CN1858997A - 晶体振荡器 - Google Patents

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CN1858997A
CN1858997A CNA2006100757657A CN200610075765A CN1858997A CN 1858997 A CN1858997 A CN 1858997A CN A2006100757657 A CNA2006100757657 A CN A2006100757657A CN 200610075765 A CN200610075765 A CN 200610075765A CN 1858997 A CN1858997 A CN 1858997A
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田钟范
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Abstract

本发明涉及晶体振荡器,并且更特别地,涉及如下的一种晶体振荡器,其中,形成具有简单结构的陶瓷封装用于晶体振荡器的小型化,用于装配晶体片的空间被最大化,并且其中多个金属层被层压的电极极板被形成为具有大面积,使得能够稳定地支撑和固定大尺寸晶体片。晶体振荡器包括:陶瓷封装,其中,第一陶瓷层和第二陶瓷层被层压以形成凹入空间;电极极板,包括层压在第一陶瓷层上表面的一侧上的多个金属层;压电元件,其一端被固定在电极极板上以便振荡;导电粘合剂,应用在电极极板的上表面上,以连接压电元件的一端;以及盖,附着在陶瓷封装的上部上,以密封陶瓷封装。

Description

晶体振荡器
相关申请的交叉参考
本申请要求于2005年5月3日在韩国知识产权局提交的第2005-0036968号韩国专利申请的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及晶体振荡器,并且更特别地,涉及如下的一种晶体振荡器,其中,形成具有简单结构的陶瓷封装(package)用于晶体振荡器的小型化,确保用于装配晶体片(crystal piece)的最大空间,并且其中多个金属层被层压的电极极板(pad,焊垫)被形成为具有大面积,使得能够稳定地支承和固定大尺寸晶体片。
背景技术
通常,晶体振荡器是使用晶体单元作为振荡频率的控制元件以获取高稳定振荡频率的装置,其中,晶体单元利用石英晶体的压电效应。
当电极被安装在从石英晶体适当切下的晶体片的两个表面上以及交流电在电极之间流动,并且如果此时的频率与晶体片的唯一机械振荡频率一致时,晶体振荡器谐振。此时,电极之间的电抗呈现如同电串联谐振电路类型一样的特性,并且谐振频率被确定为由晶体片的类型、形状、和尺寸决定的唯一机械振荡频率。谐振频率的值达到几万至几十万。
具有极好的压电特性和高精确特性的晶体振荡器被用于要求高精确频率的通信***(诸如,移动电话)。根据所使用的频带,这样的晶体振荡器被分为高频晶体振荡器,诸如频率振荡器(几MHz,频率容限为±50至100ppm)或/和频率转换器(10至50MHz,频率容限为±10ppm),以及低频晶体振荡器,诸如时钟发生器(32.768KHz,频率容限为20ppm)。
晶体振荡器的晶体在加压的高压锅中人工生成。沿着其晶轴切割晶体,并且其尺寸和形状被处理成使其具有期望特性。以晶片形式制造的晶体被形成为具有低相位噪声、高Q因数(质量因数)、以及关于时间和环境改变的低频改变率。
Q因数是指示谐振器、过滤器、振荡器等中的频带选择特性的值,并且还称作质量因数。
Q因数是通过3dB带宽与中心频率的比来计算的。Q因数越大,振荡器的频率选择特性越好。
如果晶体晶片被用作晶体振荡器,则从晶体晶片上切下的晶体片应被固定在封装中。而且,在晶体片的表面上,电极被形成用于与晶体片电连接,然后被连接至封装的内部或外部的电气元件。
