CN1726526A - 主动矩阵显示装置及其检查方法 - Google Patents

Abstract

在EL设备被安装前，其驱动电路可被测试。一种主动矩阵显示装置，至少具有：基板；第一显示元件的电极，所述显示元件构成了在基板上设置的每个像素；连接到电极和电流源线(Is(m))的第一晶体管(Q2)；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和数据存储信号线(Data(m))的第二晶体管(Q1)；连接到电流源线(Is(m))和第一晶体管(Q2)的栅极的存储电容器(C1)；以及第三晶体管(Qt)，该第三晶体管(Qt)被连接到电极和与所述第一显示元件相邻的第二显示元件的栅极信号线(Gate(n－1))，从而将从第一晶体管(Q2)流到电极的电流引导至所述第二显示元件的栅极信号线(Gate(n－1))。本发明还公开了一种用于测试这样的显示设备的测试方法。

Description

主动矩阵显示装置及其检查方法

技术领域

本发明涉及通过在基板上制造电致发光(电致发光：在下文中被称为“EL”)元件而形成的电子显示装置(电光装置)。具体而言，本发明涉及诸如使用主动矩阵TFT(薄膜晶体管)的有机EL(有机电致发光：或OEL)显示器之类的显示装置，以及用于检查该显示装置的方法。

背景技术

具有能够自己发光的EL元件的主动矩阵EL显示装置最近已被研制。该EL显示装置还被称为有机EL显示器或者有机发光二极管(有机发光二极管：OLED)。EL元件通常具有堆叠式结构，其中EL层被夹在一对电极(阳极和阴极)之间。典型示例包括由Kodak Eastman公司的Tang等人所提出的如下堆叠式结构，该结构包括空穴(hole)传输层、发光层和电子传输层。使用这种EL元件的主动矩阵显示装置是自发光式的并且很薄，它可以以低功耗驱动，并且因此被认为是用于下一代显示器的有前途候选。

对于这样的显示电路，在将自发光式有机EL元件设置在形成于玻璃基板上的TFT驱动电路上之前，希望预先检查用于每个像素的TFT驱动电路是否被正确地形成。这是因为在将有机EL元件驱动电路形成于玻璃基板上的阶段，出现缺陷的可能性相对较高。因此，在较早阶段消除缺陷有利于提高产量等等。但是，以高准确性低成本实现有效检查的装置还未提出。

为了克服上述问题，在以下描述的日本未实审专利申请公布No.2002-108243(第9页，图2：在下文中被称为“专利文件1”)中提出了一种方法。该方法公开了通过沉积具有导电性的薄膜而不是有机EL元件来评价电路特性的方法。但是，在专利文件1中的方法要求在测试后除去导电薄膜的额外过程。如果导电薄膜无法被完全除去，则会降低最终产品的质量。

作为替代，在日本未实审专利申请公布No.2002-297053(第3页，图1：在下文中被称为“专利文件2”)和日本未实审专利申请公布No.2002-32035(第5到6页，图1：在下文中被称为“专利文件3”)中公开了将电容器(电容)预先并入到每个电路的驱动电路中的做法。下面以示例方式，将使用专利文件2中的电路进行描述。图20示出了在专利文件2所公开的主动矩阵显示装置中，用标号150指出的每个像素的等效电路。该电路包括用于开关的第一晶体管Tr1、用于元件激励的第二晶体管Tr2、用于保持数据的电容器C1和为电路测试而附接的电容器C2。像素将OEL用作显示元件，并且构成以矩阵形式形成在TFT基板上的矩阵阵列基板。第一晶体管Tr1的漏极端子(D)连接到数据电压信号(Vdata)的输入线，栅极端子(G)接收从外部输入的栅极信号(GateSig)。第一晶体管Tr1的源极端子(S)连接到存储电容器C1的一端，以及第二晶体管Tr2的栅极端子(G)。存储电容器C1的另一端连接到Vsc线。电源电压PVdd被提供到第二晶体管Tr2的源极端子(S)。漏极端子(D)连接到OEL元件的阳极以及附加电容器C2的一端。附加电容器C2的另一端连接到Vsc线。注意，在图20中被指示为二极管152的元件仅仅示意性地代表发光元件(例如EL元件或LCD)的负载或驱动电路的负载。

下面，将简要描述图20所示电路的操作。对应于所需灰度值的数据电压信号被提供到第一晶体管Tr1的漏极端子(D)，并且栅极信号被输入到栅极端子(G)，以接通第一晶体管Tr1，从而将对应于数据电压信号的电压的电荷存储到存储电容器C1中。存储在存储电容器C1中的电荷量控制第二晶体管Tr2的源极端子(S)和漏极端子(D)之间的电连接状态(电阻)。由电源电压PVdd确定的电流和受控电阻激励OEL元件。这时，功率还被提供到附加电容器C2的另一端，从而对应于功率的电荷被累积到存储电容器C2中。因此，通过检查累积到附加电容器C2中的电荷来确定晶体管的质量，从而检查TFT基板上像素的驱动电路的故障。

如图21所示，专利文件3公开了一个示例，在该示例中，在被包括在主动矩阵显示装置160中的每个像素(类似于图20所示像素)中，对应于上述电容器(或电容)的电容器9108连接到驱动电极9105(例如EL元件)以及相邻发光元件的栅极线(G2)。

但是，上述专利文件2和3的示例具有以下问题。首先，可以检查驱动电路是正常还是不正常(损坏或其他缺陷)，但是难以准确判断该电路是否具有所需特性，例如由驱动电路输出的电流是否满足对于发光元件多个灰度值的设计规范。也难以检查某些特性，例如瞬态响应。对于使用电容器的电路配置，通常难以检查直流电等的特性。

如上所述，传统方法难以评价在实际使用的显示条件下的电流和电压特性。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而研制的，并且本发明的目的在于提供一种显示装置，该显示装置允许在实际显示条件下，或者在接近实际显示条件的情况下执行容易的故障检查。具体而言，本发明提供了一种主动矩阵显示装置，其包含：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和第一电流源线(Is(m))的第一晶体管(Q2)，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和数据存储信号线(Data(m))的第二晶体管(Q1)，所述第二晶体管通过使用连接到其栅极的栅极信号线(Gate(n))中的电压，来确定第一晶体管的栅极电压；连接到电流源线(Is(m))和第一晶体管的栅极的存储电容器(C1)，该存储电容器用于存储在第二晶体管处于接通状态时，经由第二晶体管从数据存储信号线(Date(m))提供的电压信号；以及第三晶体管(Qt)，其中该第三晶体管的源极和漏极被连接到电极和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线(Gate(n-1)或Gate(n+1))，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从第一晶体管流到电极的电流引导至另一显示元件的栅极信号线(Gate(n-1)或Gate(n+1))。

这里，优选地，第三晶体管的栅极被连接到除所述显示元件之外的另一显示元件的第二电流源线(Is(m+1))，从而执行控制，以便将所述栅极带入接通状态或关断状态。优选地，所述第三晶体管的栅极被连接到另一显示元件的栅极信号线(Gate(n-1)或Gate(n+1))，从而执行控制，以便将所述栅极带入接通状态或关断状态。

本发明还提供了一种主动矩阵显示装置，其包含：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和第一电流源线(Is(m))的第一晶体管(Q2)，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定显示元件的接通或关断状态；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和数据存储信号线(Data(m))的第二晶体管(Q1)，所述第二晶体管通过使用连接到其栅极的栅极信号线(Gate(n))中的电压，来确定第一晶体管的栅极电压；连接到电流源线(Is(m))和第一晶体管的栅极的存储电容器(C1)，该存储电容器用于存储在第二晶体管处于接通状态时，经由第二晶体管从数据存储信号线(Data(m))提供的电压信号；以及第三晶体管(Qt)，其中该第三晶体管的源极和漏极被连接到电极和栅极信号线(Gate(n))，并且该第三晶体管的栅极通过改变除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线(Gate(n+1))的电势而被带入接通状态或关断状态，从而将从第一晶体管流到所述电极的电流引导至栅极信号线(Gate(n))。

这里，优选地，显示元件是有机EL元件。优选地，第三晶体管的栅极被连接到附加提供的电源供应线(Gate(Common))。优选地，第三晶体管的栅极被连接到附加提供的电流释放线(Drain(n))。优选地，第三晶体管是p型晶体管。优选地，来自第三晶体管的线路被连接到用于在显示装置处于操作状态时，同时控制两个或更多个显示元件的***电路，并且多个第三晶体管经由所述***电路而被顺序开关。

