CN1750738A - 布线电路基板 - Google Patents

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Abstract

为了提供具备能够在防止端子部之间的短路的同时，确保大的连接面积，并且能够通过熔融金属与外部端子切实连接的端子部的布线电路基板，在支持基板2上，按照在形成外部侧连接端子部8的部分形成绝缘凹部13的要求，形成基础绝缘层3，在该基础绝缘层3上，按照一体设置多条布线4a、4b、4c、4d、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8，并且在各外部侧连接端子部8形成导体凹部9的要求，形成导体图形4。之后，在基础绝缘层3上，按照露出各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的要求，形成覆盖绝缘层10。在该带电路悬置式基板1中，即使通过焊球21将各外部侧连接端子部8与读·写基板的连接端子连接，也能够确保切实连接。

Description

布线电路基板
技术领域
本发明涉及布线电路基板，具体涉及具备通过熔融金属与外部端子连接的端子部的布线电路基板。
技术背景
布线电路基板中，与外部端子连接的端子部通常作为导体图形的一部分设置。
为了将外部端子连接在这样的端子部，例如使用焊球等熔融金属，在端子部的表面设置焊球，通过将焊球熔融与外部端子进行连接。
可是，如果端子部的表面是平坦的，则焊球会滚动，因此，例如提出在形成在基板上电极(端子部)的中央设置空穴部，能够稳定地搭载焊球的方案(例如，参考日本特许公开公报平11-266066号)。
还有一种方案，即在这种形成环状的电极上镀焊锡，层叠环状的焊锡镀层，确保焊球的大的连接面积(例如，参考日本特许公开公报平11-266066号公报)。
可是，在日本特许公开公报平11-266066号公报中记载的环状电极中，基板从空穴部的下端露出，因此，即使在空穴部设置焊球，也只能确保和该空穴部的周围的电极电气连接的面积，往往连接面积不够。
此外，虽然在形成环状的电极上如层叠环状的焊锡镀层，就能确保更大的连接面积，但焊锡镀层随着焊球的熔融而熔融，尤其在导体图形是微细时，常常会由于焊锡流出，导致电极之间发生短路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具备能够在防止端子部之间的短路的同时，确保大的连接面积，并且能够通过熔融金属与外部端子切实连接的端子部的布线电路基板。
本发明的布线电路基板的特征是，在具备绝缘层和在前述绝缘层上形成的导体图形的布线电路基板中，前述导体图形包含通过熔融金属与外部端子连接用的端子部，在前述端子部，接受上述熔融金属的凹部与上述导体图形形成为一体。
在本发明的布线电路基板中，较好是在绝缘层的与设置有上述导体图形的一面相对一侧的另一面上，设置有金属支持层。
在本发明的布线电路基板中，在端子部，接受熔融金属的凹部与导体图形一体形成。因此，如将熔融金属设置在凹部，就能够利用凹部保持熔融金属，同时通过凹部的内周面、连接在该内周面的下端的底面确保与熔融后的熔融金属的电气连接面积。其结果是，能够确保大的连接面积。另外，因凹部与导体图形一体形成，可防止随着熔融金属的熔融而熔融。其结果是，能够防止端子部之间的短路。
附图说明
图1是显示本发明的布线电路基板的一实施方式的的带电路悬置式基板的立体图。
图2是显示图1所示的带电路悬置式基板的制造方法的一实施方式的工序图，
(a)是准备支持基板的工序图；
(b)是在支持基板上，按照规定图形形成基础绝缘层的工序图；
(c)是在基础绝缘层上形成导体图形的工序图；
(d)是在基础绝缘层上，按照规定图形形成覆盖绝缘层的工序图；
