CN1813038A - 化学机械抛光(cmp)贵金属 - Google Patents

化学机械抛光(cmp)贵金属 Download PDF

Info

Publication number
CN1813038A
CN1813038A CNA2004800184550A CN200480018455A CN1813038A CN 1813038 A CN1813038 A CN 1813038A CN A2004800184550 A CNA2004800184550 A CN A2004800184550A CN 200480018455 A CN200480018455 A CN 200480018455A CN 1813038 A CN1813038 A CN 1813038A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chemical
abrasive
mechanical polishing
polishing system
oxygenant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004800184550A
Other languages
English (en)
Inventor
弗朗切斯科·德雷杰特萨乌罗
弗拉斯塔·布鲁西奇
本杰明·P·拜尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CMC Materials Inc
Original Assignee
Cabot Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Microelectronics Corp filed Critical Cabot Microelectronics Corp
Publication of CN1813038A publication Critical patent/CN1813038A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种抛光一衬底的方法，其包含：(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学－机械抛光***接触，所述***包含(a)抛光组分、(b)氧化剂和(c)液体载剂；和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。所述抛光组分是选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组，并且所述氧化剂是选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机－卤－氧基化合物、其盐和其组合组成的群组。所述化学－机械抛光***具有9或9以下的pH值，并且所述氧化剂不会产生大量的元素卤素。本发明也提供一种使用上述抛光***来抛光一包含一贵金属层和一第二层的衬底的方法，所述抛光***进一步包含一中止化合物。

Description

化学机械抛光(CMP)贵金属
技术领域
本发明涉及一种抛光一包含一贵金属的衬底的方法。
背景技术
在所属领域中，用于平坦化或抛光一衬底表面的组合物和方法己为我们所熟知。抛光组合物(也称为抛光浆)通常在水溶液中含有研磨材料并且通过将一表面与用浆组合物浸透的抛光垫接触来将所述抛光组合物施用到所述表面上。典型的研磨材料包括二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆和氧化锡。举例来说，美国专利5,527,423描述一种用于通过将表面与在水介质中包含高纯度精炼纯金属氧化物颗粒的抛光浆接触来化学-机械抛光一金属层的方法。或者，可将研磨材料加入抛光垫中。美国专利5,489,233揭示具有表面纹理或图案的抛光垫的用途，并且美国专利5,958,794揭示一种固定研磨剂抛光垫。
在平坦化半导体晶片时，***面度有关，所以关键是使用会导致高抛光效率、均一性和移除速率并且会留下具有最小表面缺陷的高质量抛光的抛光组合物和方法。
制造用于半导体晶片的有效抛光***的困难源于半导体晶片的复杂性。半导体晶片通常由一衬底组成，在所述衬底上已形成复数个电晶体。通过图案化衬底中的区域和衬底上的层，来将集成电路化学地并物理地连接到衬底。为产生一可操作的半导体晶片并且将所述晶片的产率、性能和可靠性达到最大，需要抛光晶片的选定表面而不会不利影响到下面的结构或构形。事实上，如果所述方法步骤不是在已充分平坦化的晶片表面上执行，那么会在半导体制造中发生多种问题。
已将多种材料与金属合金用于形成装置之间的电连接，包括钛、氮化钛、铝-铜、铝-硅、铜、钨、铂、铂-钨、铂-锡、钌和其组合。贵金属呈现一特殊难题，在于其机械方面比较硬并且化学方面的耐受性，这使其难于有效地通过化学-机械抛光来移除。
下列专利揭示用于贵金属的抛光组合物。美国专利5,691,219揭示一种半导体存储装置，其包含一贵金属导电层和一包含用于抛光贵金属的卤基化合物的抛光组合物。美国专利6,274,063揭示用于镍衬底的抛光组合物，其包含化学蚀刻剂(例如硝酸铝)、研磨颗粒和氧化剂。美国专利6,290,736揭示一种用于贵金属的化学活性抛光组合物，其包含研磨剂和卤素的碱性水溶液。JP 63096599A2揭示一种溶解金属钌的方法。JP11121411A2揭示一种用于铂族金属(例如Ru、Pt)的抛光组合物，其包含所述铂族金属氧化物的微细颗粒。JP 1270512A2揭示一种用于贵金属的溶解溶液，其包含过氧化氢、碱金属氰化物和磷酸根离子和/或硼酸根离子。WO 00/77107A1揭示一种用于贵金属(例如Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt)的抛光组合物，其包含研磨剂、液体载剂、氧化剂和抛光添加剂，所述添加剂可包括EDTA、含氮大环化合物类(例如四氮杂环十四烷)、冠醚、卤化物、氰化物、柠檬酸、膦和磷酸盐。WO 01/44396A1揭示一种用于贵金属的抛光组合物，其包含含硫化合物、研磨颗粒和水溶性有机添加剂，所述添加剂会改善所述研磨颗粒的分散并提高金属移除速率和选择性。
然而，仍然需要在衬底的抛光和平坦化期间显示所需平坦化效率、均一性和移除速率，同时将诸如表面不完整性的缺陷度和对下面结构与构形的损坏减到最小的抛光***和抛光方法。尤其需要改良的抛光***用于抛光化学稳定和机械方面较硬的含贵金属的衬底。
本发明设法提供这样一种化学-机械抛光***和方法。从本文中所提供的发明说明来看，本发明的所述优点与其它优点将显而易见。
发明内容
