，作为诸如移动电话和PDA(个人数字助理)之类的便携式电子设备的显示单元，采用了其中多个显示象素通常被例如二维矩阵排列的点阵式液晶屏，且这种设备中包含构造成半导体集成电路的液晶显示控制器(液晶控制驱动器IC)，用来控制和驱动此液晶显示屏。
此液晶控制驱动器IC内的内部逻辑电路等通常能够以低达5V或以下的电压工作，而液晶屏显示驱动要求高达20-40V的电压。因此，除了内部逻辑电路以5V或以下的电压工作之外，液晶控制驱动器IC配备有以从电源电压提升的电压而工作的驱动电路和输出电路。
众所周知，除了被施加图象信号的信号线之外，点阵式液晶屏还配备有沿与信号线相交叉的方向配置并顺序驱动到选择电平的扫描线，还在信号线与扫描线的交叉点处配备有象素。因此，用来驱动液晶屏的相关技术的液晶显示驱动用IC通常已经配备有用来输出施加到信号线(数据线)的电压的驱动电路(源驱动器)以及用来输出施加到扫描线的电压的驱动电路(公共驱动器)。
然而，近年来，作为TFT液晶屏，已经提供了安装TFT构成的扫描线驱动电路和数据线驱动电路的TFT液晶屏。例如，在专利文献1中就公开了上述结构的液晶屏。用来驱动配备有扫描线驱动电路的液晶屏的显示器的液晶显示驱动用IC的优点是不再需要扫描线驱动电路，因而能够减小芯片尺寸。
[专利文献1]
日本未审专利公开No.2004-163600
近年来，由于显示器尺寸和显示器精度的改进而提供了几百条扫描线。顺便说一下，扫描线驱动电路由于是用来顺序选择和驱动扫描线的电路，故可以由诸如移位寄存器之类的比较简单的电路构成。
当这种扫描线驱动电路被提供在液晶显示驱动用IC中时，液晶显示驱动用IC被要求提供用来输出对应于扫描线数目的几百个驱动信号的电路。同时，当扫描线驱动电路被提供在液晶屏中时，提供用来输出几个(通常是3-6个)与水平同步信号和帧同步信号同步的扫描线驱动电路的工作定时信号和时钟信号的电路，就足够了。
而且，在任何情况下，从液晶显示驱动用IC施加到液晶屏的信号是振幅大于普通IC的例如20到-10V的信号，且用来输出这种信号的电路由耐较高电压即抗压性更高的元件构成。但抗压性更高的元件的缺点是工作速度低于抗压性低的元件的工作速度。因此，内部电路由抗压性低的元件构成来实现低功耗和高工作速度，且电路被设计成以较低的电源电压工作。但同时利用抗压性较高的元件和抗压性较低的元件的半导体集成电路在制造工艺中是复杂的，导致成本上升。
当扫描线驱动电路如上所述被提供在液晶显示驱动用IC中时，要求提供用来输出几百个驱动信号的电路。但当扫描线驱动电路被提供在液晶屏中时，当电路被提供在用来输出几个信号的液晶显示驱动用IC中就足够了。但若对少数元件利用抗压性较高的元件来构成用来输出这种几个信号的电路而使用抗压性高的工艺，则成本性能显著地变坏。
发明内容
本发明的目的是，在包含用来输出电位差高的信号的输出电路的半导体集成电路中，例如在用来驱动其上例如安装了扫描线驱动电路的液晶屏的液晶显示驱动用半导体集成电路中，用抗压性低的元件来构成输出电路，并实现低的制造成本而不用抗压性高的工艺。
本发明的另一目的是，借助于在包括用来输出高电压差信号的输出电路的半导体集成电路中，例如在用来驱动其上例如安装了扫描线驱动电路的液晶屏的液晶显示驱动用半导体集成电路中，用抗压性低的元件构成输出电路，来改善输出电路的工作速度和降低功耗。
从本发明说明书及其附图的描述中，本发明的上述目的、其它目的、以及新颖特点将变得明显。
本申请所公开的典型发明概括如下。
亦即，在包括由一对串联连接在一对电源电压端子之间的输出晶体管构成的输出级中，一个或二个或多个晶体管被额外串联连接在一对输出晶体管之间，以便降低施加在输出晶体管的漏与源之间的电压。而且，还提供了用来设定电位的开关元件，以便在输出晶体管被截止时，准备将二个电源电压的中间电位施加到截止状态的输出晶体管的基体材料。
