CN1665043A - 电子元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。

Description

电子元件及其制造方法

技术领域

本发明涉及电子元件及其制造方法，特别涉及薄膜电容器、铁电体不挥发性存储器、薄膜体波振荡器(film bulk resonator)等装备了具有铁电性或者压电性的功能膜的电子元件及其制造方法。

背景技术

在薄膜电容器、铁电体不挥发性存储器、薄膜体波振荡器等电子元件中，往往使用由铁电体材料或者压电材料构成的功能膜。例如，薄膜体波振荡器具有通过上下2个导电膜(上部导电膜以及下部导电膜)夹持由压电材料构成的功能膜的结构，通过向这些导电膜外加高频信号，从而可以用作高通滤波器。

为了在这样的电子元件中获得良好的器件特性，需要使用结晶度高的功能膜。作为提高功能膜结晶度的方法，一般使用如下方法：提高成为功能膜基底的下部导电膜的结晶度，并使其结晶度在功能膜的结晶度中反映出来的方法。例如，在美国专利第6475931号说明书以及特开2001-313535号公报中，公开了如下方法：把下部导电膜的X射线摇摆曲线(X-ray rocking curve)的半峰宽设定为4.5°或以下，并通过反映其结晶度而将功能膜的X射线摇摆曲线的半峰宽设计为3.5°或以下。另外，作为具有良好结晶度的下部导电膜的形成方法，在日本专利第3310881号公报以及特开平11-312801号公报中也有记载。

然而，为了使下部导电膜的结晶度充分地反映在功能膜上，作为功能膜的成膜方法，需要使用外延生长法之类的高成本的成膜方法。而且外延生长法的成膜速率较慢，因此，使用该方法形成功能膜时，还存在生产效率低下的问题。

再者，为使下部导电膜的结晶度反映在功能膜上，作为下部导电膜的材料，还需要使用与功能膜的结晶匹配性高的材料，例如白金(Pt)和铱(Ir)等价格昂贵的材料，这成为问题的是提高了材料的成本。另外，下部导电膜的表面粗糙度大时，下部导电膜的结晶度就不能准确地反映在功能膜上，因此，有时还需要通过研磨等使下部导电膜的表面变得平滑。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种可提高功能膜的结晶度而与下部导电膜的结晶度无关的电子元件。

此外，本发明的另一目的是提供一种不使用外延生长法等高成本的成膜方法而能够形成结晶度高的功能膜的电子元件的制造方法。

根据本发明的电子元件，其特征在于：该元件具有：衬底，设置在所述衬底上的下部导电膜，设置在所述下部导电膜上的功能膜，设置在所述下部导电膜和所述功能膜之间的结晶性阻挡膜(crystallinity barrier film)。

根据本发明，由于在下部导电膜和功能膜之间设置有结晶性阻挡膜，因而下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜的结晶度。由此，可以使用铝(Al)等廉价的金属作为下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成，因而不使用外延生长法等高成本的成膜方法就能够提高功能膜的结晶度。因此，例如即使下部导电膜的X射线摇摆曲线的半峰宽为5°或以上、下部导电膜的表面粗糙度为15或以上，也可以将功能膜的X射线摇摆曲线的半峰宽设计为3°或以下。

在本发明中，上述结晶性阻挡膜优选由具有无定型结构的材料所构成，特别是更优选由含有硅(Si)和氧(O)以及氮(N)中的至少一种元素的材料或者非晶硅所构成。这是因为这些材料廉价而且还容易成膜。

在本发明中，上述结晶性阻挡膜的厚度为50nm或以上，而且优选不高于上述功能膜的厚度。如果把结晶性阻挡膜的厚度设定在上述范围内，则可以降低对电子元件的特性带来的影响，而且能够阻挡下部导电膜的结晶度将产生的影响，同时还能覆盖存在于下部导电膜的表面的凹凸部位。特别优选上述结晶性阻挡膜的厚度为150nm或以上。如果把结晶性阻挡膜的厚度设定为150nm或以上，则能够基本上完全地阻挡下部导电膜的结晶度将产生的影响，同时还能更加可靠地覆盖住存在于下部导电膜表面的凹凸部位。更进一步说，上述结晶性阻挡膜的厚度更优选为上述功能膜厚度的一半或以下。这样一来，可以更进一步降低对电子元件的特性带来的影响。