(e)是在各磁头侧连接端子部和各外部侧连接端子部形成电镀层的工序图。
图3是在图2所示的支承板上形成基础绝缘层的详细工序图，
(a)是在支承基板的整个面上形成感光性聚酰亚胺树脂的前驱体的表面表面薄膜的工序图；
(b)是通过光掩膜使表面表面薄膜曝光的工序图；
(c)是使表面表面薄膜显影的工序图；
(d)是使表面薄膜固化，形成聚酰亚胺树脂构成的基础绝缘层的工序图。
图4是在图2所示的基础绝缘层上形成导体图形的详细工序图，
(a)是在从基础绝缘层露出的支持基板的表面和基础绝缘层的整个面上形成金属薄膜的工序图；
(b)是在金属薄膜表面，按照导体图形的反转图形形成抗镀层的工序图；
(c)是在从抗镀层露出的金属薄膜的表面上形成导体图形的工序图；
(d)是除去抗镀层的工序图；
(e)是除去从导体图形露出的金属薄膜的工序图。
图5是在图2所示的基础绝缘层上，按照规定图形形成覆盖绝缘层的详细工序图，
(a)是在含有导体图形的基础绝缘层和支持基板的整个面上形成感光性聚酰亚胺树脂的前驱体的表面薄膜的工序图；
(b)是通过光掩膜使表面薄膜曝光的工序图；
(c)是使表面薄膜显影的工序图；
(d)是使表面薄膜固化，形成由聚酰亚胺树脂构成的覆盖绝缘层的工序图。
图6是图1所示的带电路悬置式基板的外部侧连接端子部放大截面图。
图7是显示本发明的布线电路基板的一实施方式的单面挠性布线电路基板的的截面图。
图8是显示比较例1的带电路悬置式基板制造方法的工序图，
(a)是准备支持基板的工序；
(b)是在支持基板上，以规定图形形成基础绝缘层的工序；
(c)是在基础绝缘层上形成导体图形的工序；
(d)是在基础绝缘层上，按照规定图形形成覆盖绝缘层的工序；
(e)是在各磁头侧的连接端子部和各外部侧连接端子部形成电镀层的工序。
图9是显示比较例2的带电路悬置式基板制造方法的工序图，
(a)是准备支持基板的工序；
(b)是在支持基板上，按照规定图形形成基础绝缘层的工序；
(c)是在基础绝缘层上形成导体图形的工序；
(d)是在基础绝缘层上，按照规定图形形成覆盖绝缘层的工序；
(e)是在各磁头侧的连接端子部和各外部侧连接端子部形成电镀层的工序图。
具体实施方式
图1是显示本发明的布线电路基板的一实施方式的带电路悬置式基板的立体图。
在图1中，该带电路悬置式基板1是，安装驱动硬盘用的磁头(未图示)，承受该磁头与磁盘相对移动时的气流，在磁头与磁盘之间保持微小间隔，支持磁头的部件，磁头与读·写基板连接用的导体图形4一体形成。
该带电路悬置式基板1中，在作为金属支持层的支持基板2上形成作为绝缘层的基础绝缘层3，在该基础绝缘层3上形成导体图形4。
支持基板2，由纵向伸长的薄板构成，在其前端部形成安装磁头用的万向架5，并且，在其后端部，按照在宽度方向(支持基板2的纵向正交的方向)一方侧外突那样，形成端子配置部6，其用于沿着支持基板2纵向配置后述的各外部侧连接端子8。
基础绝缘层3，是以包括在支持基板2形成的导体图形4的部分在内的规定的图形形成的。
导体图形4，整体设置多条布线4a、4b、4c、4d、磁头侧连接端子7、作为端子部的外部侧连接端子8。多条布线4a、4b、4c、4d沿着支持基板2的纵向伸长，在其宽度方向相互间隔并列配置。
磁头侧连接端子7，配置在支持基板2的前端部，对应各布线4a、4b、4c、4d分别设置的。各磁头侧连接端子7从各布线4a、4b、4c、4d的尖端部连续、一体形成的，沿着支持基板2的宽度方向相互隔开间隔配置，在该磁头侧的连接端子7安装磁头(未图示)。
外部侧连接端子8，是支持基板2的后端部，配置在端子配置部6，对应各布线4a、4b、4c、4d分别设置。各外部侧连接端子8是从各布线4a、4b、4c、4d的后端部连续、一体形成的，沿着支持基板2的纵向方向相互间隔配置的。在该外部侧连接端子8，通过作为熔融金属的焊球21(参照图6)与作为外部端子的读·写基板的连接端子(未图示)连接。
