CN1742406A - 用于无线应用的窄宽度双重/三重ism频带pifa - Google Patents

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Abstract

本发明揭示用于无线***应用的单馈电双重/三重ISM PIFA(平面倒F天线)的新型及替代性设计技术。为获得本发明的优势并根据本发明的目的，本发明提供双重及/或三重ISM频带PIFA天线。具体而言，一天线包括至少一接地平面、一辐射元件、一短接器以及一馈电片。所述短接器在所述接地平面与所述辐射元件之间提供一连接。连接至所述辐射元件的所述馈电片提供射频功率并提供初始阻抗匹配。尽管所述馈电片提供初始阻抗匹配，但通过增加一或更多个寄生元件、一槽缝、调谐短板和电容性元件获得额外的阻抗匹配和频率控制。

Description

用于无线应用的窄宽度双重/三重ISM频带PIFA
技术领域
本发明是关于平面倒F天线(PIFA)，更具体而言，是关于一种带有一紧凑接地平面的窄宽度单馈电双重或三重ISM频带PIFA。
背景技术
当今世界已经见证了无线通信的飞速进步。短程无线电链接的新兴技术(例如蓝牙协议等)以及局域网***应用已引起人们对工业科学医疗(“ISM”)频带的新的关注。传统上，ISM频带RF数据通信装置使用外接式天线。但是，这些装置可以使用内置式天线来避免外突的外接式天线。内置式天线具有多种优势，例如不容易受到外部损害、手持设备(handset)总体尺寸变小以及可携带性提高。
在内置式天线的多种选择中，平面倒F天线(“PIFA”)看来具有广阔前景。相对于其它内置式天线，PIFA通常轻便、易于匹配和集成在一装置机架内、具有中等的带宽范围、具有位于垂直极化的正交主平面内的全向辐射模式、优化灵活以及具有多种潜在的缩小尺寸的方式。
PIFA在多样化方案中亦有有益的应用。PIFA对垂直和水平极化的敏感性对于移动蜂窝/射频数据通信应用具有重要意义，因为其中不存在天线的固定定向，同时具有多路径传播状况。所有这些特点使PIFA成为移动蜂窝/射频数据通信应用中内置式天线的一种良好选择。
关于单重ISM频带PIFA技术，以往的研究重点一直放在通过使天线和接地平面的尺寸小型化来实现最佳性能。但是，最近的研究重点逐渐从现有的单重ISM频带操作转向双重或三重ISM频带操作，后者覆盖了2.4-2.5、5.15-5.35和5.47-5.725GHz的频率范围。这就要求开发无线通信应用中的双重或三重ISM频带天线。由于包括膝上型计算机及诸如PDA、电子游戏机、蜂窝电话等其它手持式电子装置在内的RF数据无线***的新兴应用，对紧凑式双重及/或三重ISM频带PIFA有着持续的兴趣和要求。
与用于蜂窝应用的PIFA情形不同，在无线RF数据通信***中，在辐射元件和接地平面的尺寸以及PIFA在装置内的优选布置方面都有变化。
在大多数单馈电蜂窝双频带PIFA中，对辐射元件进行准物理分割有助于双频操作。传统上，一槽缝(直槽缝、斜槽缝或L形槽缝)构成对辐射元件的准物理分割，从而有助于对PIFA结构进行想要的物理分割。当***要求对辐射元件或接地平面的容许宽度施加严格限制时，例如宽度低至约1至约3mm时，采用至今已经过验证的槽缝技术的传统双频带PIFA设计可证明是一个(如果不是不可能)困难的任务。
图13A和13B举例说明一采用单馈电的传统型双频带PIFA70。双频带PIFA70包括一辐射元件301和一接地平面302。位于辐射元件301上的L形槽缝303形成对辐射元件301的准物理分割。所述辐射元件301上尺寸为长度(L1)和宽度(W1)的片段在多频带操作的较低频带上谐振。传统上，双频带(2.4-2.5/5.15-5.35GHz)PIFA70具有介于19.16-18.38mm之间的(L1)和介于12.07-11.58mm之间的(W1)的操作尺寸。所述辐射元件301上尺寸为长度(L2)和宽度(W2)的片段在所述多频带操作的较高频带上谐振。传统上，所述分割导致介于8.93-8.59mm之间的(L2)和介于5.63-5.41mm之间的(W2)的典型操作尺寸。一馈电孔304设于所述辐射元件301上。一用于向所述辐射元件301馈送射频(RF)功率的连接器馈电插脚305a从所述接地平面302的底部表面***穿过所述馈电孔304。所述连接器馈电插脚305a在所述馈电插脚穿过所述接地平面302内的孔中的位置与所述接地平面302电绝缘。所述连接器馈电插脚305a在306a处通过焊料与所述辐射元件301电连接。馈电连接器本体305b在306b处通过焊料连接至所述接地平面302。所述连接器馈电插脚305a与馈电连接器本体305b电绝缘。在所述辐射元件301上设有一通孔307。一导电柱308在309a处通过焊料连接至所述辐射元件301。所述导电柱308还在309b处通过焊料连接至所述接地平面302。所述辐射元件301的双频带阻抗匹配取决于所述连接器馈电插脚305a的直径、所述导电短接柱308的直径以及所述连接器馈电插脚305a与所述导电短接柱308之间的间隔距离。所述多频带PIFA70的构形的主要缺点是缺少一种简单的手段用于调整高、低谐振频带之间的间隔。改变所述谐振频带之间的间隔需要重新定位所述槽缝303。上述构形还与对以PIFA70的双谐振频率为中心的可实现带宽的约束相关。
因此，期望开发一种采用相对紧凑的天线构造的双重或三重频带PIFA天线。在一相关但与提出的发明不同的研究中，一种用于双蜂窝和非蜂窝(GPS或ISM)应用的单馈电三频带PIFA的设计已在Kadambi等人于2002年4月29日申请的题为“一种带有寄生元件的单馈电三频带PIFA(A Single Feed Tri Band PIFA withParasitic Element)”的第10/135,312号美国专利申请中报告过，该专利申请以引用的方式并入本文中。
发明内容
本发明揭示用于无线***应用的单馈电双重/三重ISM频带PIFA(平面倒F天线)的新型及替代性设计技术。为获得本发明的优势并根据本发明的目的，本发明提供双重及/或三重ISM频带PIFA天线。具体而言，一天线包括至少一接地平面、一辐射元件、一短接器以及一馈电片。所述短接器在所述接地平面与所述辐射元件之间提供一连接。连接至所述辐射元件的所述馈电片提供射频功率并提供某种频率控制。尽管所述馈电片提供某种频率控制，但通过增加一或更多个寄生元件、槽缝、调谐短板和电容性元件即可获得额外的频率控制。
