CN1813038A - 化学机械抛光(cmp)贵金属 - Google Patents
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- CN1813038A CN1813038A CNA2004800184550A CN200480018455A CN1813038A CN 1813038 A CN1813038 A CN 1813038A CN A2004800184550 A CNA2004800184550 A CN A2004800184550A CN 200480018455 A CN200480018455 A CN 200480018455A CN 1813038 A CN1813038 A CN 1813038A
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- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 155
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- -1 bromites Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical class Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 12
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical class OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 52
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 29
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- DKSMCEUSSQTGBK-UHFFFAOYSA-M bromite Chemical compound [O-]Br=O DKSMCEUSSQTGBK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- JGJLWPGRMCADHB-UHFFFAOYSA-N hypobromite Chemical compound Br[O-] JGJLWPGRMCADHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- AAUNBWYUJICUKP-UHFFFAOYSA-N hypoiodite Chemical compound I[O-] AAUNBWYUJICUKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 5
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 5
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JRNVZBWKYDBUCA-UHFFFAOYSA-N N-chlorosuccinimide Chemical compound ClN1C(=O)CCC1=O JRNVZBWKYDBUCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N Phenethylamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1 BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 4
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NUZMPIYYRKIQCG-UHFFFAOYSA-N C(=O)O.I(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C(=O)O.I(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 NUZMPIYYRKIQCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- LSRUBRSFDNKORM-UHFFFAOYSA-N 1,1-diaminopropan-1-ol Chemical compound CCC(N)(N)O LSRUBRSFDNKORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)OCCN JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetramethylbutane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)C(C)CCN(C)C AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCBPETKZIGVZRE-UHFFFAOYSA-N 2-aminobutan-1-ol Chemical compound CCC(N)CO JCBPETKZIGVZRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PWGVOCGNHYMDLS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)propan-1-amine Chemical compound COCCOCCCN PWGVOCGNHYMDLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[2-(3-aminopropoxy)ethoxy]ethoxy]propan-1-amine Chemical class NCCCOCCOCCOCCCN JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UVLSCMIEPPWCHZ-UHFFFAOYSA-N 3-piperazin-1-ylpropan-1-amine Chemical class NCCCN1CCNCC1 UVLSCMIEPPWCHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HHOXWPCTCQMHNN-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)I.