CN1818744A - 由印刷图案进行印刷的方法及印刷该印刷图案的生产设备 - Google Patents

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Abstract

一种用于印刷印刷图案的方法，包括下面的步骤：印刷图案形成工艺，在基板上形成的蚀刻膜上形成诸如由抗蚀成分制成的抗蚀剂的印刷图案；以及此后的减薄工艺，在通过使用印刷图案作为掩模进行蚀刻之前，通过诸如等离子体灰化的干蚀刻，或诸如显影处理的湿蚀刻，在厚度方向上减薄抗蚀剂；以及蚀刻工艺，通过使用减薄的印刷图案作为掩模来蚀刻蚀刻膜。

Description

由印刷图案进行印刷的方法及印刷该印刷图案的生产设备
技术领域
本发明涉及一种通过使用印刷图案来印刷的方法和用于印刷该印刷图案的生产设备，特别涉及一种制造液晶显示(之后称作LCD)设备的方法及其生产设备。
背景技术
作为视听(AV)机器和办公自动化(OA)机器的显示设备，LCD设备由于其薄厚度、轻重量、低消电等优点已经被广泛地使用。
在LCD中，使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵LCD已经被广泛使用。
该有源矩阵LCD包括用于显示信息的液晶面板、用于将光照射到液晶面板的背表面上的背光单元、用于支承并固定背光单元的背光底盘。液晶面板具有下述构造，该构造包括在其上以矩阵形式排列有诸如TFT的开关元件的有源矩阵基板(之后称作TFT基板)、在其上形成有滤色器等的滤色器基板、以及夹在TFT基板与滤色器基板之间的液晶。
需要几个工艺来形成上述的TFT基板。例如，除了在透明绝缘基板上形成栅极线、经由栅绝缘膜形成诸如无定形硅的半透明(translucent)半导体层、以及形成源极/漏极线的工艺之外，还需要在钝化膜中形成接触孔、形成像素电极等的工艺。
这里，为了减小LCD的最初成本，减小生产工时和提高产出百分比是很重要的，这是因为对每个上面的工艺都要进行抗蚀剂图案形成。因此，为了减小生产工时，减小抗蚀剂图案形成所需的生产工时数量是有效的。
通常，通过进行使用光致抗蚀剂和光掩模的曝光处理和显影处理来形成该抗蚀剂图案。然而，通过使用光致抗蚀剂和光刻方法来形成图案的方法需要大量的生产工时，因此制造成本变得较高。因此，提出了能通过减少工艺数量来减小最初生产成本的印刷方法的简化方法。
例如，日本公开未审申请No.2004-214593(第5-7页，图1)、日本公开未审申请No.2004-212985(第6-9页，图1)和日本公开未审申请No.2004-46144(第7-10页，图1)中分别公开了这些简化的工艺。在公开的工艺中，将抗蚀剂涂布到印刷版(cliché)的上部，在所述印刷版中在与要在基板上形成图案的位置对应的位置中形成有凹槽，从而将抗蚀剂填充到凹槽内部，然后将抗蚀剂转印到在印刷版表面上旋转的印刷辊上。之后，通过使转印到印刷辊的表面上的抗蚀剂与形成在基板上的蚀刻目标层的表面接触，来将抗蚀剂再次转印到形成在基板上的蚀刻目标层。
通过使用上述的印刷方法，减小最初成本是可能的，因为与使用光刻方法的情形相比减小了工艺数量。然而，在该印刷方法中，当将抗蚀剂填充进凹槽时，不希望的抗蚀剂会残留在印刷版的表面上，且当转印抗蚀剂时，各片抗蚀剂会散开。因而，抗蚀剂容易粘附到除了要形成图案的正确区域之外的区域，并且在其中不包括光刻方法中包含的显影处理(等价于抗蚀剂蚀刻)。因此，粘附到除了正确区域之外的区域的抗蚀剂不能被去除，通过之后的蚀刻粘附的抗蚀剂下部中的底膜残留下来。结果存在如下问题：易于引起诸如线短路、由残余的图案导致的点缺陷等缺欠。
具体地说，如图1A中所示，在透明绝缘基板1上形成要蚀刻的蚀刻膜2。如果通过该印刷方法在蚀刻膜2上形成抗蚀剂3，在一些情形中，粘附到除了要形成图案的正确区域之外的区域的抗蚀剂4会残留下来。如图1B中所示，如果当粘附的抗蚀剂4残留在其上时进行蚀刻，则在粘附的抗蚀剂4的下部中的蚀刻膜2作为残余物2a保留下来，而没有被蚀刻。该残余物2a导致了一个问题，即引起例如线短路或点缺陷的缺欠，从而降低生产百分比。
