CN1768558B - 电路板的表面处理方法及电气装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电路板的表面处理方法及电气装置的制造方法，该表面处理方法是在将被构图了的金属配线层(15)由保护层(18)覆盖的状态下将电路板(10)暴露于等离子体(28)，故露出于层积膜(13)之间的基体材料(11)的表面被等离子体处理，但是金属配线层(15)不会被暴露于等离子体(28)。因此，金属配线层(15)由铜构成时，即使大气进入到产生等离子体的空间中，金属配线层(15)的表面上也不会形成硝酸铜，金属配线层(15)不会老化，故在表面处理后的电路板(10)上连接电气部件时，能够得到可靠性高的电气装置。

Description

电路板的表面处理方法及电气装置的制造方法

技术领域

本发明涉及一种电路板上搭载电器部件的技术，特别涉及一种电路板的表面处理技术。

背景技术

以往，经由粘接剂在挠性电路板之类的电路板上搭载半导体元件之前，为提高电路板和粘接剂的亲和性进行表面处理。

以往使用的表面处理方法是，将电路板配置在真空槽内，在该真空槽内形成真空环境的状态下，通过辉光放电产生等离子体，用该等离子体进行表面处理。但是，现有的辉光放电法，不仅处理装置的制造成本高，而且由于需要进行处理室内的真空排气，而使得作业时间变长。

由等离子体实施的表面处理方法有，在与大气相连接的处理室内产生等离子体，将处理对象物暴露于该等离子体的方法。采用该方法，因为产生等离子体时不需要形成真空环境，故不仅处理装置的制造成本低，而且作业时间也短(例如，参照日本专利文献1)。

但是，如果在处理室与大气相连接的状态下产生等离子体，金属配线可能会被腐蚀。特别是，金属配线由铜构成时，大气中的氮气和铜进行反应，在金属配线的表面形成硝酸铜。特别是，如果在由金属配线的窄幅部分构成的配线部上形成硝酸铜，则该配线部可能会断线。

专利文献1：特开平10-154598号公报

发明内容

本发明是为解决上述现有技术存在的问题而创造出的，其目的在于，提供一种不腐蚀金属配线而进行电路板的表面处理的技术。

为解决上述问题，本发明提供一种电路板的表面处理方法，将上述电路板的形成有层积膜之侧的表面相对于等离子体暴露过以后，将保护层从金属配线层上除去，上述电路板包括基体材料和构图成规定的平面形状、配置在上述基体材料上的上述金属配线层，上述金属配线层的至少一部分表面上配置有构图成与上述金属配线层相同的平面形状的上述保护层，由上述保护层和上述金属配线层形成上述层积膜，上述层积膜之间露出上述基体材料表面；上述金属配线层的构图是，在上述基体材料上配置了构图前的金属配线层后，使构图的保护层位于上述金属配线层上，将露出于上述保护层之间的上述金属配线层蚀刻除去。

本发明的一种表面处理方法，其特征在于，除去上述保护层后，在除去了上述保护层的金属配线层的表面与位于上述金属配线层之间的上述基体材料表面上配置粘接剂。

本发明的一种电路板的表面处理方法，其特征在于，上述金属配线层的构图是，在上述基体材料上配置了构图前的金属配线层后，使构图后的保护层位于上述金属配线层上，通过蚀刻除去在上述保护层之间露出的上述金属配线层。

本发明的一种电路板的表面处理方法，将上述电路板的配置有保护层薄膜一侧的表面暴露于等离子体，上述电路板包括基体材料和成形为规定的图案、配置在上述基体材料上的金属配线层，并且在配置有上述金属配线层一侧的面上设置有上述保护层薄膜，上述保护层薄膜的一部分被除去从而露出上述基体材料的一部分和金属配线层的一部分，而其他部分被上述保护层薄膜覆盖。

本发明中的一种电路板的表面处理方法，其特征在于，将上述电路板相对于等离子体暴露过以后，在被除去了上述保护层薄膜部分的上述金属配线层表面和露出于上述金属配线层之间的上述基体材料表面上配置粘接剂。

本发明的一种电路板的表面处理方法，其特征在于，由树脂薄膜构成上述基体材料。

本发明的一种电路板的表面处理方法，其特征在于，将上述电路板设置成跨越内部具有电极导管的处理室的第一、第二开口之间，将处理气体从上述电极导管吹向上述电路板，并向上述电极导管施加电压，在上述电路板的表面附近形成等离子体。

