CN1854119B - 氨基苯乙烯基化合物及其制备方法以及利用该氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种由式1所示的氨基苯乙烯基化合物，其制备方法，及利用所述氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件，式1中Ar1、Ar2、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、n和L在本发明的详细说明中描述。利用所述氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件具有低驱动电压以及改善的亮度、效率和色纯度。<式1>

Description

氨基苯乙烯基化合物及其制备方法以及利用该氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件
                        技术领域
本发明涉及一种氨基苯乙烯基化合物，其制备方法，及利用所述氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件，更具体地，本发明涉及一种氨基苯乙烯基化合物，其制备方法，及包括由所述氨基苯乙烯基化合物构成的有机层的有机发光器件，所述氨基苯乙烯基化合物具有优异的电性质和热稳定性，使得利用该氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件具有低驱动电压，优异的亮度、效率和色纯度。
                        背景技术
作为自发射器件的发光器件，具有宽视角、优异的对比度和快速的响应。发光器件的实例包括无机发光器件，其包括由无机化合物构成的发射层，及有机发光器件，其包括由有机化合物构成的发射层。与无机发光器件相比，有机发光器件更亮、工作电压更低、响应更快。而且，有机发光器件可以实现多种颜色。由于有机发光器件的这些优点，对有机发光器件进行着许多研究。
通常，有机发光器件具有阳极/有机发射层/阴极的结构。有机发光器件还具有各种其它结构，如阳极/空穴注入层/空穴迁移层/发射层/电子迁移层/电子注入层/阴极或阳极/空穴注入层/空穴迁移层/发射层/空穴阻挡层/电子迁移层/电子注入层/阴极。
用于形成发射层的材料可以是，例如，于日本专利待审公开1993-017765中公开的氨基苯乙烯基化合物。然而，利用例如氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件的驱动电压、亮度、效率和色纯度没有满足所需的水平。因此，这些特性必须改善。
                        发明内容
本发明提供一种氨基苯乙烯基化合物，其制备方法，以及利用所述氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件，所述氨基苯乙烯基化合物可以改善有机发光器件的驱动电压、亮度、效率和色纯度。
根据本发明的一个方面，提供一种下面式1所示的氨基苯乙烯基化合物：
式1
Figure A20061007720500091
式中
Ar1和Ar2各自独立为取代或未取代的C6-C30芳基，或者取代或未取代的C2-C30杂芳基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立为氢，取代或未取代的C1-C20烷基，或者取代或未取代的C1-C20烷氧基；
n为1～3的整数；及
L为取代或未取代的C6-C30芳基，取代或未取代的C2-C30杂芳基，C5-C20环烷基，或者C5-C30杂环烷基。
根据本发明的另一个方面，提供一种制备由式1所示的化合物的方法，该方法包括：使式1a所示的化合物与式1b所示的化合物反应，制得式1c所示的化合物；及使式1c所示的化合物与式L-Q所示的化合物反应，制得式1所示的化合物：
    式1a                                        式1b
Figure A20061007720500092
    式1c                                                          式1
Figure A20061007720500093
式中
Ar1、Ar2、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、n和L已经进行了说明；Ha为卤素；Q为含B的基团。
根据本发明的另一个方面，提供一种有机发光器件，其包括第一电极；第二电极；及至少一层有机层，该有机层由上述氨基苯乙烯基化合物构成并介于第一电极和第二电极之间。
利用本发明氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件具有低驱动电压，改善的亮度、效率和色纯度。