根据上述方法，由于有可能用高于内部电路中的电源电压的电源电压来终止施加较高电压到用来输出较高电压差的信号的输出电路中的输出晶体管，故能够用抗压性比较低的元件来构成此输出电路。因此，可以制作无须使用高抗压性工艺而构成输出电路的晶体管，从而实现了低的制造成本。
而且，抗压性低的晶体管的开态电阻小于抗压性高的晶体管的开态电阻，且阈值电压较低。因此，借助于用抗压性较低的晶体管构成输出级，能够改善输出阻抗特性。结果就能够改善输出电路的工作速度，还能够降低功耗。
此外，在包含信号线(源线)驱动电路来驱动内部逻辑电路以便驱动安装扫描线驱动电路的液晶屏的液晶显示驱动用半导体集成电路中，由抗压性(例如20V)高于形成内部逻辑电路的元件的元件来构成信号线驱动电路。因此，当有可能用抗压性(20V)低于构成相关技术的芯片上扫描线驱动电路的元件的抗压性(例如40V)的元件来构成扫描线驱动电路时，可以用抗压性等于构成信号线驱动电路的元件的抗压性的元件来构成扫描线驱动电路。
因此，即使当较施加到构成内部逻辑电路的元件的电压更高的电压(20V)被施加到构成扫描线驱动电路的元件时，也能够防止元件的击穿，从而就不再要求使用仅仅用于构成扫描线驱动电路的元件的高抗压性工艺(20V抗压性工艺)。亦即，与用来形成20V和40V二种抗压性的元件的工艺相比，工艺能够更简单。
本发明申请所公开的典型发明的示例性优点如下。
亦即，本发明能够提供下列优点，即能够得到低的制造成本，能够改善输出电路的工作速度，以及还能够借助于在包括用来输出高电压差的信号的输出电路的半导体集成电路中用抗压性低的元件构成输出电路而降低功耗并实现制造而不使用高抗压性工艺。
附图说明
图1是方框图，示出了一种液晶显示***的示意结构，此液晶显示***包含其中能够有效地应用本发明的液晶显示驱动用半导体集成电路(液晶控制驱动器IC)以及用此驱动器IC驱动的液晶屏；
图2是方框图，示出了用其中有效地应用本发明的液晶控制驱动器驱动的TFT液晶屏的结构；
图3是电路结构图，示出了其中有效地应用本发明的液晶控制驱动器IC中栅信号缓冲器的一种实施方案；
图4A-4D是定时图，示出了图3栅信号缓冲器中信号和节点的电位变化；
图5A和5B是剖面图，示出了用于优选实施方案的液晶控制驱动器IC的元件(MOSFET)的结构，其中，图5A示出了抗压性高的元件的结构，而图5B示出了抗压性低的元件的结构；
图6是一种电路，示出了栅信号缓冲器中的电平移位器电路的一个具体例子；而
图7A-7C是解释图，示出了用于优选实施方案的电平移位器电路的输入信号和输出信号的电位变化。
具体实施方式
下面参照附图来解释本发明的优选实施方案。
图1示出了一种液晶显示***的示意结构，此液晶显示***包含其中应用了本发明的液晶显示驱动用半导体集成电路(液晶控制驱动器IC)100以及用此驱动器IC驱动的液晶屏200。如图1所示，用本实施方案液晶控制驱动器IC 100驱动的液晶屏200配备有由移位寄存器等构成用来顺序驱动屏上各扫描线的栅信号发生电路(扫描线驱动电路)210。
液晶控制驱动器IC 100包含用来产生和输出待要施加到源线的数据信号的源驱动器电路110、用来输出施加到栅信号发生电路210的信号的栅信号缓冲器120、以及用来产生和输出施加到液晶屏公共电极的信号的公共驱动电路130。栅信号缓冲器120产生和输出诸如用来控制栅信号发生电路210的定时信号和时钟信号之类的信号ASW1-3，以便与水平同步信号和帧同步信号同步工作产生栅信号。虽然没有特殊的限制，但在本实施方案中，信号ASW1-3被定义为振幅在+20V到-10V之间变化的信号。信号ASW1-3中的一个是定时信号，用来开始移位寄存器的移位操作并给出顺序转移的数据“1”，而其余二个信号是包括180度相位差的移位时钟。