本发明提供一种抛光一衬底的方法，其包含：(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光***接触，所述***包含：(a)一抛光组分；(b)一氧化剂；和(c)一液体载剂；和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。本发明也提供一种抛光一衬底的类似方法，其包含：(i)将一包含一贵金属层和一第二层的衬底与一化学-机械抛光***接触，所述***包含：(a)一抛光组分；(b)一氧化剂；(c)一液体载剂；和(d)一减低所述第二层的移除速率的中止化合物；和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。所述抛光组分是选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组，并且所述氧化剂是选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组。所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值，并且所述氧化剂不会产生大量的元素卤素。
具体实施方式
本发明提供一种抛光一衬底的方法，其包含：(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光***接触，所述***包含：(a)一抛光组分，其选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组；(b)一氧化剂，其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组；和(c)一液体载剂，其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值，而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素；和(ii)研磨所述金属层的至少一部分以抛光所述衬底。
如上所述，抛光***包含选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组的抛光组分。本文中所述的抛光***需要包含研磨剂和抛光垫。所述研磨剂可呈任何合适的形态(例如研磨颗粒)。研磨剂可被固定于抛光垫上和/或可呈颗粒形态并悬浮于液体载剂中。抛光垫可为任何合适的抛光垫。研磨剂(当悬浮于液体载剂中时)与氧化剂以及任何其它悬浮于液体载剂中的组分可形成化学-机械抛光(例如CMP)***的抛光组合物。
研磨剂可为任何合适的研磨剂。举例来说，研磨剂可为天然或合成的，并且可包含特定硬聚合物(例如聚碳酸酯)、金刚石(例如多晶金刚石)、石榴石、玻璃、金刚砂、金属氧化物、碳化物、氮化物和其类似物。研磨剂需要包含金属氧化物。合适的金属氧化物包括选自由下列各物组成的群组的金属氧化物：氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗、与其共同形成的产物和其组合。优选地，金属氧化物是选自由氧化铝、二氧化硅、二氧化铈和其组合组成的群组。更优选地，金属氧化物是氧化铝(例如α-氧化铝)。研磨颗粒通常具有20nm至500nm的平均颗粒大小(例如平均颗粒直径)。优选地，研磨颗粒具有70nm至300nm的平均颗粒大小(例如100nm至200nm)。
当研磨剂存在于抛光***中并且悬浮于液体载剂中时(意即当研磨剂是抛光组合物的组分时)，可存在任何适量的研磨剂于抛光组合物中。通常，0.1重量％或0.1重量％以上(例如0.5重量％或0.5重量％以上、或1重量％或1重量％以上)的研磨剂将存在于抛光组合物中。抛光组合物中研磨剂的量通常不会超过30重量％，更通常不会超过20重量％(例如不会超过10重量％)。
当研磨剂悬浮于抛光组合物中时，抛光组合物优选地为胶态稳定的。术语胶体指的是研磨颗粒在液体载剂中的悬浮液。胶态稳定性指的是随时间流逝保持悬浮液状态。在本发明的上下文中，当将研磨剂放入一100ml的量筒中并且允许保持不搅拌历经2小时时间时，如果在这量筒的下部50ml中的颗粒浓度([B]以g/ml为单位)与在这量筒的上部50ml中的颗粒浓度([T]以g/ml为单位)之间的差值除以研磨剂组合物中的颗粒的初始浓度([C]以g/ml为单位)小于或等于0.5(意即{[B]-[T]}/[C]≤0.5)，那么认为研磨剂是胶态稳定的。[B]-[T]/[C]的值需要小于或等于0.3，并且优选地小于或等于0.1。
液体载剂可用于促进研磨剂(当存在于抛光组合物中时)、氧化剂和任何其它添加剂施用到一待抛光或平坦化的合适衬底的表面上。液体载剂可为任何合适的液体载剂。通常，液体载剂是水、水与合适的水可混溶性溶剂的混合物或乳液。优选地，液体载剂包含水，基本上由水组成，或由水组成，更优选地为去离子水。
氧化剂是选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组。如本文中所用，术语“有机-卤-氧基化合物”用于指含有至少一个有机官能基、至少一个卤素原子和至少一个氧原子的氧化剂。所述有机-卤-氧基化合物的有机官能基、卤素原子和氧原子可以任何合适的方式排列，但将符合三种通式中的一种：Ra-X-Ob、Ra-Ob-X或Ob-Ra-X，其中R表示有机官能基，X表示卤素原子，并且a与b为大于或等于1的整数。合适的有机-卤-氧基化合物包括(但不限于)N-氯代丁二酰亚胺、N-溴代丁二酰亚胺、N-溴乙酰胺、N-溴代二苯甲酮亚胺、三乙酸碘、三(三氟乙酸)碘、二乙酸碘苯、双(三氟乙酸)五氟碘苯、亚碘酰苯、碘酰苯、碘酰苯甲酸(例如间碘酰苯甲酸)、其盐和其组合。优选地，氧化剂是选自由溴酸盐、碘酸盐、氯酸盐、高氯酸盐和高碘酸盐组成的群组。更优选地，氧化剂是溴酸盐、碘酸盐或高碘酸盐。在化学-机械抛光***中，氧化剂也不会产生大量的元素卤素。如本文中所用，如果平衡时的元素卤素的摩尔浓度为氧化剂的初始摩尔浓度的10％或10％以下(例如5％或5％以下、或3％或3％以下、或2％或2％以下、或1％或1％以下)，那么氧化剂不会产生大量的元素卤素。
化学-机械抛光***可包含任何适量的氧化剂。通常，化学-机械抛光***包含以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量％或0.1重量％以上(例如0.2重量％或0.2重量％以上、或0.5重量％或0.5重量％以上、或1重量％或1重量％以上)的氧化剂。化学-机械抛光***通常包含以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计15重量％或15重量％以下(例如12重量％或12重量％以下、10重量％或10重量％以下、8重量％或8重量％以下、5重量％或5重量％以下)的氧化剂。