本发明还提供了一种用于检查***示装置的方法。具体而言，本发明提供了一种用于检查上述主动矩阵显示装置中的任意一种的每个显示元件的方法。该方法包括：通过控制第二晶体管(Q1)的栅极电压，将电荷存储到存储电容器(C1)中的步骤；通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第一线路的电势，来控制第三晶体管(Qt)的栅极的步骤；以及通过使用连接到将被检查的显示元件的第一电流源线的测量单元，来测量经由第三晶体管(Qt)而从电极流过的电荷或电流量的步骤。

本发明还提供了第二显示装置，其允许根据实际显示状态来容易地执行故障检查。具体而言，本发明提供了一种显示装置，其包括：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和电流源线(Is(m))的第一晶体管(Q2)，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定显示元件的接通或关断状态；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和数据存储信号线(Data(m))的第二晶体管(Q1)，所述第二晶体管通过使用连接到其栅极的栅极信号线(Gate(n))中的电压，来确定第一晶体管的栅极电压；连接到电流源线和第一晶体管的栅极的存储电容器(C1)，该存储电容器用于存储在第二晶体管处于接通状态时，经由第二晶体管从数据存储信号线(Data(m))提供的信号；以及被连接到电极(ITO)和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线(Gate(n-1)或Gate(n+1))的二极管(DT)。

这里，优选地显示元件是有机EL元件。优选地，所述二极管被连接到附加提供的电流释放线(Drain(n))。

本发明还提供了一种用于检查任意上述第二显示装置的方法。具体而言，本发明提供了一种用于检查上述主动矩阵显示装置中的任意一种的每个像素的方法。该方法包括：通过控制第二晶体管(Q1)的栅极，将电荷存储到存储电容器(C1)中的步骤；以及通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第一线路的电势，并且使用连接到除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第二线路的测量单元，来测量经由二极管(Dt)而从电极流过的电荷或电流量。

另外，本发明提供了第三显示装置，其允许根据实际显示状态来容易地执行故障检查。具体而言，本发明提供了一种主动矩阵显示装置，其中被包括在该显示装置中的每个像素包括：连接到像素的显示元件的电极；连接到电极和像素的第一线路(Is)的第一晶体管(Q2)；连接到第一晶体管的栅极和用于提供电压信号的数据存储信号线(Data(m))的第二晶体管(Q1)；连接到第一晶体管的栅极和像素的第二线路(Common)的存储电容器(C1)，以及连接到电极和第一晶体管的栅极，从而利用从第一晶体管流到电极的电流来累积电荷的负载电容器(Cfb)。

这里，优选地，所述显示元件是有机EL元件。

本发明还提供了一种用于检查任意第三显示装置的方法。具体而言，本发明提供了一种用于检查上述主动矩阵显示装置中的任意一种的每个像素的方法。该方法包括：将第一电压(V1)提供到第一晶体管(Q2)的步骤；通过利用对连接到第二晶体管的栅极的栅极信号线(Gate(n))的控制暂时接通和关断第二晶体管(Q1)，从而将数据存储信号线(Data(m))的电压提供到第一晶体管(Q2)的栅极，而将电荷存储到存储电容器(C1)和负载电容器(Cfb)中的步骤；降低第一电压(V1)的步骤；通过接通第二晶体管(Q1)，并且使用连接到数据存储信号线(Data(m))的电荷测量单元，来测量存储在存储电容器(C1)中的电荷量的步骤；在每个像素中，获得测量出的电荷量和在提供第一电压时的电荷量之间的差值的步骤；以及判断所述差值是否在预定范围内的步骤。

这里，在降低第一电压(V1)的步骤中，优选地，第一电压被降低到预定电压，该预定电压低于在存储电荷的步骤中的电极电压。优选地，该方法还包括预先复位存储电容器(C1)中存储的电荷量的步骤，该步骤在将第一电压(V1)提供到第一晶体管(Q2)的步骤之前。在降低第一电压(V1)的步骤中，优选地，第一电压被降低，直到第一晶体管由于第一晶体管(Q2)的阈值电压而被关断为止。

此外，本发明提供了第四显示装置，其允许根据实际显示状态来容易地执行故障检查。具体而言，本发明提供了一种主动矩阵显示装置，其包括：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和电流源线(Is(m))的第一晶体管(Q2)；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和数据存储信号线(Date(m))的第二晶体管(Q1)，栅极信号线(Gate(n))被连接到所述第二晶体管的栅极；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和电流源线(Is(m))的存储电容器(C1)；以及连接到电极和另一显示元件的第二晶体管(Q1)的栅极所连接的线路(Gate(n-1))，从而利用在第一晶体管(Q2)接通时流过的电流来累积电荷的负载电容器(Ct)。

本发明还提供了一种主动矩阵显示装置，其包括：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和电流源线(Is(m))的第一晶体管(Q2)；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和数据存储信号线(Data(m))的第二晶体管(Q1)，栅极信号线(Gate(n))被连接到所述第二晶体管的栅极；连接到第一晶体管(Q2)的栅极和电流源线(Is(m))的存储电容器(C1)；以及连接到电极和同一显示元件的第二晶体管(Q1)的栅极，并且连接到栅极信号线(Gate(n))，从而利用在第一晶体管(Q2)接通时流过的电流来累积电荷的负载电容器(Ct)。

这里，优选地，所述显示元件是有机EL元件。

本发明还提供了一种用于检查任意第四显示装置的方法。具体而言，本发明提供了一种用于检查上述第四主动矩阵显示装置中的任意一种的每个显示元件的方法。该方法包括：通过控制第二晶体管(Q1)的栅极，将电荷存储到存储电容器(C1)中的步骤；以及通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线(Gate(n+1))的电势，并且使用连接到将被检查的显示元件的电流源线(Is(m))的测量单元，来测量从电极流过的电荷或电流量的步骤。

对于根据上述方面的主动矩阵显示装置中的任意一个，本发明提供了如下的主动矩阵显示装置，其中所述另一显示元件与将被检查的显示元件相邻。此外，对于根据上述方面的主动矩阵显示装置中的任意一个，本发明还提供了如下的用于检查主动矩阵显示装置的方法，其中所述另一显示元件与将被检查的显示元件相邻。

另外，本发明提供了第五显示装置，其允许执行容易的故障检查，其中可以通过执行对感兴趣的像素的写入，从而同时构成电流测量电路，来根据实际显示状态执行电流测量。

具体而言，本发明提供了一种主动矩阵显示装置，其包括：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定显示元件的接通或关断状态；连接到第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到其栅极的栅极信号线中的电压，来确定第一晶体管的栅极电压；以及第三晶体管，其漏极被连接到电极，并且其源极和栅极被连接到显示元件的栅极信号线，从而将从所述第一晶体管流到电极的电流引导至显示元件的栅极信号线。

本发明还提供了一种主动矩阵显示装置，其包括：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定显示元件的接通或关断状态；连接到第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定第一晶体管的栅极电压；以及连接到电极和显示元件的栅极信号线的二极管。

本发明还提供了使用上述第五显示装置中的任意一种的检查方法。具体而言，本发明提供了一种用于检查上述显示装置中的任意一种的每个显示元件的方法。该方法包括：通过改变将被检查的显示元件的栅极信号线的电势来控制第二晶体管的栅极电压，将由数据存储信号线确定的电压提供到第一晶体管的栅极，以及控制第三晶体管的栅极或二极管的步骤；以及通过使用连接到栅极信号线或第一电流源线的测量单元，来测量经由第三晶体管或二极管而从电极流过的电荷或电流量的步骤。

本发明提供了第六显示装置，其允许执行容易的故障检查，其中可以通过执行对感兴趣的像素的写入，从而同时构成电流测量电路，来根据实际显示状态执行电流测量。

具体而言，本发明提供了一种主动矩阵显示装置，其包括：基板；用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在基板上设置的多个像素中的每个像素内；连接到电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定显示元件的接通或关断状态；连接到第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到其栅极的栅极信号线中的电压，来确定第一晶体管的栅极电压；以及第三晶体管，该第三晶体管的栅极和漏极被连接到电极和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极线，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从第一晶体管流到电极的电流引导至另一显示元件的栅极信号线。这里，优选地，第三晶体管的栅极被连接到显示元件的栅极线，从而执行控制，以便将栅极带入接通状态或关断状态。