                            附图说明
通过参考附图详述其示例性实施方案，本发明的上述和其它特点和优点将变得更加显而易见，附图中：
图1A至图1C为根据本发明实施方案的有机发光器件的剖视图。
                            具体实施方式
根据本发明实施方案的氨基苯乙烯基化合物由式1表示，其中n个亚苯基(即未连接到N上的亚苯基)连接到L上，L为取代或未取代的C6-C30芳基，取代或未取代的C2-C30杂芳基，C5-C20环烷基，或者C5-C30杂环烷基。因而，可以降低该氨基苯乙烯基化合物的溶解度，并且当该氨基苯乙烯基化合物用于器件中时，器件的驱动电压降低且其效率增加。因此，式1所示的氨基苯乙烯基化合物适于形成有机发光器件的有机层，具体地，作为发射层或空穴迁移层的掺杂剂。在式1中，可以为Ar1或Ar2的芳基或杂芳基中的氢；可以为R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7或R8的烷基或烷氧基；可以为L的芳基、杂芳基、环烷基或杂环烷基可以未取代或者用适当的取代基取代。取代基可以包括选自-F；-Cl；-Br；-CN；-NO2；-OH；未取代的或者被-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C1-C20烷基；未取代的或者被-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C1-C20烷氧基；未取代的或者被-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C6-C30芳基；未取代的或者被-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C2-C30杂芳基；未取代的或者被-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C5-C20环烷基；及未取代的或者被-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的C5-C30杂环烷基中的至少一种，但是取代基不限于这些材料。
具体地，在式1中，Ar1和Ar2各自独立地选自：苯基，C1-C10烷基苯基，C1-C10烷氧基苯基，卤代苯基，氰基苯基，二氰基苯基，三氟甲氧基苯基，邻-、间-或对-甲苯基，邻-、间-或对-异丙苯基，基，苯氧基苯基，(α，α-二甲基苯)苯基，(N，N′-二甲基)氨基苯基，(N，N′-二苯基)氨基苯基，(C1-C10烷基环己基)苯基，(蒽基)苯基，联苯基，C1-C10烷基联苯基，C1-C10烷氧基联苯基，并环戊二烯基(pentalenyl group)，茚基，萘基(naphtyl group)，C1-C10烷基萘基，C1-C10烷氧基萘基，卤代萘基(halonaphtyl group)，氰基萘基，偶苯基(biphenylenyl group)，C1-C10烷基偶苯基，C1-C10烷氧基偶苯基，蒽基(anthracenyl group)，薁基(azulenyl group)，庚搭烯基(heptalenyl group)，苊烯基(acenaphtylenyl group)，非那烯基(phenalenyl group)，芴基，蒽喹啉基(anthraquinolyl group)，甲基蒽基(methylanthryl group)，菲基，三亚苯基(triphenylenyl group)，芘基，
Figure A20061007720500111
基，乙基-
Figure A20061007720500112
基，苉基(picenyl group)，苝基，氯苝基，戊芬基，并五苯基(pentacenyl group)，四亚苯基(tetraphenylenylgroup)，己芬基，并六苯基(hexacenyl group)，红玉省基(rubicenyl group)，蔻基，联三萘基(trinaphthylenyl group)，庚芬基(heptaphenyl group)，并七苯基(heptacenyl group)，皮蒽基(pyranthrenyl group)，卵苯基(ovalenyl group)，咔唑基，C1-10烷基咔唑基，噻吩基(thiophenyl)，吲哚基，嘌呤基(purinyl group)，苯并咪唑基，喹啉基，苯并噻吩基，对噻嗪基(parathiazinyl group)，吡咯基，吡唑基，咪唑基，咪唑啉基，唑基，噻唑基(thiozolyl group)，***基，四唑基，
Figure 200610077205510000210003_2
二唑基，吡啶基(pyridinyl group)，哒嗪基，嘧啶基，吡嗪基，及噻蒽基(thianthrenyl group)。然而，Ar1和Ar2不限于这些化合物。