通过阅读以下附图所示本发明的一个优选实施例的更详细描述，本发明的前述及其它特点、效用和优点将显而易见。
附图说明
并入并构成本专利说明书的一部分的附图图解说明本发明的实施例，并与文字描述一起共同阐释本发明的原理。图中使用相同的数字编号指示相同的物件。
图1显示说明本发明的一PIFA的一实施例；
图2显示一样品PIFA10的VSWR和阻抗特性；
图3显示说明本发明的一PIFA的另一实施例；
图4显示一样品PIFA20的VSWR和阻抗特性；
图5显示说明本发明的一PIFA的再一实施例；
图6显示一样品PIFA30的VSWR和阻抗特性；
图7显示说明本发明的一PIFA的又一实施例；
图8显示一样品PIFA40的VSWR和阻抗特性；
图9显示说明本发明的一PIFA的又一实施例；
图10显示一样品PIFA50的VSWR和阻抗特性；
图11显示说明本发明的一PIFA的又一实施例；
图12显示一样品PIFA60的VSWR和阻抗特性；
图13显示一传统型开槽PIFA。
具体实施方式
下文将参照图1-12对本发明进行描述。本发明使用调谐装置与短接寄生元件的组合(辐射元件中可带有槽缝或不带有槽缝)来提出具有相对紧凑结构的双重及/或三重ISM频带PIFA的设计。在本发明中，所述调谐装置和寄生元件可以控制所述双重及/或三重ISM操作频率的谐振频率和带宽。所述寄生元件及/或调谐装置相对于所述辐射元件的位置、大小(高度、长度和宽度，亦称作尺寸)以及相对定向控制调谐性能。本发明的非限定性实施例采用具有相似宽度的辐射元件和接地平面(下文将进一步解释)。尽管可能会有不同的宽度，但已发现保持宽度一致实现了更为紧凑的结构。另外，本申请案中所提供的例示性尺寸很大程度上受制于制造公差；因此，本说明书所提供的可能尺寸的范围应视为是非限制性实例。
在不使用传统槽缝技术分割辐射元件但同时又要限制容许高度和宽度的情况下设计紧凑型PIFA是非常困难的。因此，为保持一紧凑型结构，本发明能够在辐射元件中纳入一槽缝。在传统的双频带PIFA设计中，槽缝的轮廓、大小和位置起着重要的作用。对于选定的槽缝轮廓和位置，槽缝的大小可以是一个用以控制PIFA谐振的调谐参数。槽缝的大小、轮廓和位置的变化会影响PIFA的低和高谐振频率。便于相当独立地控制所述双重及/或三重频带PIFA的低和高谐振特性的其它具体参数的鉴定可以提高许多设计应用中天线调谐的简易性。着眼于这一点，本发明提出一种极窄宽度的双重及/或三重ISM频带PIFA的设计，其采用具有一理想设置的一槽缝及一寄生元件，用以独立控制低和高谐振，以实现简易调谐的特征。本发明的双重或三重频段的高和低谐振特性的相对独立的调谐是通过选择性地放置具有合适和预期大小的调谐短板来实现。本发明还提出在极窄宽度的紧凑型双重及/或三重ISM频带PIFA的设计中应用槽缝技术的可行性。
在大多数关于PIFA技术的研究出版物和专利中，主要的成功是设计出一种具有双谐振频率的单馈电PIFA，其基本上形成了双频带PIFA。由于与传统PIFA设计相关的固有带宽限制，大多数现有技术的单馈电双频带PIFA展现出仅覆盖两个频带的有用且理想的性能。第5,926,130号美国专利和刘等人于1997年10月在IEEE(电气及电子工程师学会)会刊《天线与传播》AP-45卷第10期第1451-1548页上发表的题为““双频平面倒F天线(Dual Frequency Planar Inverted-FAntenna)”的论文均是现有技术的单馈电双频PIFA的实例，这些专利和论文以引用的方式并入本文中。本文中，图13图解说明一传统单馈电双频PIFA的现有技术构形。
本发明所提出的设计通过使用L形及T形槽缝实现了PIFA的三重频带操作。尽管L形槽缝的应用在许多单馈电双频PIFA设计中很普遍，但在PIFA中应用T形槽缝却是新颖的。另外，本发明还提出在辐射元件上组合使用短接寄生元件和槽缝，以实现PIFA的单馈电双重或三重ISM性能。
现在参阅图1，其显示说明本发明一实施例的PIFA10。图1A显示一弯折构形的PIFA10，其具有一辐射元件11、一接地平面12、一由第一导体材料(例如铜条)制成的馈电片13、一由可与所述第一导体材料相同或不同的第二导体材料制成的短接器14、以及一由可与所述第一和第二导体材料相同或不同的第三导体材料制成的短接寄生元件15。图1B显示平式构形的PIFA10。因此，PIFA10可用经适当切割和弯折成合适构形的单片金属制成。从图1A和1B中可看出，PIFA10并不包括槽缝，但所属领域的技术人员在阅读本揭示后即可明白，所述设计中可以包括一槽缝。
馈电片13具有一连接至辐射元件11的第一馈电片边缘13a。在弯折构形中，馈电片13具有一位于接地平面12上方的第二馈电片边缘13b。在第二馈电片边缘13b与接地平面12之间具有一馈电片间隙fg。一传统同轴电缆功率馈电线(未图示)将所述同轴电缆的中心导体附接至第二馈电片边缘13b，以向所述辐射元件馈送电力。所述同轴电缆的外部屏蔽物附接至接地平面12。短接器14具有一附接至辐射元件11的第一短接器边缘14a和一附接至接地平面12的第二短接器边缘14b，以在辐射元件11与接地平面12之间提供短接。短接器14有助于辐射元件11的四分之一波长操作。寄生元件15具有一连接至接地平面12的第一寄生边缘15a。在弯折构形中，寄生元件15具有一位于辐射元件11下方的第二寄生边缘15b。在第二寄生边缘15b与辐射元件11之间存在寄生元件间隙pg。在所述寄生元件15与短接器14之间存在短接间隙sg。寄生元件15构成用以控制辐射元件11的高谐振频率的调谐元件。如平式构形所示，寄生元件15和馈电片13位于短接器14的相对两侧上。
PIFA10起一单馈电双重ISM频带PIFA的作用。辐射元件11的低频带谐振频率以及带宽中心取决于辐射元件11的尺寸、接地平面12的大小、馈电片13在辐射元件11上的位置和宽度以及短接器14的宽度和辐射元件11与接地平面12之间的距离。