本发明还提供了用于检查第六显示装置中的任意一种的每个显示元件的方法。该方法包括：通过改变将被检查的显示元件的栅极信号线的电势来控制第二晶体管的栅极电压，将由数据存储信号线确定的电压提供到第一晶体管的栅极，以及控制第三晶体管的栅极的步骤；以及通过使用连接到将被检查的显示元件的第一电流源线，或者连接到除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的测量单元，来测量经由第三晶体管从电极流过的电流的步骤。

对于在上述显示装置中使用的晶体管，当不具体限制其类型时，可以使用p型晶体管或n型晶体管。

本发明一般被应用于测试形成在基板上的显示装置，所述基板具有电极和对应于每个像素的显示元件的驱动设备，并且本发明不必局限于如下类型的显示装置：在该显示装置中，使用当前流行的透明电极以允许从基板侧进行察看。因此，本发明还针对如下的显示装置：该显示装置允许从发光材料一侧，或者从被设置在具有电极和驱动设备的基板上的反向电极一侧进行察看。因此，被设置在基板上的电极并不局限于透明电极。

在上述显示装置中，优选地，将自发光有机EL元件的打开面积设计得尽可能大，即，将电极的面积设计得尽可能大。因此，优选地，为了评价每个像素而并入的元件的面积要尽可能小。还优选地，为每个显示元件提供独立的写入，从而可以分别测量对应于单独元件的显示元件组，以提高电流/电压测量的分辨率。

被设置在阴极和阳极之间的所有层被统称为EL层。因此，EL层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。这里，由阳极、EL层和阴极所构成的发光元件被称为EL元件。在本发明中的EL元件可以包括利用来自单态激子的光发射(荧光)的类型，和利用来自三态激子的光发射(磷光)的类型。

附图说明

图1是本发明的主动矩阵显示装置的示意图，其中A到C示出了使用晶体管(Qt)的情况，D到E示出了使用二极管(Dt)的情况，并且F示出了使用电容器(Ct)的情况。

图2示出了对应于图1中的A并且根据本发明第一实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路的电路图。

图3示出了对应于图1中的B并且根据本发明第二实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路的电路图。

图4示出了对应于图1中的C并且根据本发明第三实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路的电路图。

图5示出了在根据图4所示本发明第一实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路中，晶体管Qt的漏极和源极互连的形式的电路图。

图6示出了在根据图5所示本发明第一实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路中，晶体管Qt的漏极和栅极互连，并且其连接端被连接到显示像素的栅极线Gate(n)的形式的电路图。

图7示出了在根据图4所示本发明第一实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路中，改变晶体管Qt的漏极和栅极的连接端的形式的电路图。

图8示出了在图7所示主动矩阵显示装置的基板上的电路中，晶体管Qt的漏极和栅极的连接端与图7中的连接端相反的形式的电路图。

图9示出了对应于图1中的D并且根据本发明第四实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路的电路图。

图10示出了在对应于图9并且根据本发明第四实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路中，其连接端被连接到显示像素的栅极线Gate(n)的形式的电路图。

图11示出了对应于图1中的E并且根据本发明第五实施例的主动矩阵显示装置的基板上的电路的电路图。

图12是根据本发明第六实施例的主动矩阵显示装置的电路图，其中添加了附加反馈电容器(Cfb)。

图13中的A是当n型晶体管被用作图12所示第六实施例中的Q1和Q2时，像素驱动电路的示意图。

图13中的B是用于示出图13的A中的电压驱动型电路的操作的时序图。

图14中的A是在将n型晶体管用作Q1并且将p型晶体管用作Q2的情况下，像素驱动电路的示意图。

图14中的B是用于示出图14的A中的电流驱动型电路的操作的时序图。

图15示出了根据对应于图1中的F的本发明，第七实施例的电路图，其中在图9所示实施例中的二极管Dt被电容器Ct所取代。

图16示出了根据本发明的一个实施例，其中在图1所示电路中的电容器Ct被连接到感兴趣的栅极线Gate(n)。

图17中的A示出了用于图15所示的感兴趣的像素的驱动电路的示意图。

图17中的B是用于示出图17中的A所示电路的操作的时序图。

图18中的A示出了在图16所示的感兴趣的像素中，将n型晶体管用作晶体管Q1并且将p型晶体管用作晶体管Q2的驱动电路的示意图。

图18中的B是用于示出图18中的A所示电路的操作的时序图。

图19中的A示出了在图16所示的感兴趣的像素中，将n型晶体管用作晶体管Q1和Q2的驱动电路的示意图。

图19中的B是用于示出图19中的A中电路的操作的时序图。

图20示出了在使用电容器的传统主动矩阵显示装置中每个像素的等效电路的电路图。

图21示出了使用电容器的传统主动矩阵显示装置的像素部分的电路配置的电路图。

具体实施方式

下面首先参考图1来描述本发明的某些实施例。图1示出了在像素***部分的负载元件的某些类型和连接，所述负载元件被连接到电极，以使诸如EL显示器或液晶显示器(LCD)之类的元件发光或驱动这类元件。这里的示例示出了采用所谓的ITO电极(即通过将铟锡氧化物蒸镀到包含玻璃等的基板上而形成的透明电极)的情况。因此，在基板上的电极被简单地指示为“ITO”，尤其是在附图中。但是，本发明并不局限于诸如ITO电极之类的透明电极，并且可普遍应用于通过在基板上形成电极和包括晶体管的驱动电路而制成的显示装置。作为负载元件，图1中的A到C示出了使用晶体管(Qt)的形式，D和E示出了使用二极管(Dt)的形式，并且F示出了使用电容器(Ct)的形式。在图1的A到F中以虚线围绕的部分示出了用于被包括在主动矩阵显示装置中的一个像素的驱动电路。而且，在下述图3到图12、图15和图16中以虚线围绕的部分同样示出了用于被包括在主动矩阵显示装置中的一个像素的驱动电路。

下面，将参考图1中的A来描述将晶体管(Qt)用作本发明的驱动电路的负载元件的显示装置的基本电路配置。在图1的A中，被包括在主动矩阵显示装置中的像素的驱动电路包括电极、第一晶体管(Q2)、第二晶体管(Q1)、存储电容器(C1)和第三晶体管(Qt)。电极被连接到EL元件等等，并且通常由导电性的透明ITO构成。第一晶体管(Q2)连接到该电极以及用于像素的电流源线(Is(m))，并且根据提供到其栅极的电压在EL元件等等的接通状态和关断状态之间切换。第二晶体管(Q1)连接到第一晶体管(Q2)栅极以及用于提供电压信号的数据存储信号线(Data(m))，并且根据提供到其栅极的电压在第一晶体管(Q2)的接通状态和关断状态之间切换。存储电容器(C1)连接到电流源线(Is(m))以及第一晶体管(Q2)的栅极，并且在第二晶体管(Q1)处于接通状态时，存储经由第二晶体管(Q1)提供的数据的电压信号。第三晶体管(Qt)连接到电极以及用于除感兴趣的像素之外的另一像素的线路(Gate(n-1))或用于相邻像素的线路(Gate(n-1))，并且通过改变用于另一像素的线路(Is(m+1))的电势而将栅极设置为接通状态或关断状态，从而将从第一晶体管(Q2)流到电极的电流引导至用于另一像素的线路。在像素的***部分中，布置了连接到***电路20和30的焊盘10和12、用于接通或关断每个像素的电源的开关14等等。图2示出了比图1中的A所示电路更详细的电路，并且包括***电路20和30等等。

这里，本发明的上述电路与传统电路的不同之处在于，添加了上述第三晶体管Qt以作为负载元件。而且，本发明还可应用于将晶体管Qt的部分改为二极管Dt或电容器Ct(如下所述)的情况。

当添加晶体管Qt、二极管Dt或电容器Ct以作为负载元件时，优选地经由电极来连接第一晶体管(Q2)和上述负载元件，从而使电极和晶体管Q2之间的连接状态也可以被检查。

下面，将参考图2来描述图1的A中所示的使用晶体管的电路的操作。在图2中以虚线围绕的部分对应于图1的A中以虚线围绕的部分。在该图中，由_n指示的标号指代n型晶体管，而由_p指示的标号指代p型晶体管。首先，晶体管(Q2)的栅极电压被控制，以控制去往电极(ITO电极)的电流量。在这种情况下，获得所需的线路Data(m)的电压，并且线路Gate(n)被用于控制Q1的暂时接通和关断，从而将电荷累积在用于数据存储的电容器C1中。接下来，在电容器C1处的电压被保持，直到状态改变。因此，在这种状态中，如果EL元件是在这种状态中形成的，则经由电极将功率提供到EL元件等等(未示出)，以导致发光。

