CN1674038A - 图像读取装置、具有图像读取装置的图像读取*** - Google Patents

图像读取装置、具有图像读取装置的图像读取*** Download PDF

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Abstract

本发明提供一种图像读取***，包括：从形成有多个显示像素的图像显示区域向视场侧发射与显示信号对应的显示光来显示图像的显示面板；以及透射由图像显示区域发射的显示光的至少一部分来读取在读取区域上放置的被摄物体图像的光电传感器面板。其中，该光电传感器面板具有：在显示面板的视场侧设置且具有读取区域的透明基板；在上述透明基板上的读取区域形成的多个光电传感器；在读取区域外侧同光电传感器一体地形成的驱动电路；以及在多个光电传感器和驱动电路的上部设置的静电保护用透明导电膜。

Description

图像读取装置、具有图像读取装置的图像读取***
技术领域
本发明涉及一种图像读取装置及具有图像读取装置的图像读取***，特别是涉及一种能良好地进行被摄物体图像的读取、并且可良好地在便携式电子设备等上搭载的图像读取装置及图像读取***。
背景技术
近年来，便携式电话机和便携式信息终端(PDA)等便携型及小型的电子设备的普及显著，还要求这种电子设备作为电子金融设备利用和搭载***功能等。在此情况下，在这种电子设备中，就必须搭载有识别、认证使用者本人的个人认证功能，为了这种个人认证，就需要包括读取指纹等被摄物体图像的图像读取装置的电子设备。
作为这种读取指纹等被摄物体图像的图像读取装置，例如已知有通过检测基于被摄物体(手指)和检测传感器之间产生的电位差的静电电容之差，来读取被摄物体图像的静电电容型的结构；以及采用CCD或CMOS传感器等的光电传感器，通过棱镜和反射镜等光学***读取被摄物体的明暗信息，以读取被摄物体图像的光学结构。
在上述静电电容型的结构中，虽然能够薄而轻地形成装载被摄物体来读取被摄物体图像的检测传感器部，但是，具有因被摄物体带有静电而容易产生检测传感器的静电损坏的问题。
另一方面，在光学式的结构中，虽然在被摄物体和光电传感器之间***光学***而难于薄型化和轻型化，但具有不容易产生被摄物体带有静电所导致的光电传感器的静电损坏、且指纹的读取响应速度也较快这样的优点。但是，由于作为光电传感器多采用的CCD和CMOS传感器等形成在半导体衬底上，因此不透明，所以就必须将这种图像读取装置设置在具有电子设备的图像显示部以外的场所。为此，在这种结构中，当将图像读取装置的尺寸设为能够良好地进行指纹等被摄物体图像的读取所必需的足够的尺寸时，就存在会增大电子设备的尺寸的问题。因此，为了抑制电子设备的尺寸增大，虽然有减小图像读取装置尺寸的情况，但此时就会存难以良好地进行指纹等被摄物体图像的读取、不能稳定地进行个人认证的问题。
发明内容
本发明提供一种图像读取装置和包括图像读取装置的图像读取***，具有这样的优点，能够良好地进行被摄物体图像的读取，还能够缩小图像读取装置的尺寸，在搭载有此图像读取装置的电子设备中，能够抑制其尺寸的增大，还能够良好地读取指纹等的被摄物体图像。
为了获得上述优点，本发明的图像读取装置，包括：基板，具有读取区域；多个光电传感器，在上述基板上的上述读取区域形成；驱动电路部，在上述基板上的上述读取区域外侧与上述光电传感器一体地形成，驱动上述光电传感器；静电保护用的透明导电膜，在上述基板上的上述多个光电传感器和上述驱动电路部的上部，隔着透明绝缘膜设置。
上述驱动电路部与上述基板上的上述读取区域邻接设置。此外，上述基板具有透射性，在上述基板上的一个端部设置有上述驱动电路部用的外部连接端子和上述透明导电膜用的外部连接端子；在上述透明绝缘膜下设置有连接上述驱动电路部和上述驱动电路部用的外部连接端子的引出线；在上述透明绝缘膜上设置有连接上述透明导电膜和上述透明导电膜用的外部连接端子的引出线。此外，在上述基板上的上述多个光电传感器和上述驱动电路部之间一体地形成静电保护元件。
在上述图像读取装置中，上述光电传感器至少由光电转换型薄膜晶体管构成，该光电转换型薄膜晶体管具有：在上述基板上隔着由半导体层构成的沟道区而形成的、由具有透射性的电极材料形成的源电极和漏电极；在上述沟道区的上方和下方隔着绝缘膜形成的、由具有透射性的电极材料形成的第一栅电极、以及由具有遮光性的电极材料形成的第二栅电极。
为了获得上述优点，本发明的图像读取***，包括：图像显示装置，具有形成有多个显示像素的图像显示区域，并具有从该图像显示区域向视场侧发射与显示信号对应的显示光来显示图像的显示面板；以及光电传感器面板，该光电传感器面板包括：在上述图像显示装置的上述视场侧设置的、具有读取区域的透明基板；在上述透明基板上的上述读取区域形成的多个光电传感器；以及在上述透明基板上的上述读取区域外侧与上述光电传感器一体地形成的、驱动上述光电传感器的驱动电路部；该光电传感器面板透射由上述图像显示区域发射的上述显示光的至少一部分，以读取在上述读取区域放置的被摄物体图像。
上述光电传感器面板的外形尺寸与上述图像显示装置中的上述显示面板的外形尺寸相同。
此外，在上述光电传感器面板中的上述透明基板上的上述多个光电传感器和上述驱动电路部的上部，隔着透明绝缘膜设置有静电保护用的透明导电膜。
上述驱动电路部同上述透明基板上的上述读取区域邻接设置，此外，在上述透明基板上的一个端部设置有上述驱动电路部用的外部连接端子和上述透明导电膜用的外部连接端子；在上述透明绝缘膜之下设置有连接上述驱动电路部和上述驱动电路部用的外部连接端子的引出线；在上述透明导电膜上设置有连接上述透明导电膜和上述透明导电膜用的外部连接端子的引出线。此外，在上述光电传感器面板的上述透明基板上的上述多个光电传感器和上述驱动电路部之间，一体地形成有静电保护元件。
上述光电传感器面板中的上述读取区域是与上述图像显示面板中的上述显示面板的上述显示区域对应的区域，具有至少与上述显示区域相同的面积。此情况下，还包括在上述显示面板上催促或引导在上述光电传感器面板的上述读取区域放置上述被摄物体的显示的设备。