根据本发明的电子元件的制造方法，其特征在于具有下列工序：在衬底上形成下部导电膜的工序，在上述下部导电膜上形成具有无定型结构的结晶性阻挡膜的工序，在上述结晶性阻挡膜上形成功能膜的工序。在这种情况下，优选上述下部导电膜、上述结晶性阻挡膜以及上述功能膜都采用溅射法来形成。

如上所述，根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜的结晶度，因而可以使用廉价的金属作为下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。由此，本发明能够提供提供低成本、高性能的电子元件。

附图说明

图1是表示根据本发明优选的实施方案的电子元件10的结构的剖面略图。

图2是使用具有衬底本体21以及在其表面上形成的声波多层膜22的衬底11的电子元件20的剖面略图。

图3是表示根据本发明优选的其它实施方案的电子元件30的结构的剖面略图。

图4是表示结晶性阻挡膜19的厚度与功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽之间关系的曲线图。

具体实施方式

下面参照附图就本发明优选的实施方案进行详细的说明。

图1为表示根据本发明优选的实施方案的电子元件10的结构的剖面简图。

如图1所示，根据本实施方案的电子元件10的构成是：具有衬底11、设置在衬底11上的下部导电膜12、设置在下部导电膜12上的功能膜13、设置在功能膜13上的上部导电膜14，进而具有设置在下部导电膜12与功能膜13之间的结晶性阻挡膜19。如上所述，根据本实施方案的电子元件10由于具有通过下部导电膜12和上部导电膜14夹持功能膜13的结构，因此，如果将ZnO等压电材料用作功能膜13的材料，就有可能作为薄膜体波振荡器或者喷墨打印机用机头等电子元件加以利用。另外，如果将PZT等铁电体材料用作功能膜13的材料，就有可能作为铁电体不挥发性存储器和薄膜电容器等电子元件加以利用。再者，通过组合这样的电子元件10和其它的电路，可以构成高通滤波器或者双工器、RF部内装型通信用半导体集成电路等电子元件。

在根据本发明的电子元件中，在下部导电膜12和功能膜13之间设置有结晶性阻挡膜19，由此功能膜13的结晶度就不会反映下部导电膜12的结晶度。这意味着不必像以前那样提高下部导电膜12的结晶度、将与功能膜13的结晶匹配性高的材料用作下部导电膜12的材料，进而不必通过研磨等工序使下部导电膜12的表面变得平滑。因此，不仅能够廉价地形成下部导电膜12，而且无需使用外延生长法进行功能膜13的成膜，因此，还能够低成本地形成功能膜13。

下面就构成电子元件10的各要素进行详细的说明。

衬底11

衬底11可以使用硅(Si)或蓝宝石等单晶衬底、氧化铝或者AlTiC等陶瓷衬底、石英或玻璃衬底等。衬底11的材料可以从使用的工艺、目标元件的特性以及成本等方面进行适当的选择。例如，作为衬底11的材料，如果使用硅(Si)或者玻璃衬底，就能够廉价地获得电子元件用的衬底，而当工艺要求超过600℃的高温时，优选使用硅(Si)和石英。作为衬底11的材料，最优选使用廉价、且能够确保进行高度的晶片加工的Si单晶。

衬底11还可以使用事先在表面上形成若干膜的衬底或者经过研磨等机械加工的衬底。以硅(Si)为代表，大多工业用衬底是经过表面研磨等机械加工的。另外，在在陶瓷衬底中，为了降低衬底的表面粗糙度，常常在表面形成膜或者进一步对该膜进行研磨，而这些衬底都可以加以使用。

图2是使用具有衬底本体21以及在其表面上形成的声波多层膜22的衬底11的电子元件20的剖面略图。这样的结构在把本发明的电子元件用作薄膜体波振荡器的情况下是合适的。