辐射元件11的低频带谐振频率和带宽取决于短接寄生元件15在接地平面12上的位置和宽度、间隙pg、间隙sg和PIFA10的高度。虽然寄生元件15调谐高频带，但其对低频带调谐的影响很小或没有。附接于所述第二馈电片边缘13b的同轴电缆馈电线(未图示)也影响高频带的调谐。
因此，不同的元件调谐辐射元件的低频带和高频带。这就允许单独改变高频率和低频率。
设计和测试了一种调谐至2.4-2.5和5.15-5.35GHz低频率和高频率的单馈电双ISM频带PIFA10。图2显示具有这些频率的可能的PIFA10的VSWR和阻抗特性的曲线图。所述VSWR曲线图显示未采用传统槽缝构形的PIFA10的双ISM频带操作的令人满意的带宽。通过使用所述寄生元件，可在不增加天线总体大小或体积的情况下将传统的单频带PIFA制成为一双频带PIFA。从图1B所示的平式构形可看出，PIFA10被设计成可弯折一单片材料形成天线，但也可以采用多片材料及焊接的方式制作天线。图2所示的结果是基于尺寸为3(W)×30(L)×12(H)mm的辐射元件11和尺寸为3(W)×42(L)mm的接地平面12得出。但是，这些尺寸是示例性的，且所属领域的技术人员应当了解，所述尺寸可以在一宽广范围内变化。所述辐射元件的宽度可以小至2mm，并可宽至8-9mm。所述接地平面的最小宽度应恰好是所述辐射元件本身的宽度。所述接地平面的最大宽度可以稍大于或远大于所述辐射元件的宽度。所述接地平面的最小长度应刚好是所述辐射元件本身的长度。所述接地平面的最大长度可稍大于或远大于所述辐射元件的长度。必须指出，所述辐射元件宽度的任何减小必须用所述辐射元件长度的按比例或相应增加来做充分补偿，以实现PIFA10的多频带谐振。总的来说，所述接地平面尺寸的增加具有降低谐振频率的效果。此一发现也同等地适用于本发明的所有其它实施例。
图3A和3B显示三重ISM频带PIFA20。PIFA20在2.4-2.5GHz、5.15-5.35GHz和5.47-5.725GHz的频率范围内操作。PIFA20包括辐射元件11、接地平面12、馈电片13、短接器14、寄生元件15和一调谐短板16。PIFA20可以有一附接至馈电片13的馈电片延长部13c。图3B显示平式构形的PIFA20。
馈电片13具有一连接至辐射元件11的第一馈电片边缘13a。在弯折构形中，馈电片13具有一位于接地平面12上方的第二馈电片边缘13b。在此实例中，第二馈电片边缘13b具有一附接至其自身并向接地平面12延伸的突出部13c。尽管图中显示为矩形，但突出部13c也可以具有其它几何构形，例如半圆形、方形、椭圆形、三角形等。短接器14具有连接至辐射元件11的第一短接器边缘14a和连接至接地平面12的第二短接器边缘14b，以在辐射元件11与接地平面12之间提供短接。在此情况下，寄生元件15具有一连接至接地平面12且与短接器14相对的第一寄生边缘15a。换言之，第二短接器边缘14b连接至接地平面12的第一端，而第一寄生边缘15a连接至接地平面12中与第一端相对的第二端。寄生元件15在接地平面12上方平行于短接器14延伸。寄生元件15具有一与辐射元件11位于同一平面内的第二寄生边缘15b。寄生元件15在第二寄生边缘15b处有一弯折。虽然图中显示沿90°角延伸，但寄生元件15也可向前或离开短接器14倾斜。寄生元件15的一个大致水平的部分15d从第二寄生边缘15b延伸至第三寄生边缘15c。尽管图中显示水平部分15d平行于接地平面12，但水平部分15d也可离开或朝向接地平面12倾斜。在辐射元件11与寄生元件15之间有一辐射元件至寄生元件的间隙rpg。从图中可看出，寄生元件形成L形。PIFA20还包括一调谐短板16。调谐短板16具有一在第一短接器边缘14a与第一馈电片边缘13a之间连接至辐射元件11的第一调谐短板边缘16a。调谐短板16具有一位于接地平面12上方的第二调谐短板边缘。在接地平面12与第二调谐短板边缘16b之间有一调谐短板间隙ts。在调谐短板16与馈电片13之间有一间隙tsft。从图3A中可看出，短接器14和寄生元件15位于接地平面12的相对两端上，且互相平行，其间隔宽度等于辐射元件11的宽度。
调谐短板16控制着辐射元件11的高频带的谐振和带宽特性。在其它方面，PIFA20与PIFA10的操作相似。PIFA20起一单馈电三重ISM频带PIFA的作用。辐射元件11的低频段谐振频率和带宽取决于辐射元件11的尺寸、接地平面12的大小、馈电片13的位置和宽度、短接器14与调谐短板16之间的间隔距离、短接器14的宽度以及接地平面12与辐射元件11之间的距离。另外，间隙rpg影响低谐振频率。
辐射元件11的高频带谐振频率和带宽取决于馈电片13的位置和宽度、间隙fg、间隙tsft以及接地平面12与辐射元件11之间的距离。寄生元件15对高谐振频率的影响极小。在馈电片13上连接一传统电力电缆可以影响高谐振频率。
图4显示一样品PIFA20的VSWR和阻抗特性，所述PIFA20具有3(W)×35(L)×10(H)mm的辐射元件尺寸、3(W)×35(L)mm的接地平面尺寸及2.4-2.5GHz、5.15-5.35GHz和5.47-5.725GHz的操作频率。所述辐射元件宽度的可能变化范围为小至2mm，宽至8-9mm。所述接地平面的宽度应恰好是所述辐射元件的宽度或大于所述辐射元件的宽度。然而，这些尺寸都是例示性的，且所属领域的技术人员应理解，上述尺寸可以在较大范围内变化。这些曲线图证实了PIFA20的令人满意的带宽，其覆盖蓝牙协议、Hiper LAN频带以及5.15-5.35GHz带宽。与PIFA10相似，PIFA20是一单频带PIFA，其辐射元件内未使用槽缝，且未在传统单频带PIFA结构的基础上增加总体实际尺寸或体积。
图5A和5B显示单馈电三重ISM频带PIFA30。PIFA30具有辐射元件11、接地平面12、馈电片13、短接器14、一槽缝17以及第一导电条19、第二导电条21和第三导电条22。与PIFA10和20不同，PIFA30在辐射元件11上具有一槽缝17，从而使此实施例中的辐射元件11的宽度潜在地大于与PIFA10和PIFA20相关的宽度。然而，虽然PIFA30不需要寄生元件，但是所属领域的技术人员知道，也可包括一寄生元件。在此情况下，辐射元件11具有一T形槽缝17。槽缝17可有多种构形，例如图9和11所示的L形槽缝。T形槽缝17有助于辐射元件11的准物理分隔，以实现PIFA30的多频率操作。