[F] Chemical class C1(=CC=CC=C1)I.[F] HHOXWPCTCQMHNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DKSRGEHEBNUUNA-UHFFFAOYSA-N FC(C(=O)O)(F)F.[I] Chemical compound FC(C(=O)O)(F)F.[I] DKSRGEHEBNUUNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZBIKORITPGTTGI-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(phenyl)-$l^{3}-iodanyl] acetate Chemical compound CC(=O)OI(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ZBIKORITPGTTGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- SYECJBOWSGTPLU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diamine Chemical compound CCCCCC(N)N SYECJBOWSGTPLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JYJVVHFRSFVEJM-UHFFFAOYSA-N iodosobenzene Chemical compound O=IC1=CC=CC=C1 JYJVVHFRSFVEJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BDOLQESNFGCNSC-UHFFFAOYSA-N iodylbenzene Chemical compound O=I(=O)C1=CC=CC=C1 BDOLQESNFGCNSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OMKZWUPRGQMQJC-UHFFFAOYSA-N n'-[3-(dimethylamino)propyl]propane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)CCCNCCCN OMKZWUPRGQMQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VBTQNRFWXBXZQR-UHFFFAOYSA-N n-bromoacetamide Chemical compound CC(=O)NBr VBTQNRFWXBXZQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 4
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N hypobromous acid Chemical class BrO CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GEOVEUCEIQCBKH-UHFFFAOYSA-N hypoiodous acid Chemical class IO GEOVEUCEIQCBKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 5
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 5
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-L L-tartrate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-L 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 3
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940050410 gluconate Drugs 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229940049920 malate Drugs 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-L malate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C(O)CC([O-])=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 2
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 150000000177 1,2,3-triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001376 1,2,4-triazolyl group Chemical group N1N=C(N=C1)* 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical group NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical group OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002253 Tannate Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960004365 benzoic acid Drugs 0.000 description 1