而且，本实施方案的液晶控制驱动器IC 100还配备有液晶驱动用电源电路160以及升压电路170，液晶驱动用电源电路160用来产生用于源驱动电路110和栅信号缓冲器120的液晶灰度电压和作为灰度电压的参考电压的恒定电压，升压电路170用来产生用于电源电路160、驱动电路110和130、输出缓冲器120的提升电压。
此外，驱动器IC 100还配备有控制寄存器180和控制器190，控制寄存器180用来规定液晶驱动用电源电路160产生的灰度电压的振幅和特性，控制器190用来产生内部电路的控制信号并借助于从芯片外部的微计算机接收命令和显示数据而处理显示数据。虽然在图1中未示出，但还按需要提供了RAM(随机存取存储器)，用来储存馈自外部微计算机的显示数据。
接着，参照图2来解释其中应用了本发明的液晶控制驱动器IC所驱动的TFT液晶屏200的结构。
借助于在类似玻璃衬底的透明衬底上按彼此正交的方向配置作为其上施加图象信号的多个信号线的源信号线(源电极)SL1、SL2、SL3、...以及作为以预定周期被顺序选择和驱动的多条扫描线的栅线(栅电极)GL1、GL2、...，形成了图2的液晶屏。栅线(栅电极)GL1、GL2、...与栅信号发生电路210连接，且选择电平的驱动电压被顺序施加到任何一个栅线。而且，各象素被配置在源线SL1、SL2、SL3、...与栅线GL1、GL2、...之间的各交叉点处。
各个象素由作为选择元件的TFT(薄膜晶体管)以及象素电容CL构成，此TFT(薄膜晶体管)在栅端子处与任何一个栅线连接并在源端子处与任何一个源线连接，象素电容CL连接在TFT的漏端子与各象素的公共对置电极之间，用来提供液晶中心电位(COM电位)VCOM。这些象素分别被提供在源线与栅线的交叉点处，以便形成有源矩阵型屏。
借助于将电压施加到保持在与选择用TFT的漏端子连接的象素电容CL的一个电极(象素电极)与对置电极之间的液晶，以便根据象素电极电位与COM电位之间的电位差，通过液晶极化系数的变化而改变象素的亮度，从而执行灰度显示。而且，由于当DC电压被连续施加时液晶变坏，故借助于在液晶中心电位VCOM附近交替地选择正电位和负电位作为施加到源线和栅线的电压来执行交流驱动。
图3示出了其中应用本发明的液晶控制驱动器IC中的栅信号缓冲器120的实施方案。在图3中，其栅处有记号о的MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管)表示P沟道型MOSFET，而其栅处没有记号о的MOSFET表示N沟道型MOSFET。
本实施方案的栅信号缓冲器120由推挽型输出级和输出控制逻辑电路121构成，此推挽型输出级由MOSFET Q1-Q4构成，输出控制逻辑电路121用来产生施加到MOSFET Q1-Q4的栅端子的信号SWP2、SWP1、SWN1、SWN2。输出级中的MOSFET Q1-Q4被串联连接在其上施加高达例如20V的高电源电压VGH的电源端子与其上施加低达-10V的低电源电压VGL的电源端子之间。输出控制逻辑电路121具有电平移位器的功能，用来接收诸如馈自内部逻辑的逻辑电压VDD-地GND(例如5V-0V)之类振幅的信号IN，并将接收的信号转换成振幅适合于各个MOSFET的信号。
进行连接，使高电源电压VGH被施加到输出级的Q1-Q4中的MOSFET Q2的基体材料(衬底或阱区)，且低电源电压VGL被施加到Q5的基体材料。同时，Q1和Q2的连接节点N1处的电位被施加到MOSFET Q1的基体材料，且Q3和Q4的连接节点N2处的电位被施加到MOSFET Q3的基体材料。