PIFA30具有大体上互相平行延伸的辐射元件11和接地平面12。辐射元件11具有第一边缘11a和第二边缘11b。馈电片13具有附接至辐射元件11的第一边缘11a的第一馈电片边缘13a。馈电片13平行于第一边缘11a，并终止于位于接地平面12上方的第二馈电片边缘13b。与PIFA10和20相反，馈电片13平行于第一边缘11a。短接器14具有沿辐射元件11的平行边缘11e连接至辐射元件11的第一短接器边缘14a，及沿接地平面12的平行边缘12e连接至接地平面12的第二短接器边缘14b，以提供短接，这与PIFA10和20相反。短接器14和馈电片13位于槽缝17的第一侧上。第一导电条19具有第一导电条第一边缘19a，其沿与短接器14相同的平行边缘11e但跨过槽缝间隙18附接至辐射元件11，从而附接于槽缝17的第二侧上。第一导电条19具有一位于接地平面12上方的第一导电条第二边缘19b。第二导电条21具有一附接于辐射元件11的第二平行边缘11f的第二导电条第一边缘21a，且第三导电条22具有一附接于辐射元件11的第二平行边缘11f的第三导电条第一边缘22a。导电条21与导电条19相对，而导电条22与短接器14相对。第二和第三导电条21和22由导电条间隙cg隔开。第二导电条21具有一位于接地平面12上方一预定距离处的第二导电条第二边缘21b。第三导电条22具有一位于接地平面12上方一预定距离处的第三导电条第二边缘22b。虽然第一导电条第二边缘19b、第二导电条第二边缘21b和第三导电条第二边缘22b可位于接地平面12上方不同距离处，但三者也可位于相同距离处。第一、第二和第三导电条19、21和22充当调谐短板，其与PIFA20中的调谐短板16类似。第一、第二和第三导电条中每一导电条的位置均使得能够调谐特定谐振频带频率。例如，导电条19和21对低频带谐振的调谐有较大的影响，而导电条22对高频带有较大的影响。
PIFA30起单馈电三重ISM频带PIFA的作用。辐射元件11的低频带谐振频率和带宽取决于辐射元件11的尺寸、辐射元件11与接地平面12之间的距离、接地平面12的大小、馈电片13的位置和宽度、短接器14的宽度、槽缝17在辐射元件11内的位置及其尺寸(包括间隙18)、第一导电条19的位置和宽度、接地平面12与第一导电条第二边缘19b之间的预定距离、第二导电条21的位置和宽度、以及接地平面12与第二导电条第二边缘21b之间的预定距离。
辐射元件11的高频带谐振频率和带宽取决于第三导电条22的位置和宽度、接地平面12与第三导电条第二边缘22b之间的预定距离、T形槽缝17的位置以及T形槽缝17的尺寸。
图6显示在2.4-2.5、5.15-5.35以及5.47-5.725GHz范围内操作的样品PIFA30的令人满意的VSWR和阻抗特性。样品PIFA30具有6(W)×26(L)×6(H)mm的辐射元件11尺寸和6(W)×30(L)mm的接地平面12尺寸。所述辐射元件的宽度可为小至2mm、宽至8-9mm的范围内变化。所述接地平面的宽度可限制为恰好是所述辐射元件的宽度，或其可大于所述辐射元件的宽度。对于PIFA30的6mm宽的辐射元件11，所述T形槽缝17的宽度约为2mm。同样地，这些尺寸是例示性的。
图7A和7B显示PIFA40，其联合使用辐射元件11上的槽缝17和接地平面12上的寄生元件15。PIFA40包括辐射元件11、接地平面12、槽缝17、馈电片13、短接器14、寄生元件15、第一导电条23、第二导电条24和第三导电条26。
在此情况下，馈电片13具有一沿辐射元件11的平行边缘11e附接至辐射元件11的第一馈电片边缘13a，这与PIFA10和PIFA20相似，但与PIFA30相反。第二馈电片边缘13b位于接地平面12上方。短接器14具有附接于第一边缘11a的第一短接器边缘14a及附接于第一接地平面边缘12a的第二短接器边缘14b，以提供短接。第一导电条23和第二导电条24分别位于与间隙18相对的位置和沿平行边缘11e的位置。第一导电条23具有一附接于平行边缘11e的第一导电条第一边缘23a。第二导电条24具有一同样附接于平行边缘11e的第二导电条第一边缘24a。第一和第二导电条23和24由间隙cg隔开。第一导电条23具有一位于接地平面12上方一预定距离处的第一导电条第二边缘23b。第二导电条24具有一位于接地平面12上方一预定距离处的第二导电条第二边缘24b。边缘23b和24b离接地平面12的预定距离可以相同也可不同。第三导电条26具有一附接于平行边缘11f且与第一和第二导电条23和24相对的第三导电条第一边缘26a。第三导电条26具有一同样位于接地平面12上方一预定距离处的第三导电条第二边缘26b。将导电条23、24和26定位成使得能够调谐低谐振。
寄生元件15具有一附接于接地平面12的平行边缘12f的第一寄生元件边缘15a(一般与馈电片13相对)。第二寄生元件边缘15b位于辐射元件11下方一预定距离处。寄生元件15影响高谐振频率的调谐。
PIFA40起单馈电三重ISM频带PIFA的作用。辐射元件11的低频带谐振频率和带宽中心取决于辐射元件11的尺寸、辐射元件11与接地平面12之间的距离、接地平面12的大小、馈电片13的位置和宽度、短接器14的宽度、槽缝17在辐射元件11内的位置及其尺寸(包括间隙18)、第一导电条23的位置和宽度、第一导电条第二边缘23b与接地平面12之间的预定距离、第二导电条24的位置和宽度、接地平面12与第二导电条第二边缘24b之间的预定距离以及接地平面12与第三导电条第二边缘26b之间的预定距离。
辐射元件11的高频带谐振频率和带宽取决于辐射元件11的尺寸、辐射元件11与接地平面12之间的距离、馈电片13的位置和宽度、槽缝17在辐射元件11内的位置及其尺寸以及寄生元件15相对于辐射元件11的位置。
图8显示在2.4-2.5、5.15-5.35以及5.47-5.725GHz范围内操作的样品PIFA40的令人满意的VSWR和阻抗特性。所述样品PIFA40具有6(W)×30(L)×6(H)mm的辐射元件11尺寸和6(W)×30(L)mm的接地平面12尺寸。辐射元件的宽度一般可在2-9mm范围内变化。接地平面和辐射元件可以具有相同的宽度，或者接地平面的宽度可以大于辐射元件的宽度。在PIFA40的辐射元件11的宽度为6mm的情形下，所述T形槽缝17的宽度约为2mm。