接下来，用于除了感兴趣的像素之外的另一像素的电流源线(例如与感兴趣的像素相邻的电流源线Is(m+1))被用于控制晶体管(Qt)的栅极，以将晶体管(Qt)的漏极连接到与感兴趣的像素相邻的栅极线Gate(n+1)。随后，连接到线路Is(m)的电表(未示出)被用于测量流过电极的电流(即流过EL元件的电流)。

在图1中的A或图2所示的实施例中，晶体管Qt优选地是p型晶体管。这是因为优选地，在晶体管Q2的栅极电压和源极电压为零时，流过晶体管Qt的电流被关断，以避免故障，因为在实际致使EL元件发光(或被驱动)时，从晶体管Q2提供的用于EL光发射的电流会经由晶体管Qt而流出。这里，当p型晶体管也被用于晶体管Q1和Q2时，包括晶体管Qt在内的所有晶体管都可以被配置为p型晶体管。

在这种情况下，当n型晶体管被用于晶体管Q2时，驱动电路用于设置电极的电压，而当p型晶体管被用于晶体管Q2时，驱动电路用于设置(ITO)电极的电流。在任一情况下，操作原理相同。

下面将参考图3来描述本发明的第二实施例，该实施例是对第一实施例的改进。在上述第一实施例中，晶体管Qt受控于另一像素(例如相邻像素)的电流源线(Is(m+1))。但是，在第二实施例中，提供了作为附加电源供应线的线路L_gate(对应于图1的B中所示的Gate(common))，以控制晶体管Qt。如上述情况，对于作为附加的电源供应线的线路L_gate，电压控制等等也可以从***电路执行。因此，可以消除在第一实施例中对晶体管Qt的限制，并且还可以将n型晶体管用于晶体管Qt。

下面将参考图4来描述本发明的第三实施例。在第三实施例中，将作为附加线路的电流释放线，即Drain(n)线路添加到第二实施例中。晶体管Qt的输出连接到附加线路Drain(n)。如第一和第二实施例，将电表(未示出)连接到电流源线(Is(m))或附加线路Drain(n)的做法允许流过电极的电流被测量。

在这种情况下，不需要使用另一像素的栅极线(例如相邻像素的栅极线Gate(n-1)或Gate(n+1))来测量流过电极的电流。这样做的优点在于，消除了在电流测量期间的限制，并且提高了测量的自由度。

没有如图2所示那样提供用于除了感兴趣的像素之外的另一像素的电流源线(Is(m+1))，而是可以采用如下布置：将晶体管Qt的漏极与晶体管Qt的栅极相连，并且将连接到晶体管Qt的漏极和栅极的线路连接到用于驱动像素的栅极线Gate(n)，或用于驱动相邻像素的栅极线Gate(n+1)或Gate(n-1)。在图5中示出了这种情况。这种配置可应用于晶体管Q1和Qt是p型晶体管的情况。在这种情况下，当晶体管Qt的连接端的栅极线被选择并且电压降低时，晶体管Qt接通。因此，这种配置可以以相同方式被用于晶体管Qt是二极管的情况。

下面，将参考图5描述用于评价电流特性的方法。首先，晶体管Q2的栅极电压被控制，以控制去往电极的电流量。在这种情况下，获得用于存储感兴趣的像素的数据所需的电压信号线Data(m)的电压，感兴趣的像素的栅极线Gate(n)中的电压被降低，并且晶体管Q1被暂时接通，然后被关断，从而电荷被存储在数据存储电容器C1中。接下来，电压被存储在电容器C1中，直到状态改变。这样，如果EL元件是在处于该状态的电极上形成的，则经由电极将功率提供到EL元件等等(未示出)。这样一来，电子和空穴在EL元件中被重新组合，从而EL元件继续被驱动或发光。

随后，除感兴趣的像素之外的另一像素的栅极线Gate(n+1)(例如相邻像素的栅极线Gate(n+1))导致在晶体管Qt处的栅极电压降低，从而接通晶体管Qt，从而在晶体管Qt中流动的电流经由晶体管Q2而流到Gate(n+1)中。这时，连接到电流源线Is(m)的电表(未示出)被用于测量流过电极的电流(即在形成EL元件时流过该EL元件的电流)。

利用这种布置，在使用Data(m)和Gate(n)来接通和关断晶体管Q1的操作之后，即在执行写入感兴趣的像素的操作之后，可以在导致Gate(n+1)的电压降低并且将数据信号写入除了感兴趣的像素之外的另一像素(例如相邻像素)时，评价流过感兴趣的像素的电流值。换句话说，控制除了感兴趣的像素之外的另一像素的栅极线或相邻像素的栅极线的做法允许测量处于保持状态的感兴趣的像素的驱动电路的电特性。

这里，虽然在上述测量中使用了除感兴趣的像素之外的另一像素的栅极线Gate(n+1)，但是未使用另一像素的电流源线Is(m+1)。因此，控制简单，并且减小了元件的电路设计的负担。

接下来，图6示出了如下情况：没有提供除感兴趣的像素之外的另一像素的电流源线(Is(m+1))，而是将晶体管Qt的漏极与晶体管Qt的栅极相连，并且将连接到晶体管Qt的漏极和栅极的线路连接到用于驱动像素的栅极线Gate(n)。这种配置可应用于晶体管Q1和Qt是p型晶体管的情况。在这种情况下，当晶体管Qt的连接端的栅极线被选择，并且电压降低时，晶体管Qt接通。因此，该配置可以以相同方式被用于晶体管Qt是二极管的情况。

接下来，将参考图6来描述用于评价电流特性的方法。首先，晶体管Q2的栅极电压被控制，以控制去往电极的电流量。就是说，获得用于存储感兴趣的像素的数据所需的电压信号线Data(m)的电压，并且感兴趣的像素的栅极线Gate(n)中的电压被降低，从而接通晶体管Q1。这样一来，由电压信号线Data(m)确定的电压被提供到晶体管Q2的栅极。这时，电荷也被存储在电容器C1中。因此，在该状态中，如果在电极上形成EL元件，则功率经由电极被提供到EL元件等等(未示出)。这样一来，电子和空穴在EL元件中被重新组合，从而EL元件继续被驱动或发光。

这意味着用于驱动感兴趣的像素的电极的晶体管(Q2)的电特性可以基于由Date(m)确定的Q2栅极电压来测量。该测量提供了如下优点：例如为Data(m)设置至少两个设置电压值，并且使用电表测量在一定等待时间之后流过的电流的做法允许详细测量晶体管(Q2)的电流特性，该特性不同于感兴趣的像素在保持状态中的特性。这里，电表被连接到感兴趣像素的电流源线Is(m)或者感兴趣像素的栅极线Gate(n)。由于该测量没有使用另一像素的任意线路，因此控制简单，并且减小了在元件的电路设计期间的负担。

当执行对感兴趣像素的写入时，该晶体管(Qt)接通。晶体管(Qt)可以作为用于像素过程管理的TEG(测试元件组)而被设置在显示装置上，以用于评价显示装置。包括该测试电路的像素可以与包括另一测试电路的像素一起使用。

另外，如图7所示，布置可以是这样的：没有如图2所示那样提供除感兴趣的像素之外的另一像素的电流源线(Is(m+1))，而是如触点(A)所指示的，将晶体管Qt的栅极连接到用于驱动除感兴趣的像素之外的另一像素的栅极线(例如用于驱动相邻像素的栅极线Gate(n+1))，并且如触点(B)所指示的，将晶体管Qt的源极连接到用于驱动该像素的另一栅极线Gate(n)。图7中的配置可应用于晶体管Q1和晶体管Qt都是n型晶体管的情况。

下面将参考图7来描述用于测量电特性的方法。首先，晶体管Q2的栅极电压被控制，以控制去往电极的电流量。这是通过以下方式实现的：获得用于存储感兴趣的像素的电压所需的电压信号线Data(m)的电压，感兴趣的像素的栅极线Gate(n)中的电压被升高，并且暂时接通并随后关断晶体管Q1，从而将电荷存储在数据存储电容器C1中。接下来，在电容器C1处的电压被保持，直到状态改变。这样，如果在该状态中形成EL元件，功率则经由电极被提供到EL元件等等(未示出)。这样一来，电子和空穴在EL元件中被重新组合，从而EL元件继续被驱动或发光。

随后，与感兴趣的像素相邻的像素的栅极线Gate(n+1)致使在晶体管Qt处的栅极电压升高，从而接通晶体管Q2，从而使在晶体管Qt中流动的电流经由晶体管Q2而流到Gate(n)中。这时，连接到线路Is(m)的电表(未示出)被用于测量流过电极的电流，即如果形成EL元件，则将流过该EL元件的电流。