在本发明的实施方案中，Ar1和Ar2可以相同，Ar1和Ar2优选为苯基或萘基。
在式1中，n可以为1或2。
在式1中，L可以选自苯基，C1-C10烷基苯基，C1-C10烷氧基苯基，卤代苯基，氰基苯基，二氰基苯基，三氟甲氧基苯基，邻-、间-或对-甲苯基，邻-、间-或对-异丙苯基，
Figure 200610077205510000210003_3
基，苯氧基苯基，(α，α-二甲基苯)苯基，(N，N′-二甲基)氨基苯基，(N，N′-二苯基)氨基苯基，(C1-C10烷基环己基)苯基，(蒽基)苯基，联苯基，C1-C10烷基联苯基，C1-C10烷氧基联苯基，并环戊二烯基，茚基，萘基，C1-C10烷基萘基，C1-C10烷氧基萘基，卤代萘基，氰基萘基，偶苯基，C1-C10烷基偶苯基，C1-C10烷氧基偶苯基，蒽基，薁基，庚搭烯基，苊烯基，非那烯基，芴基，蒽喹啉基，甲基蒽基，菲基，三亚苯基，芘基，
Figure A20061007720500121
基，乙基-基，苉基，苝基，氯苝基，戊芬基，并五苯基，四亚苯基，己芬基，并六苯基，红玉省基，蔻基，联三萘基，庚芬基，并七苯基，皮蒽基，卵苯基，咔唑基，C1-10烷基咔唑基，噻吩基，吲哚基，嘌呤基，苯并咪唑基，喹啉基，苯并噻吩基，对噻嗪基，吡咯基，吡唑基，咪唑基，咪唑啉基，
Figure 200610077205510000210003_4
唑基，噻唑基，***基，四唑基，
Figure 200610077205510000210003_5
二唑基，吡啶基，哒嗪基，嘧啶基，吡嗪基，噻蒽基，环戊基，环己基，C1-C10烷基环己基，C1-C10烷氧基环己基，环氧乙基(oxyranyl group)，吡咯烷基，吡唑烷基，咪唑烷基，哌啶基(piperidinylgroup)，哌嗪基(piperazinyl group)，及吗啉基。然而，L不限于这些化合物。
根据本发明实施方案，L可以为萘基，联苯基、蒽基、菲基、吡啶基、苯并噻吩基、噻蒽基或丙基环己基。
根据本发明实施方案的氨基苯乙烯基化合物可以由式2～10表示，但不限于此。
    式2                                                 式3
Figure A20061007720500123
    式4                                                 式5
    式6                                                  式7
Figure A20061007720500125
          式8                                              式9
                        式10
Figure A20061007720500132
由式1所示的氨基苯乙烯基化合物可以利用常规有机合成方法来合成。根据本发明实施方案制备氨基苯乙烯基化合物的方法，包括使由式1a所示的化合物与由式1b所示的化合物反应，制备由式1c所示的化合物，及使由式1c所示的化合物与由式L-Q所示的化合物反应，制备由式1所示的氨基苯乙烯基化合物。
        式1a                                         式1b
                     式1c
在式1a至1c中，已经描述了Ar1、Ar2、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和n。
在式1b和1c中，Ha为卤素，如F、Cl、Br和I，优选为Br。
在式L-Q中，已经描述了L，Q为含B的基团。含B的基团的实例包括等，但是含B的基团不限于这些化合物。
下面的反应方程式1说明了根据本发明实施方案合成氨基苯乙烯基化合物的详细机理：
反应方程式1
Figure A20061007720500142
首先，使由式1a所示的化合物与由式1b所示的化合物反应，制备由式1c所示的化合物。由式1a所示的化合物在商业上可以得到，或者作为选择，可以通过使三芳基胺与POCl3反应(例如，通过使三苯胺与POCl3反应)而得到。由式1b所示的化合物可以通过使用甲基卤取代的芳基化合物与亚磷酸三乙酯(P(OEt)3)反应(例如，通过使溴苄基溴与亚磷酸三乙酯反应)。然而，制备化合物1a和1b的方法不限于上述方法。随后，使由式1b所示的化合物与由式L-Q所示的化合物反应，制备由式1所示的化合物。该反应可以，例如在K2CO3和Pd(PPh3)4存在的条件下进行。由式L-Q所示的化合物可以是具有L基团的硼酸(boronic acid)或二氧杂环戊硼烷，但不限于此。所得到化合物的所有结构可以利用1H NMR和质谱仪鉴定。