另一方面,由于振荡器的操作效率和质量受到外部环境改变和污染的严重影响,因此振荡器应被密封以具有非常低的封装泄漏率,以保护晶体片免受封装的外部环境和污染的影响。密封封装的方法如下:将由金属制成的支撑层附着在陶瓷封装上,然后通过电焊附着和密封由与支撑层相同材料制成的盖。此时,陶瓷和金属之间以及金属和金属之间的粘着部分的气密等级是重要的。如果污染物从外部进入,则诸如可靠性的多种特性均被破坏。
由于振荡器是小型的但可以相对于外部环境改变产生稳定频率,因此振荡器可以被用于计算机或通信***的字符构成电路或颜色构成电路。进一步被应用的诸如压控晶体振荡器(VCXO)、温度补偿晶体振荡器(TCXO)、恒温控制晶体振荡器(OCXO)等的产品被作为核心组件使用,其中核心组件用作外层空间的卫星或测量装置中的所有信号的标准。
随着移动通信和无线通信技术的发展以及个人便携式终端和通信***的逐渐小型化,其***元件也趋向于小型化。相反,振荡器具有比***元件相对更大的体积。这是因为由于在振荡器和外部之间的机械和电连接的限制以及晶体片小型化的限制所导致的振荡器空间范围的增加。而且,由于晶体振荡器产生的频率特性由晶体片的厚度和尺寸来决定,因此如果晶体片的尺寸减小到小于预定尺寸,则频率特性改变,这使得难以将振荡器小型化。
下面将参照图1至图2B来描述根据相关技术的晶体振荡器的结构。
参照图1,根据相关技术的振荡器包括:被整体层压的第一陶瓷层101、第二陶瓷层102、以及支撑层103。在其中层压有多层的陶瓷封装中,形成空间120和130,以容纳晶体片105。在第二陶瓷层102中,电极极板121被形成为连接至晶体片105。在支撑层103的上部上,放置并连接盖104,以密封振荡器。
第一陶瓷层101是陶瓷封装的基本部件。
第二陶瓷层102被层压在第一陶瓷层101上,并且晶体片105固定并连接到的电极极板121形成在第二陶瓷层102的一端的任一侧上。空间130形成在第二陶瓷层102的中央,以使固定至电极极板121的晶体片105的下表面和第一陶瓷层101的上表面彼此间隔预定距离。
支撑层103被层压在第二陶瓷层102上,并且具有设置晶体片105的空间103。盖104被放置并连接在支撑层103上。
晶体片105具有形成在其上表面和下表面上的电极150。晶体片105的电极150通过导电粘合剂106连接(其中导电粘合剂应用在形成于第二陶瓷层102中的电极极板121上),以使晶体片105的一端被固定和支撑。
参照图2A和图2B,第一陶瓷层101、第二陶瓷层102、以及支撑层103被层压以形成空间120和130。
在与形成在第二陶瓷层102上表面上的电极极板121相对的内壁的上表面上,形成支撑区,以支撑固定在电极极板121上的晶体片105的另一端。
支撑区支撑晶体片105的另一端,以使形成在晶体片105下表面上的电极150不与第一陶瓷层101的上表面接触,并且晶体片105只有一端通过导电粘合剂106固定。因此,晶体片105没有被固定的另一端向下倾斜。当晶体片105的倾角很大时,晶体片的另一端与第二陶瓷层102的上表面接触,这使得晶体片105的振荡特性有缺陷。
为了防止当晶体片105被固定至第二陶瓷层102的电极极板121时晶体片105被损坏,支撑层103具有在其中形成的内壁,其与晶体片105的另一端间隔预定距离D。支撑层103被形成为具有这样的高度,使得盖104不与形成在晶体片105上表面上的电极150接触,并且晶体片可以平稳地振荡。
以上描述的晶体振荡器提供有陶瓷封装,其中,第一陶瓷层101、第二陶瓷层102、以及支撑层103被层压以形成用于装配晶体片105的空间120和130。由于多个陶瓷层被层压,因此晶体振荡器的外部尺寸增大,这不满足小型化的要求。
从而,需要开发一种晶体振荡器,其中,形成具有用于振荡器小型化的更简单的构造和结构的陶瓷封装,并且可以装配具有大尺寸的晶体片105。
发明内容
本发明的优点在于提供一种晶体振荡器,其中,形成具有简单结构的陶瓷封装,以使外部尺寸减小并使空间最大化,使得大型的晶体片可以装配在小型化的陶瓷封装上,以及形成连接极板,以稳定地固定和支撑晶体片的一端。