此外，上述光电传感器显示面板的上述读取区域由与上述图像显示装置中的上述显示面板的上述显示区域相对应的区域的一部分区域构成，上述光电传感器面板还具有伪读取区域，该伪读取区域设置在上述显示面板的、与上述显示区域对应的区域中的上述读取区域以外的区域，具有与上述读取区域相同的透射率；在上述伪读取区域中，以矩阵方式排列着伪光电传感器，该伪光电传感器具有与上述光电传感器相同的结构和尺寸、且不被上述驱动电路部驱动。在此情况下，还包括在上述显示面板的与上述光电传感器面板的上述伪读取区域对应的区域、进行催促或引导在上述光电传感器面板的上述读取区域放置上述被摄物体的显示的设备。
上述光电传感器至少由光电转换型薄膜晶体管构成，该光电转换型薄膜晶体管具有：在上述透明基板上隔着由半导体层构成的沟道区而形成、且由具有透射性的电极材料构成的源电极和漏电极；在上述沟道区的上方和下方隔着绝缘膜而形成、且由具有透射性的电极材料形成的第一栅电极，以及由具有遮光性的电极材料形成的第二栅电极。
此外，上述图像读取***，包括：将上述显示面板的显示颜色依次切换为红色、绿色、蓝色的单元；以及，利用上述光电传感器面板进行每个上述显示颜色的上述被摄物体图像的读取、并将此读取的各显示颜色的图像进行合成而获得一个彩色图像的设备。
在上述图像读取***中，上述显示面板是具有对置的两块透明基板而构成的透射型彩色液晶显示面板，并且还包括在上述彩色液晶显示面板的上述视场侧的相反侧设置的背光源；或者是具有对置的两块透明基板而构成的电场序(field squential)驱动方式的液晶显示面板，并且还包括在上述液晶显示面板的上述视场侧的相反侧设置的、控制发光颜色依次切换为红色、绿色、蓝色进行发光的背光源。
此外，上述显示面板具有对置的两块透明基板而构成；并且上述显示面板的上述视场侧的一方的透明基板，兼作为上述光电传感器面板中的上述透明基板。
此外，上述显示面板是在上述显示像素具有发光元件的自发光型显示面板，是具有作为上述发光元件的有机EL显示元件的有机EL显示面板，例如，是顶发射型有机EL显示面板，上述有机EL显示面板与上述光电传感器面板中的上述透明基板通过密封材料相互粘贴着。
附图说明
图1是本发明的图像读取装置的第一实施方式的主要部分的平面图。
图2是本发明的图像读取装置的第一实施方式的主要部分等效电路的平面图。
图3是示出了本发明的图像读取装置的第一实施方式的具体结构的一个实例的截面图。
图4是本发明的图像读取装置的第二实施方式的主要部分等效电路的平面图。
图5是本发明的图像读取***的第一实施方式的主要部分的立体图。
图6是本发明的图像读取***的第二实施方式的主要部分的立体图。
图7是本发明的图像读取***的第三实施方式的主要部分的立体图。
图8是本发明的图像读取***的第四实施方式的主要部分的立体图。
具体施例方式
以下，将根据附图中所示的实施方式来详细说明本发明的图像读取装置及具有图像读取装置的图像读取***。
首先，说明本发明的图像读取装置。
<图像读取装置>
(图像读取装置的第一实施方式)
图1示出了本发明的图像读取装置的第一实施方式的主要部分的平面图。
此读取装置具有玻璃基板1。在玻璃基板1上的大致中央部分的读取区域2中，以矩阵方式(二维)配置着后述的多个光电传感器。在玻璃基板1上的读取区域2的右侧、左侧和下侧的各邻接区域中，设置有用于驱动在读取区域2设置的多个光电传感器的后述的第一～第三驱动电路部3～5。
在包含设置在读取区域2上的多个光电传感器和第一～第三驱动电路部3～5的玻璃基板1上，设置由后述的覆盖膜形成的透明绝缘膜6。在与比读取区域2和第一～第三驱动电路部3～5的配置区域宽一范围的区域对应的部分中的透明绝缘膜6的上表面，设置着静电保护用的透明导电膜7。
在透明绝缘膜6上表面的下端部两侧，设有透明导电膜用的外部连接端子8。在此两个透明导电膜用的外部连接端子8之间的透明绝缘膜6的上表面，设置有多个驱动电路部用的外部连接端子9。在此情况下，例如，透明导电膜用的外部连接端子8的宽度比驱动电路部用的外部连接端子9的宽度大一定程度。
通过在透明绝缘膜6上表面设置的透明导电膜用引出线10，将透明导电膜用的外部连接端子8与透明导电膜7的一个端部两侧连接。在此情况下，透明导电膜用引出线10的线宽例如与透明导电膜用的外部连接端子8的宽度相同。
如后所述，通过在透明绝缘膜6之下设置的驱动电路部用的引出线，将驱动电路部用的外部连接端子9与第一～第三驱动电路部3～5连接。
然后，图2示出了图1所示的读取装置的等效电路的平面图。
在玻璃基板1上的读取区域2，以矩阵方式配置着作为光电传感器的多个光电转换型薄膜晶体管11。薄膜晶体管11包括顶栅电极12、底栅电极13、漏电极14和源电极15，对其具体结构在后面进行说明。
在读取区域2中，通过按行方向配置的顶栅漏极16，将顶栅电极12与第一驱动电路部(顶栅驱动器)3连接。在读取区域2中，通过按行方向配置的底栅漏极17，将底栅电极13与第二驱动电路部(底栅驱动器)4连接。
在读取区域2中，通过按列方向配置的漏极线18，将漏电极14与第三驱动电路部(漏极驱动器)5连接。通过在读取区域2等配置的接地线(未图示)，将源电极15与驱动电路用外部连接端子9中的接地用外部连接端子连接。
然后，说明图2所示的读取装置的一部分具体结构的一个实例。
图3是示出了图2所示的读取装置的一部分具体结构的一个实例的截面图。在此情况下，从图3的左侧面向右侧，示出了驱动电路部用外部连接端子9的局部截面图、构成各第一～第三驱动电路部3～5的一部分的CMOS薄膜晶体管的局部截面图、第一～第三层间接触的局部截面图、光电转换型薄膜晶体管11的局部截面图。
首先，说明构成第一～第三驱动电路部3～5的各一部分的CMOS薄膜晶体管部分。例如，在玻璃基板1上的驱动电路部形成区域，设置例如由多晶硅薄膜晶体管形成的NMOS薄膜晶体管21和PMOS薄膜晶体管22所构成的CMOS薄膜晶体管。各薄膜晶体管21、22包括在第一和第二基底绝缘膜23、24的上表面分别设置的、由多晶硅形成的半导体薄膜25、26，该第一和第二基底绝缘膜23、24设在玻璃基板1的上表面。在此情况下，第一基底绝缘膜23由氮化硅构成，第二基底绝缘膜24由氧化硅构成。