衬底的金属层可包含任何合适的贵金属。合适的贵金属包括(但不限于)铂、铱、铼、钌、铑、钯、银、锇、金、其氮化物、其氧化物和其合金。合适的合金包括(但不限于)“金属陶瓷”材料，诸如经钌稳定的氧化锆和经钌钇稳定的氧化锆(YSZ，(ZrO2)1-x(Sc2O3)x)。优选地，金属层包含钌或铱。
化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值。优选地，化学-机械抛光***具有7或7以下的pH值(例如6或6以下、5或5以下、或4或4以下)。通常，化学-机械抛光***具有1或1以上的pH值(例如2或2以上)。
化学-机械抛光***的pH值可通过任何合适的方式来达到和/或保持。更具体来说，抛光组合物可进一步包含pH值调节剂、pH值缓冲剂或其组合。所述pH值调节剂可为任何合适的pH值调节化合物。举例来说，pH值调节剂可为氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵或其组合。所述pH值缓冲剂可为任何合适的缓冲剂，例如磷酸盐、乙酸盐、溴酸盐、铵盐和其类似物。化学-机械抛光***可包含任何适量的pH值调节剂和/或pH值缓冲剂，假定所述量足以使抛光***的pH值达到和/或保持在本文所述范围内。
化学-机械抛光***视情况进一步包含螯合剂或络合剂。所述络合剂是任何合适的可提高移除中的衬底层的移除效率的化学添加剂。合适的螯合剂或络合剂可包括例如羰基化合物(例如乙酰丙酮化物和其类似物)、简单的羧酸盐(例如乙酸盐、芳基羧酸盐和其类似物)、含有一个或一个以上羟基的羧酸盐(例如羟乙酸盐、乳酸盐、葡糖酸盐、五倍子酸和其盐和其类似物)、二、三和多羧酸盐(例如草酸盐、邻苯二甲酸盐、柠檬酸盐、琥珀酸盐、酒石酸盐、苹果酸盐、乙二胺四乙酸盐(例如EDTA二钾)、其混合物和其类似物)、含有一个或一个以上磺酸基和/或膦酸基的羧酸盐和其类似物。合适的螯合剂或络合剂也可包括例如二元醇、三元醇和多元醇(例如乙二醇、邻苯二酚、连苯三酚、丹宁酸和其类似物)和含胺的化合物(例如氨、氨基酸、氨基醇、二胺、三胺和多胺和其类似物)。优选地，络合剂为羧酸盐，更优选地为草酸盐。螯合剂或络合剂的选择将取决于移除的衬底层的类型。
应认识到，许多上述化合物可以盐(例如金属盐、铵盐或类似物)、酸或部分盐的形式存在。举例来说，柠檬酸盐包括柠檬酸以及其单盐、二盐和三盐；邻苯二甲酸盐包括邻苯二甲酸以及其单盐(例如邻苯二甲酸氢钾)和二盐；高氯酸盐包括相应的酸(意即高氯酸)以及其盐。此外，特定化合物或试剂可执行一种以上的作用。举例来说，某些化合物可起螯合剂和氧化剂的作用(例如特定硝酸铁和其类似物)。
化学-机械抛光***视情况进一步包含腐蚀抑制剂(意即成膜剂)。所述腐蚀抑制剂可为任何合适的腐蚀抑制剂。通常，腐蚀抑制剂是含有含杂原子官能基的有机化合物。举例来说，所述成膜剂是具有至少一个5或6元杂环作为活性官能基的杂环有机化合物，其中所述杂环含有至少一个氮原子，例如唑化合物。优选地，成膜剂是***，更优选地为1，2，4-***、1，2，3-***或苯并***。用于抛光***中的腐蚀抑制剂的量以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计通常是0.0001重量％至3重量％(优选地是0.001重量％至2重量％)。
化学-机械抛光***视情况进一步包含表面活性剂。合适的表面活性剂可包括(例如)阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂、其混合物和类似物。优选地，抛光***包含非离子表面活性剂。合适的非离子表面活性剂的一个实例是乙二胺聚氧乙烯表面活性剂。表面活性剂的量以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计通常是0.0001重量％至1重量％(优选地是0.001重量％至0.1重量％或0.005重量％至0.05重量％)。
化学-机械抛光***视情况进一步包含消泡剂。所述消泡剂可为任何合适的消泡剂。合适的消泡剂包括(但不限于)基于硅和基于炔二醇的消泡剂。存在于抛光组合物中的消泡剂的量通常是40ppm至140ppm。
化学-机械抛光***视情况进一步包含杀生物剂。所述杀生物剂可为任何合适的杀生物剂，例如异噻唑啉酮杀生物剂。用于抛光组合物中的杀生物剂的量通常是1至50ppm，优选地是10至20ppm。
本发明也提供一种抛光一包含一贵金属层和一第二层的衬底的方法。所述第二层与所述贵金属层不同。特别是，所述方法包含：(i)将一包含一贵金属层和一第二层的衬底与一化学-机械抛光***接触，所述***包含：(a)一抛光组分，其选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组；(b)一氧化剂，其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组；(c)中止化合物，其抑制所述第二层的移除速率；和(d)液体载剂，其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值，而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素；和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。所述抛光***的方法和组分方面如本文中另外所述，除了使用所述中止化合物来抑制存在于衬底上的第二层的移除速率之外。
中止化合物可为任何合适的抑制第二层的移除速率的化合物。合适的中止化合物包括(但不限于)带阳离子的含氮化合物，其选自由胺、亚胺、酰胺、酰亚胺、其聚合物和其混合物组成的群组。如本文中所用的术语“带阳离子”的意思是***的液体部分中的中止化合物的一部分(例如5％或5％以上、10％或10％以上、15％或15％以上、或20％或20％以上)在本发明的抛光***的运行pH值下呈阳离子形式。优选地，中止化合物具有一pKa值，其比本***液体部分的运行pH值大1个或1个以上单位。优选的中止化合物包括聚醚胺、聚乙烯亚胺、N4-氨基(N，N′-双[3-氨丙基]乙二胺)、4，7，10-三氧杂十三烷-1，13-二胺、3，3-二甲基-4，4-二氨基二环己基甲烷、2-苯基乙胺、N，N-二甲基二亚丙基三胺、3-[2-甲氧基乙氧基]丙胺、二甲氨基丙胺、1，4-双(3-氨丙基)哌嗪和其混合物。另外，优选的中止化合物包括异佛尔酮二胺、己二胺、环己基-1，3-丙二胺、thiomicamine、(氨丙基)-1，3-丙二胺、四亚乙基五胺、四甲基丁二胺、丙胺、二氨基丙醇、氨基丁醇、(2-氨基乙氧基)乙醇和其混合物。