本发明的一种电路板的表面处理方法，其特征在于，将上述处理气体和水气一起吹向上述电路板的同时形成上述等离子体。

本发明的一种电气装置的制造方法，在将电路板的形成有层积膜之侧的表面暴露于等离子体，将保护层从金属配线层上除去后，在被除去了上述保护层的金属配线层的表面和位于上述金属配线层之间的基体材料表面上配置粘接剂，在上述电路板的配置有粘接剂的面上配置电气部件，由上述粘接剂连接上述电气部件和上述电路板，上述电路板包括上述基体材料和构图成规定的平面形状、且配置在上述基体材料上的上述金属配线层，上述金属配线层的至少一部分表面上配置有构图成与上述金属配线层相同的平面形状的上述保护层，由上述保护层和上述金属配线层形成上述层积膜，在上述层积膜之间露出上述基体材料表面；上述金属配线层的构图是，在上述基体材料上配置了构图前的金属配线层后，使构图的保护层位于上述金属配线层上，将露出于上述保护层之间的上述金属配线层蚀刻除 去。

本发明的一种电气装置的制造方法，将电路板的配置有保护层薄膜之侧的表面相对于等离子体暴露过以后，在被除去了上述保护层薄膜的部分的金属配线层表面和露出于上述金属配线层之间的基体材料表面上配置粘接剂，在上述电路板的配置有粘接剂的面上配置电气部件，由上述粘接剂连接上述电气部件和上述电路板，上述电路板包括上述基体材料和成形为规定的图案、配置在上述基体材料上的上述金属配线层，在配置有上述金属配线层之侧的面上设置有上述保护层薄膜，上述保护层薄膜的一部分被除去，露出上述电路板的一部分，其他部分被上述保护层薄膜覆盖。

本发明如上所述构成，在金属配线层的表面上形成有保护层的情况下，在将电路板的表面暴露于等离子体时，金属配线层被保护层保护，故金属配线层不会因等离子体而老化。

另外，采用本发明的表面处理方法，进行等离子体处理时不需要在所有的金属配线层上形成保护层。例如，不需要涂敷粘接剂、并且不进行等离子体处理的部分，可以露出金属配线层。

通常，如果基体材料的表面上附着有油分等污染物质，则基体材料与粘接剂的粘接性变差。采用本发明的表面处理方法，即使在电路板的制造工序中基体材料的表面上附着有污染物质，通过将露出于层积膜之间的基体材料表面暴露于等离子体，也可分解、除去污染物质，故等离子体处理后的电路板与粘接剂的粘接性变高。

采用本发明的表面处理方法，当树脂薄膜的表面被等离子体处理时，因为金属配线层被树脂层保护着，故金属配线层不会被腐蚀。另外，如果在只将金属配线层中的使用于连接的宽幅部分从保护层薄膜露出、而金属配线层的窄幅部分由保护层薄膜覆盖的状态下进行等离子体处理，因为窄幅部分不会被等离子体腐蚀，故由窄幅部分构成的金属配线层的配线部分不会断线。因此，根据本发明，能够不使金属配线层老化而进行表面处理，故如果在表面处理后的电路板上连接电气部件，则可得到连接可靠性高的电气装置。

附图说明

图1(a)～图1(g)是说明采用本发明对电路板进行表面处理的工序的剖面图。

图2(a)、(b)是说明制造电器装置的工序的剖面图。

图3是说明用于本发明表面处理方法的处理装置的一个例子的剖面图。

图4是说明用于本发明另一例子的表面处理方法的电路板的平面图。

附图标记的说明

各图中附图标记1表示处理装置、附图标记2表示电气装置、附图标记10表示电路板、附图标记11表示树脂薄膜、附图标记28表示等离子体、附图标记15表示金属配线层、附图标记20表示电气部件(半导体元件)、附图标记21表示元件主体、附图标记25表示连接端子、附图标记31表示处理室、附图标记32表示第一开口、附图标记33表示第二开口、附图标记36表示电极导管。

具体实施方式

下面参照附图说明本发明的实施方式。图1(a)的附图标记11表示由长条状的树脂薄膜构成的基体材料，该基体材料11的表面上形成有由金属薄膜构成的金属配线层14。

首先为了制作电路板，金属配线层14的表面上涂敷含有感光性树脂的抗蚀用涂敷液并经过加热而形成由树脂构成的保护层后，使用掩模对其曝光、显影，将保护层构图成规定的平面形状。