作为衬底本体21，可以使用硅(Si)或者蓝宝石等单晶衬底、氧化铝或者AlTiC等陶瓷衬底、石英或者玻璃衬底等。另外，声波多层膜22具有将由互相不同的材料构成的单元薄膜22A以及22B交替层叠而形成的结构，并通过反射向衬底本体21方向传播的振动而起到提高薄膜体波振荡器的特性的作用。作为单元薄膜22A的材料，例如可以使用氮化铝(AlN)，作为单元薄膜22A的材料，例如可以使用氧化硅(SiO₂)。当将氮化铝(AlN)用作单元薄膜22A的材料时，优选采用溅射法形成该材料，当将氧化硅(SiO₂)用作作为单元薄膜22B的材料时，优选采用CVD法形成该材料。关于单元薄膜22A以及22B的厚度，可以根据目标共振频率进行设定。

下部导电膜12

下部导电膜12是配置在功能膜13下方的膜，如上所述，在根据本发明的电子元件中，在下部导电膜12和功能膜13之间设置有结晶性阻挡膜19，因此，下部导电膜12的晶体结构和结晶度不会影响功能膜13的结晶度。所以，对于下部导电膜12的材料，只要是具有高导电性的材料就可以任意使用。另外，关于它的X射线摇摆曲线的半峰宽，可以设定为5°或以上，进而可以设定为10°或以上。下部导电膜12的具体材料没有什么特别限制，但优选使用铝(Al)和铜(Cu)等廉价的金属及其合金。另外，下部导电膜12的表面也不必特别平滑，可以将表面粗糙度设定为15或以上，例如设定为30左右。也就是说，完全不需要通过研磨等使下部导电膜12的表面变得平滑。

下部导电膜12的厚度优选为10～1000nm，更优选为50～300nm。这是因为：如果不足10nm，则由于薄膜电阻增大，因而作为电极不是优选的，如果超过1000nm，则制造过程所需的时间以及材料成本需要进一步增大。另外，当将本实施方案的电子元件用作薄膜体波振荡器时，由于共振频率随着下部导电膜12的厚度的变化而变化，因此，优选根据目标共振频率设定下部导电膜12的厚度。下部导电膜12的形成方法并没有特别的限制，可以利用真空蒸镀法、溅射法、CVD法等。

结晶性阻挡膜19

结晶性阻挡膜19是为防止下部导电膜12的结晶度在功能膜13上反映出来而使用的膜。作为其材料，优选使用具有无定型结构的材料，藉此确实能够防止下部导电膜12的结晶度在功能膜13上反映出来。作为具有无定型结构的材料，可以优选地列举出氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氧氮化硅(SiON，元素比不定)等含有硅(Si)、氧(O)以及氮(N)中的至少一种元素的材料或者非晶硅。这是因为这些材料廉价且容易成膜。

关于结晶性阻挡膜19的厚度，优选设定为50nm或以上。这是因为：如果结晶性阻挡膜19的厚度不足50nm，则不但不能充分获得阻挡结晶度产生影响的效果，而且还有可能不能充分的覆盖存在于下部导电膜12表面的凹凸部位。为基本上阻挡下部导电膜12的结晶度将产生的影响，而且充分覆盖存在于下部导电膜12表面的凹凸部位，优选将结晶性阻挡膜19的厚度设定为150nm或以上。

另一方面，由于结晶性阻挡膜19是设置在下部导电膜12和上部导电膜14之间的膜，因此，如果其厚度过大，可能会大大影响电子元件的特性。因此，优选将结晶性阻挡膜19的厚度设定为不高于功能膜13的厚度，更优选设定为功能膜13厚度的一半或以下。尤其是在使用氧化硅(SiO₂)或者氮化硅(Si₃N₄)作为结晶性阻挡膜19的材料的情况下，如果其厚度超过150nm，则由结晶性阻挡膜19带来的效果就大致饱和了，因此，结晶性阻挡膜19的厚度设定为150nm或以上，优选设定为更接近150nm的值。