- BJFLSHMHTPAZHO-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound [CH]1C=CC=C2N=NN=C21 BJFLSHMHTPAZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 229940063013 borate ion Drugs 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)azanium Chemical compound C=CC[N+](C)(C)CC=C YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLBHNVFOQLIYTH-UHFFFAOYSA-L dipotassium;2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [K+].[K+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O QLBHNVFOQLIYTH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229940009662 edetate Drugs 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical compound NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N ethyl acetate Substances CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229950006191 gluconic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N isothiazolinone Chemical compound O=C1C=CSN1 MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical class CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZONODCCBXBRQEZ-UHFFFAOYSA-N platinum tungsten Chemical compound [W].[Pt] ZONODCCBXBRQEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001596 poly (chlorostyrenes) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogen phthalate Chemical compound [K+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- JMSMHQLNRCFDIH-UHFFFAOYSA-N ruthenium yttrium Chemical compound [Y].[Y].[Y].[Ru].[Ru] JMSMHQLNRCFDIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229940086735 succinate Drugs 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L succinate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCC([O-])=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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Abstract
本发明提供一种抛光一衬底的方法,其包含:(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光***接触,所述***包含(a)抛光组分、(b)氧化剂和(c)液体载剂;和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。所述抛光组分是选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组,并且所述氧化剂是选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组。所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值,并且所述氧化剂不会产生大量的元素卤素。本发明也提供一种使用上述抛光***来抛光一包含一贵金属层和一第二层的衬底的方法,所述抛光***进一步包含一中止化合物。
Description
技术领域
本发明涉及一种抛光一包含一贵金属的衬底的方法。
背景技术
在所属领域中,用于平坦化或抛光一衬底表面的组合物和方法己为我们所熟知。抛光组合物(也称为抛光浆)通常在水溶液中含有研磨材料并且通过将一表面与用浆组合物浸透的抛光垫接触来将所述抛光组合物施用到所述表面上。典型的研磨材料包括二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆和氧化锡。举例来说,美国专利5,527,423描述一种用于通过将表面与在水介质中包含高纯度精炼纯金属氧化物颗粒的抛光浆接触来化学-机械抛光一金属层的方法。或者,可将研磨材料加入抛光垫中。美国专利5,489,233揭示具有表面纹理或图案的抛光垫的用途,并且美国专利5,958,794揭示一种固定研磨剂抛光垫。
在平坦化半导体晶片时,***面度有关,所以关键是使用会导致高抛光效率、均一性和移除速率并且会留下具有最小表面缺陷的高质量抛光的抛光组合物和方法。
制造用于半导体晶片的有效抛光***的困难源于半导体晶片的复杂性。半导体晶片通常由一衬底组成,在所述衬底上已形成复数个电晶体。通过图案化衬底中的区域和衬底上的层,来将集成电路化学地并物理地连接到衬底。为产生一可操作的半导体晶片并且将所述晶片的产率、性能和可靠性达到最大,需要抛光晶片的选定表面而不会不利影响到下面的结构或构形。事实上,如果所述方法步骤不是在已充分平坦化的晶片表面上执行,那么会在半导体制造中发生多种问题。
已将多种材料与金属合金用于形成装置之间的电连接,包括钛、氮化钛、铝-铜、铝-硅、铜、钨、铂、铂-钨、铂-锡、钌和其组合。贵金属呈现一特殊难题,在于其机械方面比较硬并且化学方面的耐受性,这使其难于有效地通过化学-机械抛光来移除。