各外部侧连接端子8，俯视呈近正方形，形成作为接受焊球21的凹部的导体凹部9。该导体凹部9，俯视呈近圆形，与导体图形4一体形成。
另外，在图1中，未图示，但在基础绝缘层层3上，按照覆盖导体图形4那样，以规定的图形形成覆盖绝缘层10(参照图2(d))。
接着，参照图2～图5说明该带电路悬置式基板1的制造方法。在图2～图5中，以沿着支持基板2的纵向的截面表示支持基板2的端子配置部6。
在该方法中，首先如图2(a)所示那样，准备支持基板2。支持基板2采用金属箔或金属薄板，金属箔或金属薄板的金属，使用例如不锈钢、42合金、铝、铜-铍、磷青铜等。从刚性、耐蚀性及加工性的观点来说，较好的是采用不锈钢。并且，支持基板2的厚度，例如是10～100μm，较好的是18～30μm，其宽度，例如是50～500mm，较好的是125～300mm。
接着，在该方法中，如图2(b)所示那样，在支持基板2上，按照规定的图形形成基础绝缘层3。
对形成绝缘层3用的绝缘材料，不特别限制，例如使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺亚胺树脂、聚丙烯酸树脂、聚醚腈树脂、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚氯乙烯树脂等的合成树脂。这些树脂中，从耐热性和耐化学腐蚀性的观点来说，使用聚酰亚胺树脂较好。从图形的微细加工性来说，较好的是使用感光性合成树脂，更好的是使用感光性聚酰亚胺树脂。
例如，使用感光性聚酰亚胺树脂，在支持基板2上按照规定的图形形成基础绝缘层3时，首先，如图3(a)所示那样，将感光性聚酰亚胺树脂的前驱体(感光性聚酰胺酸树脂)的溶液涂敷在支持基板2的整个面后，例如在60～150℃加热，较好的是在80～120℃加热，形成感光性聚酰亚胺树脂的前驱体的表面薄膜11。
接着，如图3(b)所示那样，将该表面薄膜11通过光掩膜12进行曝光。光掩膜12按照规定的图形具备遮光部分12a、全光透过部分12b、及光半透过部分12c。遮光部分12a使光完全不透过，全光透过部分12b，使光全部透过，光半透过部分12c，相对光全透过100％，以10～90％的范围适当选择的透过率使光透过，较好的是从30～60％的范围适当选择的透过率使光透过。
然后，按照对支持基板2上的不形成基础绝缘层3的部分，遮光部分12a对向，对支持基板2上的形成基础绝缘层3的部分，光全透过部分12b对向，而且，对形成各外部侧连接端子8的导体凹部9的部分，光半透过部分12c对向那样，对表面薄膜11对向配置光掩膜12。
通过光掩膜12照射的光(照射光)，其曝光波长例如是300～450nm，较好的是350～420nm，其曝光累计光量是100～2000mJ/cm2。
接着，如图3(c)所示那样，对经曝光的表面薄膜11根据需要加热到规定温度后进行显影。经照射的表面薄膜11的曝光部分，例如，加热130℃以上，但不到150℃，因此，在下一显影工序中可以溶化(正型)，而例如在150℃以上、200℃以下加热，则在下一显影中不溶化(负型)。
在显影中，例如使用碱显影溶液等众所周知的显影溶液，并使用浸渍法、喷涂法等众所周知的方法。另外，在该方法中，以负型形成图形较好，在图3中，以负型形成图形。
通过显影，表面薄膜11按照光掩膜12的遮光部分12a对向的周缘部分溶解，支持基板2的周缘部露出，并且，形成光掩膜12的光半透过部分12c对向的导体凹部9的部分一部分溶解，形成该部分的厚度比光全透过部分12b对向的部分的厚度还要薄那样，形成为规定的图形。