上述根据本发明实施方案的氨基苯乙烯基化合物可以用于有机发光器件中。根据本发明实施方案的有机发光器件包括第一电极，第二电极，及介于第一电极和第二电极之间的至少一有机层。有机层可以由上述式1所示的氨基苯乙烯基化合物构成。具体地，有机层可以为发射层或空穴迁移层。有机层的结构可以改变。换言之，选自空穴注入层、空穴迁移层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子迁移层和电子注入层中的至少一层可以形成在第一电极和第二电极之间。
具体地，图1A、1B和1C图示说明了根据本发明实施方案的有机发光器件。参照图1A，有机发光器件具有第一电极/空穴注入层/发射层/电子迁移层/电子注入层/第二电极的结构。参照图1B，有机发光器件具有第一电极/空穴注入层/空穴迁移层/发射层/电子迁移层/电子注入层/第二电极的结构。参照图1C，有机发光器件具有第一电极/空穴注入层/空穴迁移层/发射层/空穴阻挡层/电子迁移层/电子注入层/第二电极的结构。发射层可以包含由式1所示的化合物。
根据本发明实施方案的有机发光器件的发射层可以包括选自红色、绿色、蓝色和白色磷光掺杂剂，及红色、绿色、蓝色和白色荧光掺杂剂中的至少一种掺杂剂。磷光掺杂剂可以为有机金属化合物，其包含至少一种选自Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb和Tm的原子。
在下文中，将参考图1C所示的有机发光器件描述根据本发明实施方案制备有机发光器件的方法。
首先，通过在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极的高功函数材料，形成第一电极。该第一电极可以为阳极。所述衬底，可以为用于常规有机发光器件中的任何衬底，其可以为具有优异的机械强度、热稳定性、透明性、表面平整度，容易处理，并且防水的玻璃衬底或透明塑料衬底。用于形成第一电极的材料可以是ITO，IZO，SnO2，ZnO，或者任何具有高电导率的透明材料。
然后，通过真空沉积、旋涂、流延、langmuir blodgett(LB)法等，可以在第一电极上形成空穴注入层(HIL)。
当HIL通过真空沉积形成时，真空条件可以根据用于形成HIL的化合物，及所要形成的HIL的结构和热学性质而改变。然而，通常真空沉积的条件可以包括100～500℃的沉积温度，10-8～10-3托的压力，0.01～100
Figure 200610077205510000210003_6
/秒的沉积速度，及10
Figure 200610077205510000210003_7
～5μm的层厚。
当HIL通过旋涂形成时，涂布条件可以根据用于形成HIL的化合物，及所要形成的HIL的结构和热学性质而改变。通常，涂布速度可以为约2000～5000rpm，在涂布后为除去溶剂而进行的热处理温度可以为约80～200℃。
用于形成HIL的材料不作具体限制，可以为US 4356429中公开的酞菁化合物，如铜酞菁；Advanced Material，6，p.677(1994)中公开的星爆型胺衍生物，如TCTA、m-MTDATA和m-MTDAPB；聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)；聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)；聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)；(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)等，其为可溶解的导电聚合物。
HIL的厚度可以为约100～10000，优选为100～1000。当HIL的厚度小于100
Figure 200610077205510000210003_10
时，空穴注入能力可能降低。另一方面，当HIL的厚度大于10000时，器件的驱动电压可能增加。
然后，利用真空沉积法、旋涂法、流延法、LB法等，可以在HIL上形成空穴迁移层(HTL)。当HTL通过真空沉积和旋涂形成时，沉积和涂布的条件与HIL的形成条件相似，尽管沉积和涂布的条件可以根据用于形成HTL的材料而改变。
用于形成HTL的材料不作限制，可以为任何常用于形成HTL的材料。例如，用于形成HTL的材料可以为咔唑衍生物，如N-苯基咔唑，聚乙烯基咔唑；具有芳香稠环的典型的胺衍生物，如N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺(TPD)，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(benzydine)(α-NPD)等。作为选择，用于形成HTL的材料可以为由式1所示的化合物。
HTL的厚度可以为约50～1000