而且，本实施方案中的栅信号缓冲器120配备有由MOSFET Q5和Q6构成用来设定MOSFET Q1和Q2连接节点N1的电位的电位设定装置122以及由MOSFET Q7和Q8构成用来设定MOSFET Q3和Q4连接节点N2的电位的电位设定装置123。MOSFET Q5和Q6是传输门，由并联连接的P沟道MOSFET和N沟道MOSFET构成，以便使电位下降量更小，并被并联连接在高电源电压VH与连接节点N1之间。而且，MOSFET Q7和Q8也构成传输门，并被并联连接在Q3和Q4的连接节点N2与电源电压VL之间。高电源电压VH被设定为例如10V之类的电位，而低电源电压VL被设定为例如0V之类的电位。
此外，电源电压VGH被施加到Q1和Q5的基体材料(阱区)，而电源电压VGL被施加到Q4和Q8的基体材料。因此，基体材料与漏区之间的PN结被正向偏置，从而防止泄漏电流流动。
图4A-4B示出了图3的栅信号缓冲器的操作定时。当图4A的振幅为VDD-0V的信号IN被输入到输出控制逻辑电路121时，就根据信号IN的升降而产生如图4B所示而改变的栅控制信号SWP1-SWN3。SWP1-SWN3中的信号SWP1被施加到MOSFET Q1的栅端子，而信号SWP2被施加到MOSFET Q2的栅端子。而且，SWN1被施加到MOSFET Q3的栅端子，而信号SWN2被施加到MOSFETQ4的栅端子。此外，SWP1被施加到用来设定高电平侧电位的MOSFET Q5和Q6的栅端子，而SWN1被施加到用来设定低电平侧电位的MOSFET Q7和Q8的栅端子。
图4B的栅控制信号SWP1-SWN3示出了相应MOSFET的导通状态或截止状态，未示出电位。亦即，当相应的MOSFET是P沟道型时，栅控制信号的低电平对应于导通状态，而栅控制信号的高电平对应于截止状态。此外，当相应的MOSFET是N沟道型时，栅控制信号的高电平对应于导通状态，而栅控制信号的低电平对应于截止状态。而且，即使当晶体管与Q1和Q2那样是同一种导电类型的，由于施加到源和漏的电压不同，栅控制信号的电平也根据这些电压而改变。
当输入信号IN从低电平改变到高电平时，Q1-Q4中远离输出节点N0的MOSFET Q4首先被图4B所示改变的栅控制信号SWP1、SWP2、SWN1、SWN2截止。随后，最靠近输出节点N0的MOSFETQ3被截止，然后Q1被导通。最后，更远离输出节点N0的Q2被导通。因此，能够防止Q1-Q4被同时导通，从而防止穿通电流流动。
而且，液晶控制驱动器IC配备有升压电路170，用来产生用于驱动电路110和栅信号缓冲器120的提升电压。用升压电路170来产生高于内部电源电压VDD(5V)的电源电压VGH(20V)和VH(10V)。当关注节点N1的电位VN1时，如图4D所示，电压VGH在定时t4改变成VH。在此定时，节点N1的电荷被用来产生电压VH的升压电路(电荷泵)吸收。在输出级由一对串联连接的MOSFET(Q1和Q4或Q2和Q3)构成的相关技术的电路中，输出节点N0处的电位改变等于VGH-VGL，且不用升压电路来吸收节点N0的电荷。因此，本实施方案输出级的功耗能够比相关技术电路的功耗降低得更多。
而且，在远离输出节点N0的Q4被截止的定时t1，用于电位设定的MOSFET Q7和Q8被栅控制信号SWN3导通。而且，在远离输出节点N0的Q2被导通的定时t3，用于电位设定的MOSFET Q5和Q6被栅控制信号SWP3截止。在t1与t3之间的定时t2，更靠近输出节点N0的Q3被截止，而Q1在定时t2被导通。
因此，如图4C所示，缓冲器的输出OUT从电源电压VGL逐步改变到VL、VH、VGH，从而能够防止更高的电压被施加到MOSFETQ1-Q4的源漏之间。当栅信号缓冲器120的输入信号IN从高电平改变到低电平时，以相反于上述的顺序(定时t4-t6)执行操作。