而且，如图3(d)所示那样，将形成规定图形的表面薄膜11最终加热到例如250℃以上，使之固化(酰亚胺化)。由此，由聚酰亚胺树脂组成的基础绝缘层3，形成为露出支持基板2的周缘部分，并且，在形成导体凹部9的部分，形成厚度比其它部分薄的绝缘凹部13那样的规定的图形。另外，绝缘凹部13分别与形成各导体凹部9的部分对应，形成为俯视近似圆形的形状。
不使用感光性合成树脂时，例如，在支持基板2上，按照前述的图形涂敷合成树脂，或根据需要通过粘接剂层粘贴着预先加工成前述图形的干膜。
这样形成的基础绝缘层3的厚度，例如是5～20μm，较好的是7～15μm。
接着，在该方法中，如图2(c)所示那样，形成导体图形4。形成导体图形4的材料，不特别限制，例如使用铜、镍、金、焊锡、或这些金属的合金等，从导电性、廉价性及加工性来说，较好的是使用铜。
导体图形4的形成，使用减层法、添加法等众所周知的图形制作法。为了以微小间距精细地形成导体图形4，较好的是使用添加法。
使用添加法，首先，如图4(a)所示那样，在从基础绝缘层3露出的支持基板2的表面和基础绝缘层3的整个面，作为种膜，形成金属薄膜14。形成金属薄膜14用的金属材料，例如使用铬、镍、铜及这些金属的合金。金属薄膜14的形成不作特别限制，例如使用溅射法法等的真空蒸镀法。金属薄膜14的厚度，例如是100～2000。金属薄膜14，也能够以例如依次用溅射法法形成铬表面薄膜和铜表面薄膜等多层形成。
接着，在添加法中，如图4(b)所示那样，在金属薄膜14的表面，按照导体图形的反转图形形成抗镀膜15。更加具体的说，抗镀膜15，按照露出多条布线4a、4b、4c、4d、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8对应的部分的金属薄膜14那样，在支持基板2的表面和金属薄膜14的表面形成。
抗镀膜15，例如用干膜抗镀层等，使用众所周知的方法，以前述导体图形的反转图形的形式形成。
接着，在添加法中，如图4(c)所示那样，在从抗镀膜15露出的金属薄膜14的表面形成导体图形4。导体图形4的形成，不作特别限制，例如使用电镀，较好的是用电解铜镀。
之后，如图4(d)所示那样，除去抗镀膜15。抗镀膜15的除去，例如用化学腐蚀(湿腐蚀)法等众所周知腐蚀法，或者剥离。
然后，如图4(e)所示那样，除去从导体图形4露出的金属薄膜14。金属薄膜14的除去，例如使用化学腐蚀(湿腐蚀)。
由此，作为导体图形14，如图1所示那样，多条布线4a、4b、4c、4d、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8一体形成。另外，在图1中，图4所示的金属薄膜14省略。
导体图形14的厚度，例如是5～20μm，较好的是7～15μm，各布线4a、4b、4c、4d的宽，例如是5～500μm，较好的是10～200μm，各布线4a、4b、4c、4d之间的间隔，例如是5～500μm，较好的是10～200μm。
各外部侧连接端子部8的宽度(从沿着支持基板2的纵向的方向的覆盖绝缘层10露出的部分的宽度)W1(参照图6)，例如是80～1100μm，较好的是120～540μm，各外部侧连接端子部8之间的间隔W2(参照图6)，例如是80～1500μm，较好的是120～500μm。
在各外部侧连接端子部8中，对应各绝缘凹部13，形成向基础绝缘层3凹下的导体凹部9。导体凹部9的直径L(参照图6)，例如是50～1000μm，较好的是100～500μm，其深度D(从表面到最深部的深度)(参照图6)，相对基础绝缘层3的厚度，例如是10～90％，较好的是20～60％。
另外，在导体图形4的表面，以后利用化学镀镍形成镍镀层(未图示)，以保护导体图形4是合适的。
接着，在该方法中，如图2(d)所示那样，在基础绝缘层3上，按照在导体图形4内覆盖各布线4a、4b、4c、4d，并且，使各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8露出那样，以规定的图形形成覆盖绝缘层10。