下列专利揭示用于贵金属的抛光组合物。美国专利5,691,219揭示一种半导体存储装置,其包含一贵金属导电层和一包含用于抛光贵金属的卤基化合物的抛光组合物。美国专利6,274,063揭示用于镍衬底的抛光组合物,其包含化学蚀刻剂(例如硝酸铝)、研磨颗粒和氧化剂。美国专利6,290,736揭示一种用于贵金属的化学活性抛光组合物,其包含研磨剂和卤素的碱性水溶液。JP 63096599A2揭示一种溶解金属钌的方法。JP11121411A2揭示一种用于铂族金属(例如Ru、Pt)的抛光组合物,其包含所述铂族金属氧化物的微细颗粒。JP 1270512A2揭示一种用于贵金属的溶解溶液,其包含过氧化氢、碱金属氰化物和磷酸根离子和/或硼酸根离子。WO 00/77107A1揭示一种用于贵金属(例如Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt)的抛光组合物,其包含研磨剂、液体载剂、氧化剂和抛光添加剂,所述添加剂可包括EDTA、含氮大环化合物类(例如四氮杂环十四烷)、冠醚、卤化物、氰化物、柠檬酸、膦和磷酸盐。WO 01/44396A1揭示一种用于贵金属的抛光组合物,其包含含硫化合物、研磨颗粒和水溶性有机添加剂,所述添加剂会改善所述研磨颗粒的分散并提高金属移除速率和选择性。
然而,仍然需要在衬底的抛光和平坦化期间显示所需平坦化效率、均一性和移除速率,同时将诸如表面不完整性的缺陷度和对下面结构与构形的损坏减到最小的抛光***和抛光方法。尤其需要改良的抛光***用于抛光化学稳定和机械方面较硬的含贵金属的衬底。
本发明设法提供这样一种化学-机械抛光***和方法。从本文中所提供的发明说明来看,本发明的所述优点与其它优点将显而易见。
发明内容
本发明提供一种抛光一衬底的方法,其包含:(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光***接触,所述***包含:(a)一抛光组分;(b)一氧化剂;和(c)一液体载剂;和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。本发明也提供一种抛光一衬底的类似方法,其包含:(i)将一包含一贵金属层和一第二层的衬底与一化学-机械抛光***接触,所述***包含:(a)一抛光组分;(b)一氧化剂;(c)一液体载剂;和(d)一减低所述第二层的移除速率的中止化合物;和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。所述抛光组分是选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组,并且所述氧化剂是选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组。所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值,并且所述氧化剂不会产生大量的元素卤素。
具体实施方式
本发明提供一种抛光一衬底的方法,其包含:(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光***接触,所述***包含:(a)一抛光组分,其选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组;(b)一氧化剂,其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组;和(c)一液体载剂,其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值,而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素;和(ii)研磨所述金属层的至少一部分以抛光所述衬底。
如上所述,抛光***包含选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组的抛光组分。本文中所述的抛光***需要包含研磨剂和抛光垫。所述研磨剂可呈任何合适的形态(例如研磨颗粒)。研磨剂可被固定于抛光垫上和/或可呈颗粒形态并悬浮于液体载剂中。抛光垫可为任何合适的抛光垫。研磨剂(当悬浮于液体载剂中时)与氧化剂以及任何其它悬浮于液体载剂中的组分可形成化学-机械抛光(例如CMP)***的抛光组合物。
研磨剂可为任何合适的研磨剂。举例来说,研磨剂可为天然或合成的,并且可包含特定硬聚合物(例如聚碳酸酯)、金刚石(例如多晶金刚石)、石榴石、玻璃、金刚砂、金属氧化物、碳化物、氮化物和其类似物。研磨剂需要包含金属氧化物。合适的金属氧化物包括选自由下列各物组成的群组的金属氧化物:氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗、与其共同形成的产物和其组合。优选地,金属氧化物是选自由氧化铝、二氧化硅、二氧化铈和其组合组成的群组。更优选地,金属氧化物是氧化铝(例如α-氧化铝)。研磨颗粒通常具有20nm至500nm的平均颗粒大小(例如平均颗粒直径)。优选地,研磨颗粒具有70nm至300nm的平均颗粒大小(例如100nm至200nm)。
当研磨剂存在于抛光***中并且悬浮于液体载剂中时(意即当研磨剂是抛光组合物的组分时),可存在任何适量的研磨剂于抛光组合物中。通常,0.1重量%或0.1重量%以上(例如0.5重量%或0.5重量%以上、或1重量%或1重量%以上)的研磨剂将存在于抛光组合物中。抛光组合物中研磨剂的量通常不会超过30重量%,更通常不会超过20重量%(例如不会超过10重量%)。
当研磨剂悬浮于抛光组合物中时,抛光组合物优选地为胶态稳定的。术语胶体指的是研磨颗粒在液体载剂中的悬浮液。胶态稳定性指的是随时间流逝保持悬浮液状态。在本发明的上下文中,当将研磨剂放入一100ml的量筒中并且允许保持不搅拌历经2小时时间时,如果在这量筒的下部50ml中的颗粒浓度([B]以g/ml为单位)与在这量筒的上部50ml中的颗粒浓度([T]以g/ml为单位)之间的差值除以研磨剂组合物中的颗粒的初始浓度([C]以g/ml为单位)小于或等于0.5(意即{[B]-[T]}/[C]≤0.5),那么认为研磨剂是胶态稳定的。[B]-[T]/[C]的值需要小于或等于0.3,并且优选地小于或等于0.1。
液体载剂可用于促进研磨剂(当存在于抛光组合物中时)、氧化剂和任何其它添加剂施用到一待抛光或平坦化的合适衬底的表面上。液体载剂可为任何合适的液体载剂。通常,液体载剂是水、水与合适的水可混溶性溶剂的混合物或乳液。优选地,液体载剂包含水,基本上由水组成,或由水组成,更优选地为去离子水。