功能膜13

作为功能膜13的材料，可以使用ZnO、AlN、GaN等具有纤锌矿型晶体结构的压电材料或者PZT等铁电体材料。例如，如果使用ZnO等压电材料作为功能膜13的材料，就可以把本实施方案的电子元件10用作薄膜体波振荡器或者喷墨打印机用机头等电子元件，另外，如果使用PZT等铁电体材料作为功能膜13的材料，就可以把本实施方案的电子元件10用作铁电体不挥发性存储器或者薄膜电容器等电子元件。

另外，功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽优选为3°或以下。为了将功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽设定为这样的数值，如上所述，可以使用具有无定型结构的材料作为成为基体的结晶性阻挡膜19的材料，并将其厚度设定为50nm或以上，更优选设定为150nm或以上。由此可以制造具有良好特性的电子元件。

当使用AlN和ZnO等具有纤锌矿型晶体结构的压电材料时，作为其形成方法，优选使用RF磁控溅射或者DC溅射、ECR溅射等溅射法、CVD(化学气相沉积)法或者真空蒸镀法，其中，更优选溅射法，特别是RF磁控溅射法。这是因为：通过使用RF磁控溅射法，可以轻易形成由AlN或者ZnO构成的c轴单一定向的高结晶度薄膜。当使用AlN时，优选使用反应性RF磁控溅射法。此时，通过如下操作可以形成的优异的AlN膜：把Al金属用于阴极，导入Ar气和氮气，并在200℃左右的衬底温度下，进行反应性RF磁控溅射。即使在使用ECR溅射法的情况下，也可以制造杂质非常少的高结晶度薄膜。

另外，当使用PZT等铁电体材料作为功能膜13的材料时，优选采用蒸镀法或者溅射法、CVD法或者激光烧蚀法而形成功能膜13，其中，更优选使用蒸镀法或者溅射法。特别是使用作为蒸镀法之一的反应性蒸镀法时，可以制造厚度均匀的高结晶度的铁电体薄膜。

功能膜13的厚度需要根据电子元件的种类以及所需的特性而进行适当的选择。例如，当用作薄膜体波振荡器时，所设定的共振频率越高，就越需要将功能膜13设定得薄些。

上部导电膜14

作为上部导电膜14的材料，只要是具有高导电性的材料，就没有什么特别的限制，可以使用铝(Al)、金(Au)、白金(Pt)等金属、这些金属和铜(Cu)等的合金、或者将这些金属与钛(Ti)等金属进行层叠而得到的多层膜。而且上部导电膜14不必是外延生长的膜。另外，还优选在功能膜13和上部导电膜14之间***保护膜。此时，作为保护膜的材料，可以使用氧化硅(SiO₂)等。

上部导电膜14的厚度优选设定为50nm～1μm左右。这是因为：如果上部导电膜14的厚度不足50nm，则容易引起断线等不良现象，反之，如果超过1μm，则上部导电膜14的加工性能就会过度恶化。另外，当将本实施方案的电子元件作为薄膜体波振荡器时，与下部导电膜12同样，共振频率也随上部导电膜14的厚度的变化而变化，因此，优选根据目标共振频率而设定上部导电膜14层的厚度。

以上是根据本实施方案的电子元件10、20的结构。这样一来，根据本实施方案的电子元件10、20在下部导电膜12和功能膜13之间***有结晶性阻挡膜19，因而下部导电膜12的结晶度和材料的选择不会影响功能膜13的结晶度。由此，可以将铝(Al)等廉价的金属作为下部导电膜12的材料，并采用低成本的方法也可以使之形成，因而本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法也可以提高功能膜13的结晶度。

下面就根据本发明优选的其它实施方案的电子元件进行说明。

图3是表示根据本发明优选的其它实施方案的电子元件30的结构的剖面略图。

根据本实施方案的电子元件30是薄膜体波振荡器，如图3所示，该振荡器的构成包括：通路孔31a的衬底本体31，设置在衬底本体31上的缓冲层32，设置在缓冲层32上的下部导电膜12，设置在下部导电膜12上的结晶性阻挡膜19，设置在结晶性阻挡膜19上的功能膜13和设置在功能膜13上的上部导电膜14。