图9A和9B显示一PIFA50。PIFA50包括辐射元件11、接地平面12、一槽缝27(在此情况下为L形槽缝)、馈电片13、短接器14、寄生元件15、一电容性负载元件31和第一导电条32。在此情况下，辐射元件11具有L形槽缝27以有助于辐射元件11的准物理分割，从而实现双频操作。
馈电片13具有一附接于辐射元件11的一平行边缘11f的第一馈电片边缘13a。馈电片13具有一位于接地平面12上方一预定距离的第二馈电片边缘13b。短接器14具有附接于辐射元件11的第一边缘11a的第一短接器边缘14a，并具有附接于接地平面边缘12a的第二短接器边缘14b，以在辐射元件11与接地平面12之间提供短接。寄生元件15一般位于馈电片13对面，寄生元件15具有附接于平行边缘12e的第一寄生边缘15a。寄生元件15具有位于辐射元件11下方一预定距离的第二寄生边缘15b。一电容性负载元件31具有一附接于辐射元件11的一第二边缘29的第一负载元件第一边缘31a。一般情况下，元件31与辐射元件11形成一大致上90度的角度，其中负载元件31向接地平面12延伸。负载元件31大致上平行于短接器14，并具有一位于接地平面12上方一预定距离的第二负载元件边缘31b。一第一导电条32具有一附接于平行边缘11f的第一导电条第一边缘32a，其与槽缝27的间隙28相对，以使馈电片13位于间隙28的一侧上，而第一导电条32位于另一侧上。第一导电条32具有一位于接地平面12上方一预定距离的第一导电条第二边缘32b。
垂直电容性负载元件31为PIFA50的低谐振频带提供电抗负载。第一导电条32调谐低频带。寄生元件通常控制高频带的调谐。在其它方面，PIFA50的操作与PIFA40相似。
PIFA50起单馈电三重ISM频带PIFA的作用。辐射元件11的低频带的谐振频率和带宽取决于辐射元件11的尺寸、辐射元件11与接地平面12之间的距离、接地平面12的大小、馈电片13的位置和宽度、短接器14的宽度、槽缝27在辐射元件11内的位置及其尺寸(包括间隙28)、第一导电条32的位置和宽度、接地平面12与第一导电条第二边缘32b之间的预定距离、电容性元件31的宽度以及第二负载元件边缘31b在接地平面12上方的距离。
辐射元件11的高频带谐振频率和带宽取决于辐射元件11的尺寸、辐射元件11与接地平面12之间的距离、接地平面12的大小、馈电片13的位置和宽度、槽缝27的位置及其尺寸(包括间隙28)以及寄生元件15相对于辐射元件11的位置。
图10显示在2.4-2.5、5.15-5.35以及5.47-5.725GHz范围内操作的样品PIFA50的令人满意的VSWR和阻抗特性。所述样品PIFA50具有3(W)×19(L)×6.5(H)mm的辐射元件11尺寸和3(W)×19(L)mm的接地平面12尺寸。可允许辐射元件11的宽度在2-9mm之间变化。所述多ISM频带PIFA50可容纳相同宽度的辐射元件和接地平面。或者，接地平面亦可制成远宽于辐射元件的宽度。在为PIFA50选择3mm宽的辐射元件11的情况下，所述L形槽缝27的宽度约为0.8mm。
图11A和11B显示一PIFA60。PIFA60包括辐射元件11，辐射元件11具有位于接地平面12上方的槽缝27。虽然类似于参照图9A和9B所解释的PIFA50，但PIFA60具有垂直电容性负载板31和水平电容性负载板33，此允许PIFA60相对窄于PIFA50，下文将进一步解释。
PIFA60的操作与PIFA50相似，所以下文仅对不同部分予以说明。与PIFA50不同，PIFA60的辐射元件11稍长(长度尺寸)，以便利水平电容性负载板33。如图所示，垂直电容性负载板31具有一位于接地平面12上方一预定距离处的第二负载元件边缘31b。水平电容性负载板33具有一附接于第二负载元件边缘31b的第一水平电容性元件边缘34a，以使水平电容性负载板33大致上水平并平行于接地平面12。在水平电容性负载板33与接地平面12之间可以放置一具有预定介电常数和大小的电介质间隔物34，以增大电容性负载。
图12显示在2.4-2.5、5.15-5.35以及5.47-5.725GHz范围内操作的样品PIFA60的令人满意的VSWR和阻抗特性。所述样品PIFA60具有2(W)×23(L)×6.5(H)mm的辐射元件11尺寸和2(W)×23(L)mm的接地平面12尺寸。尽管辐射元件11的宽度可以增大至8-9mm，但PIFA60的辐射元件11的已经非常窄的宽度(2mm)的任何进一步减小都有可能导致制造方面的复杂性。就发明人所知，据说本发明所实现的2mm宽的多ISM频带PIFA60的设计在公开文献的出版作品中具有最小的宽度。所提出的设计可兼纳相同宽度的辐射元件和接地平面。反之，接地平面亦可制作成远宽于辐射元件的宽度。在为PIFA60选择2mm宽的辐射元件11时，所述L形槽缝27的宽度约为0.8mm。
尽管本文参照本发明的实施例特别显示和描述了本发明，但所属领域的技术人员将理解，在不偏离本发明的精神和范围的前提下，可在形式和细节方面做出各种其它改变。

Claims (57)

1、一种天线，其包括：
一接地平面；
一辐射元件；
一短接器；
一馈电片；及
一寄生元件；其中，
所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘，所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧；
所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘，所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸，且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧；