发明内容
鉴于前面的问题进行了本发明。因此，本发明的目的是提供一种使用印刷图案的处理方法和用于印刷该印刷图案的生产设备，特别提供一种抑制了缺欠的产生的制造液晶面板的方法及其生产设备。
为了实现上面的目的，在一个方面中，本发明涉及一种处理方法，该方法至少包括：印刷工艺，通过使用印刷方法在基板上形成的蚀刻膜上形成由抗蚀成分制成的印刷图案；减薄工艺，通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案；以及蚀刻工艺，通过使用减薄的印刷图案作为掩模来蚀刻蚀刻膜。
在本发明中，抗蚀成分是光敏抗蚀剂或非光敏抗蚀剂。
在另一个方面中，本发明涉及一种处理方法，该方法至少包括：印刷工艺，通过使用印刷方法在基板上形成由包含导电颗粒的导电成分制成的印刷图案；以及减薄工艺，通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案。
在另一个方面中，本发明涉及一种构造，其包括烘焙工艺，用于在至少印刷工艺与减薄工艺之间或者在减薄工艺之后，给印刷图案加热。
在另一个方面中，本发明涉及一种构造，其包括在粘附到除了形成印刷图案的区域之外的区域的抗蚀成分或导电成分能够被去除、或者被减小尺寸的条件下，来执行减薄工艺。
在另一个方面中，本发明涉及干蚀刻和湿蚀刻，其分别优选地包括等离子体灰化和显影处理。
在另一个方面中，本发明涉及一种通过使用上述方法中的至少一个方法来制造液晶显示设备或有机EL显示设备的方法。
在另一个方面中，本发明涉及生产设备，其中在基板上形成由包含抗蚀成分或导电颗粒的导电成分制成的印刷图案，该设备包括通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案的减薄处理装置。
在另一个方面中，本发明涉及一种用于给印刷图案加热的烘焙装置。
因而，根据本发明的构造，可有效去除粘附到不希望区域上的抗蚀成分或导电成分，或者减小其尺寸，由此抑制了诸如线短路、由残余图案导致的点缺陷等缺欠。
如上所述，在本发明中，因为在通过使用诸如抗蚀剂的抗蚀成分来形成印刷图案之后以及在通过使用印刷图案作为掩模进行蚀刻工艺之前，添加了用于减薄抗蚀成分的减薄处理，诸如等离子体灰化或显影处理，所以可以去除抗蚀成分或减小其尺寸，从而即使当抗蚀成分粘附到不希望的区域时，蚀刻膜也可完全从粘附的抗蚀成分的下部去除，或减小其尺寸。
此外，因为在通过使用包含导电颗粒的导电成分来形成印刷图案之后添加了用于减薄导电成分的减薄处理，如等离子体灰化或显影处理，所以即使当导电成分粘附到不希望的区域时，粘附的导电成分也可被去除，或减小其尺寸。
根据本发明，抑制了诸如线短路、由残余图案产生的点缺陷等缺欠，同时实现了减小生产工时数量并提高了产出百分比。
附图说明
现在将参照附图，以举例的方式来描述本发明，其中：
图1A是工艺的横截面图，示出了使用常规印刷图案的处理方法；
图1B是工艺的横截面图，示出了使用常规印刷图案的、图1A之后的处理方法；
图1C是工艺的横截面图，示出了使用常规印刷图案的、图1B之后的处理方法；
图2A是工艺的横截面图，示出了使用根据本发明实施例的印刷图案的处理方法；
图2B是工艺的横截面图，示出了使用根据本发明实施例的印刷图案的、图2A之后的处理方法；
图2C是工艺的横截面图，示出了使用根据本发明实施例的印刷图案的、图2B之后的处理方法；
图2D是工艺的横截面图，示出了使用根据本发明实施例的印刷图案的、图2C之后的处理方法；
图3是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；
图4是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；
图5是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；