本发明的一般发明概念的其他方面和优点,部分将在以下描述中阐明,以及部分从描述中显而易见,或者可以通过实施该一般发明概念而了解。
根据本发明的一个方面,晶体振荡器包括:陶瓷封装,其中,第一陶瓷层和第二陶瓷层被层压以形成凹入空间;电极极板,由多个金属层构成,其中多个金属层被层压在第一陶瓷层上表面的一侧上;压电元件,其一端被固定在电极极板上以便振荡;导电粘合剂,应用在电极极板的上表面上,以连接压电元件的一端;以及盖,放置在陶瓷封装的上部上,以密封陶瓷封装。
根据本发明的另一方面,电极极板的多个金属层被分别形成为具有彼此不同的面积。
根据本发明的另一方面,电极极板的多个金属层被分别形成为具有相同的面积。
根据本发明的另一方面,电极极板的最上面的金属层具有最小面积。
根据本发明的另一方面,电极极板的最上面的金属层具有最大面积。
根据本发明的另一方面,电极极板由多个层压的钨层形成。
根据本发明的另一方面,在多个层压的钨层的表面上应用镀金。
根据本发明的另一方面,在多个层压的钨层的表面上应用镀金和镀镍。
根据本发明的另一方面,压电元件是晶体片。
在根据本发明的晶体振荡器中,第一陶瓷层和第二陶瓷层被整体层压以形成陶瓷封装。在陶瓷封装内,形成空间以容纳压电元件。在第一陶瓷层上表面的一侧上,极板被形成为连接至压电元件的一端。盖被放置并连接在第二陶瓷层的上部上,以密封振荡器。
在本发明的优选实施例中,一种压电元件的晶体片被应用作为上述压电元件。
附图说明
结合附图,从以下对实施例的描述中,本发明的一般发明概念的这些和/或其他方面及优点将变得明显和更加容易理解,在附图中:
图1是示出根据相关技术的晶体振荡器的分解透视图;
图2A是图1的前横截面图;
图2B是沿图2A的A-A线截取的横截面图;
图3是根据本发明第一实施例的晶体振荡器的分解透视图;
图4A是图3的前横截面图;
图4B是沿图4A的B-B线截取的横截面图;
图5A是示出根据本发明第一实施例的晶体振荡器的基本部分的横截面图,示出导电粘合剂应用在晶体振荡器的电极极板上的状态;
图5B是示出根据本发明第一实施例的晶体振荡器的电极极板的修改实施例的基本部分的横截面图;
图5C是示出根据本发明第一实施例的晶体振荡器的基本部分的横截面图,示出导电粘合剂未应用在晶体振荡器的电极极板的正确位置上的情况;
图6A是示出根据本发明第二实施例的晶体振荡器的前横截面图;
图6B是沿图6A的C-C线截取的横截面图;
图7A是示出根据本发明第三实施例的晶体振荡器的前横截面图;
图7B是沿图7A的D-D线截取的横截面图;以及
图7C是示出根据本发明第三实施例的晶体振荡器的基本部分的横截面图,示出导电粘合剂应用在晶体振荡器的电极极板上的状态。
具体实施方式
现在,详细参考本发明一般发明概念的实施例,其实例在附图中示出,其中,在整个附图中,相似的参考标号指的是相似的元件。以下将描述实施例,以通过参照附图来解释本发明的一般发明概念。
以下将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
[第一实施例]
图3是示出根据本发明第一实施例的晶体振荡器的分解透视图。图4A是图3的前横截面图,以及图4B是沿图4A的B-B线截取的横截面图。
用于根据本发明第一实施例的晶体振荡器的陶瓷封装具有第一陶瓷层1和第二陶瓷层2,其被层压以形成凹入空间20。在陶瓷封装的空间20的一侧中,晶体片5的一端被固定至电极极板4。在电极极板4中,彼此具有不同面积的金属层被层压,其最上面的金属层被形成为具有最小面积。
参照图3,第一陶瓷层1是其上装配有晶体片5的基本元件。在第一陶瓷层1上表面的一侧上,电极极板4被形成为连接至晶体片5的一端。
在本实施例中,两个金属层被层压以形成电极极板4。在第一陶瓷层1的上表面上,设置第一金属层41,第一金属层上设置有第二金属层42。第二金属层42被形成为具有比第一金属层41更小的面积。
为了确保晶体片5的振荡区对应于根据相关技术的第二陶瓷层102的空间120,多个金属层被形成在第一陶瓷层1的上表面上,以构成电极极板4。