所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘，所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘，所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘与所述第二辐射元件边缘之间延伸，且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘，其中所述第一短接器边缘耦接至所述第一接地平面边缘，且所述第一辐射元件边缘将所述接地平面短接至所述辐射元件；
所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘，其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处；且
所述寄生元件包括一第一寄生元件边缘和一第二寄生元件边缘，其中所述第二寄生元件边缘耦接至所述第三接地平面边缘，且所述第一寄生元件边缘位于所述辐射元件下方一第二预定距离处。
2、根据权利要求1所述的天线，其中：
所述辐射元件和所述接地平面大体上平行。
3、根据权利要求1所述的天线，其中：
一具有复数种弯折形式的单一导体构成所述接地平面、所述寄生元件、所述短接器、所述辐射元件以及所述馈电片。
4、根据权利要求3所述的天线，其中所述复数种弯折形式中的至少一弯折形式形成一90°角度。
5、根据权利要求1所述的天线，其中所述辐射元件长度短于所述接地平面的长度。
6、根据权利要求1所述的天线，其中所述寄生元件比所述馈电片更靠近所述短接器。
7、根据权利要求1所述的天线，其中所述寄生元件与所述馈电片大体上平行。
8、根据权利要求1所述的天线，其中所述接地平面的宽度与所述辐射元件的宽度相同。
9、一种天线，其包括：
一接地平面；
一辐射元件；
一短接器；
一馈电片；
一调谐短板；及
一寄生元件；其中，
所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘，所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧；
所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘，所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸，且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧；
所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘，所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘，所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘之间延伸，且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘，其中所述第一短接器边缘耦接至所述第一接地平面边缘，且所述第一辐射元件边缘将所述接地平面短接至所述辐射元件；
所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘，其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处；
所述调谐短板包括一第一调谐短板边缘和一第二调谐短板边缘，其中所述第一调谐短板边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，而所述第二调谐短板边缘位于所述接地平面上方一第二预定距离处；且
所述寄生元件包括一第一垂直板边缘、一垂直板、一第二垂直板边缘、一水平板、一第一水平板边缘和一第二水平板边缘，其中所述第一垂直板边缘耦接至所述第二接地平面边缘，以使所述垂直板在所述接地平面上方延伸，且所述第二垂直板边缘耦接至所述第二水平板边缘，以使所述水平板向所述第二辐射元件边缘延伸。
10、根据权利要求9所述的天线，其中所述辐射元件与所述接地平面大体上平行。
11、根据权利要求9所述的天线，其中所述垂直板与所述短接器大体上平行。
12、根据权利要求9所述的天线，其中所述水平板与所述辐射元件大体上平行。
13、根据权利要求12所述的天线，其中所述水平板与所述辐射元件大体上位于相同的平面内。
14、根据权利要求9所述的天线，其中所述调谐短板在所述馈电片与所述短接器之间耦接至所述第四辐射元件边缘。
15、根据权利要求9所述的天线，其中所述第一预定距离与所述第二预定距离不同。
16、根据权利要求9所述的天线，其中所述馈电片具有一馈电片延长部，且所述馈电片延长部位于所述接地平面上方一第三预定距离处。
17、根据权利要求9所述的天线，其中所述第一水平板边缘位于距所述第二辐射元件边缘一第四预定距离处。
18、根据权利要求9所述的天线，其中所述辐射元件的长度短于接地平面的长度。
19、根据权利要求9所述的天线，其中所述接地平面宽度与所述辐射元件的宽度相同。
20、根据权利要求9所述的天线，其中：
一具有复数种弯折形式的单一导体构成所述接地平面、所述寄生元件、所述短接器、所述辐射元件、所述馈电片以及所述调谐短板。
21、根据权利要求9所述的天线，其中所述馈电片与所述调谐短板大体上平行。
22、一种天线，其包括：
一接地平面；
一辐射元件；
一形成于所述辐射元件中的槽缝；
一馈电片；
一短接器；
一第一调谐短板；
一第二调谐短板；及
一第三调谐短板；其中，
所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘，所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧；
所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘，所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸，且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧；