图6是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；
图7是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；
图8是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；
图9是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；
图10是示出了根据本发明第一实施例制造TFT基板的方法的工艺的横截面图；以及
图11是示出了根据本发明第二实施例的包含减薄处理单元的印刷设备的构造图。
具体实施方式
现在将参照说明性的实施例在此描述本发明。本领域技术人员将认识到，使用本发明的讲述可以完成许多可选实施例，并且本发明不限于为解释目的而说明的实施例。
首先，在本发明中，在蚀刻膜上形成印刷图案，诸如抗蚀剂图案。接下来，在通过使用印刷图案作为掩模进行诸如蚀刻的处理之前，通过使用干蚀刻(例如，等离子体灰化)或者湿蚀刻(例如，显影处理)进行减薄处理，以使抗蚀剂在其厚度方向上减薄。因此，基本上减小了在使用印刷方法时导致的缺欠。
具体地说，如图2A中所示，通过溅射方法淀积具有大约140nm厚度的铬(Cr)作为蚀刻膜2。接下来，通过诸如胶印(off-set printing)或喷墨印刷的印刷方法来印刷具有2μm厚度的抗蚀剂3。此时，如上所述，当转印抗蚀剂时，印刷方法容易使抗蚀剂粘附到不希望的区域上，由此在后面的工艺中产生缺欠。
因此，如图2B中所示，在印刷抗蚀剂之后，通过进行由等离子体灰化、显影处理、或其他蚀刻方法将抗蚀剂减薄的处理来去除粘附的抗蚀剂4。该抗蚀剂减薄处理的条件(时间、温度、处理的类型)没有特别限制。就是说，各条件仅需能使粘附的抗蚀剂4在后面的工艺中不会导致问题即可，且各条件可根据抗蚀剂4的尺寸、抗蚀剂3的厚度等来适当设定。此外，抗蚀剂3可以是光刻工艺中使用的光致抗蚀剂(对光、紫外线、电子射线等敏感的抗蚀剂，统称作光致抗蚀剂)。此外，代替所述抗蚀剂，还可使用除了光敏剂的抗蚀剂(之后称作非光敏抗蚀剂)以及其他成分，如能通过印刷方法印刷的、对后面的工艺有抵抗性的、且能通过干蚀刻或湿蚀刻去除的树脂。
接下来，如图2C中所示，在通过使用干蚀刻或湿蚀刻去除暴露的蚀刻膜2之后去除抗蚀剂3。因而，如图2D中所示，能够形成优选的图案，在该图案中去除了应被蚀刻掉的原始区域中的蚀刻膜2。
应注意到，上述工艺仅仅是例子，根据情况可以在减薄处理之前或在蚀刻掉蚀刻膜2之前进行烘焙处理。
(本发明的第一典型实施例)
为了进一步详细地描述本发明上面的实施例，将参照图3到9描述根据本发明的制造液晶面板的方法。图3到9是示出了制造LCD的TFT基板的工艺的横截面图，其中应用了根据本发明的减薄处理。在本实施例中应注意到，描述了将根据本发明的减薄处理应用于LCD的TFT基板的制造方法的情形，但根据本发明的减薄处理可以应用于包括如下工艺的任何制造方法，该工艺中由印刷方法形成的印刷图案用于蚀刻。
LCD的TFT基板一般设置有在预定方向上延伸的多条栅极线、和经由栅绝缘膜在基本与栅极线垂直的方向上延伸的多条漏极线。此外，LCD的TFT基板设置有构造在栅极线和漏极线的交点附近的TFT、和经由形成在钝化膜中的接触孔与TFT的源极线相连的像素电极。下面将通过参照图3到9给出制造TFT基板的方法的详细描述。
图3是示出了形成栅极线的工艺的横截面图。根据图3，在由玻璃、塑料等制成的透明绝缘基板10上，通过溅射方法布置要成为具有大约200nm厚度的栅极线11的金属，如Cr。之后，通过印刷方法形成抗蚀剂，并烘焙，随后通过图2B中所示的减薄处理去除或在尺寸上减小粘附到除栅极线11之外的区域的抗蚀剂。接下来，通过湿蚀刻或干蚀刻来蚀刻掉暴露的Cr，并去除抗蚀剂，由此形成栅极线11。应注意到，栅极线11还可通过印刷包含导电金属颗粒的胶体并在对该胶体进行本发明的减薄处理之后烘焙该胶体而形成。此外，从对基板的粘附性、可加工性和可靠性的的观点看，适宜的抗蚀剂是用于光刻工艺的光致抗蚀剂，此外除了光敏剂之外的抗蚀剂在价格方面有优势。此外，减薄的抗蚀剂的厚度优选为印刷厚度的80％或更小。如果去除抗蚀剂超过上面的百分比，则经常导致图案破裂，由此最佳值是在50％附近。