NMOS薄膜晶体管21构成为具有例如LDD(轻掺杂漏极)结构。即，NMOS薄膜晶体管21的半导体膜25的中央部分为由本征区域形成的沟道区25a，其两侧成为由n型杂质低浓度区形成的源·漏区25b，进一步，其两侧成为由n型杂质高浓度区形成的源·漏区25c。另一方面，PMOS薄膜晶体管22的半导体膜26的中央部分成为由本征区域形成的沟道区26a，其两侧成为由p型杂质高浓度区形成的源·漏区26b。
在含有半导体薄膜25、26的第二基底绝缘膜24的上表面，设置由氮化硅形成的栅绝缘膜27。在各沟道区25a、26a之上的栅绝缘膜27的上表面，分别设置由例如铝系金属等的遮光性金属形成的栅电极28、29。在包含栅电极28、29的栅绝缘膜27的上表面，设置由氮化硅形成的底栅绝缘膜30、顶栅绝缘膜31和层间绝缘膜32。
在半导体薄膜25的源·漏区25c之上的栅绝缘膜27、底栅绝缘膜30、顶栅绝缘膜31和层间绝缘膜32中，设置有接触孔33。在半导体膜26的源·漏区26b之上的栅绝缘膜27、底栅绝缘膜30、顶栅绝缘膜31和层间绝缘膜32中设置有接触孔34。
在各接触孔33、34内及其附近的各层间绝缘膜32的上表面，分别设置由铝系金属等形成的源·漏电极35、36。在包含源·漏电极35、36的层间绝缘膜32的上表面，设置由氮化硅形成的覆盖膜37(透明绝缘膜6)。在覆盖膜37的上表面，设置由ITO等透光性金属形成的透明导电膜7。
并且，NMOS薄膜晶体管21由半导体膜25、栅绝缘膜27、栅电极28和源·漏电极35构成。PMOS薄膜晶体管22由半导体膜26、栅绝缘膜27、栅电极29和源·漏电极36构成。由此，就在玻璃基板1之上，整体形成了由NMOS薄膜晶体管21和PMOS薄膜晶体管22形成的CMOS薄膜晶体管、即第一～第三驱动电路部3～5。
然后，说明光电转换型薄膜晶体管11的一部分。在栅绝缘膜27的上表面，设置底栅电极41，该底栅电极41由与驱动电路部用薄膜晶体管21、22的栅电极28、29相同的材料即铝系金属等的遮光性金属形成。在包含底栅电极41的栅绝缘膜27的上表面，设置有底栅绝缘膜30。在底栅电极41上的底栅绝缘膜30的上表面，设置由本征非晶硅形成的半导体膜42。
在半导体薄膜42的上表面中央部分，设置由氮化硅形成的沟道保护膜43。在沟道保护膜43的上表面两侧及其两侧的半导体膜42的上表面，设置由n型非晶硅形成的接触层44。接触层44的各上表面及其各自附近的底栅绝缘膜30的上表面，设置由铝系金属等形成的源·漏电极45。
在包含源·漏电极45的底栅绝缘膜30的上表面，设置顶栅绝缘膜31。仅在半导体薄膜42之上的顶栅绝缘膜31的上表面，设置由ITO等透光性金属形成的顶栅电极46。在含有顶栅电极46的顶栅绝缘膜31的上表面，设置层间绝缘膜32和覆盖膜37。在覆盖膜37的上面，设置透明导电膜7。
并且，光电转换型薄膜晶体管11由底栅型的选择用薄膜晶体管和顶栅型的读取用薄膜晶体管形成，该底栅型的选择用薄膜晶体管由底栅电极41、底栅绝缘膜30、半导体膜42、沟道保护膜43、接触层44和源·漏电极45形成，该顶栅型的读取用薄膜晶体管由顶栅电极46、顶栅绝缘膜31、半导体膜42、沟道保护膜43、接触层44和源·漏电极45形成。由此，在玻璃基板1之上，一体地形成了光电转换型薄膜晶体管11。
然后，说明驱动电路部用外部连接端子9的一部分。驱动电路部用外部连接端子9由在层间绝缘膜32的上表面设置的下层连接端子部9a、和在覆盖膜37的上表面设置且通过在覆盖膜37中设置的接触孔47与下层连接端子部9a连接的上层连接端子部9b形成。在此情况下，下层连接端子部9a由与驱动电路部用薄膜晶体管21、22的源·漏电极35、36相同的材料形成，且上层连接端子部9b由与透明导电膜7相同的材料形成。
然后，说明第一～第三层间接触的部分。在第一层间接触的部分中，通过在层间绝缘膜32、顶栅绝缘膜31和底栅绝缘膜30中设置的接触孔49，将在层间绝缘膜32的上表面设置的第一上层布线48与在栅绝缘膜27的上表面设置的第一下层布线50连接。在此情况下，第一上层布线48由与驱动电路部用的薄膜晶体管21、22的源·漏电极35、36相同的材料形成，第一下层布线50由与驱动电路部用薄膜晶体管21、22的栅电极28、29相同的材料形成。并且，在第一上层布线48之上，设置有覆盖膜37和透明导电膜7。
在第二层间接触的部分中，通过在层间绝缘膜32和顶栅绝缘膜31中设置的接触孔52，将在层间绝缘膜32的上表面设置的第二上层布线51与在底栅绝缘膜30的上表面设置的第二下层布线53连接。在此情况下，第二上层布线51由与驱动电路部用薄膜晶体管21、22的源·漏电极35、36相同的材料形成，第二下层布线53由与光电转换型薄膜晶体管11的源·漏电极45相同的材料形成。并且，在第二上层布线51之上，设置有覆盖膜37和透明导电膜7。
在第三层间接触的部分中，通过在顶栅绝缘膜31中设置的接触孔55，将在顶栅绝缘膜31的上表面设置的第三上层布线54与在底栅绝缘膜30的上表面设置的第三下层布线56连接。在此情况下，第三上层布线54由与光电转换型薄膜晶体管11的顶栅电极46相同的材料形成，第三下层布线56由与光电转换型薄膜晶体管11的源·漏电极45相同的材料形成。并且，在第三上层布线54之上，设置层间绝缘膜32、覆盖膜37和透明导电膜7。
然后，说明图3所示的各个部分的电连接。通过第一下层布线50和第一上层布线48，光电转换型薄膜晶体管11的底栅电极41与驱动电路部用薄膜晶体管21、22的源·漏电极35、36连接。
通过第二下层布线53和第二上层布线51，光电转换型薄膜晶体管11的源·漏电极45与驱动电路部用薄膜晶体管21、22的源·漏电极35、36连接。通过第三上层布线54、第三下层布线56、第二下层布线53和第二上层布线51，光电转换型薄膜晶体管11的顶栅电极46与驱动电路部用薄膜晶体管21、22的源·漏电极35、36连接。
通过第一下层布线50和第一上层布线48(驱动电路部用引出线)，驱动电路部用薄膜晶体管21、22的栅电极28、29与驱动电路部用外部连接端子9连接。通过在层间绝缘膜32的上表面设置的图中未示出的布线(驱动电路部用引出线)，驱动电路部用薄膜晶体管21、22的源·漏电极35、36与驱动电路部用外部连接端子9连接。