这种布置，在使用Data(m)和Gate(n)接通和关断晶体管Q1的操作之后，即在执行写入感兴趣的像素的操作之后，可以在导致Gate(n+1)的电压升高并且将数据信号写入其相邻像素时，评价流到感兴趣的像素的电流值。换句话说，控制与感兴趣的像素相邻的像素的栅极线的做法允许测量处于保持状态的感兴趣的像素的驱动电路的电特性。

这种测量使用了相邻像素的栅极线Gate(n+1)，但是没有使用相邻像素的电流源线Is(m+1)。因此，控制简单，并且减小了元件的电路设计上的负担。

另外，如图8所示，布置可以是这样的：没有如图2所示那样提供除感兴趣的像素之外的另一像素的电流源线(Is(m+1))，而是如触点(B)所指示的，将晶体管Qt的栅极连接到用于驱动与感兴趣的像素相同的像素的栅极线Gate(n)，并且如触点(A)所指示的，将晶体管Qt的源极连接到用于驱动像素的另一栅极线Gate(n+1)。图8中的配置可应用于晶体管Q1和晶体管Qt都是n型晶体管的情况。

接下来，将参考图8来描述用于测量其电特性的方法。首先，晶体管Q2的栅极电压被控制，以控制去往电极的电流量。就是说，获得用于存储感兴趣的像素的数据所需的电压信号线Data(m)的电压，并且感兴趣的像素的栅极线Gate(n)中的电压被升高，从而接通晶体管Q1。这样一来，由电压信号线Data(m)确定的电压被提供到晶体管Q2的栅极。这时，电荷也被存储在电容器C1中。这样，在该状态中，如果在电极上形成EL元件，功率则经由电极被提供到EL元件等等(未示出)。这样一来，电子和空穴在EL元件中被重新组合，从而EL元件继续被驱动或发光。

这意味着用于驱动感兴趣的像素的电极的晶体管(Q2)的电特性可以基于由Date(m)确定的Q2栅极电压来测量。该测量提供了如下优点：例如为Data(m)设置至少两个设置电压值，并且使用电表测量在一定等待时间之后流过的电流的做法允许详细测量晶体管(Q2)的电流特性，该特性不同于感兴趣的像素在保持状态中的特性。这里，电表被连接到感兴趣像素的电流源线Is(m)或者感兴趣像素的栅极线Gate(n)。由于该测量没有使用另一像素的任意线路，因此控制简单，并且减小了在元件的电路设计期间的负担。

当执行对感兴趣像素的写入时，该晶体管(Qt)接通。晶体管(Qt)可以作为用于像素过程管理的TEG而被设置在显示装置上，以用于评价显示装置。包括该测试电路的像素可以与包括另一测试电路的像素一起使用。

虽然上面已经描述了使用晶体管Qt的驱动电路以及用于使用驱动电路来检查电路的方法，但是下面将参考图9来描述本发明的第四实施例，其使用二极管来取代晶体管Qt。第四实施例具有与图2所示的第一实施例基本相同的配置，其中以二极管Dt取代第一实施例中的晶体管Qt。当与三端元件晶体管Qt相比较时，二极管是两端元件，它不需要用于控制栅极的线路等等。因此，该电路具有稍微简单的配置。

下面将描述第四实施例的电路的操作。首先，晶体管Q2的栅极电压被控制，以控制去往电极的电流量。因此，如上所述，获得用于存储数据所需的Data(m)的电压，并且控制Gate(n)暂时接通并随后关断晶体管Q1，从而电荷被存储在数据信号存储电容器C1中。在存储电容器C1处的预定电压被保持，直到该状态改变，从而经由电极连接的EL元件继续被驱动或发光。

与第一实施例相同，当n型晶体管被用于晶体管Q2时，驱动电路用于设置电极的电压，而当p型晶体管被用于晶体管Q2时，驱动电路用于设置电极的电流。在任一情况下，操作原理相同。

这里，二极管Dt的阳极被连接到电极，并且其阴极连接到除感兴趣的像素之外的另一像素的栅极线Gate(n+1)，例如相邻像素的栅极线Gate(n+1)。这里，致使Gate(n+1)具有二极管Dt的接通电压，并且连接到电流源线Is(m)的电表(未示出)被用于测量流过电极的电流。二极管Dt优选地被设计为：使得在安装EL元件之后的实际使用期间，使该二极管的接通周期尽可能的短(即使得在实际使用期间，电流经由电极而流到EL元件(未示出)，并且电流只在非常短的时间周期中从二极管Dt流到Gate(n+1))。在这种情况下，优选地将p型晶体管用于晶体管Q1。就是说，满足如下条件就足够了：即使在与感兴趣的像素相邻的像素的晶体管Q1的栅极Gate(n+1)被关断时，感兴趣的像素的二极管Dt也不会被接通。具体而言，为了避免电流流到二极管Dt中，可以将二极管Dt阴极一侧保持在高于电极的电势上。但是，在图9的情况下，连接端是与感兴趣的像素相邻的栅极线Gate(n+1)。这里，为了操作与感兴趣的像素相邻的晶体管Q1，栅极线Gate(n+1)需要独立于感兴趣的像素而被接通或关断。这样，在图9的情况下，存在对电路配置的限制。

下面，将参考图10来描述将二极管Dt的阳极连接到电极，并且将阴极连接到与感兴趣的像素相同的像素的栅极线Gate(n)的情况。首先，致使感兴趣的像素的栅极线Gate(n)中的电压降低，并且p型晶体管(Q1)和二极管(Dt)被接通。随后，获得用于存储感兴趣的像素的数据所需的电压信号线Data(m)的电压，并且将该电压值用于控制晶体管(Q2)的栅极。

这里，由于二极管(Dt)的阳极被连接到电极，而阴极被连接到Gate(n)，因此电流根据Data(m)的电压值，经由晶体管(Q2)和二极管(Dt)而流到Gate(n)。Gate(n)的电压被控制，从而二极管Dt发送电流，并且连接到感兴趣的像素的电流源线Is(m)或栅极线Gate(n)的电表(未示出)被用于测量流过电极的电流(即流过EL元件的电流)。

利用这种布置，可以基于Data(m)所确定的电压来测量用于驱动感兴趣的像素的电极的晶体管Q2的电特性。该测量提供了如下优点：例如为Data(m)设置至少两个设置电压值，并且使用电表或电荷测量仪测量在一定等待时间之后流过的电流的做法允许详细测量晶体管(Q2)的电流特性，该特性不同于感兴趣的像素在保持状态中的特性。由于该测量没有使用另一像素的任意线路，因此控制简单，并且减小了在元件的电路设计期间的负担。

这里，当执行对感兴趣的像素的写入时，二极管(Dt)被接通。二极管(Dt)可以作为用于像素过程管理的TEG而被设置在显示装置上，以用于评价显示装置。包括该测试电路的像素可以与包括另一测试电路的像素一起使用。

二极管Dt还优选地被设计为：使得在安装EL元件之后的实际使用期间，使该二极管的接通周期尽可能的短(即使得在实际使用期间，电流经由电极而流到EL元件(未示出)，并且电流只在非常短的时间周期中从二极管Dt流到Gate(n))。在这种情况下，优选地将p型晶体管用于晶体管Q1。就是说，满足如下条件就足够了：在感兴趣的像素的晶体管Q1的栅极Gate(n)被关断时，感兴趣的像素的二极管Dt不会被接通。具体而言，为了允许电流只在很短的时间周期中流到二极管Dt，可以在除了使用Gate(n)的时间之外，将二极管Dt阴极一侧保持在高于电极的电势上。在图10的情况下，连接端是感兴趣的像素的栅极线Gate(n)。这样，在图10的情况下，如图9一样，存在对电路配置的限制。

下面将参考图11来描述本发明的第五实施例，该实施例消除了对电路配置的限制。在第五实施例中，附加的电压供应线Vd(n)被添加到第四实施例中。二极管Dt的阴极被连接到附加的电压供应线Vd(n)。虽然需要附加线路，但是这种情况提供了如下优点，即消除了对晶体管Q1类型的限制。

为了检查像素驱动电路，可以使用连接到电压供应线Vd(n)或电流源线Is(m)的电表(未示出)进行评价。在前一种情况下，电压供应线Vd(n)被保持在高电势，从而防止被提供到电极(ITO)的电流经由二极管Dt而流出。

