CN1863428A - 等离子体激发*** - Google Patents
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Abstract
等离子体激发***(1)，用于为等离子体处理提供功率，包括至少一个可连接于市电电源(3)的DC电流源(2、2’、2”、2”’)；至少一个连接于DC电流源(2、2’、2”、2”’)的中频(MF)单元(4，8)，用于在其输出端产生AC电压，其中MF单元(4，8)的输出端可连接于涂覆室(7)的电极(5、6、9、10)；以及调节和/或控制装置(11)，其被连接于该至少一个DC电流源(2、2’、2”、2”’)用于调节和/或控制DC电流源(2、2’、2”、2”’)的输出值，还被连接于该至少一个MF单元(4，8)用于调节和/或控制MF单元(4，8)的输出值，其中调节和/或控制装置(11)包括至少一个输入接口(11，11d)，用于提供描述该至少一个MF单元(4，8)的输出值的值；以及至少一个控制输出接口(11e，11f)，用于连接该至少一个MF单元(4，8)的控制输入端。从而能产生均匀的二维等离子体。
Description
技术领域
本发明涉及一种等离子体激发***，用于为等离子体处理提供能量，包括至少一个能连接于市电的DC电流源；至少一个连接于DC电流源的中频(MF)单元，用于在其输出端生成AC电压，其中MF单元的输出可连接于涂覆室的电极；以及调节和/或控制装置，其被连接于该至少一个DC电流源的用于调节和/或控制DC电流源的输出值，并且还被连接于该至少一个MF单元以用来调节和/或控制该MF单元的输出值。
背景技术
在平板显示器(FPD)制造过程中，通过若干步骤对基板，例如玻璃面板，的大表面进行均匀的涂覆。根据结构化玻璃涂覆，已知以反应且常规的方式在等离子体处理中通过喷镀/阴极喷镀对大玻璃表面进行涂覆。快结束时，电流或电压源产生等离子体，该等离子体将沉积在基板，例如玻璃面板，上的材料从目标中移去。沉积之前，根据期望的涂覆，原子在反应过程中可与气体原子或分子结合。
在结构化玻璃涂覆中，在等离子体室(涂覆室)内连续地将玻璃面板引导通过喷镀源，从而均匀地实施涂覆。因此必须将等离子体仅在一个轴向，即一维地，即垂直于基板运动方向，均匀分布。
结构化玻璃涂覆使用DC和中频(MF)喷镀过程。后者用中频电流源进行操作，其中由单相或多相电压生成受控或非受控中间电路电压。通过转换电路(例如桥接电路)，将该中间电路电压转换为中频(MF)AC电压。MF输出功率信号被接入到被激发而振荡的振荡电路。振荡电路可以是串联振荡电路或并联振荡电路。串联振荡电路由具有电压源特性的输出功率信号激发，而并联电路由具有电流源特性的输出功率信号激发。
MF功率通常在振荡电路的线圈处被解耦，并被连接到涂覆***的涂覆室中的两个电极，以在涂覆室中实现等离子体的产生。MF激发***中的电极交替用作阳极和阴极。
FPD制造过程包括基板的平面涂覆，且不因其大小而对其进行移动。由于一次涂覆几平方米至几十平方米大小的较大基板的整个表面，因此失误率必须要很低，由于FPD不能由若干部分组装而成，因此***、等离子体室、电极、目标以及电流源必须满足新的需求。
在FPD制造中，到目前为止仅使用DC电流源用于激发等离子体。这是由于以下原因：由于基板的尺寸，基板难以处理，并因此在涂覆过程中不能移动基板。因此必须将等离子体在两维中，即在基板的整个表面上，高度均匀地分布，到目前为止仅能利用DC电压源实现这一点。
在一道工序中涂覆整个表面需要很大能量。在FPD制造过程中生成等离子体需要50至200kW功率或更高功率的电流源。由此，应该能很容易地识别单个功率级之间的电流源，即从50kW至100kW。利用DC电流源可以比利用MF电流源更简单地实现。在DC等离子体处理中，若干DC激发***通常并联连接，并且提供公共调节来保证所有等离子体***提供相同的功率。
电流源以有限的效率工作，因此产生大量必须被释放的散逸热。电流源通常由散热剂冷却。在直接邻近用于FPD制造的涂覆室的位置中，仅有有限的散热剂。用空气冷却的DC电流源是公知的。由于MF单元中大的损耗，当前MF电流源仍由散热剂冷却。
为了使工作所需的空间最小，所需的顺序执行的所有不同涂覆过程在同一涂覆室中进行。快结束时，材料被从不同目标移去。以有益的方式，电流源能从一个目标切换至另一个目标，使得单个电流源能用于不同的涂覆过程。这利用DC电流源很容易实现，但对于MF电流源需要很大的努力，这也是反对使用MF电流源来涂覆大型基板的另一个原因。
DC电流源的另一个有益之处是仅为涂覆***提供很小的空间。因此电流源通常位于远端，例如在地下室中，通过较长的电缆提供电流。由于DC电缆不昂贵而且柔软，因此这一解决方案对于DC电流源是非常容易的。
但是，由于未均匀地移去目标且在目标上形成绝缘层，因此DC电流源也具有缺点，即尤其在反应过程中易于产生电弧。
发明内容
因此，本发明的根本目标在于提供一种用于涂覆大表面基板的改善的等离子体激发***。