然后，参照图1，说明透明导电膜用外部连接端子8的部分。透明导电膜用外部连接端子8和透明导电膜用引出线10由与透明导电膜7相同的材料形成，并设置于透明绝缘膜6(覆盖膜37)的上表面。并且，透明导电膜用外部连接端子8通过透明导电膜用引出线10，与透明导电膜7连接。
如上所述，在此读取装置中，由于在玻璃基板1上一体地形成多个光电转换型薄膜晶体管(光电传感器)11以及用于驱动这些薄膜晶体管11的第一～第三驱动电路部(CMOS薄膜晶体管)3～5，并隔着透明绝缘膜6用静电保护用绝缘膜7覆盖多个光电转换型薄膜晶体管11和第一～第三驱动电路部3～5，所以通过在其间***透明绝缘膜6，就不必考虑第一～第三驱动电路部3～5配置区域和透明导电膜7配置区域的配置关系。由此，就能够接近读取区域2来配置第一～第三驱动电路部3～5配置区域。在上述实施方式的情况下，如图1所示，由于在读取区域2的右侧、左侧和下侧的各自邻接区域中设置第一～第三驱动电路部3～5配置区域，因此就能够缩小装置整体的面积。
此外，可以不必考虑透明导电膜用引出线10与上述驱动电路部用引出线的配置关系。即，在上述实施方式的情况下，由于在透明绝缘膜7的上表面设置透明导电膜用引出线10，在透明绝缘膜7之下设置上述驱动电路部用引出线，因此即使它们的交差也不会产生短路。因此，就不必考虑透明导电膜引出线10与上述驱动电路部用引出线的位置关系。由此，就能够将透明导电膜用引出线10的线宽增加一定程度，由于降低了透明导电膜用引出线10的电阻值，就能够获得充分的消除静电效果。
并且，不仅是多个光电转换型薄膜晶体管11，而且第一～第三驱动电路部3～5也隔着透明绝缘膜6被静电保护用透明导电膜7覆盖，所以不仅能够充分保护多个光电转换型薄膜晶体管11，而且还能充分保护第一～第三驱动电路部(CMOS薄膜晶体管)3～5不受静电影响。
(图像读取装置的第二实施方式)
图4示出了本发明的图像读取装置的第二实施方式主要部分的等效电路的平面图。
在此读取装置中，与图2所示的第一实施方式的情况不同之处在于：在配置于读取区域2的多个光电转换型薄膜晶体管11与例如第二驱动电路部(底栅驱动器)4之间的玻璃基板1之上一体地形成了静电保护元件。
即，在读取区域2与第二驱动电路部4之间的玻璃基板1之上，按列方向延伸并设置有第一、第二静电保护线61、62。在第一、第二静电保护线61、62之间的各个底栅线17的两侧，并排设置二极管连接型的第一、第二静电保护用薄膜晶体管63、64。
第一静电保护用薄膜晶体管63由NMOS薄膜晶体管(例如，在图3所示的NMOS薄膜晶体管21中不具有由n型杂质低浓度区形成的源·漏区25b的结构)形成。并且，栅电极G和源电极S与第一静电保护线61连接，且漏电极D与底栅线17连接。
第二静电保护用薄膜晶体管64由PMOS薄膜晶体管(例如，与图3所示的PMOS薄膜晶体管22的结构相同)形成。并且，栅电极G和漏电极D与第二静电保护线62连接，且源电极S与底栅线17连接。
在具有此静电保护元件的读取装置中，当静电侵入了任一底栅线17的情况下，此静电就会通过第一静电保护用薄膜晶体管63泄放到接地电位的第一静电保护线61，或通过第二静电保护用薄膜晶体管64泄放到规定电位的第二静电保护线62，可阻止静电侵入到第二驱动电路部4。此外，同样阻止了静电从第二驱动电路部4侧侵入到读取区域2。而且，在第一、第三驱动电路部3、5与读取区域2的光电转换型薄膜晶体管11之间，也设置了与上述相同的静电保护元件。
(图像读取装置的其它实施方式)
在上述实施方式中，虽然说明了采用作为光电传感器的光电转换型薄膜晶体管的情况，但不限于此，也可以采用光电二极管。此外，在上述实施方式中，虽然说明了利用由多晶硅薄膜晶体管形成的CMOS薄膜晶体管来构成驱动电路部的情况，但不限于此，也可以仅仅由NMOS薄膜晶体管构成，此外，也可以利用由多晶硅薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管的组合来构成。
然后，说明本发明的图像读取***。
<图像读取***>
(图像读取***的第一实施方式)
图5示出了本发明的图像读取***的第一实施方式的主要部分的立体图。
此图像读取***包括：在液晶显示面板51的下侧配置有背光源61的图像显示装置；以及在液晶显示面板51的上侧设置的、由二维型光电传感器面板71形成的图像读取装置。
虽然在此图中未详细示出，但液晶显示面板51是一种有源矩阵型彩色液晶显示面板，具有：由形成了具有驱动元件的多个显示像素的玻璃形成的有源矩阵基板52，和由具备彩色滤色片的玻璃形成的对置基板53。在有源矩阵基板52和对置基板53之间封入液晶，在各基板52、53的各外侧面上粘贴偏振片，根据显示信号将电场施加到基板52、53之间的液晶上，由此控制光的透射状态，将从背光源61射出的光作为响应显示信号的显示光发射到视场侧，由此就能够在对置基板53的大致中央部分的显示区域54中进行图像显示。在此情况下，有源矩阵基板52的下边部分就从对置基板53突出，并在此突出部的上表面搭载有液晶驱动用的半导体芯片55。虽然此图中未详细地示出，但背光源61例如为平面光源型，从与液晶显示面板51相对的上表面发射光。
光电传感器面板71具有与上述图像读取装置的各实施方式相同的结构，该光电传感器面板71具有玻璃基板(透明基板)72，在玻璃基板72上的大致中央部分的读取区域73以矩阵方式配置多个光电传感器，装载被摄物体(例如，手指)，以便读取被摄物体图像(例如指纹图像)。在此情况下，在与液晶显示面板51的显示区域54对应的位置，配置光电传感器面板71的读取区域73，读取区域73的尺寸与液晶显示面板51的显示区域54的尺寸相同。在玻璃基板72上的读取区域73右侧、左侧和下侧的各个邻接区域，设置用于驱动在读取区域73上设置的多个光电传感器的第一～第三驱动电路部74～76。在玻璃基板72上的下端部分设置驱动电路部用的多个外部连接端子77。驱动电路部用的外部连接端子77通过引出线与第一～第三驱动电路部74～76连接。并且，将设置有光电传感器面板71的外部连接端子77的部分，配置在搭载有液晶显示面板51的有源矩阵基板52的半导体芯片55的部分上。由此，将光电传感器面板71的读取区域73重合配置在液晶显示面板51的显示区域54上，并且，将光电传感器面板71的上端边缘和下端边缘配置在与液晶显示面板51的有源矩阵基板52的上端边缘和下端边缘大致一致的位置。