氧化剂是选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组。如本文中所用,术语“有机-卤-氧基化合物”用于指含有至少一个有机官能基、至少一个卤素原子和至少一个氧原子的氧化剂。所述有机-卤-氧基化合物的有机官能基、卤素原子和氧原子可以任何合适的方式排列,但将符合三种通式中的一种:Ra-X-Ob、Ra-Ob-X或Ob-Ra-X,其中R表示有机官能基,X表示卤素原子,并且a与b为大于或等于1的整数。合适的有机-卤-氧基化合物包括(但不限于)N-氯代丁二酰亚胺、N-溴代丁二酰亚胺、N-溴乙酰胺、N-溴代二苯甲酮亚胺、三乙酸碘、三(三氟乙酸)碘、二乙酸碘苯、双(三氟乙酸)五氟碘苯、亚碘酰苯、碘酰苯、碘酰苯甲酸(例如间碘酰苯甲酸)、其盐和其组合。优选地,氧化剂是选自由溴酸盐、碘酸盐、氯酸盐、高氯酸盐和高碘酸盐组成的群组。更优选地,氧化剂是溴酸盐、碘酸盐或高碘酸盐。在化学-机械抛光***中,氧化剂也不会产生大量的元素卤素。如本文中所用,如果平衡时的元素卤素的摩尔浓度为氧化剂的初始摩尔浓度的10%或10%以下(例如5%或5%以下、或3%或3%以下、或2%或2%以下、或1%或1%以下),那么氧化剂不会产生大量的元素卤素。
化学-机械抛光***可包含任何适量的氧化剂。通常,化学-机械抛光***包含以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量%或0.1重量%以上(例如0.2重量%或0.2重量%以上、或0.5重量%或0.5重量%以上、或1重量%或1重量%以上)的氧化剂。化学-机械抛光***通常包含以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计15重量%或15重量%以下(例如12重量%或12重量%以下、10重量%或10重量%以下、8重量%或8重量%以下、5重量%或5重量%以下)的氧化剂。
衬底的金属层可包含任何合适的贵金属。合适的贵金属包括(但不限于)铂、铱、铼、钌、铑、钯、银、锇、金、其氮化物、其氧化物和其合金。合适的合金包括(但不限于)“金属陶瓷”材料,诸如经钌稳定的氧化锆和经钌钇稳定的氧化锆(YSZ,(ZrO2)1-x(Sc2O3)x)。优选地,金属层包含钌或铱。
化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值。优选地,化学-机械抛光***具有7或7以下的pH值(例如6或6以下、5或5以下、或4或4以下)。通常,化学-机械抛光***具有1或1以上的pH值(例如2或2以上)。
化学-机械抛光***的pH值可通过任何合适的方式来达到和/或保持。更具体来说,抛光组合物可进一步包含pH值调节剂、pH值缓冲剂或其组合。所述pH值调节剂可为任何合适的pH值调节化合物。举例来说,pH值调节剂可为氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵或其组合。所述pH值缓冲剂可为任何合适的缓冲剂,例如磷酸盐、乙酸盐、溴酸盐、铵盐和其类似物。化学-机械抛光***可包含任何适量的pH值调节剂和/或pH值缓冲剂,假定所述量足以使抛光***的pH值达到和/或保持在本文所述范围内。
化学-机械抛光***视情况进一步包含螯合剂或络合剂。所述络合剂是任何合适的可提高移除中的衬底层的移除效率的化学添加剂。合适的螯合剂或络合剂可包括例如羰基化合物(例如乙酰丙酮化物和其类似物)、简单的羧酸盐(例如乙酸盐、芳基羧酸盐和其类似物)、含有一个或一个以上羟基的羧酸盐(例如羟乙酸盐、乳酸盐、葡糖酸盐、五倍子酸和其盐和其类似物)、二、三和多羧酸盐(例如草酸盐、邻苯二甲酸盐、柠檬酸盐、琥珀酸盐、酒石酸盐、苹果酸盐、乙二胺四乙酸盐(例如EDTA二钾)、其混合物和其类似物)、含有一个或一个以上磺酸基和/或膦酸基的羧酸盐和其类似物。合适的螯合剂或络合剂也可包括例如二元醇、三元醇和多元醇(例如乙二醇、邻苯二酚、连苯三酚、丹宁酸和其类似物)和含胺的化合物(例如氨、氨基酸、氨基醇、二胺、三胺和多胺和其类似物)。优选地,络合剂为羧酸盐,更优选地为草酸盐。螯合剂或络合剂的选择将取决于移除的衬底层的类型。
应认识到,许多上述化合物可以盐(例如金属盐、铵盐或类似物)、酸或部分盐的形式存在。举例来说,柠檬酸盐包括柠檬酸以及其单盐、二盐和三盐;邻苯二甲酸盐包括邻苯二甲酸以及其单盐(例如邻苯二甲酸氢钾)和二盐;高氯酸盐包括相应的酸(意即高氯酸)以及其盐。此外,特定化合物或试剂可执行一种以上的作用。举例来说,某些化合物可起螯合剂和氧化剂的作用(例如特定硝酸铁和其类似物)。
化学-机械抛光***视情况进一步包含腐蚀抑制剂(意即成膜剂)。所述腐蚀抑制剂可为任何合适的腐蚀抑制剂。通常,腐蚀抑制剂是含有含杂原子官能基的有机化合物。举例来说,所述成膜剂是具有至少一个5或6元杂环作为活性官能基的杂环有机化合物,其中所述杂环含有至少一个氮原子,例如唑化合物。优选地,成膜剂是***,更优选地为1,2,4-***、1,2,3-***或苯并***。用于抛光***中的腐蚀抑制剂的量以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计通常是0.0001重量%至3重量%(优选地是0.001重量%至2重量%)。
化学-机械抛光***视情况进一步包含表面活性剂。合适的表面活性剂可包括(例如)阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂、其混合物和类似物。优选地,抛光***包含非离子表面活性剂。合适的非离子表面活性剂的一个实例是乙二胺聚氧乙烯表面活性剂。表面活性剂的量以液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计通常是0.0001重量%至1重量%(优选地是0.001重量%至0.1重量%或0.005重量%至0.05重量%)。
化学-机械抛光***视情况进一步包含消泡剂。所述消泡剂可为任何合适的消泡剂。合适的消泡剂包括(但不限于)基于硅和基于炔二醇的消泡剂。存在于抛光组合物中的消泡剂的量通常是40ppm至140ppm。
化学-机械抛光***视情况进一步包含杀生物剂。所述杀生物剂可为任何合适的杀生物剂,例如异噻唑啉酮杀生物剂。用于抛光组合物中的杀生物剂的量通常是1至50ppm,优选地是10至20ppm。
本发明也提供一种抛光一包含一贵金属层和一第二层的衬底的方法。所述第二层与所述贵金属层不同。特别是,所述方法包含:(i)将一包含一贵金属层和一第二层的衬底与一化学-机械抛光***接触,所述***包含:(a)一抛光组分,其选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组;(b)一氧化剂,其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组;(c)中止化合物,其抑制所述第二层的移除速率;和(d)液体载剂,其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值,而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素;和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。所述抛光***的方法和组分方面如本文中另外所述,除了使用所述中止化合物来抑制存在于衬底上的第二层的移除速率之外。