这里,电极极板4的高度由每个金属层的厚度以及金属层的层压数量决定。
电极极板4由钨形成,并且第一金属层41和第二金属层42被层压,以在通过印刷方法形成的图样形状中具有预定厚度。
优选地,第一金属层41和第二金属层42形成为具有几乎相同的厚度,并且其中层压有第一金属层41和第二金属层42的电极极板4被形成为具有10至30μm的厚度。
通常,第一金属层41和第二金属层42被形成为具有小于15μm的厚度。如果各个金属层被形成为具有大于15μm的厚度,则可能会发生坍陷,使得上表面不能形成为平面。
如果当形成第一金属层41时发生坍陷,则第一金属层41的面积变得太大。那么,在第一金属层41和第二陶瓷层2的内壁之间的间隔距离减小,使得可能破坏电特性或发生短路。因此,金属层优选地形成为使得金属层不发生坍陷的厚度。
如图5A所示,在根据本发明第一实施例的电极极板4中,第一金属层41的面积大于第二金属层42的面积。
参照图5A,导电粘合剂6被应用(apply,涂敷)在电极极板4的第二金属层42的上表面中央。然而,虽然第二金属层42被形成为具有当如图3所示应用导电粘合剂6时导电粘合剂6滴到第一金属层41上那么小的面积,但是由于其触变性,因此所应用的导电粘合剂6的形状被保持。因此,不存在固定晶体片5的困难。
另一方面,根据本发明第一实施例的电极极板4的表面可以是镀镍的或镀金的,以形成电极极板4’。
然而,电极极板4’的镀镍43或镀金44不是必须执行的。
在电极极板4’的表面上,应用镀金44或镀金合金,以增强电极4’和导电粘合剂6之间的连接及其导电性。而且,在将镀镍43应用在由钨制成的电极极板4’的表面上之后,可以应用镀金44,以形成两个镀层,这使得将镀金44容易地应用在钨上成为可能,其中钨是第一金属层41和第二金属层42的材料。
同样地,图5B中示出修改实施例,其中具有相同厚度的镀镍43和镀金44被应用在电极极板4’的表面上,其中电极极板中层压有第一金属层41和第二金属层42。
应用在电极极板4’上的电镀不限于镀金44。也可以应用镀银或镀银合金。
第二陶瓷层2被层压在第一陶瓷层1的上表面上,并且具有设置晶体片5的空间20。
第一陶瓷层1和第二陶瓷层2由陶瓷材料形成。第一陶瓷层1形成为矩形板形,并且第二陶瓷层2形成矩形框形。第一陶瓷层1和第二陶瓷层2具有相同的外部尺寸。
如图4A中所示,由包括Fe-Ni合金或Fe-Ni-Go成分的科瓦铁镍钴合金(Kovar)制成的薄金属密封层21形成在第二陶瓷层2的上表面上,使得当第二陶瓷层2和盖3彼此连接时,由科瓦铁镍钴合金制成的盖3容易地连接至第二陶瓷层2。此外,在金属密封层21的下表面上,添加其中层压有钨层、镍层、和铂层的作为不同类型粘合工具的金属粘合层(未示出),使得第二陶瓷层2和金属密封层21可以牢固地彼此连接。因此,金属密封层21被容易地连接在第二陶瓷层2的上表面上。
盖3是密封单元,其被放置在并连接至第二陶瓷层2的上部,或尤其是金属密封层21的上部,以密封陶瓷封装。盖3还可以由与第二陶瓷层2相同的包括Fe-Ni-Go成分的科瓦铁镍钴合金材料形成。
由涂敷绝缘的金属板形成的盖3可以用作阻挡噪声的阻挡单元,因为盖3本身具有屏蔽作用。
晶体片5是一端固定在电极极板4上以便振荡的振荡单元。在晶体片5的上表面和下表面上,形成电极50。在晶体片5的上表面和下表面上延伸的电极50通过导电粘合剂6(其中导电粘合剂应用在形成于第一陶瓷层1上的电极极板4上)被连接,以使晶体片5的一端被电连接至电极极板4,并且被支撑以被固定(参照图4A和图4B)。
电极50可以通过沉积金(Au)或银(Ag)来形成。
导电粘合剂6是应用在电极极板4的上表面上以连接晶体片5的一端的材料。基于硅的导电粘合剂或基于环氧的导电粘合剂可以被用作导电粘合剂6。
基于硅的导电粘合剂具有导电性,这是因为其在硅材料中包括用作导电材料的银填充物。此外,由相对软材料形成的基于硅的导电粘合剂用作缓冲器,使得来自外部的振动不会被直接传输。然而,其与镀在电极极板4表面上的金的粘着很弱。另一方面,基于环氧的导电粘合剂具有导电性,这是因为其在基于环氧或聚酰胺的树脂中包括用作导电材料的银填充物。此外,由相对硬材料形成的基于环氧的粘合剂在***后牢固地固定晶体片5的一端。