此外，与上述图像读取装置的第一实施方式的情况相同，也可以在包含设置在光电传感器面板71的读取区域73上的多个光电传感器11和第一～第三驱动电路部74～76的玻璃基板72之上，设置由覆盖膜形成的透明绝缘膜78，并且可以在与比透明绝缘膜78上表面的读取区域73和第一～第三驱动电路部74～76的配置区域宽某一程度的区域对应的部分，设置静电保护用的透明导电膜79。
在此情况下，在透明绝缘膜78上表面的下端部两侧，设置有透明导电膜用的外部连接端子80。此外，在透明绝缘膜78的上表面设置驱动电路部用的外部连接端子77。这里，例如，透明导电膜用的外部连接端子80的宽度比驱动电路部用的外部连接端子77的宽度大某一程度。通过在透明绝缘膜78的上表面设置的透明导电膜用引出线81，形成与透明导电膜79的一个端部的两侧连接的透明导电膜用的外部连接端子80。在此和情况下，例如，透明导电膜用引出线80的线宽例如与透明导电膜用的外部连接端子79的宽度相同。通过在透明绝缘膜78之下设置的驱动电路部用引出线，驱动电路部用外部连接端子77与第一～第三驱动电路部74～76连接。
此外，与上述图像读取装置的第二实施方式的情况相同，也可以在光电传感器面板71的读取区域73的多个光电转换型薄膜晶体管11与第一～第三驱动电路部74～76之间的玻璃基板72上，一体地形成静电保护元件。
而且，在由上述覆盖膜形成的透明绝缘膜78之上设置透明导电膜79、在透明绝缘膜78上表面的下端部两侧设置透明导电膜用的外部连接端子80的结构，以及在读取区域73的薄膜晶体管11与第一～第三驱动电路部74～76之间设置静电保护元件的结构，也能够同样适用于以下各实施方式。
但是，在图5中，根据在光电传感器面板71上的右侧和左侧设置第一、第二驱动电路部74、75，在液晶显示面板51的有源矩阵基板52的突出部之上搭载着半导体芯片55的关系，虽然存在光电传感器面板71的左右方向的尺寸比液晶显示面板51的相同方向的尺寸稍大的情况，但也可以两个面板71、51的尺寸相同。在此情况下，例如将两个面板71、51容纳于密封壳内时，就能够比较容易容纳。
然后，说明上述图像读取***的操作。
首先，设此图像读取***为显示模式时，点亮背光源61，从背光源61的上表面发出的光入射液晶显示面板51的下表面，根据显示信号，与液晶显示面板51的显示驱动响应的显示光，从液晶显示面板51的显示区域54出射到视场侧。从显示区域54发射出的显示光透过光电传感器面板71的、与显示区域54相同尺寸的读取区域73，从该读取区域73射出。由此，可通过光电传感器面板71目视确认液晶显示面板51的图像显示。
即，如上述图3所示，在光电传感器面板71的光电变换型薄膜晶体管11的部分，虽然由例如铝系金属等形成的遮光性金属来形成底栅电极41和源·漏电极45，但除此之外的构成材料具有透射性。由此，当通过背光源61光从下表面侧入射时，此光就透过由遮光性金属形成的底栅电极41和源·漏电极45的部分之外的区域，就从上表面侧、即光电传感器面板71的读取区域73射出。这里，由于利用底栅电极41对光电转换型薄膜晶体管11的半导体膜42进行遮光，因此可使来自背光源61的光不入射到半导体膜42中。
然后，说明在此图像读取***上搭载有被摄物体例如手指来读取指纹图像的情况。
将此图像读取***设为指纹读取模式时，点亮背光源61，从背光源61的上表面射出的光入射到液晶显示面板51的下表面。在此情况下，对液晶显示面板51进行显示驱动，以便使显示区域54的整个区域成为例如白色显示。因此，入射到液晶显示面板51下表面的光透过显示区域54的整个区域，并从显示区域54的整个区域射出。从显示区域54的整个区域射出的光，透过尺寸与显示区域54相同的光电传感器面板71的读取区域73后，从该读取区域73射出。
在此状态下，将手指(被摄物体)放置在光电传感器面板71的读取区域73的上表面时，从光电传感器面板71的读取区域73射出的光就照射到手指，在与指纹的凸部(***线)对应的部分使光反射，在与指纹的凹部(下陷线)对应的部分就使光散射。由此，根据指纹的凹凸，就获得了光学上明暗鲜明的指纹图像光。
此指纹图像光透过由ITO等透光性金属形成的顶栅电极46、顶栅绝缘膜31和沟道保护膜43，照射到半导体薄膜42上。由此，在半导体薄膜42中感产生并存储与指纹图像光的明暗相对应的电子-空穴对，就能够读取指纹图像。
如上所述，在本实施方式的图像读取***中，由于光电传感器面板71是以矩阵状二维配置光电传感器11的方式，所以就能够容易读取在光电传感器面板71的读取区域73的上表面搭载的被摄物体(手指)的被摄物体图像(指纹图像)。此外，设读取区域73的尺寸与液晶显示面板51的显示区域54的尺寸相同，由于能够具有比较大的面积，因此就可很难发生读取不良。此外，由于在液晶显示面板51上配置有光电传感器面板71，因此就不必在液晶显示面板51以外的其它地方设置光电传感器面板配置区域，也能够实现包括图像读取装置的电子设备的小型化。
此外，在此图像读取***中，由于在光电传感器面板71中，在玻璃基板72上一体地形成构成作为光电传感器的多个光电转换型薄膜晶体管11及用于驱动这些薄膜晶体管11的第一～第三驱动电路部74～76的CMOS薄膜晶体管，因此就能减薄具有用于驱动薄膜晶体管11的第一～第三驱动电路部74～76的光电传感器面板71的厚度，能够抑制具有这些薄膜晶体管11的电子设备厚度的增加。
此外，在此图像读取***中，由于在光电传感器面板71中，在玻璃基板72上一体地形成着构成第一～第三驱动电路部74～76的CMOS薄膜晶体管，所以与在玻璃基板72上搭载构成这些驱动电路部的半导体芯片55的情况相比，就能够使光电传感器面板71的上表面平坦化。由此，就能够使手指等被摄物体容易紧密接触光电传感器面板71上表面。
但是，在此图像读取***中，如上所述，在读取模式时，虽然具有液晶显示面板51的显示颜色成为白色的结构，但不限于此，也可以设定为各种显示状态，例如，也可以将有源矩阵型液晶显示面板51的显示颜色依次切换为红色、绿色、蓝色，由此读取每一显示颜色的被摄物体图像。在此情况下，合成按每一显示颜色读取的被摄物体图像，就能够获得彩色图像。在如此情况下，即使光电传感器面板71为单色类型时，也能够读取彩色图像。