因为基体材料11比掩模长，故由一次曝光被曝光的区域有限。如果反复由使用掩模进行曝光、显影，保护层全部被曝光 显影，从而在金属配线层14上形成每个规定区域具有相同图案的保护层。

图1(b)的附图标记18表示构成为规定的平面形状的保护层，在被构图的保护层18之间露出金属配线层14的表面。

然后，通过蚀刻工序，保留保护层18并将在保护层之间露出的金属配线层14除去，直到基体材料11的表面露出为止，则金属配线层14构图成和保护层18相同的平面形状。

图1(c)的附图标记15表示构图的金属配线层，由构图的金属配线层15和基体材料11构成电路板10。金属配线层15上残留有保护层18，由构图的金属配线层15和该金属配线层15上残留的保护层18构成层积膜13时，该层积膜13之间露出基体材料11的表面。

图3的附图标记1表示在电路板10进行后述的等离子体处理的处理装置，处理装置1具有处理室31。处理室31的侧壁上形成有第一、第二开口32、33，借助第一、第二开口32、33使处理室31的内部空间与处理室31外部的大气环境相连接。

处理室31内部配置有电极导管36和下部电极37，将上述的电路板10卷成辊状安装在处理装置1中，将电路板10的外周端部从电路板10的辊拉出穿过第一开口32并以形成有层积膜13的面朝向电极导管36的状态通过电极导管36和下部电极37之间，穿过第二开口33后，在处理室31的外部被卷绕，从而电路板10成为跨越第一、第二开口32、33之间的状态。

处理室31外部配置有处理气体高压储气瓶41、添加气体高压储气瓶42、起泡器(バブラ—)45，处理气体高压储气瓶41的处理气体的一部分直接送到电极导管36，其他部分经由起泡器45送到电极导管36，添加气体高压储气瓶的添加气体直接送入电极导管36，电极导管36成为被供给有处理气体、添 加气体、在起泡器45中添加到处理气体中的水气的状态。

供给到电极导管36中的处理气体、添加气体、水气的混合气体从设置在电极导管36上的喷出口向电路板10喷出，大气被该混合气体从电路板10和电极导管36之间推出。

因为从电路板10和电极导管36之间推出的大气和残留在处理室31内部的大气一同随混合气体的流动被推出到处理室31外部，故处理室31内部的大气浓度降低。

另外，由喷出的混合气体的流动防止大气浸入到电路板10和电极导管36之间的空间，故电路板10和电极导管36之间的空间的大气浓度变得非常低。

在此状态下转动辊，使电路板10沿长度方向移动。由于第一、第二开32、33在电路板10移动时没有关闭，处理室31内部和外部的大气环境相连接，故随着电路板10的移动，向处理室31内卷进大气，但由于电路板10移动时也从电极导管36喷出混合气体，故进入到处理室31内部的大气被排出到处理室31外部。

通过电路板10的移动，当电路板10的要处理的区域位于电极导管36和下部电极37之间时，使电路板10静止。

在使电路板10静止的状态下，从电极导管36喷出混合气体的同时，在电极导管36和下部电极37之间施加电压，则在电路板10和电极导管36之间产生混合气体的等离子体。

图1(d)的附图标记28表示混合气体的等离子体，如上所述，因为层积膜13之间露出基体材料11的表面，故附在基体材料11表面的油分等污染物质通过等离子体被分解的同时、构成基体材料11的树脂和等离子体反应，在基体材料11表面上形成官能团(等离子体处理)。

在进行等离子体处理时，由于金属配线层15的表面由保护 层18覆盖着，故金属配线层15的表面由保护层18保护。因此，在金属配线层15由铜构成时，即使处理室31内部进入大气，由于等离子体，金属配线层15的表面上难以形成如硝酸铜之类的与大气成分反应而产生的反应物，金属配线层15也难以被腐蚀。

在电路板10被进行了规定时间的等离子体处理后，停止向电极导管36施加电压，结束等离子体处理。然后，移动电路板10，当电路板10的未处理区域配置在电极导管36和下部电极37之间时使电路板10静止，进行上述的等离子体处理。这样，通过反复进行等离子体处理，能够对长条状电路板10的必要的所有区域进行等离子体处理。