在这种情况下，对于数据信号线Data(m)的电压设置，例如，当希望将流过晶体管Q2的电流设置为1μA时，存在如下情况：经预测，将Data(m)的电压设置为1V是有利的。在这种情况下，当以这种方式设置Data(m)的电压时，连接到电压供应线Vd(n)或者电流源线Is(m)的电表可以被用于检测流过晶体管Q2的电流水平，从而判断电流值是否满足产品规范。

下面将参考图12描述使用负载电容器Cfb的本发明第六实施例。在第六实施例中，电容器Cfb被连接到电极，并且电容器Cfb的另一端连接到晶体管Q2的栅极以实现反馈。此外，用于存储数据信号的存储电容器C1被连接到不同于电源供应线的附加电源供应线(Common)。

在第六实施例中存在两种类型的电路操作，即电压驱动型和电流驱动型。下面将描述各个情况的操作原理。

(电压驱动型操作的描述)

将参考图13来描述电压驱动型操作。这里，将n型晶体管用于晶体管Q1和Q2。首先，作为初始化例程，电容器Cfb被复位。具体而言，在将电源供应线V1(对应于图12所示的Is)设置为零电势的状态中，晶体管Q2的栅极被接通一次，并且电容器Cfb被复位。这样做的意图是想要消除电容器Cfb中固有的电荷所引起的不利影响，从而以高准确度执行电荷测量。接下来，电流供应电压V1被提供到晶体管Q2。另外，利用从数据信号线Data(m)提供的预定电压，晶体管Q1的栅极被接通，并且晶体管Q2被接通。而且，在将电压供应到存储电容器C1之后，晶体管Q1关断。

该状态被保持一段预定时间，从而使指示电极处电压的V_ITO和在电容器Cfb处的电压饱和至某种状态。作为响应，晶体管Q2也进入关断状态。从该状态开始，电压V1逐步下降。这里，在V1与V_ITO变为彼此相等之前，电压V_ITO不产生波动。但是，当V1和V_st之差超过晶体管Q2的阈值电压Vth时(即当电压V1变得低于V_ITO时)，晶体管Q2进入接通状态，并且随后，V_ITO跟随V1降低。在这种情况下，根据电压V_ITO中的压降，电容器Cfb放电，并且因此其电压降低。这样，在数据存储电容器C1和Cfb之间交点处的电压V_st随着电容器Cfb的电压降低而降低。随后，V1降低，直到V1达到预定电压。该预定电压是这样确定的，即使得电压V_st的改变量ΔV_st可以容易地获得。

获得该交点处电压V_st的改变量ΔV_st的操作能够确定驱动电路的特性。具体而言，在通过V1的操作而达到预定电压之后，再次利用Gate(n)接通晶体管Q1的栅极，并且可以通过使用连接到数据线Data(m)的电表或电荷测量仪(未示出)来测量电压V_st。将最初存储在存储电容器C1的用于数据信号电压的电荷量与从ΔV_st确定的电荷量相比较。当在电压V_ITO中的改变量被定义为ΔV_ITO时，被测电荷量满足以下关系：ΔV_st＝ΔV_ITO×(Cfb/(C1+Cfb))。因此，在每个像素中，判断错误是否在一个周期范围内，从而可以检查像素的驱动电路的操作。

(电流驱动型操作的描述)

下面将参考图14来描述电流驱动型操作。在这种情况下，p型晶体管被用于晶体管Q1和Q2。不同于上述电压驱动型操作，这里不必执行电容器Cfb的复位。预定电压也被提供到电源供应线V2(对应于图12所示的Common)。这里，控制栅极信号线Gate(n)以接通晶体管Q1。预先向数据信号线Data(m)提供预定电压的操作也将晶体管Q2带入接通状态。这时，连接到晶体管Q2的源极的V1的电压(对应于图12所示的Is的电压)被设置为高于栅极电压。从该状态开始，电源供应线V1(Is)的电压被降低。电极(ITO电极)的电压V_ITO也相应降低，直到晶体管Q2被关断。如上所述，在这种情况下，电流从存储电容器C1流到电容器Cfb。当电源供应线V1的电势下降到比关断晶体管Q2的栅极电势的电压(阈值电压Vth)更低的值时，没有电荷从C1中流出。在这种状态中，晶体管Q1接通，连接到数据信号线Data(m)的电表或电荷测量仪(未示出)被用来测量存储在存储电容器C1中的电荷量。然后，对于每个像素，确定提供到(写入)存储电容器C1的电荷量与所读取的电荷量之差。判断该差值是否在预定范围内的操作可以检查像素的驱动电话的操作。

在上述第六实施例中，可以利用单个测量操作来确定晶体管Q2的阈值电压Vth的值。因此，与传统电路相比，第六实施例的优点在于测量吞吐量(throughput)很高。现在参考图20，在专利文件2中，用于数据存储的存储电容器C1被连接到另一线路(Vsc)。在专利文件2中，如图20所示，n型晶体管可以被用作晶体管Tr2，并且该Tr2仅仅充当开关。从而，将只能确定晶体管Tr2的接通状态或关断状态，即只能判断晶体管Tr2是正常工作，还是发生故障。因此，为了确定本发明中晶体管Q2的阈值电压Vth，需要在改变提供的电压值的同时，多次重复相似的测量操作。在上述专利文件3中，对应于上述电容的电容被连接到相邻的栅极线。注意，即使在电容被反馈到晶体管9106的栅极端子时，电路也不能正常操作。

下面将描述本发明的第七实施例。第七实施例涉及用于确定使用电容器Ct的驱动电路的瞬态响应的方法。图15和图16示出了在这种情况下所使用的电路。在图15中所示的电路配置对应于图1的F中的电路配置，并且基本上与图9中所示的使用二极管的电路配置相同。图16与图15的不同之处在于，电容器Ct的连接端被连接到电容器Ct所属显示元件的栅极线Gate(n)。在这种方式中，优选地，连接到电极的电容器Ct的另一端例如是：(1)除电容器所属显示元件之外的另一显示元件的栅极线，或者(2)电容器所属显示元件的栅极线。其原因在于，这些线路总是存在于像素周边以驱动或控制EL元件，并且因此可被用于有意地改变电压。连接到电极的电容器Ct的另一连接端并不局限于这些示例，因此该连接端可被连接到另一线路，例如像素电极等等。

在这样的电路配置中，在发生瞬态响应期间，通过使用连接到线路Is的电表等等来测量瞬态响应电流、存储在电容器中的电荷量等等的做法可以评价每个像素的电极(ITO)的电压V_ITO的瞬态响应。

(第七实施例的操作描述)

(1)在电容器Ct被连接到除电容器所属显示元件之外的另一显示元件的栅极线的情况下。

参考图17进行描述。首先，正在讨论的栅极线(Gate(n))被控制为致使来自数据信号线Dataz(m)的电荷被存储在存储电容器C1中，并且执行写入和数据设置。接下来，电压被提供到相邻栅极线(Gate(n+1))以在电容器Ct中存储电荷。当在预定时间之后操作进入稳定状态时，在ITO电极处的电势达到某个值(Vdd)。在相邻栅极线(Gate(n+1))中的电压下降到预定电压，以产生瞬态响应。在发生瞬态响应期间，连接到电流供应线Is(对应于图15中所示的Is(m))的电表A1被用于测量将被检查的像素中的瞬态响应电流(I-Is)。在这种方式中，可以评价每个像素的像素驱动电路的电流驱动能力。在本实施例中，p型晶体管被用作图17所示的晶体管Q1和Q2。

(2)在电容器Ct被连接到电容器所属显示元件的栅极线的情况下。

参考图18进行描述。在这种情况下，正在讨论的显示元件的栅极线(Gate(n))的电压被改变，从而以与情况(1)相同的方式产生瞬态响应。到发生瞬态响应时，利用连接到电流供应线Is(对应于图16中所示的Is(m))的电表来测量此时的瞬态响应电流。这里，当电容器Ct被连接到正在讨论的栅极线时，在图18中，n型晶体管(Q1_n)被用作晶体管Q1，并且p型晶体管(Q2_p)被用作晶体管Q2，并且在图19中，将n型晶体管(Q1_n和Q2_n)用作晶体管Q1和Q2。

这里，首先描述图18的情况。首先，正在讨论的栅极线(Gate(n))的电压被控制，以接通晶体管Q1，从而电荷被存储在Ct中。随后，在一段预定时间之后，在电极(ITO电极)处的电压(V_ITO)进入稳定状态，并且随后正在讨论的栅极线(Gate(n))的电压下降到预定电压。在上述情况下，连接到电流供应线的电表被用于允许测量存储在电容器Ct中的电荷的瞬态响应(I_Is)。这里，预定电压需要致使电势差达到产生瞬态响应的程度。