再者，例如，也可利用液晶显示面板51显示用于催促或引导向读取区域放置手指的图像或信息(文字信息)。
此外，在此图像读取***中，由于将来自在液晶显示面板51下侧配置的背光源61的光作为指纹等的图像读取光而利用，因此就不需要指纹等的图像读取专用的光源，因此减少了与此部分相当的部件数量，并能够降低成本。
但是，由于背光源61是液晶显示面板51用的光源，所以在光电传感器面板71的光电传感器11的感光度恒定时，存在不能够良好地进行指纹等图像的读取的情况。
例如，根据被摄物体的状态(例如，手指表面皮肤的干燥状态)和周围环境的亮度(例如，由于手指透射一定程度的外部光，此透射的外部光就成为指纹读取光)，当接收的光过亮时，使光电传感器11的感光度饱和，由此就能够良好地读取图像。另一方面，当接收的光过暗时，就不能读取保持对比度的图像。
因此，根据此状况能够良好地读取图像，所以也能够调整光电传感器11的感光度。此外，由于代替光电传感器31感光度的调整，在液晶显示面板51中能够根据显示图像使显示辉度进行各种改变，所以在光电传感器11接收的光过亮的情况下，也可使液晶显示面板51不是白色显示，而成为适当的灰色显示。此外，也可代替光电传感器11感光度的调整，调整背光源11的辉度。此外，也可以同时进行光电传感器11的感光度的调整和入射到光电传感器11的光强度的调整。
这里，在将此图像读取***适用于例如便携式电话机等的便携式电子设备的情况下，通常液晶显示面板51的显示区域54的尺寸比指纹读取所需的最小限度尺寸(搭载的手指的尺寸范围)要大。然而，在图5中，光电传感器面板71的读取区域73的尺寸与液晶显示面板51的显示区域54的尺寸相同。因此，在光电传感器面板71的读取区域73的整体区域中，以矩阵状配置图3所示的光电传感器11时，就能够使光电传感器面板71的读取区域73的整个区域的透射率均匀，在将此图像读取装置以显示模式使用时，就能够使光电传感器面板71的读取区域73整个区域的透射率均匀，可获得良好的显示质量。
(图像读取的第二实施方式)
图6示出了本发明的图像读取***的第二实施方式的主要部分的立体图。
再有，对与上述图像读取***的第一实施方式相同的结构赋予相同的符号，并简化或省略其说明。
在此图像读取装置中，与图5所示的图像读取***的第一实施方式的情况不同之处在于：在光电传感器面板71中，将与液晶显示面板51的显示区域54的一部分(例如，大致中央部分)对应的区域作为具有读取指纹所需的最小尺寸的读取区域73a，将与显示区域54的剩余部分对应的区域作为伪读取区域73b。
即，在读取区域73a中以矩阵状配置实际被驱动的光电转换型薄膜晶体管11(光电传感器)，在伪读取区域73b中相同地以矩阵状配置未被驱动的伪薄膜晶体管(伪光电传感器)。这里，伪薄膜晶体管具有与薄膜晶体管11相同的结构和尺寸，以与读取区域73a中的薄膜晶体管11的排列间隔相同的排列间隔来形成伪薄膜晶体管。由此，在伪读取区域73b中以矩阵状配置未被驱动的薄膜晶体管，是为了使读取区域的整个区域中的透射率均匀，以便伪读取区域73b的透射率与读取区域73a的透射率相同。
并且，在此图像读取装置中，由于也可以仅在具有读取指纹所需的最小尺寸的读取区域73a中以矩阵状配置实际被驱动的光电转换型薄膜晶体管，所以与图5所示的情况相比，就能够将实际被驱动的光电转换型薄膜晶体管11的数量设定为所需的最小限度，进而，能够实现提高产品合格率、降低成本、使驱动电路部小型化、减少消耗功率等。
但是，在此图像读取***的光电传感器面板71中，由于与液晶显示面板51的显示区域54对应的区域成为读取区域73a和伪读取区域73b，因此当指纹读取模式时，例如，使液晶显示面板51的显示区域54中的、与读取区域73a对应的区域成为白色显示，与伪读取区域73b对应的区域例如成为黑色显示，也可以引导手指的放置区域。
此外，当指纹读取模式时，例如，在液晶显示面板51的显示区域54之中，设与读取区域73a对应的区域为白色显示，也可以在与伪读取区域73b对应的区域上进行催促或引导将放置手指这样的图像或信息(文字信息)显示等。
(图像读取***的第三实施方式)
图7示出了本发明的图像读取***的第三实施方式的主要部分的立体图。
再有，对与上述图像读取***的第一实施方式相同的结构赋予相同的符号，并简化或省略其说明。
在此图像读取装置中，与图5所示的图像读取***的第一实施方式的情况不同之处在于：将光电传感器面板71的玻璃基板(72)兼用为液晶显示面板51的对置基板53。即，在液晶显示面板51的对置基板53的外面侧，设置以矩阵状配置多个光电转换型薄膜晶体管11(未图示出)的读取区域73、第一～第三驱动电路部74～76和多个外部连接端子77。
此情况下，液晶显示面板51如后所述，是由电场序(field squential)驱动方法来进行驱动的。为此，在对置基板53的内表面(与有源矩阵基板52相对侧的面)中，虽然未图示出，但设置有黑掩膜、共通电极和取向膜，而没设置彩色滤色片。此外，背光源61能够切换红色光、绿色光和蓝色光后从其上表面发射。
这里，为了在有源矩阵基板52上搭载半导体芯片55，就将有源矩阵基板52的下端部从对置基板53突出。此外，为了使光电传感器面板71的读取区域73与液晶显示面板51的显示区域重合，在兼用作光电传感器面板71的对置基板53的外面侧的一个端部设置的外部连接端子77的部分，从有源矩阵基板52的上端部(半导体芯片55搭载侧的相反侧)突出。
然后，简单说明此图像读取装置的电场序驱动方式的一个实例。例如，将1帧分割为3个第一～第三的子帧(subframe)，在各子帧的开始处将各行像素的写入状态复位，然后，对每一子帧，在进行各行像素中写入红色、绿色和蓝色的各个显示数据，然后，在各子帧的终止处，点亮背光源61，从其上表面发射出红色光、绿色光、蓝色光中的任何一种。
即，在第一子帧中，从背光源61上表面射出红色光，并从液晶显示面板51的显示区域、即光电传感器面板71的读取区域73射出与写入到各行像素中的红色显示数据相对应的红色图像光。然后，在第二子帧中，从背光源61上表面射出绿色光，并从液晶显示面板51的显示区域、即光电传感器面板71的读取区域73射出与写入到各行像素中的绿色显示数据相对应的绿色图像光。然后，在第三子帧中，从背光源61上表面射出蓝色光，并从液晶显示面板51的显示区域、即光电传感器面板71的读取区域73射出与写入到各行像素中的蓝色显示数据相对应的蓝色图像光。并且，通过合成上述三色的射出图像光，来显示1个彩色图像。