图4是示出了用于形成通过溅射方法或化学气相淀积(CVD)方法布置的栅绝缘膜的工艺的横截面图，该栅绝缘膜具有大约100nm厚度的氧化硅和大约400nm厚度的氮化硅(SiN)。
图5是示出了用于形成半导体层的工艺的横截面图。首先，通过低压(LP)-CVD方法在栅绝缘膜上布置具有大约250nm厚度的无定形硅(之后称作a-Si)13。类似地，通过LP-CVP方法布置具有50nm厚度的n+a-Si 14。应注意到，通常，在相同的设备中连续布置作为栅绝缘膜的一部分的SiN、a-Si 13和n+a-Si 14。
图6是示出了用于形成半导体层的图案的工艺的横截面图。首先，通过使用印刷方法来印刷抗蚀剂15，并执行图2B中所示的减薄处理，从而去除粘附到不希望区域上的抗蚀剂或减小它们的尺寸。接下来，通过反应离子蚀刻(RIE)来蚀刻掉暴露的a-Si 13/n+a-Si 14，并通过去除抗蚀剂来形成岛状半导体层。应注意到，与形成栅极线的工艺类似，在能够使用非光敏抗蚀剂时，可以使用用于光刻工艺的光致抗蚀剂。换句话说，减薄的抗蚀剂的优选厚度为印刷厚度的80％或更小，并优选在50％附近。
图7是示出了用于形成源极/漏极线(之后称作S/D线)的工艺的横截面图。通过溅射方法把作为S/D线的金属，诸如Cr，布置成具有大约140nm的厚度，并通过印刷方法形成具有大约2μm厚度的抗蚀剂。在烘焙抗蚀剂之后，通过抗蚀剂减薄处理去除或在尺寸上减小粘附到不希望区域上的抗蚀剂，从而使残余抗蚀剂为大约1μm。再次烘焙抗蚀剂后，通过湿蚀刻或干蚀刻以去除抗蚀剂，来蚀刻暴露的Cr，由此形成S/D线16。
图8是示出了通过使用S/D线16作为掩模来蚀刻大约130nm的n+a-Si的沟道蚀刻的工艺的横截面图。该蚀刻可通过RIE方法进行，但从TFT特性的观点看更优选等离子体CVD。
图9是示出了用于形成接触孔的工艺的横截面图。在通过溅射方法或CVD方法将具有大约200nm厚度的SiN形成为钝化膜18后，通过印刷方法来印刷抗蚀剂20。再次烘焙抗蚀剂之前，执行图2B中所示的抗蚀剂减薄处理，从而去除粘附到不希望区域上的抗蚀剂，或减小其尺寸。然后，通过湿蚀刻和RIE方法形成与源极线连接的接触孔19。应注意到，钝化膜18可以是诸如丙稀的有机膜，或具有无机膜和有机膜的层叠结构。此外，因为在形成接触孔19的工艺期间经常残留抗蚀剂，所以可通过使用光致抗蚀剂和光掩模的一般光刻工艺来形成接触孔19，该情形中印刷机的单件产品生产时间(tact time)较长。
图10是示出了形成像素电极的工艺的横截面图。通过溅射方法将具有大约40nm厚度的ITO膜布置为像素电极20，并通过印刷方法印刷抗蚀剂。在烘焙抗蚀剂后，通过图2B中所示的减薄处理去除或在尺寸上减小粘附到不希望区域的抗蚀剂。然后再次烘焙抗蚀剂，并使像素电极20经过湿蚀刻。因为形成像素电极20的该工艺经常残留抗蚀剂，所以与用于形成接触孔19的工艺类似，可通过使用光致抗蚀剂和光掩模的一般光刻工艺来形成像素电极20。
在印刷取向膜后，将通过上述方法完成的TFT基板与形成有密封剂和间隔器的区域的滤色器基板粘结。在向其注入液晶后，将孔密封，并粘附诸如偏振板的光学膜，从而完成液晶显示面板。此外，在TFT基板上形成有滤色器的情形中，代替滤色器基板，将形成有透明电极的对向基板与COT基板粘结。
这样，对于诸如蚀刻的工艺需要重复形成抗蚀剂的情形中，通过由印刷方法形成抗蚀剂可减小工艺数量。此外，在印刷抗蚀剂后，通过执行减薄处理，可去除粘附到不希望区域的抗蚀剂或将尺寸减小到不产生问题的范围。此外，在通过包括导电金属颗粒的胶体形成线图案的情形中，胶体也通过印刷方法形成，并进行减薄处理，从而去除粘附到不希望区域的抗蚀剂或将其尺寸减小到不产生问题的范围。换句话说，根据这些效果，可抑制缺欠的产生，从而提高产出百分比。