适合用于本发明的中止化合物也包括聚合物。合适的聚合物包括(但不限于)含胺聚合物。合适的含胺聚合物优选地具有5个或5个以上将氨基官能基的氮原子分开的连续原子。举例来说，所述含胺聚合物可具有7个或7个以上(例如10个或10个以上)将氨基官能基的氮原子分开的连续原子。因此，含胺聚合物如聚乙烯胺和聚乙烯亚胺(各具有3个将氨基官能基的氮原子分开的连续原子)不会取得所述含胺聚合物的资格。含胺聚合物可为包含含有氨基官能基的重复单元的缩聚物(例如聚氨基酰胺)。所述缩聚物可通过多胺单体与二酸单体反应来制备。优选地，共缩聚物是二亚乙基三胺/己二酸共缩聚物。含胺聚合物也可为聚氯化二烯丙基二甲基铵或包含含有一个或一个以上胺官能基的重复单元和选自由酰胺、乙酸乙烯酯、乙烯醇、环氧乙烷和环氧丙烷组成的群组的重复单元的共聚物。举例来说，含胺聚合物可为乙烯胺与乙烯醇的共聚物。
合适的含胺聚合物也包括嵌段共聚物，其具有至少一种包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段和至少一种不包含任何胺官能基的聚合物嵌段。所述含胺嵌段共聚物可为AB二嵌段、ABA三嵌段或ABC三嵌段共聚物。含胺嵌段共聚物也可为接枝共聚物。通常，包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段是含胺嵌段共聚物的10重量％或10重量％以上。优选地，包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段是含胺嵌段共聚物的20重量％或20重量％以上(例如40％或40％以上)。含胺嵌段可为任何含胺聚合物嵌段并且可具有3个或3个以上(例如5个或5个以上)将胺官能基的氮原子分开的连续原子。
合适的中止化合物进一步包括含有至少两种酸基的化合物，其中第一可分离酸的pKa值大体上不大于化学-机械抛光***的pH值。如本文中所用，如果第一可分离酸的pKa值仅仅比化学-机械抛光***的pH值大0.5个单位，那么该pKa值大体上不大于该抛光***的pH值。优选的中止化合物包括：具有两个或两个以上羧酸根基团(其中羟基在α位置上)的化合物，诸如直链单羧酸和二羧酸和其盐(例如苹果酸、苹果酸盐、酒石酸、酒石酸盐、葡糖酸和葡糖酸盐)；和含有苯环的化合物(例如邻二羟基和多羟基苯甲酸和酸式盐、邻苯二甲酸和酸式盐、邻苯二酚、连苯三酚、五倍子酸、五倍子酸盐、丹宁酸和丹宁酸盐)。
下列实例进一步说明本发明，但当然不应解释为以任何方式来限制其范畴。
                             实例1
这实例证明氧化剂在抛光***范围中对钌的抛光的作用。
使用一钌旋转圆盘电极(RDE)，在存在不同抛光组合物(抛光组合物1A-1D)的情况下，用电化学方法评价钌的溶解与腐蚀速率。所述钌电极以500rpm旋转并且以90kPa(13psi)的下压力与研磨垫保持接触。在研磨电极的表面时(溶解速率)和磨损后(腐蚀速率)评价金属溶解速率。以电流密度测量钌活性并且接着使用法拉第(Faraday)定律将它再计算成溶解速率或腐蚀速率(以/min为单位)。
各抛光组合物(除了抛光组合物1A)都含有浓度为约1N的氧化剂并且具有约1的pH值。针对各化学-机械抛光***测量了钌的溶解与腐蚀速率。结果总结在表1中。
表1：钌溶解与腐蚀速率
  抛光组合物   氧化剂 Ru溶解速率(/min)   Ru腐蚀速率(/min)
  1A(对照)   无   12.9   0.1
  1B(本发明)   HIO4   64   63
  1C(本发明)   KClO3   16.7   0.5
  1D(本发明)   KBrO3   155   51.6
所述结果证明使用本发明的方法可获得相对高的贵金属溶解速率。
                              实例2
这实例证明氧化剂对抛光在抛光***范围中的铱的作用。
使用一铱旋转圆盘电极(RDE)，在不同抛光组合物(抛光组合物2A-2E)的存在下，用电化学方法评价铱的溶解与腐蚀速率。所述铱电极以500rpm旋转并且以90kPa(13psi)的下压力与研磨垫保持接触。在研磨电极的表面时(溶解速率)和磨损后(腐蚀速率)评价金属溶解速率。以电流密度测量铱活性并且接着使用法拉第(Faraday)定律将它再计算成为溶解速率或腐蚀速率(以/min为单位)。
各抛光组合物(除了抛光组合物2A)都含有浓度为约1N的氧化剂并且具有约1的pH值。对各化学-机械抛光***测量铱的溶解与腐蚀速率。将结果总结在表2中。
表2：铱溶解与腐蚀速率
  抛光组合物   氧化剂   Ir溶解速率(/min)   Ir腐蚀速率(/min)
  2A(对照)   无   3.2   1.1
  2B(本发明)   HIO4   364   260
  2C(本发明)   KClO3   15.6   2.1
  2D(本发明)   KIO3   15.6   3.9
  2E(本发明)   KBrO3   39   2.1
所述结果证明使用本发明的方法可获得相对高的贵金属溶解速率。
                              实例3
这实例比较抛光***中的氧化剂对抛光含铱衬底的作用。
用不同的抛光组合物(抛光组合物3A-3F)抛光包含铱、氧化硅和氮化硅的类似衬底。各抛光组合物都含有4重量％二氧化硅并且具有约4的pH值。另外，各抛光组合物(除了抛光组合物3A)都含有氧化剂。将各抛光组合物3B-3F中的氧化剂的特性与浓度陈列在表3中。
对各化学-机械抛光***测定铱移除速率(RR)与晶片内不均匀性(WIWNU)，并将结果总结在表3中。
表3：铱移除速率与WIWNU测量值
  抛光组合物   氧化剂   氧化剂的量(重量％)   Ir RR(/min)   WIWNU(％)
  3A(对照)   无   -   5   38
  3B(对照)   H2O2   0.6   4   20
  3C(本发明)   NaClO4   2.2   112   21
  3D(本发明)   KIO4   0.04   148   11.1
  3E(本发明)   KBrO3   3   316   8.5
  3F(本发明)   KIO3   3.8   510   24
所述结果证明本发明的方法可用于以相对高的速率抛光一含有贵金属的衬底。特别是，当根据本发明方法抛光所述衬底时，所述贵金属的移除速率比不使用氧化剂时的移除速率大约20至100倍。本发明方法比使用过氧化氢作为氧化剂的抛光方法显示类似的增加。与未使用氧化剂的类似方法相比，本发明的方法导致晶片内不均匀性的大体降低。此外，使用抛光组合物3D与3E的本发明方法比使用过氧化氢作为氧化剂的抛光方法显示晶片内不均匀性的显著降低。

Claims (39)

1.一种抛光一衬底的方法，其包含：
(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光***接触，所述***包含：