中止化合物可为任何合适的抑制第二层的移除速率的化合物。合适的中止化合物包括(但不限于)带阳离子的含氮化合物,其选自由胺、亚胺、酰胺、酰亚胺、其聚合物和其混合物组成的群组。如本文中所用的术语“带阳离子”的意思是***的液体部分中的中止化合物的一部分(例如5%或5%以上、10%或10%以上、15%或15%以上、或20%或20%以上)在本发明的抛光***的运行pH值下呈阳离子形式。优选地,中止化合物具有一pKa值,其比本***液体部分的运行pH值大1个或1个以上单位。优选的中止化合物包括聚醚胺、聚乙烯亚胺、N4-氨基(N,N′-双[3-氨丙基]乙二胺)、4,7,10-三氧杂十三烷-1,13-二胺、3,3-二甲基-4,4-二氨基二环己基甲烷、2-苯基乙胺、N,N-二甲基二亚丙基三胺、3-[2-甲氧基乙氧基]丙胺、二甲氨基丙胺、1,4-双(3-氨丙基)哌嗪和其混合物。另外,优选的中止化合物包括异佛尔酮二胺、己二胺、环己基-1,3-丙二胺、thiomicamine、(氨丙基)-1,3-丙二胺、四亚乙基五胺、四甲基丁二胺、丙胺、二氨基丙醇、氨基丁醇、(2-氨基乙氧基)乙醇和其混合物。
适合用于本发明的中止化合物也包括聚合物。合适的聚合物包括(但不限于)含胺聚合物。合适的含胺聚合物优选地具有5个或5个以上将氨基官能基的氮原子分开的连续原子。举例来说,所述含胺聚合物可具有7个或7个以上(例如10个或10个以上)将氨基官能基的氮原子分开的连续原子。因此,含胺聚合物如聚乙烯胺和聚乙烯亚胺(各具有3个将氨基官能基的氮原子分开的连续原子)不会取得所述含胺聚合物的资格。含胺聚合物可为包含含有氨基官能基的重复单元的缩聚物(例如聚氨基酰胺)。所述缩聚物可通过多胺单体与二酸单体反应来制备。优选地,共缩聚物是二亚乙基三胺/己二酸共缩聚物。含胺聚合物也可为聚氯化二烯丙基二甲基铵或包含含有一个或一个以上胺官能基的重复单元和选自由酰胺、乙酸乙烯酯、乙烯醇、环氧乙烷和环氧丙烷组成的群组的重复单元的共聚物。举例来说,含胺聚合物可为乙烯胺与乙烯醇的共聚物。
合适的含胺聚合物也包括嵌段共聚物,其具有至少一种包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段和至少一种不包含任何胺官能基的聚合物嵌段。所述含胺嵌段共聚物可为AB二嵌段、ABA三嵌段或ABC三嵌段共聚物。含胺嵌段共聚物也可为接枝共聚物。通常,包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段是含胺嵌段共聚物的10重量%或10重量%以上。优选地,包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段是含胺嵌段共聚物的20重量%或20重量%以上(例如40%或40%以上)。含胺嵌段可为任何含胺聚合物嵌段并且可具有3个或3个以上(例如5个或5个以上)将胺官能基的氮原子分开的连续原子。
合适的中止化合物进一步包括含有至少两种酸基的化合物,其中第一可分离酸的pKa值大体上不大于化学-机械抛光***的pH值。如本文中所用,如果第一可分离酸的pKa值仅仅比化学-机械抛光***的pH值大0.5个单位,那么该pKa值大体上不大于该抛光***的pH值。优选的中止化合物包括:具有两个或两个以上羧酸根基团(其中羟基在α位置上)的化合物,诸如直链单羧酸和二羧酸和其盐(例如苹果酸、苹果酸盐、酒石酸、酒石酸盐、葡糖酸和葡糖酸盐);和含有苯环的化合物(例如邻二羟基和多羟基苯甲酸和酸式盐、邻苯二甲酸和酸式盐、邻苯二酚、连苯三酚、五倍子酸、五倍子酸盐、丹宁酸和丹宁酸盐)。
下列实例进一步说明本发明,但当然不应解释为以任何方式来限制其范畴。
实例1
这实例证明氧化剂在抛光***范围中对钌的抛光的作用。
使用一钌旋转圆盘电极(RDE),在存在不同抛光组合物(抛光组合物1A-1D)的情况下,用电化学方法评价钌的溶解与腐蚀速率。所述钌电极以500rpm旋转并且以90kPa(13psi)的下压力与研磨垫保持接触。在研磨电极的表面时(溶解速率)和磨损后(腐蚀速率)评价金属溶解速率。以电流密度测量钌活性并且接着使用法拉第(Faraday)定律将它再计算成溶解速率或腐蚀速率(以/min为单位)。
各抛光组合物(除了抛光组合物1A)都含有浓度为约1N的氧化剂并且具有约1的pH值。针对各化学-机械抛光***测量了钌的溶解与腐蚀速率。结果总结在表1中。
表1:钌溶解与腐蚀速率
抛光组合物 | 氧化剂 | Ru溶解速率(/min) | Ru腐蚀速率(/min) |
1A(对照) | 无 | 12.9 | 0.1 |
1B(本发明) | HIO4 | 64 | 63 |
1C(本发明) | KClO3 | 16.7 | 0.5 |
1D(本发明) | KBrO3 | 155 | 51.6 |
所述结果证明使用本发明的方法可获得相对高的贵金属溶解速率。
实例2
这实例证明氧化剂对抛光在抛光***范围中的铱的作用。
使用一铱旋转圆盘电极(RDE),在不同抛光组合物(抛光组合物2A-2E)的存在下,用电化学方法评价铱的溶解与腐蚀速率。所述铱电极以500rpm旋转并且以90kPa(13psi)的下压力与研磨垫保持接触。在研磨电极的表面时(溶解速率)和磨损后(腐蚀速率)评价金属溶解速率。以电流密度测量铱活性并且接着使用法拉第(Faraday)定律将它再计算成为溶解速率或腐蚀速率(以/min为单位)。
各抛光组合物(除了抛光组合物2A)都含有浓度为约1N的氧化剂并且具有约1的pH值。对各化学-机械抛光***测量铱的溶解与腐蚀速率。将结果总结在表2中。
表2:铱溶解与腐蚀速率
抛光组合物 | 氧化剂 | Ir溶解速率(/min) | Ir腐蚀速率(/min) |
2A(对照) | 无 | 3.2 | 1.1 |
2B(本发明) | HIO4 | 364 | 260 |
2C(本发明) | KClO3 | 15.6 | 2.1 |
2D(本发明) | KIO3 | 15.6 | 3.9 |
2E(本发明) | KBrO3 | 39 | 2.1 |
所述结果证明使用本发明的方法可获得相对高的贵金属溶解速率。
实例3
这实例比较抛光***中的氧化剂对抛光含铱衬底的作用。
用不同的抛光组合物(抛光组合物3A-3F)抛光包含铱、氧化硅和氮化硅的类似衬底。各抛光组合物都含有4重量%二氧化硅并且具有约4的pH值。另外,各抛光组合物(除了抛光组合物3A)都含有氧化剂。将各抛光组合物3B-3F中的氧化剂的特性与浓度陈列在表3中。