另外，在下部电极37上配置有固体电介质膜38，由于固体电介质膜38将下部电极37的与电极导管36相对的面全部覆盖，故进行等离子体处理时，下部电极37和电极导管36之间不产生电弧放电，也不会由于电弧放电损坏电路板10。

保护层18通过在等离子体处理工艺中被暴露于等离子体，与金属配线层15的粘接力变弱，可以由后述的除去方法容易地从金属配线层15表面除去。图1(e)表示保护层18被除去了的状态，金属配线层15的表面和位于该金属配线层15之间的基体材料11的表面露出。

作为保护层18的除去方法，可以采用使用碱蚀刻液的湿式蚀刻法等以前广泛采用的各种方法，但最好是采用对位于金属配线层15之间的基体材料11表面的被等离子体处理过的等离子体处理面的影响小的方法。

具体地说有：准备与保护层18之间的粘接力比保护层18和金属配线层15之间的粘接力大的胶带，将该胶带粘贴在保护层18的表面上后将其剥离，使保护层18转贴在胶带上，从而 将保护层18从金属配线层15剥离的方法；代替如碱性蚀刻液这样的化学活性高的蚀刻液，使如水性蚀刻液这样的化学活性低的蚀刻液接触保护层18，除去保护层18的方法等。

图1(f)的附图标记19表示粘接剂成形为薄膜状的粘接薄膜，如图1(g)所示，将该粘接薄膜19放在电路板10的配置金属配线层15之侧的面上。

接着，对在该电路板10上连接电气部件的工序进行说明。图2(a)的附图标记20表示作为电气部件的半导体元件。该半导体元件20具有元件主体21和配置在元件主体21的一面上的补片状的连接端子25，配置成半导体元件20的配置有连接端子25的面朝向电路板10上的粘接薄膜19，进行对位而使连接端子25与金属配线层15的规定位置相对后，将半导体元件20置于粘接薄膜19上。

在此状态下，将半导体元件20按压的同时对其加热，则粘接薄膜由于加热而软化，软化了的粘接薄膜19由于按压被排除，连接端子25的顶端接触到金属配线层15的表面的同时，软化的粘接薄膜19紧密粘合在金属配线层15的表面和位于金属配线层之间的基体材料11表面上。

构成粘接薄膜19的粘接剂含有环氧树脂之类的热固性树脂，如果在连接端子25接触金属配线层15的状态下进一步继续加热，则粘接薄膜19以紧密粘合在金属配线层15的表面、和位于金属配线层15之间的基体材料11的表面上的状态硬化。

位于金属配线层15之间的基体材料11的表面，通过上述的等离子体处理不仅被除去了污染物质，而且在其表面形成官能团。例如，基体材料11由聚酰亚胺树脂构成时，基体材料11暴露于混合气体等离子体时，在基体材料11的表面上聚酰亚胺树脂和混合气体中的水气反应，形成羟基(-OH)、羧基(- COOH)、羰基(O＝CH)等官能团。

因为这样的官能团与构成粘接薄膜19的粘接剂的亲和性高，故基体材料11与粘接薄膜19的粘接性高，结果，半导体元件20牢固地粘贴在电路板10上。

图2(b)的附图标记2表示电路板10上粘贴有半导体元件20的状态的电气装置，该电气装置2的电路板10不容易被剥离，另外如上所述，电路板10的金属配线层15在等离子体处理时不会被腐蚀，故电气可靠性也高。

以上关于在构图前的金属配线层14上配置保护层18，进行该金属配线层14的构图而形成层积膜13的情况进行了说明，但是本发明并不被限定于上述情况，例如，也可以是在使构图后的金属配线层位于基体材料11上后，在该金属配线层上配置构图成和金属配线层大致相等的形状的保护层18，形成层积膜13后，进行上述的等离子体处理。

另外，保护层18不限于由树脂构成，只要在等离子体处理后能够从金属配线层上除去，也可以由陶瓷、金属等各种材料构成保护层18。

以上关于以保护层18覆盖金属配线层15的状态进行等离子体处理的情况进行了说明，但本发明不限于此。图4的附图标记50表示本发明另一用于表面处理方法中的电路板。该电路板50包括由树脂薄膜构成的基体材料51和配置在基体材料51表面上的金属配线层55，基体材料51的配置金属配线层55之侧的面上粘贴有由树脂构成的保护层薄膜52。