Figure 200610077205510000210003_12
，优选为100～约600
Figure 200610077205510000210003_13
。当HTL的厚度小于50
Figure 200610077205510000210003_14
时，空穴迁移能力可能降低。另一方面，当HTL的厚度大于1000时，器件的驱动电压可能增加。
然后，通过真空沉积、旋涂、流延、LB法等，可以在HTL上形成发射层(EML)。当EML通过真空沉积或旋涂形成时，沉积和涂布的条件与HIL的形成条件相似，尽管沉积和涂布的条件可以根据用于形成EML的材料而改变。
EML可以由根据本发明实施方案的由式1所示的氨基苯乙烯基化合物构成。在这种情况下，可以与由式1所示的氨基苯乙烯基化合物一起使用本领域已知的适宜的基质材料。该基质材料可以为，例如Alq3、CBP(4，4′-N，N′-二咔唑-联苯)或PVK(聚((N-乙烯基(binyl))咔唑))。
除了根据本发明实施方案的氨基苯乙烯基化合物之外，用于形成EML的材料还可以是任何本领域已知的掺杂剂。荧光掺杂剂的实例包括得自Idemitsu公司的IDE102和IDE105，得自Hiyasibara公司的C545T等。磷光掺杂剂的实例包括红色磷光掺杂剂PtOEP，得自UDC公司的RD 61，绿色磷光掺杂剂Ir(PPy)3(PPy＝2-苯基吡啶)，蓝色磷光掺杂剂F2Irpic等。
掺杂剂的浓度不作限制，但是通常为按100重量份的基质计的0.01～15重量份。
EML的厚度可以为约100～1000，优选为200～600。当EML的厚度小于100
Figure 10003_18
时，发射能力可能降低。另一方面，当EML的厚度大于1000
Figure 10003_19
时，器件的驱动电压可能增加。
利用真空沉积法、旋涂法、流延法、LB等，可以在EML上形成空穴阻挡层(HBL)，以在磷光掺杂剂用于形成EML时防止三线态激子或空穴扩散到电子迁移层中。当HBL通过真空沉积或旋涂形成时，沉积和涂布的条件与HIL的形成条件相似，尽管沉积的条件和涂布条件可以根据用于形成HBL的材料而改变。用于形成HBL的材料可以为，例如
Figure 10003_20
二唑衍生物、***衍生物、菲咯啉衍生物或JP 11-329734(A1)中公开的空穴阻挡材料，或者BCP。
HBL的厚度可以为约50～1000
Figure 10003_21
，优选为100～300
Figure 10003_22
。当HBL的厚度小于50
Figure 10003_23
时，空穴阻挡能力可能降低。另一方面，当HBL的厚度大于1000
Figure 10003_24
时，器件的驱动电压可能增加。
然后，通过真空沉积、旋涂、流延等，形成电子迁移层(ETL)。当ETL通过真空沉积和旋涂形成时，沉积和涂布的条件通常与HIL的形成条件相似，尽管沉积的条件和涂布条件可以根据用于形成ETL的材料而改变。用于形成ETL的材料可以为稳定地迁移从阴极注入的电子的喹啉衍生物，特别是本领域已知的三(8-喹啉醇化物(quinolinorate))铝(Alq3)、TAZ等。
Figure A20061007720500181
ETL的厚度可以为约100～1000
Figure 10003_25
，优选为200～500。当ETL的厚度小于100
Figure 10003_27
时，电子迁移能力可能降低。另一方面，当ETL的厚度大于1000时，器件的驱动电压可能增加。
然后，可以在ETL上形成电子注入层(EIL)，该电子注入层由允许电子容易从阴极注入的材料构成。用于形成EIL的材料不作限制。
用于形成EIL的材料可以为本领域已知的LiF，NaCl，CsF，Li2O，BaO等。沉积EIL的条件通常与HIL的形成条件相似，尽管它们可能根据用于形成EIL的材料而改变。
EIL的厚度可以为约1～100
Figure 10003_29
，优选为5～50
Figure 10003_30
。当EIL的厚度小于1时，电子注入能力可能降低。另一方面，当EIL的厚度大于100
Figure 10003_32
时，器件的驱动电压可能增加。
最后，通过真空沉积、溅射等，可以在EIL上形成第二电极。该第二电极可以用作阴极。用于形成第二电极的金属可以为低功函数的金属，合金，导电化合物，或者这些物质的组合。具体地，用于形成第二电极的金属可以为Li，Mg，Al，Al-Li，Ca，Mg-In，Mg-Ag等。另外，由ITO或IZO构成的透明阴极可以用于制备前面发光器件(front surface light emitting device)。
根据本发明实施方案的有机发光器件可以具有图1C所示的第一电极/HIL/HTL/EML/HBL/ETL/EIL/第二电极的结构。然而，根据本发明实施方案的有机发光器件的结构可以改变(例如，将在下面实施例中更详细地描述的图1A所示的有机发光器件)。