以下,将描述制造图4A和图4B中示出的根据本发明第一实施例的晶体振荡器的过程。
首先,由陶瓷材料制成的第一陶瓷层1和第二陶瓷层2被层压并整体地彼此连接,以形成具有装配晶体片5的空间20的陶瓷封装。
换句话说,第一陶瓷层1和第二陶瓷层2以印刷电路基板的形式被层压并彼此连接,以在1350℃下烧制时形成整体陶瓷封装。
印刷电路基板是一种陶瓷带(ceramic tape),其中,玻璃和陶瓷的混合材料形成为比纸张更薄。
在第二陶瓷层2的上表面上,形成由与盖3相同的科瓦铁镍钴合金材料制成的薄金属密封层21,使得盖3容易地连接至第二陶瓷层2。金属密封层21通过金属粘合层(未示出)连接至第二陶瓷层2的上表面。
如图4A所示,当通过这样的方法完成陶瓷封装时,通过陶瓷层1和2的层压,在陶瓷封装内部形成空间20。
在第一陶瓷层1上表面的一侧上,电极极板4形成为连接至晶体片5的一端。在第一层1和第二层2彼此连接时,或在完成陶瓷封装之后,电极极板4可以形成在第一陶瓷层1的上表面上。
当电极极板4形成在第一陶瓷层1上表面的一侧上时,在电极极板4的第二金属层42的上表面上应用导电粘合剂6。然后,晶体片5的一端被连接在导电粘合剂6上,使得晶体片5可以振荡并被固定为水平。
优选地,当晶体片5安装在电极极板4上时,确保晶体片5的任一端和第二陶瓷层2内壁之间的间隔距离大于100μm,使得晶体片5不与第二陶瓷层2的内壁接触,这使得能够防止损坏晶体片5。优选地,第二陶瓷层2被形成为具有这样的高度,即,使得形成在晶体片5上表面上的电极50不受盖3的影响或不与盖接触,并且晶体片5可以平稳地振荡。
为了防止晶体振荡器的电特性受到破坏或防止发生短路,形成电极极板4的第一金属层41,以使与第二陶瓷层2的内壁间隔预定距离。
因为晶体片5只有一端通过导电粘合剂6被连接并且被固定,因此晶体片5的另一端在其一端被连接后立即稍微向下倾斜。然后,当导电粘合剂6***时,晶体片5的另一端逐渐升高。此外,当完成硬化时,晶体片5被水平设置或稍微向上倾斜。
在完成晶体片5的固定之后,盖3被放置在形成于第二陶瓷层2上部上的金属密封层21上,并且通过缝焊方法被连接和密封在氮或氧环境中。
典型地,当盖3被密封时,用作抗氧化气体的惰性气体被填充在装配有晶体片5的空间20内。惰性气体可以减少温度对晶体片5的影响并且可以防止腐蚀。
根据本发明的第一实施例,陶瓷封装的结构可以容易地形成,这是因为陶瓷封装具有简单结构。此外,在第一陶瓷层上表面的一侧上,其中多个金属层被层压的电极极板被形成为具有预定高度。因此,晶体片的一端可以被支撑和固定,并且同时根据相关技术的第二陶瓷层102的空间可以被替代。
[第二实施例]
图6A是示出根据本发明第二实施例的晶体振荡器的前横截面图,以及图6B是沿图6A的C-C线截取的横截面图。以下,将省略对与上述实施例相同部分的描述。
根据本发明第二实施例的晶体振荡器的陶瓷封装具有多个陶瓷层,即,被层压以形成凹入空间20的第一陶瓷层1和第二陶瓷层2。在陶瓷封装的空间20的一侧中,晶体片5a的一端被固定至电极极板4a,其中,具有相同面积的金属层在电极极板中被层压。
参照图6A和图6B,包括电极极板4a的第一金属层41a和第二金属层42a具有相同的面积。而且,第一金属层41a与第二陶瓷层2的内壁间隔预定距离。
如果第二陶瓷层42a被形成为具有大面积,则被层压在第二陶瓷层42a上的第一陶瓷层41a也被形成为具有大面积。因此,具有比第一实施例的晶体片5更大尺寸的晶体片5a可以通过大量导电粘合剂来支撑和固定。
[第三实施例]
图7A是示出根据本发明第三实施例的晶体振荡器的前横截面图,图7B是沿图7A的D-D线截取的横截面图,以及图7C是示出晶体振荡器的基本部分的横截面图,示出了导电粘合剂6a被应用在根据本发明第三实施例的晶体振荡器的电极极板4b上的状态。