应注意到，尽管在上面的描述中，将减薄处理应用于通过使用印刷方法形成抗蚀剂的整个工艺，但其可仅应用于各工艺中的至少一个工艺。
(本发明的第二典型实施例)
接下来，下面通过参照图11来描述根据本发明的第二实施例的液晶面板的生产设备。图11是示出了根据第二实施例的印刷设备的构造的示意图。
在上述第一实施例中，在抗蚀剂经过诸如等离子体灰化、显影处理或其他蚀刻方法的减薄处理之前，通过公知的印刷设备来印刷抗蚀剂。如果在相同的设备中进行通过印刷方法来印刷抗蚀剂的工艺和将抗蚀剂减薄的工艺，则可进一步减小工艺数量。
图11是示出了根据第二实施例的印刷设备的例子的视图。在图11中，将从涂布装置101喷出的抗蚀剂经由硅片102涂布到硅毯(siliconblanket)108，并将抗蚀剂从硅毯108转移到基板片105，通过基板片105，硅毯108的抗蚀剂被具有与下述位置相对应的图案的凸部110部分地去除，在所述位置处图案没有残留在基板片105上。
通过常规的印刷设备可进行这些工艺。然而，在根据本发明的印刷设备中，如果有需要，可进一步设置印刷膜减薄单元113以及烘焙单元112和114。
然后，印刷有抗蚀剂的基板片105被运输装置(没有示出)运输到烘焙单元112并当抗蚀剂固化到一定程度时被运输到印刷膜减薄单元113。随后，使抗蚀剂经过通过等离子体蚀刻、显影或其他蚀刻方法的减薄处理，使得抗蚀剂的膜厚度变为一半。接下来，将基板片105运输到烘焙单元114，在其中去除通过显影处理粘附的水等，随后进行蚀刻处理的工艺。
在该印刷膜减薄处理单元113是等离子体灰化装置等的情况中，可以省略烘焙单元112和114。图11是用于印刷四色滤色器的抗蚀剂的设备的例子，但不仅仅用于滤色器，该设备还可用于印刷用于TFT生产工时的光致抗蚀剂、除了光敏剂之外的非光敏抗蚀剂、包含金属颗粒的导电胶等。此外，该印刷设备不限于喷墨印刷、胶印、丝网印刷等。
应注意到，在上面的每个实施例中，通过将蚀刻作为使用印刷图案的处理的例子给出了描述，还可以进行能使用印刷图案作为掩模的其他方法(例如离子注入)。
本发明上述的结构并不限于应用于制造形成LCD的基板，而是还能够应用于制造形成电致发光显示设备的基板、制造形成半导体器件的基板等。
首先，通过部分地使用本发明的印刷方法，这里将给出制造构成LCD的基板的方法。
部分地使用本发明的印刷方法的制造构成LCD的基板的方法，包括下面的步骤中的至少任意一个步骤：印刷工艺，用于通过该印刷方法，在基板上形成的蚀刻膜上形成由抗蚀成分制成的印刷图案；减薄工艺，用于通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案；蚀刻工艺，用于通过使用减薄的印刷图案作为掩模来蚀刻蚀刻膜；烘焙工艺，用于在至少印刷工艺与减薄工艺之间或者在减薄工艺之后，给印刷图案加热。
此外，在减薄处理的上述工艺中，可以在下面的情况下执行减薄处理，即去除或在尺寸上减小粘附到除了形成印刷图案的区域之外的区域的蚀刻成分或导电成分。此外，干蚀刻可包括等离子体灰化，湿蚀刻可包括显影处理。
此外，部分地使用本发明的印刷方法的制造构成LCD的基板的方法，包括下面的步骤：印刷工艺，用于通过该印刷方法，在基板上形成由包含导电颗粒的导电成分制成的印刷图案；减薄工艺，用于通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案；以及烘焙工艺，用于在至少印刷工艺与减薄工艺之间或者在减薄工艺之后，给印刷图案加热。
接下来，通过部分使用本发明的印刷方法，将描述制造构成有机EL显示设备的基板的方法。
部分地使用本发明的印刷方法的制造构成有机EL显示设备的基板的方法，包括下面的步骤：印刷工艺，用于通过该印刷方法，在基板上形成的蚀刻膜上形成由抗蚀成分制成的印刷图案；减薄工艺，用于通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案；以及蚀刻工艺，用于通过使用减薄的印刷图案作为掩模来蚀刻该蚀刻膜。