在下文中，将详细描述根据本发明实施方案分别由式2～10所示的化合物2～10(在下文中，分别称作“化合物2”至“化合物10”)的合成例和实施例。然而，合成例和实施例不限制本发明的范围。
实施例
对比例1
将1g(4.39mmol)苄基膦酸二乙酯溶解在100ml四氢呋喃溶剂中，向其中加入0.157g(6.57mmol)氢化钠，并在50℃下反应1小时。向反应混合物中滴加1g(3.66mmol)4-(N，N-联苯基氨基)苯甲醛，并在70℃下反应1天。向产物中加入20ml乙醇并在真空条件下干燥。向干燥产物中加入200ml二氯甲烷。用50ml水洗涤从产物中收集的有机层两次，并在无水硫酸镁上干燥，以仅干燥溶剂。利用硅胶柱色谱提纯所干燥的产物，制备由式A所示的对比化合物A，产率为78％。
式A
合成例2
化合物2经过下面的反应方程式2合成：
反应方程式2
中间体B的合成
将3g(12mmol)4-溴苄基溴与4.5g(18mmol)P(OCH2CH3)3混合，并在185℃下搅拌6小时。将产物冷却至室温，制得粗产品，该粗产品利用硅胶柱色谱提纯，制得3.13g(产率85％)中间体B。
中间体C的合成
按照与对比例1相同的方法合成并提纯中间体C(产率75％)，所不同的是，使用中间体B代替苄基膦酸二乙酯。
化合物2的合成
将1g(2.35mmol)中间体C、0.48g(2.81mmol)1-萘硼酸、0.135g(0.12mmol)四(三苯基膦)钯、0.49g(3.53mmol)K2CO3溶解在100ml甲苯和10ml水中，并在回流温度下搅拌48小时。将反应混合物冷却至室温，并向其中加入100ml二***。混合物利用50ml水洗涤两次。从洗涤产物中收集有机层，并在无水硫酸镁上干燥，以挥发溶剂。结果，得到粗产品。该粗产品利用硅胶柱色谱提纯，制得0.7g化合物2(产率63％)。
合成例3
化合物3经过下面的反应方程式3合成：
反应方程式3
Figure A20061007720500211
按照与合成例2相同的方法制备化合物3，所不同的是，在合成例2的化合物2合成中使用4-联苯基硼酸代替1-萘硼酸。
合成例4
化合物4经过下面的反应方程式4合成：
反应方程式4
按照与合成例2相同的方法制备化合物4，所不同的是，使用中间体D代替1-萘硼酸。中间体D经过下面的反应方程式4′合成：
反应方程式4′
Figure A20061007720500222
将5.35ml(8.56mmol)1.6M正丁基锂慢慢滴到溶解在100ml四氢呋喃溶剂中的2g(7.78mmol)9-溴代蒽中，并在-78℃下反应1小时。向反应混合物中加入1.74g(9.33mmol)2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷，在室温下搅拌18小时，并向其中加入100ml二氯甲烷。产物利用50ml水洗涤两次。然后，从洗涤的产物中收集有机层并在无水硫酸镁上干燥，以挥发溶剂。结果，得到粗产品。该粗产品利用硅胶柱色谱提纯，制得1.68g(产率71％)中间体D。
合成例5
化合物5经过下面的反应方程式5合成：
反应方程式5
Figure A20061007720500231
按照与合成例4相同的方法制备化合物5，所不同的是，在反应方程式4′中使用菲代替蒽作为原材料。
合成例6
化合物6经过下面的反应方程式6合成：
反应方程式6
Figure A20061007720500241
按照与化合物2的合成例2相同的方法制备化合物6，所不同的是，在合成例2的化合物2合成中使用吡啶基硼酸代替1-萘硼酸。
合成例7
化合物7经过下面的反应方程式7合成：
反应方程式7
按照与化合物2的合成例2相同的方法制备化合物7，所不同的是，在合成例2的化合物2合成中使用苯并噻吩基硼酸代替1-萘硼酸。
合成例8
化合物8经过下面的反应方程式8合成：
反应方程式8
Figure A20061007720500261
按照与化合物2的合成例2相同的方法制备化合物8，所不同的是，在合成例2的化合物2合成中使用噻蒽基(thiaantrenyl)硼酸代替1-萘硼酸。
合成例9
化合物9经过下面的反应方程式9合成：
反应方程式9
Figure A20061007720500271
按照与合成例4相同的方法制备化合物9，所不同的是，使用中间体B′代替中间体B。
合成例10
化合物10经过下面的反应方程式10合成：
反应方程式10
Figure A20061007720500281
按照与化合物2的合成例2相同的方法制备化合物10，所不同的是，在合成例2的化合物2合成中使用丙基(环己基)硼酸代替1-萘硼酸。
测量实施例1-化合物2～10的热稳定性试验
通过测量各种化合物的玻璃化转变温度(Tg)和熔点(Tm)，进行化合物2～10的热稳定性试验。Tg和Tm通过利用热重量分析(TGA)和差示扫描量热法(DSC)进行热分析来测量，条件如下：N2气氛、室温～600℃(10℃/分钟)-TGA和室温～400℃-DSC，盘(Pan)类型：在可处理的Al盘中的Pt盘(TGA)和可处理的Al盘(DSC)。结果示于下面表1中：