形成覆盖绝缘层10用的绝缘材料，使用与绝缘层3同样的绝缘材料，较好的是使用感光性聚酰亚胺树脂。
然后，例如使用感光性聚酰亚胺树脂，在基础绝缘层3上以规定的图形形成覆盖绝缘层10时，首先如图5(a)所示那样，将感光性聚酰亚胺树脂的前驱体(感光性聚酰胺酸树脂)的溶液涂敷在包括导体图形4的基础绝缘层3，以及支持基板2的整个面后，例如在60～150℃进行加热，较好的是在80～120℃进行加热，形成感光性聚酰亚胺树脂的前驱体的表面薄膜16。
接着，如图5(b)所示那样，将该表面薄膜16通过光掩膜17进行曝光。光掩膜17按照规定的图形具备遮光部分17a及光全透过部分17b。
然后，按照对在支持基板2的不形成基础绝缘层3的部分，各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的对应部分，遮光部分17a对向，在包含各布线4a、4b、4c、4d在内的基础绝缘层3中形成覆盖绝缘层10的部分，光全透过部分17b对向那样，对表面薄膜16对向配置光掩膜17。接着，与前述的表面薄膜11的曝光同样进行曝光。
接着，如图5(c)所示那样，与前述表面薄膜11显影同样，对被曝光的表面薄膜16进行显影。另外，在图5中，用负片型形成图形。
通过显影，表面薄膜16形成为规定的图形，即在光掩膜17的遮光部分17a对向的支持基板2的不形成基础绝缘层3的部分、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8对应的部分溶解，形成为露出支持基板2的周缘部、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的规定的图形。
而且，如图5(d)所示那样，对形成规定图形的表面薄膜16例如最终加热到250℃以上，使之固化(亚胺化)。由此，将聚酰亚胺树脂构成的覆盖绝缘层10形成为覆盖各布线4a、4b、4c、4d，并且，露出各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8那样的、规定的图形。
另外，在不使用感光性合成树脂时，例如，在基础绝缘层3上按照前述图形涂敷合成树脂，或者根据需要，通过粘接剂层贴着预先加工成前述规定图形的干膜。
另外，覆盖绝缘层10的厚度，例如是1～30μm，较好的是2～20μm。
之后，在该方法中，如图2(e)所示那样，在各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8，形成覆盖保护这些表面用的电镀层18。对形成电镀层18用的电镀材料不作特别限制，例如选用镍、金等。
并且，电镀层18的形成，例如使用电镀或化学镀。而且，电镀层18，通过依次镀镍及镀金，也能够以多层形式形成。电镀层18的厚度，例如，在是镀镍层时，例如是0.3～5μm，在是镀金层时，例如是0.05～5μm。
在各外部侧连接端子部8，对应各导体凹部9，电镀层18形成为向基础绝缘层3侧凹下样子。
然后，对支持基板2使用化学腐蚀等众所周知的方法，随着万向架5的切下进行外形加工、清洗及干燥，就得到如图1所示那样的带电路悬置式基板1。另外，支持基板2的外形加工，也可以在电镀层18形成前进行。
在这样得到的带电路悬置式基板1中，在各外部侧连接端子部8中，如图6所示那样，导体凹部9与导体图形4一体形成。因此，通过焊球21连接各外部侧连接端子部8与读·写基板的连接端子(未图示)时，如焊球21设置在导体凹部9内，就能够在该导体凹部9内稳定保持焊球21。而且，利用导体凹部9的内周面19和连续到该内周面19下端的底面20，就能够确保与熔融的焊球21的电气连接面积。其结果是，能够确保大的连接面积。而且，导体凹部9与导体图形4一体形成的，因此，能够防止随着焊球21的熔融而发生熔融。其结果是，即使以微小间距精细地形成导体图形4，也能够有效防止导体凹部9由于熔融流出，在各外部侧连接端子部8间发生短路。