根据本发明，该目标通过上述类型的等离子体激发***来实现，其中调节和/或控制装置包括至少一个输入接口和至少一个控制输出接口。该至少一个输入接口提供描述该至少一个MF单元的输出值的值。该至少一个控制输出接口用于连接该至少一个MF单元的控制输入端。MF单元的输出值可被直接提供给调节和/或控制装置。从而，描述输出值的值是输出值本身。通过测量装置检测输出值也是可行的，测量装置利用输入接口将输出值或描述它的值传送至调节和/或控制装置。可以在调节和/或控制装置处提供若干输入和控制输出接口，然后调节和/或控制装置可以被连接于若干MF单元。
对MF输出信号的电流、电压和/或功率进行测量和控制，以允许调节和/或控制装置对MF单元的存取。通过提供至少一个输入接口和至少一个控制输出接口，DC电流源能同时连接于若干MF单元。依据调节/控制，功率仅被施加于单独的MF单元，特别是期望的MF单元。因此，不需要DC功率开关用于关闭或停止激励一个MF单元。由于MF单元通常包含开关桥，因此以所有开关打开的方式对包含开关桥的MF单元或反相器进行控制是足够的。在这种情况下，反相器不传送功率，从而以一个共同的DC电流源允许不同过程，尤其是具有不同目标的过程。但是，每个电极对具有必须与每个电极对相匹配的自己的MF单元。
有利地，通过提供上述接口，DC电流源和MF单元可被容纳在不同壳体中。这消除了干扰。
在一个优选实施例中，调节和/或控制装置包括至少一个其他输入接口和至少一个其他控制输出接口。该至少一个其他输入接口用于提供该至少一个DC电流源的输出值或描述该至少一个DC电流源的输出值的值。该至少一个控制输出接口用于连接该至少一个DC电流源的控制输入端。因此，等离子体激发***包括至少一个DC电流源和一个MF单元，其中中间电路电压在DC电流源的(功率)输出端生成并施加于MF单元。调节和/或控制装置能通过相应的测量装置直接或间接地测量和调节DC电流源的输出端的电流、电压和/或功率。基于这一原因，不是(仅仅)MF单元的输出值而是DC电流源的输出值用于调节和控制等离子体涂覆处理。
通过提供所述接口，若干DC电流源能以简单的方式连接于调节和/或控制装置。有利地，在MF单元的输出端，能任意地调节电流、电压和功率。这允许将激发***最优地适应于相应的等离子体处理。
以进一步的有利方式，调节和/或控制装置包括用于连接数据和/或信号线的接口，该数据和/或信号线连接于该至少一个DC电流源和/或该至少一个MF单元。因此，例如电弧检测装置的信号能以快速且简单的方式传送至调节和/或控制装置，然后调节和/或控制装置对此反应。数据线用于在MF单元与调节和/或控制装置或主DC电流源之间进行数据和信号的交换。对于必须以非常高的速度被传输的测量和调节信号，诸如功率测量数据，可以类似地执行数据传输。数据优选地通过电流接口而不是电压接口进行交换，从而改善了对干扰的敏感度。必须以较高速度和高数据安全性传输的控制、测量和调节信号，诸如描述电弧检测、错误状态等的信号，能以数字方式传输。对于需要非常高的数据可靠性但对时间要求较低的信号，例如温度监视信号，可通过串行通讯总线(例如CAN)进行数字数据传输。
在本发明的一个实施例中，该至少一个DC电流源远离该至少一个MF单元，尤其是在1-50米的距离处，并通过DC电缆以及测量和控制线连接于该MF单元。DC电流源不必与等离子体***或涂覆室直接相邻。因此，电流源在生产车间中不占用空间。单独的MF单元比电流源和MF单元的整个单元更轻，因此能在具有隐藏地下室的车间中建立。在这种情况下，电流源可以有利地位于MF单元下方。DC电缆以及控制和测量电缆能长距离地引导至MF单元，MF单元与涂覆室直接相邻并通过相应的接口连接。有利的是，省去了昂贵的MF电缆，MF电缆具有有限的长度且不如DC电缆柔软。
在本发明的一个优选实施例中，该至少一个DC电流源用空气冷却。于是，可通过散热剂或空气冷却该至少一个MF单元。如果通过散热剂仅冷却MF单元，则更少的热量被挥发至散热剂。与远距离位置，例如在地下室中相比，更可能与涂覆室直接相邻地提供散热剂，其中涂覆室靠近MF单元。由于空气冷却，所以DC电流源不依赖于与散热剂的连接，因此可位于几乎任何位置。
在本发明的一个优选实施例中，该至少一个MF单元包括至少一个第一反相器，该第一反相器用于向输出振荡电路馈电。输出振荡电路可被设计为串联或并联振荡电路。为了获得电流源特性，可在反相器的输入端处设置扼流圈。从而反相器从中间电路电压中产生交流电压。反相器优选被设计为全桥，尤其是具有受控IGBTs的全桥。MF单元还可包括用于一个或多个反相器的控制装置。输出振荡电路的线圈可代表输出变压器初级侧的漏电感。输出变压器可被设计成将输出振荡电路和等离子体室中的电极电流分离。在这种情况下，DC电流源和反相器都不需要被设置有电流分离。输出变压器可被设计气冷蛇管，以防止饱和。输出变压器的输出端可具有若干抽头，用于调节电压和电流以适应相应的电极排列。
在本发明的一个有利的实施例中，并联连接且可连接于市电电源的若干DC电流源被提供用于产生第一中间电路电压并被连接于MF单元的第一反相器。通过连接或断开单独的电流源，可利用若干并联的DC电流源设置不同的功率级别。
以一种特别有利的方式，将用于在相应DC电流源的输出端测量电流、电压和/或功率的测量装置分配给每个DC电流源，其中测量装置连接于调节和/或控制装置。从而，每个电流源可具有其自己的测量装置。测量装置还可位于调节和/或控制装置上，尤其是集成在其中。以分立元件的形式将其分离地设置也是可行的。每个DC电流源可被集成在分离的壳体中，该壳体具有用于输入电压连接、输出电压连接以及测量、控制和调节连接的插接触点(接口)，这允许快速的配置。调节和/或控制装置可容纳在每个DC电流源的壳体中，并承担次级控制的任务。这样，可对调节和/或控制装置进行快速配置和交换。