如上所述，在本实施方式中的图像读取装置中，由于液晶显示面板51的相对基板53兼用为光电传感器面板71的玻璃基板(72)，因此就能够减薄与该部分对应的图像读取装置的厚度，进而，就能够进一步抑制具有此图像读取装置的电子设备厚度的增加。
(图像读取***的第四实施方式)
图8示出了本发明的图像读取***的第四实施方式的主要部分的立体图。
在此图像读取装置中，与图5所示的图像读取***的第一实施方式的情况不同之处在于：代替非自发光型的液晶显示面板51而配备自发光型的显示面板81，并省略了背光源61。作为显示面板81，例如，可以使用采用了有机EL(电致发光)的显示面板。在此情况下，显示面板81为有机EL显示面板，在为顶发射型的情况下，通过根据显示驱动对以矩阵方式配置在玻璃基板82上表面的显示区域(对应于光电传感器面板71的读取区域73的区域)的多个有机EL层选择地施加电场，来进行向与玻璃基板82侧相对侧的发光和非发光。通过光电传感器面板71透射此射出的光，就能够进行图像显示。
此时，光电传感器面板71的玻璃基板72，通过在显示面板81的显示区域周围设置的密封材料粘贴在显示面板81的上表面侧。并且，显示面板81的下端部从光电传感器面板71突出，在此突出部的上表面搭载显示面板驱动用的半导体芯片83。此外，光电传感器面板71的外部连接端子77的部分从显示面板81的上端部突出。
在此图像读取***中，与图7所示的图像读取***的第三实施方式的情况相比，由于不包括背光源，因此就能够大幅度地薄型化，就能够使包括此图像读取***的电子设备薄型化。
此外，在显示面板81为有机EL显示面板的情况下，虽然在玻璃基板82上表面的显示区域上层叠阳极电极、有机EL层和阴极电极，但因浸入了来自外部的水分等杂质，所以就会发生并生长作为非发光区域的黑斑。相对于此，在显示面板81上的显示区域周围配置密封材料，并通过此密封材料使显示面板81与光电传感器面板71的玻璃基板72相互粘贴，由此就能够良好地防止水分等杂质浸入到由有机EL显示面板形成的显示面板81上的显示区域。由此，就能够抑制黑斑的发生和生长，并能够提高可靠性。
而且，作为形成显示面板81的有机EL显示面板，也可以是底发射型。此时，在玻璃基板82下表面的显示区域上，层叠阳极电极、有机EL层、阴极电极和保护膜，通过向玻璃基板82侧发射光，就能够进行与上述相同的图像显示。
(图像读取***的其它实施方式)
在上述实施方式中，虽然说明了采用光电转换型薄膜晶体管作为光电传感器的情况，但不限于此，也可以采用光电二极管。此外，在上述实施方式中，虽然说明了利用由多晶硅薄膜晶体管形成的CMOS薄膜晶体管来构成驱动电路部的情况，但不限于此，也可以仅利用NMOS薄膜晶体管来构成驱动电路部，此外，也可以利用多晶硅薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管的组合来构成驱动电路部。

Claims (30)

1、一种图像读取装置，其特征在于，包括：
基板，具有读取区域；
多个光电传感器，在上述基板上的上述读取区域形成；
驱动电路部，在上述基板上的上述读取区域外侧，与上述光电传感器一体地形成，驱动上述光电传感器；
静电保护用的透明导电膜，在上述基板上的上述多个光电传感器和上述驱动电路部的上部，夹着透明绝缘膜设置。
2、根据权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，
上述驱动电路部与上述基板上的上述读取区域邻接设置。
3、根据权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，
上述基板是具有透射性的基板。
4、根据权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，
在上述基板上的一个端部设置有上述驱动电路部用外部连接端子和上述透明导电膜用外部连接端子；
在上述透明绝缘膜之下设置有连接上述驱动电路部和上述驱动电路部用外部连接端子的引出线；
在上述透明绝缘膜之上设置有连接上述透明导电膜和上述透明导电膜用外部连接端子的引出线。
5、根据权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，
在上述基板上，上述多个光电传感器和上述驱动电路部之间一体地形成有静电保护元件。
6、根据权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，
上述光电传感器至少由光电转换型薄膜晶体管构成，该光电转换型薄膜晶体管具有：
在上述基板上夹隔着由半导体层构成的沟道区而形成的、由具有透射性的电极材料形成的源电极和漏电极；
在上述沟道区的上方和下方隔着绝缘膜形成的、由具有透射性的电极材料形成的第一栅电极、以及由具有遮光性的电极材料形成的第二栅电极。
7、一种图像读取***，其特征在于，包括：
图像显示装置，具有形成有多个显示像素的图像显示区域，并具有从该图像显示区域向视场侧发射与显示信号对应的显示光来显示图像的显示面板；
以及光电传感器面板，在上述图像显示装置的上述视场侧设置，该光电传感器面板包括：
具有读取区域的透明基板；
在上述透明基板上的上述读取区域形成的多个光电传感器；以及
在上述透明基板上的上述读取区域外侧与上述光电传感器一体地形成的、驱动上述光电传感器的驱动电路部；
该光电传感器面板透射由上述图像显示区域发射的上述显示光的至少一部分，读取在上述读取区域放置的被摄物体的图像。
8、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
在上述光电传感器面板中的上述透明基板上的、上述多个光电传感器和上述驱动电路部的上部，隔着透明绝缘膜设置有静电保护用的透明导电膜。
9、根据权利要求8所述的图像读取***，其特征在于，