接下来，将参考图19来描述将n型晶体管用作晶体管Q1和Q2的情况。首先，正在讨论的栅极线(Gate(n))的电压被控制，以接通晶体管Q1，从而电荷被存储在Ct中。随后，在一段预定时间之后，在电极处的电压(V_ITO)进入稳定状态，并且随后正在讨论的数据信号线(Data(m))的电压上升到预定电压。随后，在一段预定时间之后，正在讨论的栅极线(Gate(n))的电压下降到预定电压。在上述情况下，连接到电流供应线的电表被用于允许测量存储在电容器Ct中的电荷的瞬态响应(I_Is)。

上述实施例提供了如下优点：通过对瞬态响应电流的测量，甚至能够评价电流驱动能力。注意，利用专利文件2中所公开的电路，无法执行上述操作。

在实践中优选的做法是：在评价驱动电路时，接通被添加到实施例所述各电极中的元件，而在将其用作产品时，关断这些元件。这是因为存在如下风险，即无法提供用于点亮或驱动EL元件所需的足够功率的风险。还优选地，如果可能，则利用现有线路来实现连接，而不要添加附加线路。这是因为可以避免增大线路数量。

虽然在上述附图中示出了用于执行接通/关断转换的开关，但是注意，这些开关不是本发明中的主要元件。这是因为，通过以增加线路数量并且分离像素来替代提供开关，也可以实现测量方案的改善和并行处理。类似地，注意，***电路不是用于本发明的评价的特别主要的元件。

在上述实施例中，ITO(铟锡氧化物)被用作用于驱动有机EL元件的电极。该ITO在可视光区域内具有透明的光学属性，并且被用作需要使用背光的液晶显示器(LCD)中的透明电极。但是，由于有机EL元件自己发光，因此在本发明中使用的ITO被用作用于驱动有机EL元件像素的电极，但是它并不局限于此。例如，也可以使用导电金属等等来替代ITO。还要注意，ITO可以被用作有机EL元件的阴极。

利用上述布置，根据本发明，可以在不使用特殊装置的情况下，评价有机EL元件的驱动电路的直流特性、瞬态响应特性等等。因此，可以根据实际使用状态而以高准确度和低成本执行评价。

由本发明所保护的范围并不局限于上述实施例，而是还可以扩展到在权利要求及其等同物中所描述的发明。

权利要求书

(按照条约第19条的修改)

1.一种主动矩阵显示装置，包含：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的电压信号；以及

第三晶体管，该第三晶体管的源极和漏极被连接到所述电极和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至另一显示元件的栅极信号线。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到除所述显示元件之外的另一显示元件的第二电流源线，从而执行控制，以便将所述栅极带入接通状态或关断状态。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到所述另一显示元件的栅极信号线，从而执行控制，以便将所述栅极带入接通状态或关断状态。

4.一种主动矩阵显示装置，包含：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的电压信号；以及

第三晶体管，该第三晶体管的源极和漏极被连接到所述电极和所述栅极信号线，并且该第三晶体管具有栅极，通过改变除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的电势，该栅极被带入接通状态或关断状态，从而将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述栅极信号线。

5.如权利要求1到4中的一个所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

6.如权利要求1到4中的一个所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到附加提供的电源供应线。

7.一种主动矩阵显示装置，包含：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到其栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的电压信号；以及

第三晶体管，该第三晶体管的源极和漏极被连接到所述电极和附加提供的电源供应线，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述附加提供的电源供应线。

8.如权利要求1到4或7中的一个所述的显示装置，其中所述第三晶体管是p型晶体管。

9.如权利要求1到4或7中的一个所述的显示装置，其中来自所述第三晶体管的线路被连接到用于在所述显示装置处于操作状态时，同时控制两个或更多个所述显示元件的***电路，并且多个所述第三晶体管经由所述***电路而被顺序开关。

10.一种用于检查如权利要求1到4或7中的一个所述的主动矩阵显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过控制所述第二晶体管的栅极电压，将电荷存储到所述存储电容器中；

通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第一线路的电势，来控制所述第三晶体管的栅极；以及

通过使用连接到将被检查的显示元件的所述第一电流源线的测量单元，来测量经由所述第三晶体管而从所述电极流过的电荷或电流量。

11.一种显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的信号；以及

连接到所述电极和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的二极管。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

13.一种显示装置，包含：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的信号；以及

连接到所述电极和附加提供的电流释放线的二极管。

14.一种用于检查如权利要求11或13中的一个所述的主动矩阵显示装置的每个像素的方法，该方法包括以下步骤：

通过控制所述第二晶体管的栅极，将电荷存储到所述存储电容器中；以及

通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第一线路的电势，并且使用连接到除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第二线路的测量单元，来测量经由所述二极管而从所述电极流过的电荷或电流量。

15.一种主动矩阵显示装置，包括在所述显示装置中的每个像素包含：

连接到所述像素的显示元件的电极；

连接到所述电极和所述像素的第一线路的第一晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和用于提供电压信号的数据存储信号线的第二晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和所述像素的第二线路的存储电容器，以及

连接到所述电极和所述第一晶体管的栅极，从而利用从所述第一晶体管流到所述电极的电流来累积电荷的负载电容器。

16.如权利要求15所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

17.一种用于检查如权利要求15所述的主动矩阵显示装置的每个像素的方法，该方法包括以下步骤：

将第一电压提供到所述第一晶体管；

通过利用对连接到所述第二晶体管的栅极的所述栅极信号线的控制暂时接通和关断所述第二晶体管，从而将所述数据存储信号线的电压提供到所述第一晶体管的栅极，而将电荷存储到所述存储电容器和所述负载电容器中；

将所述第一电压降低到预定电压；以及

通过接通所述第二晶体管，并且使用连接到所述数据存储信号线的电荷测量单元，来测量存储在所述存储电容器中的电荷量。

18.如权利要求17所述的方法，其中在降低所述第一电压的步骤中，所述第一电压被降低到预定电压，所述预定电压低于在所述存储电荷的步骤中的电极电压。

19.如权利要求17或18所述的方法，还包括预先复位所述存储电容器中存储的电荷量的步骤，该步骤在将所述第一电压提供到所述第一晶体管的步骤之前。

20.如权利要求17所述的方法，其中在降低所述第一电压的步骤中，所述第一电压被降低，直到所述第一晶体管由于所述第一晶体管的阈值电压而被关断为止。

21.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，栅极信号线被连接到所述第二晶体管的栅极；

连接到所述第一晶体管的栅极和所述电流源线的存储电容器；以及

连接到所述电极和另一显示元件的第二晶体管的栅极，从而利用在所述第一晶体管接通时流过的电流来累积电荷的负载电容器。

22.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，栅极信号线被连接到所述第二晶体管的栅极；

连接到所述第一晶体管的栅极和所述电流源线的存储电容器；以及

连接到所述电极和同一显示元件的第二晶体管的栅极，并且连接到所述栅极信号线，从而利用在所述第一晶体管接通时流过的电流来累积电荷的负载电容器。

23.如权利要求22所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

24.一种用于检查如权利要求22中的主动矩阵显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过控制所述第二晶体管的栅极，将电荷存储到所述存储电容器中；以及

通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的电势，并且使用连接到将被检查的显示元件的电流源线的测量单元，来测量从所述电极流过的电荷或电流量。

25.如权利要求1到4、权利要求7、权利要求11、权利要求13、权利要求15、权利要求21和22中的一个所述的主动矩阵显示装置，其中所述另一显示元件与将被检查的显示元件相邻。

26.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；以及

第三晶体管，该第三晶体管的漏极被连接到所述电极，并且其源极和栅极被连接到所述显示元件的栅极信号线，从而将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述显示元件的栅极信号线。

27.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；以及

连接到所述电极和所述显示元件的栅极信号线的二极管。

28.一种用于检查如权利要求26或27所述的显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过改变将被检查的显示元件的栅极信号线的电势来控制所述第二晶体管的栅极电压，将由所述数据存储信号线确定的电压提供到所述第一晶体管的栅极，以及控制所述第三晶体管的栅极或所述二极管；以及

通过使用连接到所述栅极信号线或所述第一电流源线的测量单元，来测量经由所述第三晶体管或所述二极管而从所述电极流过的电荷或电流量。

29.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到其栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；以及