此外，在高电平中的MOSFET Q1和Q2被截止的周期T1中，用于电位设定的MOSFET Q5和Q6被导通。因此，节点N1处的电位VN1被设定为VH，且小于VGH-VGL(＝30V)的电压VH-VGL(＝20V)被施加到Q1的源漏之间，而电压VGH-VH(＝10V)被施加到Q2的源漏之间。
同样，在低电平中的MOSFET Q3和Q4被截止的周期T2中，用于电位设定的MOSFET Q7和Q8被导通。因此，节点N2处的电位VN2被设定为VL，且小于VGH-VGL(＝30V)的电压VGH-VL(＝20V)被施加到Q3的源漏之间，而电压VL-VGL(＝10V)被施加到Q4的源漏之间。
如上所述，仅仅20V的最大电压被施加到输出级MOSFETQ1-Q4的源漏之间。相反，在不采用本发明的包括由一对串联连接的MOSFET构成的输出级的缓冲器中，大约30V的电压被施加到输出MOSFET的源漏之间。
为此目的，可以用抗压性低于其中不采用本实施方案的包括由一对串联连接的MOSFET所形成的现有类型输出级的缓冲器元件的抗压性的元件，来构成本实施方案输出级中的MOSFET Q1-Q4。更具体地说，当不采用本实施方案时，必须采用图5A所示结构的抗压性较高的MOSFET作为输出缓冲器输出级的元件。但当采用本实施方案时，可以采用例如图5B所示结构中的抗压性比较低的MOSFET。
在图5A和5B中，参考号101表示单晶硅衬底；102表示成为沟道区的N阱区；104表示成为源-漏区的扩散区；105表示用于元件隔离的绝缘膜；106表示栅绝缘膜；而107表示多晶硅栅电极。借助于在阱区103上形成成为源-漏区的扩散层104，然后在栅电极107与扩散层104之间提供绝缘膜105a，通过栅电极107与远离端部的区域之间更长的距离，图5A的元件被设计来提供更高的抗压性。如从图5A和图5B的比较中可以理解的那样，图5A的高抗压性元件占据的面积大于图5B的低抗压性元件所占据的面积。因此，通过应用本实施方案，能够减小输出缓冲器占据的面积。
而且，虽然从附图看不明显，但图5A的高抗压性元件被制作成栅绝缘膜106的厚度比图5B的抗压性较低的元件的栅绝缘膜厚度更大。因此，当采用图5A的抗压性较高的元件时，仅仅为此目的而要求形成厚的栅绝缘膜的工艺，从而与这种要求一样提高了制造成本。此外，提供在栅电极107与扩散层104之间的绝缘膜105a通常用不同于用于元件隔离的绝缘膜105的工艺来形成。因此，在采用抗压性较高的元件的情况下，需要一种用来形成绝缘膜105a的工艺。
确切地说，当如图1的实施方案那样栅信号发生电路210被提供在液晶屏侧中时，仅仅几个信号(在本实施方案中是3个信号)被施加到栅信号发生电路210，驱动器IC 100可能需要较少的缓冲器。因此，从制造成本的观点出发，不推荐采用图5A的高抗压性元件作为此元件来形成较少的缓冲器，也不推荐增加工艺来形成这种元件。
而且，即使当图5B的低抗压性元件被考虑时，此元件也具有比形成工作于5V电源电压的内部逻辑的元件(未示出)更高的抗压性。借助于在阱区103上形成成为源-漏区的扩散层104，通过栅电极107与端部之间更长的距离，图5B的元件被设计来提供更高的抗压性。
为了得到更高的抗压性，栅绝缘膜105最好被形成得厚于构成内部逻辑的元件的栅绝缘膜。但即使在此情况下，由于在图1实施方案的驱动器IC中，源线驱动电路110被构成来输出振幅约为20V的信号，故形成源线驱动电路110的元件也必须被选择为抗压性高于形成内部逻辑的元件的抗压性。因此，利用能够以相同于形成源线驱动电路110的元件的工艺来形成的元件作为构成图3输出缓冲器的元件，可以避免工艺数目的增加。
图6示出了用于栅信号缓冲器120的输出控制逻辑电路121的电平移位电路的一个具体电路例子。本实施方案的电平移位电路配备有这样一种结构，其中，由MOSFET Q21-Q24构成的CMOS锁存电路LT2被连接在由MOSFET Q11-Q14构成的作为其前级的CMOS锁存电路LT1的下级中。而且，电平移位电路根据输出级MOSFET Q1-Q4的栅控制信号SWP1-SWN4中的输出信号而从VGH、VH、VL、VGL选择所需的二个电源电压。