所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘，所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘，所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘与所述第二辐射元件边缘之间延伸，且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘，其中所述第一短接器边缘耦接至所述第三辐射元件边缘，且所述第二短接器边缘耦接至所述第三接地平面边缘，以将所述辐射元件短接至所述接地平面；
所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘，其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第一辐射元件边缘，且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处；
所述槽缝包括一在所述第三辐射元件边缘上的间隙，所述间隙包括一第一间隙侧和一第二间隙侧；
所述第一短接器边缘在所述第一间隙侧与所述第一辐射元件边缘之间耦接在所述第三辐射元件边缘上；
所述第一调谐短板包括一第一调谐短板第一边缘和一第一调谐短板第二边缘，其中所述第一调谐短板第一边缘耦接至所述第三辐射元件边缘，且所述第一调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第二预定距离处，且所述第一调谐短板第一边缘在所述第二间隙侧与所述第二辐射元件边缘之间耦接在所述第三辐射元件边缘上；
所述第二调谐短板包括一第二调谐短板第一边缘和一第二调谐短板第二边缘，其中所述第二调谐短板第一边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，且所述第二调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第三预定距离处；
所述第三调谐短板包括一第三调谐短板第一边缘和一第三调谐短板第二边缘，其中所述第三调谐短板第一边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，且所述第三调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第四预定距离处；且
所述第三调谐短板在所述第二调谐短板与所述第一辐射元件边缘之间耦接至所述第四辐射元件边缘。
23、根据权利要求22所述的天线，其中所述辐射元件与所述接地平面大体上平行。
24、根据权利要求22所述的天线，其中所述第一调谐短板、所述第二调谐短板以及所述第三调谐短板大体上平行。
25、根据权利要求22所述的天线，其中所述槽缝构成一T形。
26、根据权利要求22所述的天线，其中所述馈电片包括一馈电片延长部。
27、根据权利要求26所述的天线，其中所述馈电片延长部大体上垂直于所述馈电片延伸。
28、根据权利要求22所述的天线，其中所述第一调谐短板第一边缘沿所述第三辐射元件边缘延伸至所述第二辐射元件边缘，且所述第二调谐短板第一边缘沿所述第四辐射元件边缘延伸至所述第二辐射元件边缘。
29、根据权利要求22所述的天线，其中所述辐射元件的长度短于所述接地平面的长度。
30、根据权利要求22所述的天线，其中所述辐射元件的宽度与所述接地平面的宽度相同。
31、根据权利要求22所述的天线，其中所述第一预定距离、所述第二预定距离、所述第三预定距离和所述第四预定距离中至少有一距离不相同。
32、一种天线，其包括：
一接地平面；
一辐射元件；
一形成于所述辐射元件中的槽缝；
一馈电片；
一短接器；
一第一调谐短板；
一第二调谐短板；
一第三调谐短板；及
一寄生元件；其中，
所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘，所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧；
所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘，所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸，且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧；
所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘，所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘，所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘与所述第二辐射元件边缘之间延伸，且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘，其中所述第一短接器边缘耦接至所述第一辐射元件边缘，且所述第二短接器边缘耦接至所述第一接地平面边缘，以将所述辐射元件短接至所述接地平面；
所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘，其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第三辐射元件边缘，且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处；
所述槽缝包括一在所述第三辐射元件边缘上的间隙，所述间隙包括一第一间隙侧和一第二间隙侧；
所述第一馈电片边缘在所述第一间隙侧与所述第一辐射元件边缘之间耦接在所述第三辐射元件边缘上；
所述第一调谐短板包括一第一调谐短板第一边缘和一第一调谐短板第二边缘，其中所述第一调谐短板第一边缘耦接至所述第三辐射元件边缘，且所述第一调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第二预定距离处，所述第一调谐短板第一边缘在所述第二间隙侧与所述第二辐射元件边缘之间耦接在所述第三辐射元件边缘上；