(a)一抛光组分，其选自由一研磨剂、一抛光垫或其组合组成的群组；
(b)一氧化剂，其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组；和
(c)一液体载剂，
其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值，而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素；和
(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机-卤-氧基化合物是选自由N-氯代丁二酰亚胺、N-溴代丁二酰亚胺、N-溴乙酰胺、N-溴代二苯甲酮亚胺、三乙酸碘、三(三氟乙酸)碘、二乙酸碘苯、双(三氟乙酸)五氟碘苯、亚碘酰苯、碘酰苯、碘酰苯甲酸、其盐和其组合组成的群组。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学-机械抛光***具有7或7以下的pH值。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述化学-机械抛光***具有4或4以下的pH值。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述化学-机械抛光***具有1至4的pH值。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层包含一选自由下列各金属组成的群组的贵金属：铂、铱、铼、钌、铑、钯、银、锇、金、其氮化物、其氧化物和其合金。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属层包含钌。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含以所述液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量％至5重量％的氧化剂。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述氧化剂是溴酸盐或碘酸盐。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含一悬浮于所述液体载剂中的研磨剂并且所述研磨剂是选自由下列各物组成的群组的金属氧化物研磨剂：氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗和其组合。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属氧化物研磨剂是二氧化硅。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂，并且所述研磨剂固定在一抛光垫上。
13.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属层包含铱。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含以所述液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量％至5重量％的氧化剂。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述氧化剂是高碘酸盐。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含一悬浮于所述液体载剂中的研磨剂，并且所述研磨剂是选自由下列各物组成的群组的金属氧化物研磨剂：氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗和其组合。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属氧化物研磨剂是α-氧化铝。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂，并且所述研磨剂固定在一抛光垫上。
19.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含以所述液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量％至5重量％的氧化剂。
20.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂是溴酸盐
21.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂是碘酸盐。
22.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂是高碘酸盐。
23.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂，并且所述研磨剂悬浮于所述液体载剂中。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述液体载剂包含水。
25.根据权利要求23所述的方法，其中所述研磨剂是选自由下列各物组成的群组的金属氧化物研磨剂：氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗和其组合。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述研磨剂是二氧化硅。
27.根据权利要求1所述的方法，其中所述液体载剂包含水。
28.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂，并且所述研磨剂固定在一抛光垫上。
29.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学-机械抛光***进一步包含一络合剂。
30.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学-机械抛光***进一步包含一pH值缓冲剂。
31.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学-机械抛光***进一步包含一表面活性剂。
32.一种抛光一衬底的方法，其包含：
(i)将一包含一贵金属层和一第二层的衬底与一化学-机械抛光***接触，所述***包含：
(a)一抛光组分，其选自由一研磨剂、一抛光垫或其组合组成的群组；