如图7A-7C所示，各信号从而被转换成不同电位和振幅的栅控制信号SWP1-SWN3。在图7A-7C中，左边的波形是转换之前的信号，而右边的波形是转换之后的信号。在栅控制信号SWP1和SWN1的情况下，如图7A所示，信号VDD-GND被转换成信号VH-VL。而且，在栅控制信号SWP2和SWP3的情况下，如图7B所示，信号VDD-GND被转换成信号VGH-VL。此外，在栅控制信号SWN2和SWN3的情况下，如图7C所示，信号VDD-GND被转换成信号VH-VGL。
已经具体地解释了本发明的优选实施方案，但本发明不局限于其实施方案，在不偏离其要点的范围内，可以作出各种改变和修正。例如，在实施方案中，由MOSFET Q5、Q6、Q7、Q8构成的传输门被用作电位设定装置122和123。但也可以用一个MOSFET，例如Q5和Q8，来构成电位设定装置122和123。
而且，可以用已经根据电源电压VGH-VH和VL-VGL恰当地设定在正向电压的二极管来代替MOSFET Q5、Q6、Q7、Q8作为开关元件。此处，当正向电压小于电源电压VGH-VH和VL-VGL的二极管被用来代替MOSFET时，也可以采用多个串联连接的二极管。
此外，本发明还能够被应用于包括连接到外部总线的三态输出缓冲器的半导体集成电路。在此情况下，图3的输出控制逻辑电路121由输入待要输出的信号和控制信号来规定输出状态的逻辑电路和电平移位电路构成。当要求将输出设定为高阻抗时，借助于用逻辑电路产生完全截止输出级中的MOSFET Q1-Q4的信号，并由电平移位电路将这些信号转换成栅控制信号SWP1、SWP2、SWN1、SWN2来控制Q1-Q4，能够达到此目的。
而且，即使在任何情况下，借助于恰当地调整信号SWP1、SWP2、SWN1、SWN2的定时，输出VGH或VGL也可以通过电压VH或VL被控制到高阻抗状态。而且，在上述三态输出缓冲器中，借助于在Q1-Q4被完全截止的周期内完全导通电位设定装置122和123的开关元件Q5-Q8，还有可能防止Q1-Q4的电压高于其抗压性。
在上述解释中，作为本发明的应用领域，本发明已经被应用于液晶控制驱动器IC来驱动TFT液晶屏。本发明不仅仅局限于这种IC，还能够被普遍地应用于包括配备有多个串联连接的晶体管来输出高电位差的信号的输出电路和输出缓冲器的半导体集成电路。

Claims (10)

1.一种半导体集成电路，它包含：
施加有第一电源电压的第一电源电压端子；
施加有第二电源电压的第二电源电压端子；
输出电路，此输出电路包括串联连接在所述第一电源电压端子与所述第二电源电压端子之间的多个晶体管；以及
电位设定装置，此电位设定装置被连接到所述多个晶体管中的任何一个连接节点，以便当连接到所述连接节点的二个晶体管被截止时，将连接节点的电位设定到所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的电位，
其中，多个晶体管的各自抗压性小于所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的电位差。
2.根据权利要求1的半导体集成电路，
其中，串联连接的多个所述晶体管由第一导电类型的第一晶体管和第二晶体管以及第二导电类型的第三晶体管和第四晶体管构成，
其中，第一电位设定装置被连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的连接节点，且第二电位设定装置被连接到所述第三晶体管和所述第四晶体管的连接节点，且