在一个优选实施例中，该至少一个MF单元包括至少一个第二反相器，其连接于该至少一个DC电流源，其中第一和第二反相器的输出端相互连接。第一和第二反相器优选地相互靠近并具有对称的设计。它们仅在其输出端处以低电感相连，并优选地由相同控制信号进行控制。以这种方式，可有效地防止干扰和相移。可利用相同结构的反相器，这降低了生产成本。可利用低功率元件，这降低了元件成本。因为如果没有DC电流源被连接于第二反相器，就可简单地使第二反相器停止工作，所以保持了简单的结构。
在一个实施例中，并联连接并可连接于市电电源的若干DC电流源可被提供用于生成第二中间电路电压，并被连接于MF单元的第二反相器。提供几组并联连接的若干电流源也是可行的，其中每个组连接于一个反相器，这些反相器在输出振荡电路的上游相互连接。由于由不同组产生的中间电路电压保持分离，因此可通过这样的方式调节DC电流源，即对称地加载反相器的桥。这不可能通过首先连接中间电路电压、且随后再分配至两个桥来实现。
每个DC电流源优选地包括一个用于调节和/或控制装置的插座。插座或插槽例如可位于壳体上。这样，通过为每个电流源提供调节和/或控制装置，每个电流源可被设计为主电流源，从而主电流源包括用于所有电流源的次级控制装置并提供可靠的操作。通过用于所有DC电流源的一个调节和/或控制装置，可确保所有DC电流源提供大致相同的功率，这另外也确保了反相器的均匀加载。
有利地提供一种电弧检测装置。在MF喷镀过程中以比DC喷镀中低很多的频率产生的电弧可以通过电弧抑制和/或消除装置被快速地消除，因此仅引起很小的破坏。尤其是，可确保少量剩余电弧能量(＜20mJ/kW)。此外，优选地提供定时元件(定时器)，用于在有电弧的情况下使DC电流源保持关闭长达特定时间间隔。该时间间隔可在100μs和100ms之间的范围内进行调节。从而可安全地消除电弧，并可调节电流源使其适应于不同的过程。此外，电弧消除装置可设定延时。一旦检测到电弧，就在该延时之后关断电流。从而能够以限定的方式消除甚至在关断和再次接通之后反复出现的电弧。
本发明还包括尤其用于涂覆/生产平板显示器的大表面等离子体涂覆***，其包括等离子体激发***、具有至少两个连接于等离子体激发***的电极的涂覆室，其中每个电极连接于至少一个目标，而涂覆室包括一个或多个适于支持具有≥1平方米表面的基板的基板支架或插座，其中频率在20至500kHz，特别是20至100kHz范围内的输出信号(电压、电流或功率)能在等离子体激发***的输出连接处生成，而基本均匀的二维等离子体可在涂覆室中生成。对于高功率(50至200kW)，也可利用简单且不昂贵的开关技术生成20至500kHz，特别是20至100kHz的频率范围。这超越了可听范围。因此避免了噪声振荡。而且已经证实这种频率范围对于均匀等离子体分布尤其有利。
令人吃惊的是，与DC电流源，这种步骤利用MF电流源，即包括MF单元的等离子体生成***，大大地改善并促进了均匀等离子体的产生。将连接于电极的目标更加均匀得多地移去，使得甚至在长的操作时间中确保了均匀等离子体分布和因此得到的均匀涂覆。
起弧在MF过程中的频率比在DC过程中低得多。为了进一步使包括不经常的起弧的涂覆问题最小化，可检测电弧，且一旦检测到就积极地扑灭它们，或至少关断一个/多个电流源，或中断从电流源到涂覆室的能量供给，从而扑灭电弧。进行扑灭后，可重新激发等离子体或在预定时间后重新启动到涂覆室的能量供应。
附图说明
附图示意性地表示本发明的优选实施例，以下参照附图对其进行更加详细的说明。
图1表示大表面等离子体涂覆***的示意图；
图2表示等离子体激发***的第一实施例；
图3表示等离子体激发***的第二实施例。
具体实施方式
图1示出了等离子体激发***1，它是大表面等离子体涂覆***的一部分。DC电流源2位于等离子体激发***1中，并连接于市电电源3。第一MF单元4连接于DC电流源2。位于涂覆室7中的电极5、6连接于MF单元4。每个电极5、6可连接于一个或多个目标。第二MF单元8与MF单元4并联，并连接于DC电流源2。MF单元8还连接于位于涂覆室7中的电极9、10。由于多个电极5、6、9、10，所以可在涂覆室7中涂覆大表面工件。
电极5、6上的目标和电极9、10上的目标可以被提供以不同的材料。为了在整个表面上获得均匀的涂覆，必须均匀地分布电极。
等离子体激发***1还包括调节和/或控制装置11。调节和/或控制装置11的输入值为DC电流源2的输出值。基于该输出值，对DC电流源2进行调节或控制。测量线12、13连接于调节和/或控制装置11，通过测量线12、13检测MF单元4、8的输出值并将其提供给调节和/或控制装置11。调节和/或控制装置11还控制MF单元4、8，这由控制线14、15表示。测量线12、13和控制线14、15也可被称为数据线。在调节和/或控制装置11上设置接口11a至11f，用于连接DC电流源和MF单元4、8或用于连接的线12-15。