            表1
  化合物序号   Tg(℃)   Tm(℃)
  2   65   201
  3   60   196
  4   87   233
  5   89   237
  6   65   215
  7   67   217
  8   67   211
  9   87   238
  10   65   203
因此，证实了化合物2～10具有适于有机发光器件的热稳定性。
测量实施例2：对比化合物A以及化合物2～10的发光试验
对比化合物A和化合物2～10的发光特性利用吸收光谱和光致发光(PL)光谱进行测量。首先，利用Shimadzu UV-350分光计，得到在甲苯中稀释的0.2mM化合物2的吸收光谱。分别对化合物3～10以及对比化合物A进行该过程。同时，利用具有氙灯的ISC PC1分光荧光计得到在甲苯中稀释的10mM化合物2的PL光谱。分别对化合物3～10以及对比化合物A进行该过程。结果示于表2中：
                表2
  化合物序号   最大吸收波长(nm)   最大PL波长(nm)
  A(对比例)   367   418
  2   378   428
  3   380   426
  4   371   421
  5   371   425
  6   380   437
  7   380   441
  8   381   442
  9   371   423
  10   380   430
测量实施例3：对比化合物A以及化合物2～10的发光试验(当与基质混合形成薄膜时)
将对比化合物A和化合物2～10分别与PVK混合形成薄膜，测量这些薄膜的吸收光谱、PL光谱和量子产率(quantum yield)。
首先，利用氯仿和纯水洗涤石英衬底。独立地，将0.1g PVK(得自Aldrich公司)与溶解在甲苯中的0.01g化合物2(按100重量份PVK计的10重量份化合物2)混合。将所得到的混合物旋涂到石英衬底上并在110℃下热处理2小时，形成厚度为1000
Figure 10003_33
的化合物2PVK薄膜。测量化合物2PVK薄膜的吸收光谱、PL光谱和量子产率。分别对化合物3～10与对比化合物A进行该过程，结果示于表3中：
                                表3
 薄膜序号   最大吸收波长(nm)   最大PL波长(nm)   量子产率(％)
 化合物A(对比例)_PVK   368   461   35
 化合物2_PVK   381   470   81
 化合物3-PVK   384   454   74
 化合物4_PVK   372   447   85
 化合物5_PVK   372   451   76
 化合物6_PVK   381   461   67
 化合物7_PVK   381   467   68
 化合物8_PVK   383   467   65
 化合物9_PVK   381   446   84
 化合物10_PVK   381   448   77
因此，证实了由各种根据本发明实施方案的化合物2～10和PVK构成的薄膜具有比对比化合物A更好的适于有机发光器件的吸收光谱、PL光谱和量子产率。
实施例1(对比例)
利用对比化合物A作为EML的掺杂剂，制得具有下列结构的有机发光器件：ITO/PEDOT(500
Figure 10003_34
)/对比化合物A_PVK(480)/TAZ(200
Figure 10003_36
)/LiF(10)/Al(2000
Figure 10003_38
)。
将得自Corning公司的15Ω/cm2(1200
Figure 10003_39
)ITO玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇微波洗涤5分钟，用纯水微波洗涤5分钟，并用UV臭氧洗涤30分钟。将得自Bayer公司的PEDOT-PSS(AI4083)涂布在衬底上并在120℃下热处理5小时，形成厚度为500
Figure 10003_40
的HIL。将0.1g PVK和0.01g对比化合物A(按100重量份PVK计的10重量份的对比化合物A)的混合物旋涂在HIL上并在110℃下热处理2小时，形成厚度为480的EML。然后，将TAZ化合物旋涂在EML上并在110℃下热处理2小时，形成厚度为200的ETL。将LiF真空沉积在ETL上，形成厚度为10的EIL，然后将Al真空沉积在EIL上，形成厚度为2000
Figure 10003_44
的阴极。结果，制得图1A所示的有机发光器件。该有机发光器件将称作对比试样A。
实施例2～10
按照与对比例1相同的方法制备有机发光器件，所不同的是，使用在合成例2～10中合成的化合物2～10代替对比化合物A而形成EML。这些有机发光器件将分别称作试样2～10。
