CN1734269A - 低电压检测电路 - Google Patents

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Abstract

一种低电压检测电路，包括有：一BJT(BipolarJunction Transistors，双极结晶体管)晶体管、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第一参考电压端、一第二参考电压端、一输入端及一输出端。上述BJT晶体管的集电极、基极和发射极分别与第一电阻、第二电阻和第三电阻的一端相连，第一电阻的另一端与第一参考电压端相连，第二电阻的另一端与第二参考电压端相连，第三电阻的另一端与输入端相连，输出端电连接于BJT晶体管的集电极与第一电阻之间。该低电压检测电路用以侦测一电压源，当电压源电压短暂中断或供电不足时，自动产生一低电压重置信号。

Description

低电压检测电路
【技术领域】
本发明涉及一种电子设备检测电路，特别是涉及一种当电子电路***中电压源短暂中断或供电不足时的低电压检测电路。
【背景技术】
一般电子电路的正常工作均需要提供一稳定的电压源。如微控制电路，为了使其正常的工作，需要为其提供+5V的电压源。如果供给的电压短暂中断或低于+5V时，将会造成微控制电路不正常工作。因此在设计电子电路时，就需要在电压源和各芯片间设计一低电压检测电路，用以侦测电压源。当电压源电压短暂中断或供电不足时自动产生一重置信号，以使各芯片暂停工作，并在电压恢复正常后，使各芯片继续正常工作。
一种习知的低电压检测电路如附图2所示。该低电压检测电路包括有一BJT(Bipolar Junction Transistors，双极结晶体管)晶体管1，一发射极电阻2，两个分压电阻3和4及一比较器6。该BJT晶体管1的集电极接地，基极与集电极通过一导线相连，发射极与发射极电阻2的一端相连，发射极电阻的另一端与电源端5相连。在BJT晶体管1与电阻2之间产生一参考电压Vbe，即电节点8处的电压值。电节点8通过一根导线与比较器6的负端相连。分压电阻3与分压电阻4串联，其中分压电阻4的另一端接地，分压电阻3的另一端与电源端5相连。在分压电阻3与分压电阻4之间产生一与电源端5所接电源VDD成一定比值的电压Va，即电节点9处的电压值。电节点9通过一根导线与比较器6的正端相连。比较器6通过比较上述两电压值，产生重置信号。当Va＜Vbe时，输出端7信号为“0”，即为一重置信号；当Va＞Vbe时，输出端7信号为“1”，原电路继续工作。
上述习知低电压检测电路虽然能在电源电压降低时自动产生一重置信号，但使用的电子元件较多，无形中增加了电路的制造成本及电路的体积。而电子电路的成本及体积越大，对于电子设备制造商就越不利。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题在于提供一种低电压检测电路，其可使电源电压短暂中断或供电不足时，自动产生一低电压重置信号，用于重置电子电路中的各芯片。
为了解决上述技术问题，本发明采用一种低电压检测电路，其位于电子电路中电压源与***芯片重置针(Reset Pin)的连接之间，以保证电子电路正常工作。该低电压检测电路包括有：一BJT(Bipolar Junction Transistors，双极结晶体管)晶体管、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第一参考电压端、一第二参考电压端、一输入端及一输出端，上述BJT晶体管的集电极、基极和发射极分别与第一电阻、第二电阻和第三电阻的一端相连，第一电阻的另一端与第一参考电压端相连，第二电阻的另一端与第二参考电压端相连，第三电阻的另一端与输入端相连，输出端电连接于BJT晶体管的集电极与第一电阻之间。将第一参考电压端电压设置为***芯片重置针的正常工作电压。将第二参考电压端电压设置为电压源的正常供电电压。上述的第一电阻、第二电阻和第三电阻的阻值及第一参考电压端和第二参考电压端的电压值，能够保证在电压输入端的电压降低时，BJT晶体管工作在饱和区，相当于逻辑开关ON时，此时输出端电压为低，即产生一低电压重置信号，重置电子电路中的各芯片；并且能够保证在电压输入端的电压正常或从低电压恢复到正常时，BJT晶体管工作在截止区，相当于逻辑开关OFF时，此时输出端电压为高，不产生重置信号，保持电子电路的正常工作。
采用上述低电压检测电路，利用BJT晶体管的逻辑开关的原理，省去了习知的低电压检测电路中的比较器，从而简化电路，节约成本。
【附图说明】
图1是本发明低电压检测电路的结构图。
图2是一种习知的低电压检测电路的结构图。
【具体实施方式】
参照附图，将详细叙述本发明的具体实施方式。
图1所示是本发明低电压检测电路的一种具体实施方式的电路结构图。本发明低电压检测电路位于电子电路中电压源20与***芯片重置针(Reset Pin)21的连接之间，用以侦测电压源，当电压源短暂中断或供电不足时，自动产生一低电压重置信号。在图1中，示出了BJT(Bipolar Junction transistors，双极结晶体管)晶体管11、集电极电阻12、基极电阻13，发射极电阻14、第一参考电压端15、第二参考电压端16、输入端17、电节点18、输出端19、电压源20及***芯片重置针21的连接关系。
在此低电压检测电路结构中，BJT晶体管11的集电极与集电极电阻12的一端相连，集电极电阻12的另一端与第一参考电压端15相连。BJT晶体管11的基极与基极电阻13的一端相连，基极电阻13的另一端与第二参考电压端16相连。BJT晶体管11的发射极与发射极电阻14的一端相连，发射极电阻14的另一端透过输入端17与电压源20相连。在BJT晶体管11的集电极与集电极电阻12之间有一电节点18，电节点18透过输出端19与***芯片重置针21相连。在本具体实施方式中，***芯片重置针21的正常工作电压范围为+2.6V～+3.6V之间。当该***芯片重置针21收到一“0V”即低电压信号，即重置该***芯片，当该***芯片重置针21保持在“+3.3V”即高电压信号，***芯片保持正常工作状态。电压源20是一+5V的直流电压源，该直流电压源可能会受各种条件的影响短暂中断或供电不足。例如：普通电源通常由一般电源和补给电源构成，当一般电源掉电，补给电源补给供电的时刻，电源电压会瞬间降到0V或接近0V，而补给电源也会由于长时间供电，电能消耗将尽，造成供电不足的情况。BJT晶体管11是一NPN型BJT晶体管。第一参考电压端15所接电压设置为***芯片重置针21的正常工作电压，即在其正常工作电压范围+2.6V～+3.6V中任取一值为+3.3V。第二参考电压端16所接电压设置为电压源20的正常供电电压值+5V。集电极电阻12、基极电阻13和发射极电阻14的阻值均为10KΩ。
在满足上述所有条件的情况下，本发明低电压检测电路详细的工作原理如下所述。当与电压输入端17相连的电压源20提供的电压下降即低于+5V时，由于第二参考电压端16所接的直流参考电压为+5V，此时，BJT晶体管11的集电结和发射结电压均为正向偏置，使得BJT晶体管11工作在饱和区，相当于逻辑开关ON时的状态。集电极电流达到最大值即饱和电流Ic＝V1/R1(V1为第一参考电压端15的电压值)，因此，电节点18的电压近似为0V，即输出端19电压为低，产生一低电压重置信号，该低电压重置信号直到电压源20提供的电压恢复正常时结束。***芯片重置针21收到此低电压重置信号后停止***芯片的工作。
当与电压输入端17相连的电压源20提供的电压保持+5V或从低电压状态恢复到+5V时，由于第二参考电压端16所接的直流参考电压为+5V，此时，BJT晶体管11的集电结电压正向偏置且发射结电压反向偏置，使得BJT晶体管11工作在截止区，相当于逻辑开关OFF时的状态，因此，流过R1的电流为零，电节点18的电压值等于第一参考电压端的电压+3.3V，即输出端19的电压为高，说明电压源的供电正常，不产生重置信号，***芯片保持正常工作状态。
上述实施方式仅适于需要电压源20提供+5V直流电压，***芯片重置针21正常工作电压范围为+2.6V～+3.3V的电子电路。对于其他电子电路，仅需将第一参考电压端15的电压值设置为***芯片重置针21正常工作电压，第二参考电压端16的电压值设置为电压源的正常供电电压，并改变集电极电阻12、基极电阻13和发射极电阻14的阻值，以保证电压源20电压降低时，BJT晶体管11工作在饱和区；电压源20电压供电正常时，BJT晶体管11工作在截止区。这样该低电压检测电路就可应用于各种电子电路中。