(b)一氧化剂，其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组；和
(c)一中止化合物，其抑制所述第二层的移除速率；和
(d)一液体载剂，
其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值，而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素；和
(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述中止化合物是带阳离子的含氮化合物，其选自由胺、亚胺、酰胺、酰亚胺、其聚合物和其混合物组成的群组。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述中止化合物是选自由聚醚胺、聚乙烯亚胺、N-4-氨基(N，N′-双[3-氨丙基]乙二胺)、4，7，10-三氧杂十三烷-1，13-二胺、3，3-二甲基-4，4-二氨基二环己基甲烷、2-苯基乙胺、N，N-二甲基二亚丙基三胺、3-[2-甲氧基乙氧基]丙胺、二甲氨基丙胺、1，4-双(3-氨丙基)哌嗪和其混合物组成的群组。
35.根据权利要求33所述的方法，其中所述中止化合物是选自由异佛尔酮二胺、己二胺、环己基-1，3-丙二胺、thiomicamine、(氨丙基)-1，3-丙二胺、四亚乙基五胺、四甲基丁二胺、丙胺、二氨基丙醇、氨基丁醇、(2-氨基乙氧基)乙醇和其混合物组成的群组。
36.根据权利要求32所述的方法，其中所述中止化合物是含胺聚合物。
37.根据权利要求36所述的方法，其中所述含胺聚合物具有5个或5个以上将氨基官能基的氮原子分开的连续原子。
38.根据权利要求36所述的方法，其中所述含胺聚合物是含胺嵌段共聚物，其具有至少一个包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段和至少一个不包含任何胺官能基的聚合物嵌段。
39.根据权利要求32所述的方法，其中所述中止化合物含有至少两个酸基并且第一可分离酸基的pKa值大体上不大于所述化学-机械抛光***的pH值。
CNA2004800184550A 2003-06-30 2004-06-03 化学机械抛光(cmp)贵金属 Pending CN1813038A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/610,407 2003-06-30
US10/610,407 US7160807B2 (en) 2003-06-30 2003-06-30 CMP of noble metals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1813038A true CN1813038A (zh) 2006-08-02

Family

ID=33541142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004800184550A Pending CN1813038A (zh) 2003-06-30 2004-06-03 化学机械抛光(cmp)贵金属

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7160807B2 (zh)
EP (1) EP1639053B1 (zh)
JP (1) JP2007526626A (zh)
KR (1) KR101117439B1 (zh)
CN (1) CN1813038A (zh)
TW (1) TWI317753B (zh)
WO (1) WO2005005561A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012009967A1 (zh) * 2010-07-23 2012-01-26 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102414293A (zh) * 2009-04-22 2012-04-11 株式会社Lg化学 化学机械抛光用浆料
TWI399428B (zh) * 2008-08-06 2013-06-21 Hitachi Chemical Co Ltd Ｃｍｐ研磨液以及使用此ｃｍｐ研磨液的基板研磨方法
CN104650740A (zh) * 2014-12-10 2015-05-27 深圳市力合材料有限公司 一种可实现快速稳定抛光的抛光液
CN110903766A (zh) * 2018-09-18 2020-03-24 凯斯科技股份有限公司 抛光料浆组合物
US10796921B2 (en) 2009-07-16 2020-10-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP fluid and method for polishing palladium

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7563383B2 (en) * 2004-10-12 2009-07-21 Cabot Mircroelectronics Corporation CMP composition with a polymer additive for polishing noble metals
US7504044B2 (en) * 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7531105B2 (en) * 2004-11-05 2009-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7921425B2 (en) * 2005-03-14 2011-04-05 Cisco Technology, Inc. Techniques for allocating computing resources to applications in an embedded system
JP2007088209A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujifilm Corp 貴金属用研磨液、及び、化学的機械的研磨方法
US7265055B2 (en) * 2005-10-26 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium substrates
US7585340B2 (en) * 2006-04-27 2009-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing polyether amine