连接到所述电极的第三晶体管，该第三晶体管的栅极和漏极被连接到除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极线，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述另一显示元件的栅极信号线。

30.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；以及

连接到所述电极的第三晶体管，该第三晶体管的栅极和漏极被连接到除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极线以及所述显示元件的栅极线，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述显示元件的栅极信号线。

31.一种用于检查如权利要求29或30所述的显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过改变将被检查的显示元件的栅极信号线的电势来控制所述第二晶体管的栅极电压，将由所述数据存储信号线确定的电压提供到所述第一晶体管的栅极，以及控制所述第三晶体管的栅极；以及

通过使用连接到所述将被检查的显示元件的第一电流源线，或者连接到除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的测量单元，来测量经由所述第三晶体管从所述电极流过的电流。

Claims (32)

1.一种主动矩阵显示装置，包含：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的电压信号；以及

第三晶体管，该第三晶体管的源极和漏极被连接到所述电极和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至另一显示元件的栅极信号线。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到除所述显示元件之外的另一显示元件的第二电流源线，从而执行控制，以便将所述栅极带入接通状态或关断状态。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到所述另一显示元件的栅极信号线，从而执行控制，以便将所述栅极带入接通状态或关断状态。

4.一种主动矩阵显示装置，包含：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的电压信号；以及

第三晶体管，该第三晶体管的源极和漏极被连接到所述电极和所述栅极信号线，并且该第三晶体管具有栅极，该栅极通过改变除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的电势而被带入接通状态或关断状态，从而将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述栅极信号线。

5.如权利要求1到4中的一个所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

6.如权利要求1到5中的一个所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到附加提供的电源供应线。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到附加提供的电流释放线。

8.如权利要求1到7中的一个所述的显示装置，其中所述第三晶体管是p型晶体管。

9.如权利要求1到8中的一个所述的显示装置，其中来自所述第三晶体管的线路被连接到用于在所述显示装置处于操作状态时，同时控制两个或更多个显示元件的***电路，并且多个所述第三晶体管经由所述***电路而被顺序开关。

10.一种用于检查如权利要求1到9中的一个所述的主动矩阵显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过控制所述第二晶体管的栅极电压，将电荷存储到所述存储电容器中；

通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第一线路的电势，来控制所述第三晶体管的栅极；以及

通过使用连接到将被检查的显示元件的所述第一电流源线的测量单元，来测量经由所述第三晶体管而从所述电极流过的电荷或电流量。

11.一种显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；

连接到所述电流源线和所述第一晶体管的栅极的存储电容器，该存储电容器用于存储在所述第二晶体管处于接通状态时，经由所述第二晶体管从所述数据存储信号线提供的信号；以及

连接到所述电极和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的二极管。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

13.如权利要求11或12所述的显示装置，其中所述二极管被连接到附加提供的电流释放线。

14.一种用于检查如权利要求10到13中的一个所述的主动矩阵显示装置的每个像素的方法，该方法包括以下步骤：

通过控制所述第二晶体管的栅极，将电荷存储到所述存储电容器中；以及

通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第一线路的电势，并且使用连接到所述除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的第二线路的测量单元，来测量经由所述二极管而从所述电极流过的电荷或电流量。

15.一种主动矩阵显示装置，包括在所述显示装置中的每个像素包含：

连接到所述像素的显示元件的电极；

连接到所述电极和所述像素的第一线路的第一晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和用于提供电压信号的数据存储信号线的第二晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和所述像素的第二线路的存储电容器，以及

连接到所述电极和所述第一晶体管的栅极，从而利用从所述第一晶体管流到所述电极的电流来累积电荷的负载电容器。

16.如权利要求12所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

17.一种用于检查如权利要求15或16所述的主动矩阵显示装置的每个像素的方法，该方法包括以下步骤：

将第一电压提供到所述第一晶体管；

通过利用对连接到所述第二晶体管的栅极的所述栅极信号线的控制暂时接通和关断所述第二晶体管，从而将所述数据存储信号线的电压提供到所述第一晶体管的栅极，而将电荷存储到所述存储电容器和所述负载电容器中；

通过接通所述第二晶体管，并且使用连接到所述数据存储信号线的电荷测量单元，来测量存储在所述存储电容器中的电荷量；

对于每个像素，获得测量出的电荷量和在提供所述第一电压时的电荷量之间的差值；以及

判断所述差值是否在预定范围内。

18.如权利要求17所述的方法，其中在降低所述第一电压的步骤中，所述第一电压被降低到预定电压，所述预定电压低于在存储电荷的步骤中的所述电极电压。

19.如权利要求17或18所述的方法，还包括预先复位所述存储电容器中存储的电荷量的步骤，该步骤在将所述第一电压提供到所述第一晶体管的步骤之前。

20.如权利要求17所述的方法，其中在降低所述第一电压的步骤中，所述第一电压被降低，直到所述第一晶体管的阈值电压关断所述第一晶体管为止。

21.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，栅极信号线被连接到所述第二晶体管的栅极；

连接到所述第一晶体管的栅极和所述电流源线的存储电容器；以及

连接到所述电极和另一显示元件的第二晶体管的栅极，从而利用在所述第一晶体管接通时流过的电流来累积电荷的负载电容器。

22.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，栅极信号线被连接到所述第二晶体管的栅极；

连接到所述第一晶体管的栅极和所述电流源线的存储电容器；以及

连接到所述电极和同一显示元件的第二晶体管的栅极，并且连接到所述栅极信号线，从而利用在所述第一晶体管接通时流过的电流来累积电荷的负载电容器。

23.如权利要求21或22所述的显示装置，其中所述显示元件是有机EL元件。

24.一种用于检查如权利要求21到23中的一个所述的主动矩阵显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过控制所述第二晶体管的栅极，将电荷存储到所述存储电容器中；以及

通过改变除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的电势，并且使用连接到所述将被检查的显示元件的电流源线的测量单元，来测量从所述电极流过的电荷或电流量。

25.如权利要求1到9、权利要求11到13、权利要求15和16以及权利要求21到23中的一个所述的主动矩阵显示装置，其中所述另一显示元件与将被检查的显示元件相邻。

26.如权利要求10、14、17、18、19、20和24中的一个所述的用于检查主动矩阵显示装置的方法，其中所述另一显示元件与将被检查的显示元件相邻。

27.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；以及

第三晶体管，该第三晶体管的漏极被连接到所述电极，并且其源极和栅极被连接到所述显示元件的栅极信号线，从而将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述显示元件的栅极信号线。

28.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；以及

连接到所述电极和所述显示元件的栅极信号线的二极管。

29.一种用于检查如权利要求27或28所述的显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过改变将被检查的显示元件的栅极信号线的电势来控制所述第二晶体管的栅极电压，将由所述数据存储信号线确定的电压提供到所述第一晶体管的栅极，以及控制所述第三晶体管的栅极或所述二极管；以及

通过使用连接到所述栅极信号线或所述第一电流源线的测量单元，来测量经由所述第三晶体管或所述二极管而从所述电极流过的电荷或电流量。

30.一种主动矩阵显示装置，包括：

基板；

用于提供显示元件的电极，所述显示元件被包括在所述基板上设置的多个像素中的每个像素内；

连接到所述电极和第一电流源线的第一晶体管，所述第一晶体管通过使用提供到其栅极的电压来确定所述显示元件的接通或关断状态；

连接到所述第一晶体管的栅极和数据存储信号线的第二晶体管，所述第二晶体管通过使用连接到所述第二晶体管的栅极的栅极信号线中的电压，来确定所述第一晶体管的栅极电压；以及

第三晶体管，该第三晶体管的栅极和漏极被连接到所述电极和除所述显示元件之外的另一显示元件的栅极线，并且该第三晶体管的栅极被控制，以便将从所述第一晶体管流到所述电极的电流引导至所述另一显示元件的栅极信号线。

31.如权利要求30所述的显示装置，其中所述第三晶体管的栅极被连接到所述显示元件的栅极线，从而执行控制，以便将所述栅极带入接通状态或关断状态。

32.一种用于检查如权利要求30或31所述的显示装置的每个显示元件的方法，该方法包括以下步骤：

通过改变将被检查的显示元件的栅极信号线的电势来控制所述第二晶体管的栅极电压，将由所述数据存储信号线确定的电压提供到所述第一晶体管的栅极，以及控制所述第三晶体管的栅极；以及

通过使用连接到所述将被检查的显示元件的第一电流源线，或者连接到除将被检查的显示元件之外的另一显示元件的栅极信号线的测量单元，来测量经由所述第三晶体管从所述电极流过的电流。

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