对各化学-机械抛光***测定铱移除速率(RR)与晶片内不均匀性(WIWNU),并将结果总结在表3中。
表3:铱移除速率与WIWNU测量值
抛光组合物 | 氧化剂 | 氧化剂的量(重量%) | Ir RR(/min) | WIWNU(%) |
3A(对照) | 无 | - | 5 | 38 |
3B(对照) | H2O2 | 0.6 | 4 | 20 |
3C(本发明) | NaClO4 | 2.2 | 112 | 21 |
3D(本发明) | KIO4 | 0.04 | 148 | 11.1 |
3E(本发明) | KBrO3 | 3 | 316 | 8.5 |
3F(本发明) | KIO3 | 3.8 | 510 | 24 |
所述结果证明本发明的方法可用于以相对高的速率抛光一含有贵金属的衬底。特别是,当根据本发明方法抛光所述衬底时,所述贵金属的移除速率比不使用氧化剂时的移除速率大约20至100倍。本发明方法比使用过氧化氢作为氧化剂的抛光方法显示类似的增加。与未使用氧化剂的类似方法相比,本发明的方法导致晶片内不均匀性的大体降低。此外,使用抛光组合物3D与3E的本发明方法比使用过氧化氢作为氧化剂的抛光方法显示晶片内不均匀性的显著降低。
Claims (39)
1.一种抛光一衬底的方法,其包含:
(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光***接触,所述***包含:
(a)一抛光组分,其选自由一研磨剂、一抛光垫或其组合组成的群组;
(b)一氧化剂,其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组;和
(c)一液体载剂,
其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值,而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素;和
(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述有机-卤-氧基化合物是选自由N-氯代丁二酰亚胺、N-溴代丁二酰亚胺、N-溴乙酰胺、N-溴代二苯甲酮亚胺、三乙酸碘、三(三氟乙酸)碘、二乙酸碘苯、双(三氟乙酸)五氟碘苯、亚碘酰苯、碘酰苯、碘酰苯甲酸、其盐和其组合组成的群组。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述化学-机械抛光***具有7或7以下的pH值。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述化学-机械抛光***具有4或4以下的pH值。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述化学-机械抛光***具有1至4的pH值。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属层包含一选自由下列各金属组成的群组的贵金属:铂、铱、铼、钌、铑、钯、银、锇、金、其氮化物、其氧化物和其合金。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述金属层包含钌。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含以所述液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量%至5重量%的氧化剂。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述氧化剂是溴酸盐或碘酸盐。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含一悬浮于所述液体载剂中的研磨剂并且所述研磨剂是选自由下列各物组成的群组的金属氧化物研磨剂:氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗和其组合。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述金属氧化物研磨剂是二氧化硅。
12.根据权利要求9所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂,并且所述研磨剂固定在一抛光垫上。
13.根据权利要求6所述的方法,其中所述金属层包含铱。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含以所述液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量%至5重量%的氧化剂。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述氧化剂是高碘酸盐。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含一悬浮于所述液体载剂中的研磨剂,并且所述研磨剂是选自由下列各物组成的群组的金属氧化物研磨剂:氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗和其组合。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述金属氧化物研磨剂是α-氧化铝。
18.根据权利要求15所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂,并且所述研磨剂固定在一抛光垫上。
19.根据权利要求1所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含以所述液体载剂和任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计0.1重量%至5重量%的氧化剂。
20.根据权利要求1所述的方法,其中所述氧化剂是溴酸盐
21.根据权利要求1所述的方法,其中所述氧化剂是碘酸盐。
22.根据权利要求1所述的方法,其中所述氧化剂是高碘酸盐。
23.根据权利要求1所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂,并且所述研磨剂悬浮于所述液体载剂中。
24.根据权利要求23所述的方法,其中所述液体载剂包含水。
25.根据权利要求23所述的方法,其中所述研磨剂是选自由下列各物组成的群组的金属氧化物研磨剂:氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锗和其组合。