所述第二调谐短板包括一第二调谐短板第一边缘和一第二调谐短板第二边缘，其中所述第二调谐短板第一边缘耦接至所述第三辐射元件边缘，且所述第二调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第三预定距离处；
所述第一调谐短板比所述第二调谐短板更靠近所述第二间隙侧；
所述第三调谐短板包括一第三调谐短板第一边缘和一第三调谐短板第二边缘，其中所述第三调谐短板第一边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，且所述第三调谐短板第二边缘位于所述接地平面上方一第四预定距离处；
所述寄生元件包括一寄生元件第一边缘和一寄生元件第二边缘，其中所述寄生元件第二边缘耦接至所述第四接地平面边缘，且所述寄生元件第一边缘位于所述辐射元件下方一第五预定距离处；及
所述寄生元件在比所述第三调谐短板更靠近所述短接器的位置耦接至所述第四接地平面边缘。
33、根据权利要求32所述的天线，其中所述辐射元件与所述接地平面大体上平行。
34、根据权利要求32所述的天线，其中所述第一调谐短板、所述第二调谐短板和所述第三调谐短板大体上平行。
35、根据权利要求32所述的天线，其中所述槽缝构成一T形。
36、根据权利要求34所述的天线，其中所述馈电片和所述寄生元件也大体上平行于所述第一调谐短板。
37、根据权利要求32所述的天线，其中所述第一调谐短板第一边缘沿所述第三辐射元件边缘延伸至所述第二辐射元件边缘，且所述第二调谐短板第一边缘沿所述第四辐射元件边缘延伸至所述第二辐射元件边缘。
38、根据权利要求32所述的天线，其中所述辐射元件的长度短于所述接地平面的长度。
39、根据权利要求32所述的天线，其中所述辐射元件的宽度与所述接地平面的宽度相同。
40、根据权利要求32所述的天线，其中所述第一预定距离、所述第二预定距离、所述第三预定距离、所述第四预定距离和所述第五预定距离中至少有一距离不相同。
41、一种天线，其包括：
一接地平面；
一辐射元件；
一形成于所述辐射元件中的槽缝；
一馈电片；
一短接器；
一调谐短板；
一寄生元件；及
一垂直板；其中，
所述接地平面包括一第一接地平面边缘和一第二接地平面边缘，所述第一接地平面边缘和所述第二接地平面边缘跨越一接地平面宽度位于所述接地平面的相对两侧；
所述接地平面包括一第三接地平面边缘和一第四接地平面边缘，所述第三接地平面边缘和所述第四接地平面边缘在所述第一接地平面边缘与所述第二接地平面边缘之间延伸，且沿一接地平面长度位于所述接地平面的相对两侧；
所述辐射元件包括一第一辐射元件边缘和一第二辐射元件边缘，所述第一辐射元件边缘和所述第二辐射元件边缘跨越一辐射元件宽度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述辐射元件包括一第三辐射元件边缘和一第四辐射元件边缘，所述第三辐射元件边缘和所述第四辐射元件边缘在所述第一辐射元件边缘与所述第二辐射元件边缘之间延伸，且沿一辐射元件长度位于所述辐射元件的相对两侧；
所述短接器包括一第一短接器边缘和一第二短接器边缘，其中所述第一短接器边缘耦接至所述第一辐射元件边缘，且所述第二短接器边缘耦接至所述第一接地平面边缘，以将所述辐射元件短接至所述接地平面；
所述馈电片包括一第一馈电片边缘和一第二馈电片边缘，其中所述第一馈电片边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，且所述第二馈电片边缘位于所述接地平面上方一第一预定距离处；
所述槽缝包括一在所述第四辐射元件边缘上的间隙，所述间隙包括一第一间隙侧和一第二间隙侧；
所述第一馈电片边缘在所述第一间隙侧与所述第一辐射元件边缘之间耦接在所述第四辐射元件边缘上；
所述调谐短板包括一第一调谐短板边缘和一第二调谐短板边缘，其中所述第一调谐短板边缘耦接至所述第四辐射元件边缘，且所述第二调谐短板边缘位于所述接地平面上方一第二预定距离处，所述调谐短板在所述第二间隙侧与所述第二辐射元件边缘之间耦接至所述第四辐射元件边缘；
所述寄生元件包括一第一寄生边缘和一第二寄生边缘，其中所述第二寄生边缘耦接至所述第三接地平面边缘，且所述第一寄生边缘位于所述辐射元件下方一第三预定距离处；且
所述垂直板包括一第一垂直板边缘和一第二垂直板边缘，其中所述第一垂直板边缘耦接至所述第二辐射元件边缘，且所述第二垂直板边缘位于所述接地平面上方一第四预定距离处。
42、根据权利要求41所述的天线，其中所述槽缝为L形。
43、根据权利要求41所述的天线，其中所述寄生元件比所述第二接地平面边缘更靠近所述第一接地平面边缘。
44、根据权利要求41所述的天线，其中所述辐射元件与所述接地平面大体上平行。
45、根据权利要求41所述的天线，其中所述馈电片、所述调谐短板以及所述寄生元件大体上平行。
46、根据权利要求41所述的天线，其中所述垂直板与所述短接器大体上平行。
47、根据权利要求42所述的天线，其中L形槽缝的水平段大体上平行于所述馈电片布设。
48、根据权利要求41所述的天线，其进一步包括：
一水平板，其包括一第一水平板边缘和一第二水平板边缘；及
所述第一水平板边缘耦接至所述第二垂直板边缘。
49、根据权利要求48所述的天线，其进一步包括：
一位于所述水平板与所述接地平面之间的介电材料。
50、根据权利要求48所述的天线，其中所述水平板大体上平行于所述接地平面。
51、一种天线，其包括：
一接地平面；
一辐射元件；
用于短接所述接地平面与所述辐射元件的构件；
用于为所述天线供电的构件；及
用于调谐所述天线的构件。
52、根据权利要求51所述的天线，其中所述调谐构件包括一寄生元件。
53、根据权利要求51所述的天线，其中所述调谐构件包括一槽缝。
54、根据权利要求51所述的天线，其中所述调谐构件包括：
一用于调谐一较低谐振频率的第一调谐构件；及
一用于调谐一较高谐振频率的第二调谐构件。
55、根据权利要求52所述的天线，其中所述调谐构件进一步包括至少一调谐短板。
56、根据权利要求55所述的天线，其中所述调谐构件进一步包括一槽缝。
57、根据权利要求53所述的天线，其中所述调谐构件进一步包括至少一调谐短板。
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