图2表示等离子体激发***1的一个实施例。其中具有两个DC电流源2、2’。DC电流源2和2’产生中间电路电压，通过扼流圈20、21将所述中间电路电压提供给MF单元4的第一反相器22。DC电流源2为主DC电流源，并包括调节和/或控制装置11。调节和/或控制装置11通过测量、数据、信号以及控制线26连接于MF单元4和DC电流源2’。反相器22向振荡电路23馈电，所述振荡电路23被设计为并联振荡电路。并联振荡电路23的线圈24表示输出变压器25的初级线圈电感。在输出变压器25的输出端施加MF电压。
图3表示等离子体激发***1的一个可选实施例。两个DC电流源2、2’和2”、2分别产生中间电路电压，所述中间电路电压被提供给反相器22、30中的每一个。DC电流源2还是主电流源，其包括调节和/或控制装置11。调节和/或控制装置11调节和/或控制DC电流源2、2’、2”、2以及MF单元4。以低电感连接反相器22、30的输出端。它们向输出振荡电路23馈电。调节DC电流源2、2’、2”、2以提供大致相同的功率，这确保了反相器22和30的对称加载。没必要在MF单元中对其进行监视。
Claims (7)
1、等离子体激发***(1)，用于为等离子体处理提供功率，所述***包括至少一个可连接于市电电源(3)的DC电流源(2、2’、2”、2)；至少一个连接于所述DC电流源(2、2’、2”、2)的中频(MF)单元(4，8)，用于在其输出端产生AC电压，其中所述MF单元(4，8)的输出端可连接于涂覆室(7)的电极(5、6、9、10)；以及调节和/或控制装置(11)，其被连接于所述至少一个DC电流源(2、2’、2”、2)用于调节和/或控制所述DC电流源(2、2’、2”、2)的输出值，还被连接于所述至少一个MF单元(4，8)用于调节和/或控制所述MF单元(4，8)的输出值，其中所述调节和/或控制装置(11)包括至少一个输入接口(11，11d)，用于提供描述所述至少一个MF单元(4，8)的输出值的值；以及至少一个控制输出接口(11e，11f)，用于连接所述至少一个MF单元(4，8)的控制输入端，其中设置被并联连接并可连接于市电电源(3)的若干DC电流源(2、2’)，用于产生第一中间电路电压。
2、按照权利要求1的等离子体激发***，其特征在于，所述至少一个MF单元(4，8)包括至少一个第一反相器(22)，用于向输出振荡电路(23)馈电，其中所述DC电流源(2、2’)连接于所述MF单元(4)的第一反相器(22)。
3、根据上述任何一项权利要求的等离子体激发***，其特征在于，用于测量各个DC电流源(2、2’、2”、2)的输出端处电流、电压和/或功率的测量装置被分配给每个DC电流源(2、2’、2”、2)，其中所述测量装置连接于所述调节和/或控制装置(11)，特别地被连接于所述调节和/或控制装置(11)的相应的输入接口。
4、根据上述任何一项权利要求的等离子体激发***，其特征在于，所述至少一个MF单元(4，8)包括至少一个连接于至少一个DC电流源(2、2’)的第二反相器(30)，其中所述第一和第二反相器(22，30)的输出端相互连接。
5、根据上述任何一项权利要求的等离子体激发***，其特征在于，设置被并联连接并可连接于市电电源(3)的若干DC电流源(2”、2)，用于生成第二中间电路电压，且所述DC电流源(2”、2)被连接于所述MF单元(4)的第二反相器(30)。
6、根据上述任何一项权利要求的等离子体激发***，其特征在于，每个DC电流源(2、2’、2”、2)包括用于所述调节和/或控制装置(11)的插座。
7、用于涂覆平板显示器的大表面等离子体涂覆***，包括尤其是根据上述任何一项权利要求的等离子体激发***(1)，以及具有至少两个连接于所述等离子体激发***(1)的电极(5、6、9、10)的涂覆室(7)，其中每个电极(5、6、9、10)连接于至少一个目标，其特征在于，所述涂覆室(7)包括一个或多个适于支撑表面面积≥1平方米的基板的基板支架或插座，其中可在所述等离子体激发***(1)的一个或多个输出连接端产生频率在20至500kHz之间，特别是在20至100kHz之间的AC电压，并且可在所述涂覆室(7)中生成基本均匀的二维等离子体。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110753990A (zh) * | 2017-04-27 | 2020-02-04 | 通快许廷格有限公司 | 功率转换器单元、等离子体处理设备和控制多个等离子体过程的方法 |
| CN110785828A (zh) * | 2017-04-27 | 2020-02-11 | 通快许廷格有限公司 | 电力转换单元、等离子体处理设备和控制多个等离子体处理的方法 |
| CN110958754A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-03 | 上海工程技术大学 | 一种强度自适应的等离子体射流装置和方法 |
| CN111373502A (zh) * | 2017-11-17 | 2020-07-03 | 韩国原子力研究院 | 使用多脉冲等离子体连续供应负离子的***和方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100791952B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-01-04 | 이엔테크놀로지 주식회사 | 준펄스의 특성을 가진 상압 플라즈마 발생용 전원장치 및그 제어방법 |