根据本发明第三实施例的晶体振荡器的陶瓷封装具有多个陶瓷层,即,被层压以形成凹入空间20的第一陶瓷层1和第二陶瓷层2。在陶瓷封装的空间20的一侧中,晶体片5a的一端被固定至电极极板4b。在电极极板4b中,彼此具有不同面积的金属层被层压,其最上面的金属层被形成为具有最大面积。
参照图7A至图7C,包括电极极板4b的第二金属层42b被形成为具有比第一金属层41b更大的面积,并且第一金属层41b与第二陶瓷层2的内壁间隔预定距离。因此,虽然第二金属层42b被形成为具有比第一金属层41b和第二陶瓷层2内壁之间的距离d更短的距离d1,但是电特性不会被破坏或不会发生短路。
因为第二金属层42b被形成为具有比第一金属层41b更大的面积,因此导电粘合剂6a被广泛地应用在第二金属层42b上,以广泛地连接至晶体片5a下表面的一端。因此,晶体片5a可以更稳定地被支撑。此外,由于第二金属层42b靠近第二陶瓷层2的内壁形成,因此可以装配具有稍微大于第一实施例的晶体片5的尺寸的晶体片5a。
在如上所述的根据本发明的晶体振荡器中,第一陶瓷层和第二陶瓷层被层压以形成具有简单结构的陶瓷封装。因此,陶瓷封装的结构被容易地形成,并且陶瓷封装确保晶体片可以安全地装配的宽区域。
由于其中多个金属层被层压的电极极板被形成为在第一陶瓷层上表面的一侧上具有预定高度,因此晶体片的一端可以被支撑并固定,并且同时根据相关技术的第二陶瓷层的空间可以被替代。
在电极极板中,当最上面的金属层被形成为具有较大面积时,导电粘合剂的应用范围变宽。因此,晶体片可以更牢固地被固定,并且具有更大尺寸的晶体片可以被支撑和固定。特别地,因为在最上面的金属层和第二陶瓷层内壁之间的间隔距离可以缩短,因此晶体片的容纳空间可以扩大。结果,具有更大尺寸的晶体片可以被支撑和固定。
此外,由于陶瓷封装的结构简单,因此可以有效地利用有限的空间,并且可以实现晶体振荡器的小型化。
虽然已经示出和描述了本发明的一般发明概念的一些实施例,但是对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离一般发明概念的原理和精神的情况下,可以对这些实施例作出改变,其范围在所附权利要求及其等同物中被限定。

Claims (9)

1.一种晶体振荡器,包括:
陶瓷封装,其中,第一陶瓷层和第二陶瓷层被层压以形成凹入空间;
电极极板,包括层压在所述第一陶瓷层上表面的一侧上的多个金属层;
压电元件,其一端固定在所述电极极板上以便振荡;
导电粘合剂,应用在所述电极极板上表面上,以连接所述压电元件的一端;以及
盖,放置在所述陶瓷封装的上部上,以密封所述陶瓷封装。
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中,所述电极极板的多个金属层被分别形成为具有相互不同的面积。
3.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中,所述电极极板的多个金属层被分别形成为具有相同的面积。
4.根据权利要求2所述的晶体振荡器,其中,所述电极极板的最上面的金属层具有最小的面积。
5.根据权利要求2所述的晶体振荡器,其中,所述电极极板的最上面的金属层具有最大的面积。
6.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中,所述电极极板由多个层压的钨层形成。
7.根据权利要求6所述的晶体振荡器,其中,在所述多个层压的钨层的表面上应用镀金。
8.根据权利要求6所述的晶体振荡器,其中,在所述多个层压的钨层的表面上应用镀金和镀镍。
9.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中,所述压电元件是晶体片。
CNA2006100757657A 2005-05-03 2006-04-26 晶体振荡器 Pending CN1858997A (zh)

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