作为衬底本体31，优选使用单晶硅，最优选使用具有Si(100)单晶表面的衬底。这是因为通过使用Si(100)衬底，容易形成通路孔31a。通路孔31a例如可以通过利用蚀刻等除去部分衬底本体31而形成，或者通过部分或完全除去像牺牲层那样暂时形成的膜而形成。当对通路孔31a进行蚀刻加工时，缓冲层32是作为蚀刻阻止层使用的。

如上所述，根据本发明实施方案的电子元件30具有在衬底本体31上形成通路孔31a的隔膜结构，因而本发明可以提供高性能的薄膜体波振荡器。

本发明不限于以上说明的实施方案，可以在权利要求书所记载的范围内进行各种变化，不用说这些变化例也包含在本发明的范围内。

实施例

下面就本发明的实施例进行说明，但本发明丝毫不受这些实施例的限制。

实施例1

采用以下的方法，并根据图1所示的电子元件10制造实施例1的电子元件，其中在该电子元件的结构中，省去了上部导电膜14。

首先，准备经过镜面研磨的、并由Si单晶构成的厚250μm、电阻率1000Ω·cm的Si(100)衬底11，清洗后，在衬底11上形成由铝(Al)构成的厚100nm的下部导电膜12。采用RF磁控溅射法形成下部导电膜12，其成膜条件设定为：衬底温度为室温，成膜速度为1nm/s。

接着在下部导电膜12上，采用RF磁控溅射法形成由SiO₂构成的厚50nm的结晶性阻挡膜19。其成膜条件设定为：使用SiO₂靶，衬底温度为室温℃，成膜速度为0.1nm/s。

然后在结晶度阻挡层19上，采用RF磁控溅射法形成由AlN构成的厚1.8μm的功能膜13。其成膜条件设定为：衬底温度为200℃，成膜速度为0.5nm/s。

对这样制得的实施例1的电子元件进行X射线衍射试验，结果如下：下部导电膜12的X射线摇摆曲线的半峰宽为13°，而功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽为4.2°，可以确认功能膜13是结晶度较高的膜。

实施例2

除了把结晶性阻挡膜19的厚度设定为100nm以外，与实施例1同样地制造实施例2的电子元件。对这样制得的实施例2的电子元件进行X射线衍射试验，结果如下：功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽为3.4°，可以确认功能膜13是结晶度较高的膜。

实施例3

除了把结晶性阻挡膜19的厚度设定为150nm以外，与实施例1同样地制造实施例3的电子元件。对这样制得的实施例3的电子元件进行X射线衍射试验，结果如下：功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽为2.9°，可以确认功能膜13是结晶度非常高的膜。

实施例4

除了把结晶性阻挡膜19的厚度设定为300nm以外，与实施例1同样地制造实施例4的电子元件。对这样制得的实施例4的电子元件进行X射线衍射试验，结果如下：功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽为2.9°，可以确认功能膜13是结晶度非常高的膜。

实施例5

除了把结晶性阻挡膜19的厚度设定为500nm以外，与实施例1同样地制造实施例5的电子元件。对这样制得的实施例5的电子元件进行X射线衍射试验，结果如下：功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽为2.8°，可以确认功能膜13是结晶度非常高的膜。

比较例

除了省去结晶性阻挡膜19而在下部导电膜12上直接形成功能膜13以外，与实施例1同样地制造比较例的电子元件。对这样制得的比较例的电子元件进行X射线衍射试验，结果如下：功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽为6.9°，不能获得高的结晶度。

图4是使用实施例1～5以及比较例的数据而绘制出结晶性阻挡膜19的厚度和功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽之间的关系的曲线图。如图4所示，在结晶性阻挡膜19的厚度不足150nm的范围内，可以发现如下倾向：随着膜厚度的增加，功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽减小。而在结晶性阻挡膜19的厚度为150nm或以上的范围内，功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽大致饱和，不能确认有更进一步的改善效果。

实施例6～10

使用Si₃N₄作为结晶性阻挡膜19的材料，使用Si靶并将衬底温度设定为室温℃，成膜速度设定为1nm/s，除此以外，与实施例1～5同样地分别制造实施例6～10的电子元件。对这样制得的实施例6～10的电子元件进行X射线衍射试验，结果如下：功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽分别与实施例1～5得到的值相同。