US7368066B2 (en) * 2006-05-31 2008-05-06 Cabot Microelectronics Corporation Gold CMP composition and method
US7776230B2 (en) 2006-08-30 2010-08-17 Cabot Microelectronics Corporation CMP system utilizing halogen adduct
US20080148649A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Zhendong Liu Ruthenium-barrier polishing slurry
SG177915A1 (en) * 2006-12-21 2012-02-28 Advanced Tech Materials Liquid cleaner for the removal of post-etch residues
US8008202B2 (en) * 2007-08-01 2011-08-30 Cabot Microelectronics Corporation Ruthenium CMP compositions and methods
CN103045099B (zh) * 2007-09-14 2015-03-25 安集微电子（上海）有限公司 用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
US20100096584A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Fujimi Corporation Polishing Composition and Polishing Method Using the Same
JP5533889B2 (ja) * 2010-02-15 2014-06-25 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法
CN104194648B (zh) * 2014-09-10 2016-07-06 句容金猴机械研究所有限公司 一种机械设备不锈钢材料抛光剂及其制备方法
JP7351839B2 (ja) * 2018-03-28 2023-09-27 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド ルテニウムバルクの化学機械研磨組成物
KR102679492B1 (ko) * 2018-11-15 2024-07-01 솔브레인 주식회사 연마 첨가제 조성물, 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 절연막의 연마 방법
US20200172761A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-04 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for silicon nitride cmp

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2687712A (en) * 1951-08-14 1954-08-31 Boeing Co Antechamber type spark plug mechanism
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
JPH10340871A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Toshiba Corp 研磨方法及び半導体装置の製造方法
US6143192A (en) * 1998-09-03 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Ruthenium and ruthenium dioxide removal method and material
US6395194B1 (en) * 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
US6290736B1 (en) * 1999-02-09 2001-09-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Chemically active slurry for the polishing of noble metals and method for same
DE19927286B4 (de) * 1999-06-15 2011-07-28 Qimonda AG, 81739 Verwendung einer Schleiflösung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Edelmetall-Oberfläche
ATE405618T1 (de) * 1999-08-13 2008-09-15 Cabot Microelectronics Corp Chemisch-mechanische poliersysteme und verfahren zu ihrer verwendung
CN100368496C (zh) * 1999-08-13 2008-02-13 卡伯特微电子公司 抛光***及其使用方法
TW490756B (en) * 1999-08-31 2002-06-11 Hitachi Ltd Method for mass production of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic components
US6332831B1 (en) * 2000-04-06 2001-12-25 Fujimi America Inc. Polishing composition and method for producing a memory hard disk
DE10024874A1 (de) * 2000-05-16 2001-11-29 Siemens Ag Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metallen und Metalloxiden