Claims (7)

1.一种低电压检测电路，用以当电压源电压降低时，自动产生一低电压重置信号，并传送给***芯片重置针，其特征在于，该低电压检测电路包括有：一BJT(Bipolar Junction Transistors，双极结晶体管)晶体管、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第一参考电压端、一第二参考电压端，上述BJT晶体管的集电极透过第一电阻与第一参考电压端相连，基极透过第二电阻与第二参考电压端相连，发射极与第三电阻的一端相连。
2.如权利要求1所述的低电压检测电路，其特征在于该低电压检测电路进一步包括有一输入端，其与第三电阻的另一端相连。
3.如权利要求2所述的低电压检测电路，其特征在于该低电压检测电路进一步包括有一输出端，其电连接于BJT晶体管的集电极与第一电阻之间。
4.如权利要求2所述的低电压检测电路，其特征在于第一参考电压端的电压为***芯片重置针的正常工作电压。
5.如权利要求2所述的低电压检测电路，其特征在于第二参考电压端的电压为电压源的正常供电电压。
6.如权利要求5所述的低电压检测电路，其特征在于第一电阻、第二电阻和第三电阻的阻值可保证当输入端电压低于正常供电电压时BJT晶体管工作在饱和区，当输入端电压不低于正常供电电压时BJT晶体管工作在截止区。
7.如权利要求1所述的低电压检测电路，其特征在于BJT晶体管是一NPN型BJT晶体管。
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