金属配线层55被构图，形成窄幅部分56和宽幅部分57，宽幅部分57上连接有窄幅部分56的一端。保护层薄膜52粘贴在电路板50的配置金属配线层55之侧的面上后，为使各宽幅部分57的至少一部分露出而切掉一部分保护层薄膜52，形成 开59(半切)，开59内露出有宽幅部分57的表面和位于宽幅部分57周围的基体材料51的表面，但是金属配线层55的窄幅部分56成为被保护层薄膜52覆盖的状态。

为了对该电路板50进行表面处理，如果将该电路板50配置成跨越上述的处理装置1的第一、第二开32、33之间，以处理室31内部与大气环境相连接的状态，从电极导管36向电路板50喷出处理气体、水气、添加气体的混合气体的同时，产生混合气体的等离子体，则从在开59底面露出的基体材料51的表面除去污染物质的同时，构成基体材料51的树脂与等离子体反应，在基体材料51的表面上形成官能团。

此时，金属配线层55的窄幅部分56被保护层薄膜52覆盖。因此，在金属配线层55由铜构成时，即使处理室31内部进入大气，在窄幅部分56的表面也不会形成如硝酸铜这样的与大气成分反应而产生的反应物，窄幅部分56也不会断线。

在进行等离子体处理后，如果在电路板10的形成有开口59的部分配置粘接剂，如上所述，能够将如半导体元件20那样的电气部件连接在电路板50上。此时，开59所处的部分的基体材料51通过等离子体处理不仅除去污染物质，而且由于基体材料51的表面上形成有官能团，故粘接剂和基体材料51的粘接性高，半导体元件20被牢固地固定于电路板20。另外，如上所述，由于窄幅部分56在等离子体处理中不会断线，故能够得到连接可靠性高的电气装置。

以上对在电路板50上粘贴保护层薄膜50后，除去保护层薄膜52的一部分形成开59的情况进行了说明，但是本发明不仅限于此，也可以预先在保护层薄膜形成开口，将该保护层薄膜粘贴在电路板的配置有金属配线层之侧的面上以使该开口底面露出宽幅部分。

以上对将固体电介质膜38只设置在下部电极37侧的情况进行了说明，但是固体电介质膜也可以设置在例如电极导管36侧、或者下部电极37侧和电极导管36侧这两侧。作为处理气体，可以使用如氩气、氦气、氙气之类的各种稀有气体。

例如，作为添加气体如果使用氧气，形成等离子体时的放电稳定性得到提高。添加气体不限于氧气，只要是在电极导管施加电压时，不聚合但在基体材料11的表面引起化学反应的气体，如氢气、氮气等各种反应性气体均可使用。

另外，也可以不使用添加气体，将处理气体和水气的混合气体从电极导管36向电路板喷出的同时进行等离子体处理。

以上对使用粘接剂成形为薄膜状的粘接薄膜19制造电气装置2的情况进行了说明，但是本发明不限于此，也可以将糊状的粘接剂涂敷在电路板10和半导体元件20的任一方或者两方上，由该粘接剂将电路板10和半导体元件20粘贴在一起，制造电气装置2。

构成基体材料11的树脂不限于聚酰亚胺树脂，也可以由聚酯树脂等各种树脂构成基体材料11。基体材料11不限于树脂薄膜，也可以使用玻璃基板等各种材质。基体材料11由具有可挠性的树脂薄膜构成，且金属配线层的膜厚薄到不损坏基体材料11的可挠性的程度时，整个电路板10具有挠性，成为所谓的挠性电路板。

粘贴在电路板10上的电气部件不限于半导体元件20，例如也可以粘贴如其他的挠性电路板、刚性衬底等各种电气部件构成电气装置2。

用于本发明电气装置的制造方法的粘接剂不限于特别的粘接剂，但是如果考虑电气装置2的连接可靠性，则最好使用在粘接剂中有分散导电性粒子的各向异性导电性粘接剂。

用于粘接剂的热固性树脂不限于环氧树脂，也可以使用三聚氰胺树脂、酚醛树脂等各种树脂。另外，也可以在粘接剂中添加热塑性树脂等热固性树脂以外的树脂、老化防止剂、着色剂等添加剂。另外，作为粘接剂除了含有热固性树脂的粘接剂以外，也可以使用含有丙烯树脂之类的光聚合性树脂的粘接剂。