US6524168B2 (en) * 2000-06-15 2003-02-25 Rodel Holdings, Inc Composition and method for polishing semiconductors
US6589100B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-08 Cabot Microelectronics Corporation Rare earth salt/oxidizer-based CMP method
US6884723B2 (en) * 2001-12-21 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using complexing agents
US7004819B2 (en) * 2002-01-18 2006-02-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers
US6527622B1 (en) * 2002-01-22 2003-03-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
US7524346B2 (en) * 2002-01-25 2009-04-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates
US6803353B2 (en) * 2002-11-12 2004-10-12 Atofina Chemicals, Inc. Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399428B (zh) * 2008-08-06 2013-06-21 Hitachi Chemical Co Ltd Ｃｍｐ研磨液以及使用此ｃｍｐ研磨液的基板研磨方法
US8900473B2 (en) 2008-08-06 2014-12-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing solution for CMP, and method for polishing substrate using the polishing solution for CMP
CN102414293A (zh) * 2009-04-22 2012-04-11 株式会社Lg化学 化学机械抛光用浆料
US9080079B2 (en) 2009-04-22 2015-07-14 Lg Chem, Ltd. Slurry for chemical mechanical polishing
US10796921B2 (en) 2009-07-16 2020-10-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP fluid and method for polishing palladium
WO2012009967A1 (zh) * 2010-07-23 2012-01-26 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN104650740A (zh) * 2014-12-10 2015-05-27 深圳市力合材料有限公司 一种可实现快速稳定抛光的抛光液
CN110903766A (zh) * 2018-09-18 2020-03-24 凯斯科技股份有限公司 抛光料浆组合物
CN110903766B (zh) * 2018-09-18 2022-04-19 凯斯科技股份有限公司 抛光料浆组合物

Also Published As

Publication number Publication date
US20040266196A1 (en) 2004-12-30
EP1639053B1 (en) 2017-01-04
EP1639053A1 (en) 2006-03-29
JP2007526626A (ja) 2007-09-13
WO2005005561A1 (en) 2005-01-20
TW200524995A (en) 2005-08-01
KR101117439B1 (ko) 2012-02-29
KR20060030061A (ko) 2006-04-07
TWI317753B (en) 2009-12-01
US7160807B2 (en) 2007-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1813038A (zh) 化学机械抛光(cmp)贵金属
CN101040021B (zh) 用于抛光贵金属的具有聚合物添加剂的化学机械抛光组合物
TWI241339B (en) Anionic abrasive particles treated with positively-charged polyelectrolytes for CMP
JP5449180B2 (ja) ルテニウム及びタンタルバリアｃｍｐ用の組成物及び方法
KR100948225B1 (ko) 아민-함유 중합체를 사용하는 ｃｍｐ 시스템 및 방법
TWI388638B (zh) 釕化學機械研磨組合物及方法
CN1906262B (zh) 氧化形式的金属的化学机械抛光
EP3112436A1 (en) Polishing composition
CN101218378A (zh) 可控的电化学抛光方法
JP2005514778A (ja) 錯化剤を用いた、第ｖｉｉｉ族金属を含有する表面の平坦化方法
TW200804575A (en) Metal polishing composition and chemical mechanical polishing method using the same
KR20060016498A (ko) 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 가공물의연마방법
KR20190109236A (ko) 연마용 조성물, 연마용 조성물의 제조 방법, 연마 방법, 및 반도체 기판의 제조 방법
JP2008034818A (ja) 貴金属類膜研磨用研磨液及び貴金属類膜の研磨方法
JP2005515632A (ja) 酸化ガスを用いたｖｉｉｉ族金属含有表面の平坦化方法
JP2004288732A (ja) 半導体研磨用スラリー
TW202313922A (zh) 化學機械研磨用組成物及研磨方法
JP2021132076A (ja) 研磨用組成物、研磨方法、および半導体基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20060802