测量实施例4：对比试样A和试样2～10的特性
对比试样A和试样2～10的驱动电压、色纯度、效率和外部量子产率，利用PR650(分光扫描(Spectroscan))源测量仪器(Source Measurement Unit)来测量。
                            表4
试样序号   驱动电压(V)   CIE彩色坐标(～100cd/m2)   在7.2V下的效率(cd/A)   外部量子产率(％)
 A(对比例)   7.1   (0.16，0.14)   0.71   ～0.7
 2   4.2   (0.16，0.13)   1.77   ～1,7
 3   4.2   (0.16，0.12)   1.45   ～1.5
 4   4.1   (0.15，0.11)   1.74   ～1.7
 5   4.1   (0.15，0.13)   1.58   ～1.5
 6   5.4   (0.16，0.15)   1.23   ～1.3
 7   5.3   (0.16，0.16)   1.21   ～1.3
 8   5.4   (0.16，0.14)   1.24   ～1.4
 9   3.8   (0.15，0.11)   1.77   ～1.7
 10   4.6   (0.16，0.11)   1.29   ～1.4
如表4所示，根据本发明实施方案的试样2～10具有比常规对比试样A更好的特性。
根据本发明由式1所示的氨基苯乙烯基化合物具有优异的发光特性和热稳定性。因此，利用根据本发明的氨基苯乙烯基化合物的有机发光器件具有低驱动电压、优异的色纯度、高效率、高外部量子产率和高亮度。
尽管已经参考其示例性实施方案具体地说明和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将会理解其中可以进行各种形式和细节上的变化，而不脱离由所附权利要求书限定的本发明的构思和范围。

Claims (10)

1.一种氨基苯乙烯基化合物，其由式1所示：
<式1>
Figure FFW00000054273500011
式中
Ar1和Ar2各自独立为C6-C30芳基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立为氢；
n为1或2；及
L选自萘基，蒽基，菲基，苯并噻吩基，吡啶基，噻蒽基，C1-C10烷基环己基，及联苯基。
2.根据权利要求1的氨基苯乙烯基化合物，其由式2至10之一表示：
Figure FFW00000054273500012
Figure FFW00000054273500021
3.一种制备式1所示的化合物的方法，该方法包括：
使式1a所示的化合物与式1b所示的化合物反应，制得式1c所示的化合物；及
使式1c所示的化合物与式L-Q所示的化合物反应，制得式1所示的化合物：
Figure FFW00000054273500022
式中
Ar1和Ar2各自独立为C6-C30芳基；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立为氢；
n为1或2；
L选自卤萘基，蒽基，菲基，苯并噻吩基，吡啶基，噻蒽基，C1-C10烷基环己基，及联苯基；
Ha为卤素；及
Q为含B的基团。
4.根据权利要求3的方法，其中Q为
Figure FFW00000054273500031
中的一种。
5.根据权利要求3的方法，其中所述氨基苯乙烯基化合物由式2～10表示：
Figure FFW00000054273500032
Figure FFW00000054273500041
6.一种有机发光器件，包括：
第一电极；
第二电极；及
至少一层介于第一电极和第二电极之间的有机层，其是由权利要求1或2的氨基苯乙烯基化合物形成的。
7.根据权利要求6的有机发光器件，其中所述氨基苯乙烯基化合物形成的有机层为发射层和空穴迁移层之一。
8.根据权利要求6的有机发光器件，其中所述至少一层有机层包括选自空穴注入层，空穴迁移层，电子阻挡层，空穴阻挡层，电子迁移层，及电子注入层中的至少一层。
9.根据权利要求8的有机发光器件，包括下列结构中的一种：第一电极/空穴注入层/发射层/电子迁移层/电子注入层/第二电极，第一电极/空穴注入层/空穴迁移层/空穴迁移层/发射层/电子迁移层/电子注入层/第二电极，及第一电极/空穴注入层/发射层/空穴阻挡层/电子迁移层/电子注入层/第二电极。
10.根据权利要求7的有机发光器件，其中所述发射层包括至少一种选自红色磷光掺杂剂、绿色磷光掺杂剂、蓝色磷光掺杂剂、白色磷光掺杂剂、红色荧光掺杂剂、绿色荧光掺杂剂、蓝色荧光掺杂剂和白色荧光掺杂剂的掺杂剂。
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