26.根据权利要求25所述的方法,其中所述研磨剂是二氧化硅。
27.根据权利要求1所述的方法,其中所述液体载剂包含水。
28.根据权利要求1所述的方法,其中所述化学-机械抛光***包含一研磨剂,并且所述研磨剂固定在一抛光垫上。
29.根据权利要求1所述的方法,其中所述化学-机械抛光***进一步包含一络合剂。
30.根据权利要求1所述的方法,其中所述化学-机械抛光***进一步包含一pH值缓冲剂。
31.根据权利要求1所述的方法,其中所述化学-机械抛光***进一步包含一表面活性剂。
32.一种抛光一衬底的方法,其包含:
(i)将一包含一贵金属层和一第二层的衬底与一化学-机械抛光***接触,所述***包含:
(a)一抛光组分,其选自由一研磨剂、一抛光垫或其组合组成的群组;
(b)一氧化剂,其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组;和
(c)一中止化合物,其抑制所述第二层的移除速率;和
(d)一液体载剂,
其中所述化学-机械抛光***具有9或9以下的pH值,而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素;和
(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。
33.根据权利要求32所述的方法,其中所述中止化合物是带阳离子的含氮化合物,其选自由胺、亚胺、酰胺、酰亚胺、其聚合物和其混合物组成的群组。
34.根据权利要求33所述的方法,其中所述中止化合物是选自由聚醚胺、聚乙烯亚胺、N-4-氨基(N,N′-双[3-氨丙基]乙二胺)、4,7,10-三氧杂十三烷-1,13-二胺、3,3-二甲基-4,4-二氨基二环己基甲烷、2-苯基乙胺、N,N-二甲基二亚丙基三胺、3-[2-甲氧基乙氧基]丙胺、二甲氨基丙胺、1,4-双(3-氨丙基)哌嗪和其混合物组成的群组。
35.根据权利要求33所述的方法,其中所述中止化合物是选自由异佛尔酮二胺、己二胺、环己基-1,3-丙二胺、thiomicamine、(氨丙基)-1,3-丙二胺、四亚乙基五胺、四甲基丁二胺、丙胺、二氨基丙醇、氨基丁醇、(2-氨基乙氧基)乙醇和其混合物组成的群组。
36.根据权利要求32所述的方法,其中所述中止化合物是含胺聚合物。
37.根据权利要求36所述的方法,其中所述含胺聚合物具有5个或5个以上将氨基官能基的氮原子分开的连续原子。
38.根据权利要求36所述的方法,其中所述含胺聚合物是含胺嵌段共聚物,其具有至少一个包含一个或一个以上胺官能基的聚合物嵌段和至少一个不包含任何胺官能基的聚合物嵌段。
39.根据权利要求32所述的方法,其中所述中止化合物含有至少两个酸基并且第一可分离酸基的pKa值大体上不大于所述化学-机械抛光***的pH值。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/610,407 | 2003-06-30 | ||
US10/610,407 US7160807B2 (en) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | CMP of noble metals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1813038A true CN1813038A (zh) | 2006-08-02 |
Family
ID=33541142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2004800184550A Pending CN1813038A (zh) | 2003-06-30 | 2004-06-03 | 化学机械抛光(cmp)贵金属 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7160807B2 (zh) |
EP (1) | EP1639053B1 (zh) |
JP (1) | JP2007526626A (zh) |
KR (1) | KR101117439B1 (zh) |
CN (1) | CN1813038A (zh) |
TW (1) | TWI317753B (zh) |
WO (1) | WO2005005561A1 (zh) |
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-
2004
- 2004-06-03 KR KR1020057025218A patent/KR101117439B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-03 WO PCT/US2004/017601 patent/WO2005005561A1/en active Application Filing
- 2004-06-03 EP EP04754251.9A patent/EP1639053B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-03 CN CNA2004800184550A patent/CN1813038A/zh active Pending
- 2004-06-03 JP JP2006518637A patent/JP2007526626A/ja active Pending
- 2004-06-09 TW TW093116551A patent/TWI317753B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040266196A1 (en) | 2004-12-30 |
EP1639053B1 (en) | 2017-01-04 |
EP1639053A1 (en) | 2006-03-29 |
JP2007526626A (ja) | 2007-09-13 |
WO2005005561A1 (en) | 2005-01-20 |
TW200524995A (en) | 2005-08-01 |
KR101117439B1 (ko) | 2012-02-29 |
KR20060030061A (ko) | 2006-04-07 |
TWI317753B (en) | 2009-12-01 |
US7160807B2 (en) | 2007-01-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20060802 |