另外，各外部侧连接端子部8与读·写基板的连接端子(未图示)通过焊球21的连接，按照在各外部侧连接端子部8的导体凹部9内，设置焊球21，使读·写基板的连接端子(未图示)与各外部侧连接端子部8的导体凹部9对向配置，以与该焊球21接触，例如，由于搬送引起的软溶、或激光热引起的熔融等，使焊球21熔融。
另外，在上述说明中，将各外部侧连接端子8形成为俯视呈近似正方形的形状，将各导体凹部9形成为俯视近圆形，但这些各外部侧连接端子8和各导体凹部9的形状，不特别限制，能够按照目的、用途适当选择。例如，也可以将各导体凹部9形成俯视呈略矩形，此时，一边的长度，例如是50～1000μm，较好的是100～500μm。
在上述说明中，本发明的布线电路基板是以带电路悬置式基板1例示说明的，但在本发明的布线电路基板中，包含单面挠性布线电路基板、两面挠性布线电路基板、多层挠性电路基板等。
在上述说明中，在基础绝缘层3形成绝缘凹部13，将导体凹部9形成为与该绝缘凹部13对应那样，但也可以在基础绝缘层3不形成绝缘凹部13，只形成导体凹部9。
例如，在图7中，例示具备形成那样导体凹部35的端子部33的单面挠性布线电路基板31。
在图7中，该单面挠性布线电路基板31中，形成平板状基础绝缘层32、在该基础绝缘层32上形成与导体图形一体形成的多只端子部33，而且，按照覆盖导体图形、并露出各端子部33那样，在基础绝缘层32上形成覆盖绝缘层34。
在各端子部33，形成向基础绝缘层32侧凹下的导体凹部35。这样的导体凹部35，例如在添加法中，以2阶段实施电解电镀，或在减层法中，能够利用半蚀法形成导体凹部35。
前述的带电路悬置式基板1的制造方法，工业规模上，例如，能够能够利用辊对辊法等众所周知的方法制造。
实施例
以下，以实施例更加具体说明本发明，但本发明不限制于任一实施例。
实施例1
准备由宽度300mm、厚度25μm的不锈钢(SUS304)箔构成的支持基板2(参照图2(a))。
接着，将感光性聚酰亚胺树脂的前驱体(感光性聚酰胺酸树脂)的溶液涂敷在支持基板2的整个面后，在120℃加热2分钟，形成感光性聚酰亚胺树脂的前驱体组成的表面薄膜11(参照图3(a))。
之后，按照在支持基板2的不形成基础绝缘层3的部分，遮光部分12a对向，在支持基板2的形成基础绝缘层3的部分，光全透过部分12b对向，而且，在形成各外部侧连接端子8的导体凹部9的部分，光半透过部分12c对向那样，对表面薄膜11对向配置光掩膜12。用紫外线(曝光累计光量720mJ/cm2))对表面薄膜11进行曝光(参照图3(b))。
接着，曝光后对经曝光的表面薄膜11加热(160℃，加热3分钟)后，用碱性显影液进行显影，使表面薄膜11形成露出支持基板2的周缘部、形成导体凹部9的部分比其它部分的厚度还薄的、规定的图形，(参照图3(c))。之后，将表面薄膜11在420℃加热，就形成由聚酰亚胺树脂组成的、厚度10μm的基础绝缘层3(参照图3(d))。
然后，在从基础绝缘层3露出的支持基板2的表面、基础绝缘层3的整个面，用溅射法依次形成铬薄膜和铜薄膜，以形成厚度300～1000的金属薄膜14(参照图4(a))。之后，在金属薄膜14的表面层叠干膜抗镀层，用紫外线(曝光累计光量235mJ/cm2))曝光后，用碱性显影溶液进行显影，就形成导体图形4的反转图形的抗镀层15(参照图4(b))。
接着，在从抗镀层15露出的金属薄膜14的表面，通过电解铜镀形成厚度10μm的导体图形4后(参照图4(c))，将抗镀层15剥离(参照图4(d))，接着，用化学腐蚀方法除去从导体图形4露出的金属薄膜14(参照图4(e)).