以上对金属配线层15由铜构成的情况进行了说明，但是本发明不限于此，也可以由铝、合金等各种导电性材料构成金属配线层15。

金属配线层例如由在基体材料11的表面上通过蒸镀法等成膜方法形成的金属薄膜构成。另外，也可以是，由金属箔构成金属配线层，在该金属箔的表面上涂敷、烧结树脂组成物，构成由树脂薄膜构成的基体材料11。

以上，对即使在电路板10移动时也从电极导管36喷出混合气体的情况进行了说明，但是本发明不限于此，为了节约混合气体的消耗量、降低制造成本，也可以是在电路板10移动时停止混合气体的喷出，当电路板10停止移动时再开始喷出混合气体。

另外，也可以在本发明中使用的处理室31上连接排气***，一边由该排气***对处理室31内部进行排气一边喷出混合气体，由混合气体调整从处理室31内部排出的排气量。

Claims (11)

1.一种电路板的表面处理方法，

在将上述电路板的形成层积膜之侧的表面相对于等离子体暴露过以后，

从金属配线层上除去保护层，

上述电路板包括基体材料和构图成规定的平面形状、并配置在上述基体材料上的上述金属配线层，在上述金属配线层的至少一部分表面上配置有构图成与上述金属配线层相同的平面形状的上述保护层，由上述保护层和上述金属配线层形成上述层积膜，在上述层积膜之间露出上述基体材料表面；

上述金属配线层的构图是，在上述基体材料上配置了构图前的金属配线层后，使构图的保护层位于上述金属配线层上，将露出于上述保护层之间的上述金属配线层蚀刻除去。

2.如权利要求1所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，在除去了上述保护层后，在被除去了上述保护层的金属配线层的表面和位于上述金属配线层之间的上述基体材料表面上配置粘接剂。

3.如权利要求1或2所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，由树脂薄膜构成上述基体材料。

4.如权利要求1或2所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，将上述电路板设置成跨越内部具有电极导管的处理室的第一、第二开口之间，将处理气体从上述电极导管吹到上述电路板上，并向上述电极导管施加电压，在上述电路板的表面附近形成等离子体。

5.如权利要求4所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，将上述处理气体和水气一起吹到上述电路板上的同时、形成上述等离子体。

6.一种电路板的表面处理方法，

将上述电路板的配置有保护层薄膜之侧的表面暴露于等离子体下，上述电路板包括基体材料和成形为规定的图案、配置在上述基体材料上的金属配线层，并在配置有上述金属配线层之侧的面上设置有上述保护层薄膜，上述保护层薄膜的一部分被除去而露出上述基体材料的一部分和金属配线层的一部分，其他部分被上述保护层薄膜覆盖。

7.如权利要求6所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，在将上述电路板相对于等离子体暴露过以后，上述保护层薄膜被除去，上述金属配线层表面和露出于上述金属配线层之间的上述基体材料表面上配置有粘接剂。

8.如权利要求6或7所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，由树脂薄膜构成上述基体材料。

9.如权利要求6或7所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，将上述电路板设置成跨越内部具有电极导管的处理室的第一、第二开口之间，将处理气体从上述电极导管吹到上述电路板上，并向上述电极导管施加电压，在上述电路板的表面附近形成等离子体。

10.如权利要求9所述的电路板的表面处理方法，其特征在于，将上述处理气体和水气一起吹到上述电路板上的同时、形成上述等离子体。

11.一种电气装置的制造方法，

将电路板的形成层积膜之侧的表面暴露于等离子体下，

将保护层从金属配线层上除去后，

在除去了上述保护层的金属配线层的表面和位于上述金属配线层之间的基体材料表面上配置粘接剂，

上述电路板的配置有粘接剂的面上配置电气部件，经由上述粘接剂连接上述电气部件和上述电路板，

上述电路板包括上述基体材料和构图成规定的平面形状、并配置在上述基体材料上的上述金属配线层，上述金属配线层的至少一部分表面上配置有构图成与上述金属配线层相同的平面形状的上述保护层，由上述保护层和上述金属配线层形成上述层积膜，在上述层积膜之间露出上述基体材料表面；

上述金属配线层的构图是，在上述基体材料上配置了构图前的金属配线层后，使构图的保护层位于上述金属配线层上，将露出于上述保护层之间的上述金属配线层蚀刻除去。

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