在上述光电传感器面板中的上述透明基板上的一个端部，设置有上述驱动电路部用外部连接端子和上述透明导电膜用外部连接端子；
在上述透明绝缘膜之下设置有连接上述驱动电路部和上述驱动电路部用外部连接端子的引出线；
在上述透明绝缘膜之上设置有连接上述透明导电膜和上述透明导电膜用外部连接端子的引出线。
10、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述光电传感器面板中的上述驱动电路部与上述透明基板上的上述读取区域邻接设置。
11、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述光电传感器面板中的上述读取区域是与上述图像显示中的上述显示面板的上述显示区域对应的区域，具有至少与上述显示区域相同的面积。
12、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
在上述光电传感器面板的上述透明基板上的上述多个光电传感器和上述驱动电路部之间，一体地形成有静电保护元件。
13、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
还具有在上述显示面板上进行催促或引导在上述光电传感器面板的上述读取区域放置上述被摄物体的显示的单元。
14、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述光电传感器面板的上述读取区域由与上述图像显示装置中的上述显示面板的上述显示区域相对应的区域的一部分区域构成，
上述光电传感器面板还具有伪读取区域，该伪读取区域设置在与上述显示面板的上述显示区域对应的区域中的、上述读取区域以外的区域，具有与上述读取区域相同的透射率。
15、根据权利要求14所述的图像读取***，其特征在于，
在上述伪读取区域中，以矩阵状排列着伪光电传感器，该伪光电传感器具有与上述光电传感器相同的结构和尺寸、且不被上述驱动电路部驱动。
16、根据权利要求14所述的图像读取***，其特征在于，
还具有在上述显示面板的与上述光电传感器面板的上述伪读取区域对应的区域进行催促或引导向上述光电传感器面板的上述读取区域放置上述被摄物体的显示的单元。
17、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述光电传感器面板的外形尺寸与上述显示面板的外形尺寸相同。
18、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述光电传感器至少由光电转换型薄膜晶体管构成，该光电转换型薄膜晶体管具有：
在上述透明基板上隔着由半导体层构成的沟道区而形成的、由具有透射性的电极材料构成的源电极和漏电极；以及，
在上述沟道区的上方和下方隔着绝缘膜而形成、且由具有透射性的电极材料构成的第一栅电极以及由具有遮光性的电极材料构成的第二栅电极。
19、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，包括：
将上述显示面板的显示颜色依次切换为红色、绿色、蓝色的单元；以及，
利用上述光电传感器面板进行每个上述显示颜色的上述被摄物体图像的读取、并将此读取的各显示颜色的图像进行合成而获得一个彩色图像的单元。
20、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述显示面板是具有对置的两块透明基板而构成的透射型彩色液晶显示面板，
还包括在上述显示面板的上述视场侧的相反侧设置的背光源。
21、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述显示面板是具有对置的两块透明基板而构成的场序驱动方式的液晶显示面板，
还包括在上述液晶显示面板的上述视场侧的相反侧设置的、控制发光色来依次切换为红色、绿色、蓝色进行发光的背光源。
22、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述显示面板具有对置的两块透明基板而构成；
上述显示面板的上述视场侧的一方的透明基板，兼作为上述光电传感器面板中的上述透明基板。
23、根据权利要求7所述的图像读取***，其特征在于，
上述显示面板是在上述显示像素上具有发光元件的自发光型显示面板。
24、根据权利要求23所述的图像读取***，其特征在于，
上述显示面板是具有作为上述发光元件的有机电致发光显示元件的有机电致发光显示面板。
25、根据权利要求24所述的图像读取***，其特征在于，
上述有机电致发光显示面板是顶发射型有机电致发光显示面板。
26、根据权利要求24所述的图像读取***，其特征在于，
上述有机EL显示面板和上述光电传感器面板中的上述透明基板，通过密封材料相互粘贴着。
27、一种图像读取***的驱动方法，其特征在于，
该图像读取***包括：具有形成有多个显示像素的图像显示区域、从该图像显示区域向视场侧发射与显示信号对应的显示光来显示图像的单元；以及，具有形成有多个光电传感器的读取区域、且透射由上述图像显示区域的上述视场侧发射的上述显示光的至少一部分来读取在上述读取区域放置的被摄物体图像的单元，
该驱动方法包含以下步骤：
将由上述光电传感器透射的上述显示光的至少一部分光照射到放置在上述读取区域上的上述被摄物体上，利用上述光电传感器接收由该被摄物体反射的光；
根据由上述光电传感器接收的光的强度分布，将上述被摄物体的图像作为明暗信息读取。
28、根据权利要求27所述的图像读取***的驱动方法，其特征在于，包含将上述图像显示区域中的上述显示光的发射所决定的辉度设定为适于用上述光电传感器来读取被摄物体图像的辉度的步骤。
29、根据权利要求27所述的图像读取***的驱动方法，其特征在于，包含在上述图像显示区域进行催促或引导在上述检测面上放置上述被摄物体的显示的步骤。
30、根据权利要求24所述的图像读取***的驱动方法，其特征在于，包含将上述各光电传感器设定为非工作状态、对上述图像显示区域中的上述各显示像素施加与显示信号对应的信号电压、并通过上述读取区域显示图像的步骤。
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