实施例11

通过以下方法，制造如图2所示的具有与电子元件20相同结构的

实施例11的电子元件。

首先，准备经过镜面研磨、由Si单晶构成的厚250μm、电阻率1000Ω·cm的Si(100)衬底本体21，清洗后，分别采用RF磁控溅射法以及TEOS-CVD法，依次重复4次层叠厚1.5μm的AlN膜和厚0.8μm的SiO₂膜，藉此形成声波多层膜22。由此得到了衬底11。

接着在衬底11上，形成由铝(Al)构成的厚100nm的下部导电膜12。利用RF磁控溅射法形成下部导电膜12，成膜条件设定为：衬底温度为室温℃，成膜速度为1nm/s。成膜的下部导电膜12的X射线摇摆曲线的半峰宽为15.0°，其表面粗糙度Ra为30。

把该下部导电膜12形成预定形状的图案后，采用RF磁控溅射法，在其上面形成由SiO₂构成的厚150nm的结晶性阻挡膜19。成膜条件设定为：衬底温度为室温℃，成膜速度为0.1nm/s。成膜的结晶性阻挡膜19的表面粗糙度Ra为25。

接着采用RF磁控溅射法，在结晶性阻挡膜19上形成由AlN构成的厚2.5μm的功能膜13。其成膜条件设定为：衬底温度为200℃，成膜速度为0.5nm/s。在结晶性阻挡膜19上，成膜的功能膜13的X射线摇摆曲线的半峰宽为2.5°。

再者，在功能膜13上，通过CVD法形成作为保护膜的厚50nm的SiO₂薄膜，进而通过溅射法，在其上面形成由铝(Al)构成的上部导电膜14。

对这样制造的实施例11的电子元件(薄膜体波振荡器)的特性进行测定的结果，阻抗比(共振阻抗与***振阻抗之比)为40dB，有效的机电耦合系数(k²)为2.5％，能够获得良好的共振特性。

另外，作为下部导电膜12的材料，分别使用铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、银(Ag)、金(Au)以及白金(Pt)以代替铝(Al)，制造电子元件(薄膜体波振荡器)，所得特性与实施例11相同。

Claims (10)

1.一种电子元件，其特征在于：该元件具有：衬底，设置在所述衬底上的下部导电膜，设置在所述下部导电膜上的功能膜，以及设置在所述下部导电膜和所述功能膜之间的结晶性阻挡膜。

2.如权利要求1所述的电子元件，其特征在于：所述结晶性阻挡膜由具有无定型结构的材料所构成。

3.如权利要求2所述的电子元件，其特征在于：所述结晶性阻挡膜由含有硅、氧以及氮之中的至少一种元素的材料或非晶硅所构成。

4.如权利要求1～3任一项所述的电子元件，其特征在于：所述下部导电膜的X射线摇摆曲线的半峰宽为5°或以上，所述功能膜的X射线摇摆曲线的半峰宽为3°或以下。

5.如权利要求1～4任一项所述的电子元件，其特征在于：所述结晶性阻挡膜的厚度为50nm或以上，而且不高于所述功能膜的厚度。

6.如权利要求5所述的电子元件，其特征在于：所述结晶性阻挡膜的厚度为150nm或以上。

7.如权利要求5或者6所述的电子元件，其特征在于：所述结晶性阻挡膜的厚度为所述功能膜厚度的一半或以下。

8.如权利要求5～7任一项所述的电子元件，其特征在于：所述下部导电膜的表面粗糙度为15或以上。

9.一种电子元件的制造方法，其特征在于具备下列工序：在衬底上形成下部导电膜的工序，在所述下部导电膜上形成具有无定型结构的结晶性阻挡膜的工序以及在所述结晶性阻挡膜上形成功能膜的工序。

10.如权利要求9所述的电子元件的制造方法，其特征在于：所述下部导电膜、所述结晶性阻挡膜以及所述功能膜均采用溅射法来形成。

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