此外，部分地使用本发明的印刷方法的制造构成有机EL显示设备的基板的方法，包括下面的步骤：印刷工艺，用于通过该印刷方法，在基板上形成由包含导电颗粒的导电成分制成的印刷图案；以及减薄工艺，通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案。
如上所述，在根据本发明的使用印刷图案的处理中，通过使用诸如抗蚀剂的抗蚀成分来形成印刷图案，且通过使用印刷图案作为掩模，来执行在蚀刻之前添加的处理，诸如等离子体灰化、显影处理等，用于减薄抗蚀成分。
因此，即使当抗蚀成分粘附到不希望的区域时，也能将粘附的抗蚀成分去除或减小尺寸，从而蚀刻膜不会残留在粘附的抗蚀成分的下部，或可以将它们减小到充分小。
此外，在通过使用包含导电金属颗粒的导电成分来形成印刷图案之后，添加用于减薄导电成分的处理，诸如等离子体灰化和显影处理。因此，即使当导电成分粘附到不希望的区域时，也可去除粘附的导电成分或减小尺寸。
因而，根据使用本发明的印刷图案的处理，可抑制缺欠的产生，诸如线短路、由图案残余导致的点缺陷等，且同时能够实现减少生产工时数量和提高产出百分比。
应当清楚，本发明不限于上面的实施例，而是在不脱离本发明的范围和精神的情况下可以做修改和变化。

Claims (14)

1.一种用于印刷印刷图案的方法，包括下面的步骤：
印刷工艺，通过使用印刷方法在基板上形成的蚀刻膜上形成由抗蚀成分制成的印刷图案；
减薄工艺，通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案；以及
蚀刻工艺，通过使用减薄的印刷图案作为掩模来蚀刻蚀刻膜。
2.根据权利要求1所述的印刷印刷图案的方法，其中抗蚀成分是光敏抗蚀剂或非光敏抗蚀剂。
3.一种用于印刷印刷图案的方法，包括下面的步骤：
印刷工艺，通过使用印刷方法在基板上形成由包含导电颗粒的导电成分制成的印刷图案；以及
减薄工艺，通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案。
4.根据权利要求1所述的印刷印刷图案的方法，其中至少在印刷工艺与减薄工艺之间或者在减薄工艺之后，添加用于给印刷图案加热的烘焙工艺。
5.根据权利要求2所述的印刷印刷图案的方法，其中至少在印刷工艺与减薄工艺之间或者在减薄工艺之后，添加用于给印刷图案加热的烘焙工艺。
6.根据权利要求3所述的印刷印刷图案的方法，其中至少在印刷工艺与减薄工艺之间或者在减薄工艺之后，添加用于给印刷图案加热的烘焙工艺。
7.根据权利要求1所述的印刷印刷图案的方法，其中在粘附到除了形成印刷图案的区域之外的区域的抗蚀成分或导电成分能够被去除、或者被减小尺寸的条件下，来执行减薄工艺。
8.根据权利要求3所述的印刷印刷图案的方法，其中在粘附到除了形成印刷图案的区域之外的区域的抗蚀成分或导电成分能够被去除、或者被减小尺寸的条件下，来执行减薄工艺。
9.根据权利要求1所述的印刷印刷图案的方法，其中干蚀刻包括等离子体灰化，湿蚀刻包括显影处理。
10.根据权利要求3所述的印刷印刷图案的方法，其中干蚀刻包括等离子体灰化，湿蚀刻包括显影处理。
11.一种用于形成印刷图案的生产设备，包括：
在基板上形成由包含抗蚀成分或导电颗粒的导电成分制成的印刷图案的装置；以及
通过干蚀刻或湿蚀刻来减薄印刷图案的减薄处理装置。
12.根据权利要求11所述的用于形成印刷图案的生产设备，其中抗蚀成分是光敏抗蚀剂或非光敏抗蚀剂。
13.根据权利要求11所述的用于形成印刷图案的生产设备，其中还包括烘焙装置。
14.根据权利要求11所述的用于形成印刷图案的生产设备，其中干蚀刻包括等离子体灰化，湿蚀刻包括显影处理。
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