由此，作为2导体图形4，多条布线4a、4b、4c、4d、各磁头侧连接端子部7，以及各外部侧连接端子部8就一体形成。各外部侧连接端子部8的宽度是300μm，各外部侧连接端子部8之间的间隔是250μm。并且，在各外部侧连接端子部8，形成导体凹部9。导体凹部9的直径是150μm，其深度是5μm。
接着用钯液使导体图形4的表面活化后，在其表面用化学镀镍形成厚度0.05μm的镍镀层。之后，将感光性聚酰亚胺树脂的前驱体溶液涂敷在镍镀层及基础绝缘层3的整个面后，在120℃加热2分钟，就形成感光性聚酰亚胺树脂的前驱体组成的表面薄膜16(参照图5(a))。
之后，按照在支持基板2的不形成基础绝缘层3的部分、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的对应部分，遮光部分17a对向，在包含各布线4a、4b、4c、4d的基础绝缘层3的形成覆盖绝缘层10的部分，光全透过部分17b对向那样，对表面薄膜16对向配置光掩膜17。用紫外线(曝光累计光量720mJ/cm2))对表面薄膜16进行曝光(参照图5(b))。
接着，曝光后对经曝光的表面薄膜16加热(160℃，加热3分钟)后，用碱性显影液进行显影，使表面薄膜16形成覆盖各布线4a、4b、4c、4d，并露出各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的、规定的图形(参照图5(c))。之后，在420℃对表面薄膜16加热，就形成由聚酰亚胺树脂脂组成的、厚度4μm的覆盖绝缘层10(参照图5(d))。
接着，各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8表面的镍镀层用化学腐蚀方法除去后，层叠干膜抗蚀层，用紫外线(曝光累积光量105mJ/cm2)曝光后，通过用碱性显影溶液显影，用干膜抗蚀层覆盖带电路悬置式基板1的外形，接着用氯化亚铁溶液腐蚀支持基板2，随着对万向架5切下，对带电路悬置式基板1的外形加工。
之后，在各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8通过化学镀镍和化学镀金，形成由镍镀层和金镀层构成的厚度3.5μm的镀层18(参照图2(e))。
比较例1
准备用宽度300μm、厚度25μm不锈钢(SUS304)箔组成的支持基板2(参照图8(a))。
接着，用与实施例1同样的方法形成由聚酰亚胺树脂组成的基础绝缘层3(参照图8(b))。另外，该基础绝缘层3，在形成外部侧连接端子部8的部分没有下凹，以均一厚度形成。
然后，用与实施例1同样的方法，在基础绝缘层3上，形成一体设置多条布线4a、4b、4c、4d、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的导体图形4(参照图8(c))。另外，各外部侧连接端子部8，不形成导体凹部9，形成中央部形成空洞部的环状。
用与实施例1同样的方法，在导体图形4的表面形成厚度0.05μm的镍镀层后，在基础绝缘层3上，形成覆盖各布线4a、4b、4c、4d、并露出各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的、由聚酰亚胺树脂构成的覆盖绝缘层(参照图8(d))。
接着，用与实施例1同样的方法，将各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的表面的镍镀层除去后，随着将万向架5切下，对带电路悬置式基板1的外形加工，之后，形成由镍镀层和金镀层构成的镀层18(参照图8(e))。
比较例2
准备用宽度300μm、厚度25μm不锈钢(SUS304)箔组成的支持基板2(参照图9(a))。
接着，用与实施例1同样的方法形成由聚酰亚胺树脂组成的基础绝缘层3(参照图9(b))。另外，该绝缘层3，在形成外部侧连接端子部8的部分没有下凹，以均一厚度形成。
然后，用与实施例1同样的方法，在基础绝缘层3上，形成一体设置多条布线4a、4b、4c、4d、各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的导体图形4(参照图9(c))。另外，各外部侧连接端子部8，不形成导体凹部9，以均匀厚度形成。
之后，用与实施例1同样的方法，在导体图形4的表面形成厚度0.05μm的镍镀层后，在基础绝缘层3上，形成覆盖各布线4a、4b、4c、4d、并露出各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的、由聚酰亚胺树脂构成的覆盖绝缘层(参照图9(d))。
接着，用与实施例1同样的方法，将各磁头侧连接端子部7及各外部侧连接端子部8的表面的镍镀层除去后，随着将万向架5切下，对带电路悬置式基板1的外形加工，之后，形成由镍镀层和金镀层构成的镀层18(参照图9(e))。
评价
在实施例1和比较例1、2得到的带电路悬置式基板的各外部侧连接端子部8、读·写基板的连接端子部，通过焊球21进行连接。实施例1的带电路悬置式基板，能够与读·写基板确实连接。可是，在比较例1的带电路悬置式基板中，发生导通不良，并且，比较例2的带电路悬置式基板中，焊球21塌落等，连接时的作业效率不高。
另外，前述说明是作为本发明的例示的实施方式提供的，这不过仅仅是例示，而不是限定性的解释。由该技术领域的技术人员所作出的本发明的变形例，当然包含在前述的权利要求范围内。

Claims (2)

1.布线电路基板，其特征在于，在具有绝缘层和形成在上述绝缘层上的导体图形的布线电路基板中，上述导体图形包含通过熔融金属与外部端子连接用的端子部；在上述端子部，接受上述熔融金属的凹部与上述导体图形形成为一体。
2.根据权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，在绝缘层的与设置有上述导体图形的一面相对一侧的另一面上，设置有金属支持层。
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