| DE102006057529B4 (de) * | 2006-12-06 | 2012-04-12 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Kontrollvorrichtung, Energieversorgungssystem und Verfahren |
| JP5283475B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-09-04 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマ制御用電源装置 |
| US9978568B2 (en) * | 2013-08-12 | 2018-05-22 | Tokyo Electron Limited | Self-sustained non-ambipolar direct current (DC) plasma at low power |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3798530A (en) * | 1972-10-17 | 1974-03-19 | Gould Inc | Static switch circuit |
| DE59207306D1 (de) * | 1991-04-12 | 1996-11-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und Anlage zur Beschichtung mindestens eines Gegenstandes |
| DE4138794A1 (de) * | 1991-11-26 | 1993-05-27 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten |
| US5415757A (en) * | 1991-11-26 | 1995-05-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings |
| US5427669A (en) * | 1992-12-30 | 1995-06-27 | Advanced Energy Industries, Inc. | Thin film DC plasma processing system |
| DE4326100B4 (de) * | 1993-08-04 | 2006-03-23 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen |
| DE4441206C2 (de) * | 1994-11-19 | 1996-09-26 | Leybold Ag | Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen |
| JP3413785B2 (ja) * | 1996-03-12 | 2003-06-09 | 日立プラント建設株式会社 | 放電プラズマ発生用交流高圧電源装置 |
| DE19610012B4 (de) * | 1996-03-14 | 2005-02-10 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunkts beim reaktiven Zerstäuben in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre |
| DE19651811B4 (de) * | 1996-12-13 | 2006-08-31 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten |
| DE19702187C2 (de) * | 1997-01-23 | 2002-06-27 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen |
| US5971591A (en) * | 1997-10-20 | 1999-10-26 | Eni Technologies, Inc. | Process detection system for plasma process |
| JP3747313B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2006-02-22 | シャープ株式会社 | 系統連系インバータ装置 |
| JP3508133B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2004-03-22 | 日新電機株式会社 | 系統連系用電力変換装置及びその制御方法 |
| CN2516564Y (zh) * | 2001-12-03 | 2002-10-16 | 深圳豪威真空光电子股份有限公司 | 具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置 |