其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管的连接节点被连接到输出端子。
3.根据权利要求2的半导体集成电路，
其中，多个所述晶体管是绝缘栅型场效应晶体管，
其中，所述第一电位设定装置将所述第一晶体管和所述第二晶体管的连接节点以及所述第二晶体管的基体材料设定到所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的第一电位，且
其中，所述第二电位设定装置将所述第三晶体管和所述第四晶体管的连接节点以及所述第三晶体管的基体材料设定到所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的第二电位。
4.根据权利要求1的半导体集成电路，其中，多个所述晶体管分别由用来将第一振幅的输入信号转换成比所述第一振幅更大的第二振幅的信号的电平转换电路所转换的信号来控制。
5.根据权利要求1的半导体集成电路，其中，所述电位设定装置是串联连接第一导电类型晶体管和第二导电类型晶体管的开关电路。
6.一种液晶显示驱动用半导体集成电路，它包含：
施加有第一电源电压的第一电源电压端子；
施加有第二电源电压的第二电源电压端子；
输出电路，此输出电路用来输出施加到液晶屏的扫描线驱动电路的信号，安装在所述液晶屏上的所述扫描线驱动电路用来产生施加到所述液晶屏的扫描线上的驱动信号，其中，所述输出电路配备有包括多个串联连接在所述第一电源电压端子与所述第二电源电压端子之间的多个晶体管的输出电路；以及
电位设定装置，此电位设定装置被连接到多个所述晶体管中的任何一个连接节点，以便当连接到所述连接节点的二个晶体管被截止时，将连接节点的电位设定到所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的电位，
其中，多个所述晶体管的各自抗压性小于所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的电位差。
7.根据权利要求6的液晶显示驱动用半导体集成电路，
其中，串联连接的多个所述晶体管由第一导电类型的第一晶体管和第二晶体管以及第二导电类型的第三晶体管和第四晶体管构成，
其中，第一电位设定装置被连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的连接节点，且第二电位设定装置被连接到所述第三晶体管和所述第四晶体管的连接节点，且
其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管的连接节点被连接到输出端子。
8.根据权利要求7的液晶显示驱动用半导体集成电路，
其中，多个所述晶体管是绝缘栅型场效应晶体管，
其中，所述第一电位设定装置将所述第一晶体管和所述第二晶体管的连接节点以及所述第二晶体管的基体材料设定到所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的第一电位，且
其中，所述第二电位设定装置将所述第三晶体管和所述第四晶体管的连接节点以及所述第三晶体管的基体材料设定到所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的第二电位。
9.根据权利要求6的液晶显示驱动用半导体集成电路，其中，多个所述晶体管分别由用来将第一振幅的输入信号转换成比所述第一振幅更大的第二振幅的信号的电平转换电路所转换的信号来控制。
10.根据权利要求6的液晶显示驱动用半导体集成电路，其中，所述电位设定装置是串联连接第一导电类型晶体管和第二导电类型晶体管的开关电路。
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