| WO2004003968A2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Limited | Method and system for arc suppression in a plasma processing system |
| WO2004017356A2 (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-26 | The Regents Of The University Of California | Process and apparatus for pulsed dc magnetron reactive sputtering of thin film coatings on large substrates using smaller sputter cathodes |
| DE10260726B8 (de) * | 2002-12-23 | 2014-12-18 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Modulare Stromversorgung |
| US20040256215A1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-12-23 | David Stebbins | Sputtering chamber liner |
| US6967305B2 (en) * | 2003-08-18 | 2005-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Control of plasma transitions in sputter processing systems |
-
2004
- 2004-12-24 EP EP04030764A patent/EP1675155B1/de not_active Not-in-force
- 2004-12-24 AT AT04030764T patent/ATE543198T1/de active
-
2005
- 2005-12-21 TW TW094145675A patent/TWI293768B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-22 JP JP2005369819A patent/JP4587314B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-23 KR KR1020050128860A patent/KR100771972B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-23 CN CNB2005101216926A patent/CN100441066C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110753990A (zh) * | 2017-04-27 | 2020-02-04 | 通快许廷格有限公司 | 功率转换器单元、等离子体处理设备和控制多个等离子体过程的方法 |
| CN110785828A (zh) * | 2017-04-27 | 2020-02-11 | 通快许廷格有限公司 | 电力转换单元、等离子体处理设备和控制多个等离子体处理的方法 |
| CN110753990B (zh) * | 2017-04-27 | 2022-04-15 | 通快许廷格有限公司 | 功率转换器单元、等离子体处理设备和控制多个等离子体过程的方法 |
| CN110785828B (zh) * | 2017-04-27 | 2022-04-26 | 通快许廷格有限公司 | 电力转换单元、等离子体处理设备和控制多个等离子体处理的方法 |
| US11430642B2 (en) | 2017-04-27 | 2022-08-30 | Trumpf Huettinger Sp. Z O. O. | Controlling multiple plasma processes |
| CN111373502A (zh) * | 2017-11-17 | 2020-07-03 | 韩国原子力研究院 | 使用多脉冲等离子体连续供应负离子的***和方法 |
| CN111373502B (zh) * | 2017-11-17 | 2023-03-28 | 韩国原子力研究院 | 使用多脉冲等离子体源连续供应负离子的***和方法 |
| CN110958754A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-04-03 | 上海工程技术大学 | 一种强度自适应的等离子体射流装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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